「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor substrate has an Si substrate 1, the SiGe layer SG formed on the surface of the substrate 1, and an implanted region 1a, into which hydrogen ions or helium ions are implanted near the surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上のＳｉＧｅ層ＳＧとを備え、前記Ｓｉ基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域１ａを有する。 - 特許庁

An upper transparent resin substrate 21 and a lower resin substrate 22 each formed by integrating a wavy layer with a substrate to obtain the light condensing property equal to that of a glass substrate and to simplify the multilayered structure are used.例文帳に追加

ガラス基板と同等の集光性を示し、多層構造の簡素化を図るため、凹凸層を基板に一体化して形成した上側透明樹脂基板２１と下側樹脂基板２２とを用いる。 - 特許庁

The electronic device 14 on the first substrate 11 is brought into contact with an adhesive layer 22 on a surface of a second substrate 21 and the first substrate 11 is separated to transfer the electronic device 14 to the second substrate 21.例文帳に追加

第２基板２１の表面の粘着層２２に、第１基板１１上の電子デバイス１４をを密着させ、第１基板１１を分離すると、電子デバイス１４が第２基板２１に転写される。 - 特許庁

A skin layer 12, a substrate layer 13 and a duct member 15 are preformed to be set in a mold 17 and a non-foamed resin material 21 prepared by mixing a foaming agent 24 and a microwave absorbing material 25 is arranged between the skin layer 12 and the substrate layer 13 and a microwave absorbing material 26 is arranged between the substrate layer 13 and the duct member 15.例文帳に追加

予め成形した表皮材層１２、基材層１３およびダクト部材１５を金型１７の内部にセットし、発泡剤２４およびマイクロ波吸収材料２５を混合した未発泡樹脂材料２１を表皮材層１２および基材層１３間に配置し、マイクロ波吸収材料２６を基材層１３およびダクト部材１５間に配置する。 - 特許庁

The laminated structure for metal wiring includes a substrate, the barrier layer formed directly or indirectly on the substrate for preventing copper from being diffused over the substrate, and the copper layer mainly composed of copper as a base layer of a copper layer for wiring, and the barrier layer contains at least either TaSiN or WSiN.例文帳に追加

金属配線のための積層構造は、基板と、該基板上に直接又は間接的に形成された、前記基板への銅の拡散を防止するためのバリア層と、該バリア層上に形成された、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層とを含み、前記バリア層はＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含む。 - 特許庁

A light-emitting device 1 of the present invention includes: a substrate 10; a compound semiconductor layer 11, which includes an active layer 14, provided on the substrate 10; and a reflector 20, which reflects light from the active layer 14 emitted from the surface of the compound semiconductor layer 11 in a horizontal direction to the substrate 10, provided on the compound semiconductor layer 11.例文帳に追加

本発明に係る発光素子１は、基板１０と、基板１０の上に設けられ、活性層１５を有する化合物半導体層１１と、化合物半導体層１１の上に設けられ、化合物半導体層１１の表面から放射される活性層１４からの光を基板１０に水平な方向に向けて反射する反射部２０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a substrate 110 formed of sapphire; a plurality of projections 115 formed of silicon nitride and each formed on the substrate 110 in an island-like shape; an intermediate layer 120 laminated on the substrate 110 and the plurality of projections 115; a base layer 130; an n-type semiconductor layer 140; a luminescent layer 150; and a p-type semiconductor layer 160.例文帳に追加

半導体発光素子１は、サファイアからなる基板１１０と、窒化珪素からなり基板１１０に島状に形成される複数の突起１１５と、基板１１０および複数の突起１１５に積層される中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a composite substrate, preventing cracks in the upper dielectric layer in forming the upper layer caused by the lower layer step and preventing the generation of uneven application at forming of the upper layer, by applying a solution in the manufacturing method for the multiplane composite substrate that forms the dielectric layer on the substrate provided with an electrode.例文帳に追加

電極を設けた基板上に誘電体層を形成する多面付け複合基板の製造方法において、下層の段差起因で上層形成時に上層の誘電体層にクラックが入るのを防止し、また、上層を溶液の塗布により形成する場合の塗布ムラの発生を防止する複合基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is constituted having a nitride gallium compound semiconductor layer 13 with a p-n junction, a conductive substrate 11 located in a p-side or an n-side of the semiconductor layer, and a reflection layer 12 which is located between the semiconductor layer and the substrate and has high resistance when compared to a substrate and a semiconductor layer being basically undoped with impurities.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層１３と、前記半導体層のｐ側もしくはｎ側に位置する導電性の基板１１と、半導体層と基板との間に位置し、基本的に不純物をドープしないことにより基板と半導体層とに比べて高抵抗とした反射層１２とを備えるように構成したものである。 - 特許庁

(A) The GaN-based LED chip 100 has a translucent substrate 101, and a GaN-based semiconductor layer L formed on the translucent substrate 101 wherein the GaN-based semiconductor layer L has a multilayer structure including an n-type layer 102, a light emitting layer 103, and a p-type layer 104 in this order from the translucent substrate 101 side.例文帳に追加

（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。 - 特許庁

To provide a peeling sheet having a primer layer which can prevent the migration of a silicone curing inhibitor contained in a substrate or a layer applied on the substrate to a silicone peeling layer and is excellent in adhesion between the substrate or a coating layer containing the silicone curing inhibitor and the silicone peeling layer and in resistance to a peeling agent diluting solvent such as toluene or hexane.例文帳に追加

基材や基材の上に塗工された層に含まれるシリコーン硬化阻害物質のシリコーン剥離層への移行を防止でき、かつ基材やシリコーン硬化阻害物質含有塗工層とシリコーン剥離層との密着性及びトルエン、ヘキサン等の剥離剤希釈溶剤耐性に優れる下塗り剤層を有する剥離シートを提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the fine structure is characterized by steps of, forming a reversed layer having a reversed configuration of a required configuration on a substrate, forming the electrocast layer by electrocasting the substrate on which the above reversed layer is formed, machining the electroformed layer to adjust the thickness into a predetermined dimension, and removing the above reversed layer from the above substrate.例文帳に追加

基板の表面に得たい形状の反転形状を有する反転層を形成する工程と、前記反転層が形成された基板に電鋳を行い電鋳層を形成する工程と、前記電鋳層の厚さを所定の寸法に加工する工程と、前記基板から前記反転層を除去する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

An RRAM memory cell includes a first oxidation resistance layer 20, a first heat resistance metal layer 22, a CMR layer 24, a second heat-resistant metal layer 26, and a second oxidation resistance layer 28; and is formed on a silicon substrate having a metal plug 16 which is connected operably in the silicon substrate, and which is formed on the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のＲＲＡＭメモリセルは、第１の酸化耐性層２０と、第１の耐熱性金属層２２と、ＣＭＲ層２４と、第２の耐熱性金属層２６と、第２の酸化耐性層２８とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ１６を有する該シリコン基板上に形成される。 - 特許庁

In the pattern forming method including a step for forming a negative resist layer (thick film resist layer) 13 on a substrate 10, a step for forming a plating film 14 on the substrate 10 and a step for removing the negative resist layer 13 from the substrate 10, a positive resist layer 12 is formed before forming the negative resist layer 13.例文帳に追加

基板１０上にネガレジスト層（厚膜レジスト層）１３を形成する工程と、基板１０上にめっき皮膜１４を形成する工程と、剥離液に浸漬し、基板１０からネガレジスト層１３を剥離させる工程とを含むパターン形成方法において、ネガレジスト層１３を形成する前にポジレジスト層１２を形成するようにした。 - 特許庁

An intermediate layer 103 is formed on an epitaxially growing substrate 101, and a III nitride epitaxial layer 104 is formed on the intermediate layer 103 for the formation of a semiconductor substrate, where the substrate 101 is thermally treated at a temperature higher than the thermal decomposition temperature of the intermediate layer 3 after the III nitride epitaxial layer 104 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長用基板１０１上に中間層１０３を形成した後、中間層１０３上にIII族窒化物エピタキシャル層１０４を形成して、半導体基板を作製する半導体基板の作製方法であって、III族窒化物エピタキシャル層１０４を形成後、中間層１０３の熱分解温度以上の温度で熱処理を施す。 - 特許庁

The semiconductor electrode is provided with a conductive substrate, a semiconductor oxide layer formed on the conductive substrate, a dye molecular layer absorbed on a surface of the semiconductor oxide layer, and insulation layers formed on the surface of the semiconductor oxide layer exposed through the dye molecular layer and a surface of the conductive substrate, respectively.例文帳に追加

半導体電極は、伝導性基板と、伝導性基板上に形成された半導体酸化物層と、半導体酸化物層の表面に吸着されている染料分子層と、染料分子層を通じて露出される半導体酸化物層の表面と伝導性基板の表面とにそれぞれ形成されている絶縁層と、を備える。 - 特許庁

The light-emitting element is provided which has a configuration that a phosphor layer and an upper electrode layer to form a pair with a conductor substrate are formed on the conductor substrate, that the conductor substrate has a plurality of convex parts on the side where the phosphor layer and the upper electrode layer are formed, and that the convex parts are penetrated through the upper electrode layer.例文帳に追加

導電体基板上に、蛍光体層と、該導電体基板と対をなす上部電極層と、が形成されてなり、該導電体基板は該蛍光体層及び該上部電極層が形成される側に複数の凸部を有しており、かつ、該凸部は該上部電極層を貫通していることを特徴とする構成の発光素子を提供する。 - 特許庁

This method of bonding substrates comprises the steps of: (a) interposing a non-crystalline silicon layer 14 between a first silicon substrate 10 and a second silicon substrate (single crystal silicon substrate) 20; and (b) subjecting the layer 14 to such a heat treatment that the layer 14 becomes a single crystal silicon layer 18 (or polysilicon layer).例文帳に追加

本発明の基板張り合わせ方法は、（ａ）第１のシリコン基板１０と第２のシリコン基板（単結晶シリコン基板）２０との間に非晶質シリコン層１４を介在させる工程、および（ｂ）非晶質シリコン層１４が単結晶シリコン層１８（または多結晶シリコン層）になるような熱処理を非晶質シリコン層１４に施す工程、を含む。 - 特許庁

The magnetic recording medium 1 is provided with a substrate 2 and an amorphous magnetic layer 4 for magnetically recording information which is made of an amorphous magnetic material and a substrate layer 3 having ≤10 nm average layer thickness and consisting of a nonmagnetic metal element is provided between the substrate 2 and the amorphous magnetic layer 4 so as to be in contact with the amorphous magnetic layer 4.例文帳に追加

基板２と、情報を磁気的に記録するための非晶質磁性体からなる非晶質磁性層４とを備える磁気記録媒体１において、基板２と非晶質磁性層４との間に、平均層厚が１０ｎｍ以下の非磁性金属元素からなる下地層３を非晶質磁性層４に接するように設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a first impurity region 14 formed on the silicon substrate 10, an insulation layer 12 formed on the silicon substrate 10, a conductive layer 16 formed on the insulation layer 12, and a first silicide layer 50 for connecting the first impurity region 14 and the conductive layer 16 electrically.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０に形成された第１不純物領域１４と、シリコン基板１０上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成された導電層１６と、第１不純物領域１４と導電層１６とを電気的に接続する第１シリサイド層５０とを含む。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device which has a substrate, an active layer formed on the substrate, and a striped current injection area formed on the active layer has a current blocking layer formed between the substrate and active layer, and the current injection area and current blocking layer face each other.例文帳に追加

基板、該基板上に形成された活性層、該活性層の上部に形成されたストライプ状の電流注入領域を有する半導体発光装置において、該基板と該活性層との間に電流阻止層が形成されており、該電流注入領域と該電流阻止層が対向していることを特徴とする半導体発光装置。 - 特許庁

The wiring substrate 10 includes a base layer 12 formed selectively by applying the electrophotographic system onto a substrate 11, a conductive metal layer 13 formed of the base layer 12, and the insulating layer 14 formed by applying the electrophotographic system so as to cover at least the part of the front surface of the substrate 11 and the conductive metal layer 13.例文帳に追加

配線基板１０は、基板１１上に電子写真方式を適用して選択的に形成された下地層１２と、下地層１２上に形成された導電金属層１３と、基板１１表面および導電金属層１３の少なくとも一部を覆うように、電子写真方式を適用して形成された絶縁層１４とを具備する。 - 特許庁

This method comprises a step for preparing a substrate 101, a step for forming a semiconductor element on the substrate 101, a step for accumulating a metallic layer 107 on the substrate 101 and for electrically connecting this metallic layer 107 with the semiconductor element, a step for accumulating a solder layer 108 on the metallic layer, and a step for wire- bonding a wire 109 with the metallic layer 107.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、基板（１０１）を用意する段階、基板（１０１）上に半導体素子を形成する段階、基板（１０１）上に金属層（１０７）を堆積し、半導体素子に電気的に結合する段階、はんだの層（１０８）を金属層上に堆積する段階、およびワイヤ（１０９）を金属層（１０７）にワイヤ・ボンドする段階を含む。 - 特許庁

A transparent conductor comprises: a substrate 13; a conductive layer 14 containing conductive particles 11 and a resin 12; and a barrier layer 15 containing a metal or an inorganic compound; where the barrier layer 15 is placed at least in one position of positions between the substrate 13 and the conductive layer 14 and on a side of the substrate 13 opposite to the conductor layer 14.例文帳に追加

本発明は、基体１３と、導電粒子１１及び樹脂１２を含有する導電層１４と、金属又は無機化合物を含有するバリア層１５と、を備え、バリア層１５が、基体１３と導電層１４との間、及び、基体１３に対し導電層１４と反対側、の少なくともいずれか一方に設けられている透明導電体である。 - 特許庁

The transparent adhering layer is set between the transparent substrate and the scattering surface of the light emitting stack.例文帳に追加

透明接着層は、透明基板と、発光スタックの散乱表面の間に設置される。 - 特許庁

LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC SUBSTRATE HAVING DIFFUSION BARRIER LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法 - 特許庁

To measure the layer thickness of a substrate in the process of chemical mechanical polishing.例文帳に追加

基板上の層の厚さを、ケミカルメカニカルポリシング中の処理状態のままで測定する。 - 特許庁

The layered body is configured such that an element mounting surface of a substrate 1 is sealed with the sealing layer 4.例文帳に追加

積層体は、基板１の素子搭載面を封止層４で封止した構成である。 - 特許庁

The barrier layer 51 is formed in a region excluding BCA (Burst Cutting Area) of the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

バリア層５１は、基板１の裏面のＢＣＡを除いた領域に形成される。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a single crystal silicon substrate 1 provided with a linear conductive layer 2 on its surface.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１の上には、ライン状の導電層２が形成されている。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient of the barrier layer is ±0.5 ppm/°C of that of the substrate.例文帳に追加

バリア層の熱膨張係数は基板の熱膨張係数の±０．５ｐｐｍ／℃以内とされる。 - 特許庁

To form a surface protective layer and a rear surface light-shielding film on a photoelectric conversion substrate simultaneously.例文帳に追加

光電変換基板の表面保護層と裏面遮光膜を同時に形成する。 - 特許庁

The barrier layer, resistant to transmission of moisture and oxygen, is disposed on the surface of the substrate.例文帳に追加

バリヤ層は基材の表面上に設けられ、水分及び酸素の透過抵抗性である。 - 特許庁

To provide an insulating substrate made of an electric insulating material containing a polyphenylene ether resin, and a wiring substrate having superior adhesion strength between a wiring conductor embedded in a surface of the insulating substrate and an insulating resin layer such as a solder resist layer and a build-up resin layer etc.例文帳に追加

ポリフェニレンエーテル樹脂を含有する電気絶縁材料から成る絶縁基板および該絶縁基板の表面に埋入された配線導体とソルダーレジスト層やビルドアップ樹脂層等の絶縁樹脂層との密着強度に優れた配線基板を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the method has a process of etching the substrate (10) after shaping the first layer (13).例文帳に追加

さらに、第１の層（１３）を加工後に、前記基材（１０）をエッチングする工程を有する。 - 特許庁

A light emitting device 1 includes a substrate 2 having insulating properties of a sapphire, etc., a semiconductor layer 3 formed by laminating a nitride semiconductor layer on the front surface of the substrate 2, and a phosphor layer 4 made of a YAG:Ce formed on the rear surface of the substrate 2.例文帳に追加

発光装置１は、サファイア等の絶縁性を有する基板２と、基板２の表面に窒化物半導体層を積層して形成される半導体層３と、基板２の裏面に形成されたＹＡＧ：Ｃｅからなる蛍光体層４とから構成されている。 - 特許庁

The circuit board includes: a substrate; a polar molecular layer pattern and a nonpolar molecular layer pattern, each being arranged on the substrate; a first electrode and a second electrode, each being arranged on the substrate; and at least one channel arranged on the polar molecular layer pattern, for including linear nanostructures.例文帳に追加

回路基板は、基板と、基板に配置された極性分子層パターンおよび非極性分子層パターンと、基板に配置された第１の電極および第２の電極と、極性分子層パターンに配置され、線状ナノ構造物を含む１つ以上のチャネルとを含む。 - 特許庁

The phosphor layer is hard to be separated from the glass substrate because of mixing of the conductive fine particles.例文帳に追加

導電性微粒子の混合により、蛍光体層はガラス基板から剥離しにくい。 - 特許庁

A wiring layer 54 and a via hole conductor 56 are disposed in the laminated substrate 41.例文帳に追加

積層基板４１の内部には、配線層５４やバイアホール導体５６が設けられている。 - 特許庁

A second conduction layer 108 is deposited o stacked on the other surface of the substrate.例文帳に追加

第２の導電層１０８は、基板のもう一方の表面に堆積又は積層される。 - 特許庁

A bottom face of the silicon substrate 20 is polished until the thin film layer 23 of the groove 22 is reached.例文帳に追加

シリコン基板２０の底面を溝２２の薄膜層２３に達するまで研磨する。 - 特許庁

A surface of the baked glass layer is smoother than that of the ceramic substrate.例文帳に追加

焼成されたガラス層の表面はセラミック基板の表面に比べて滑らかである。 - 特許庁

First of all, a cholesteric film 13 is formed on a glass substrate 11 via an alignment layer 12.例文帳に追加

まず、ガラス基板１１上に配向膜１２を介してコレステリック膜１３を形成する。 - 特許庁

The radiological image conversion panel has a stimulable phosphor layer 12 on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に輝尽性蛍光体層１２を有する放射線画像変換パネルである。 - 特許庁

To bore a hole in a cover layer in a short period of time without hardly affecting a substrate member.例文帳に追加

被覆層に、短時間で、下地部材にほとんど影響を与えることなく、穴を開ける。 - 特許庁