| 例文 |
substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
A light-emitting element includes a support substrate 10, and a semiconductor film 40 provided on the support substrate via a light reflection layer 30.例文帳に追加
発光素子は、支持基板10と、光反射層30を介して支持基板上に設けられた半導体膜40と、を含む。 - 特許庁
A rear curtain arm 26 and a second substrate 31 have similar constitutions, and the second substrate 31 has a nickel plated layer in an area B also.例文帳に追加
後幕アーム26、第2基板31も同様の構成であり、第2基板31の領域Bにもニッケルメッキ層を有する。 - 特許庁
In a solar cell module 1, solar cells 5 are sealed between a translucent substrate 2 and an insulation substrate 3 by a sealing layer 7.例文帳に追加
太陽電池モジュール1は、透光性基板2と絶縁基板3との間に太陽電池セル5を封止層7で封止した。 - 特許庁
A transparent substrate 2 on which a transparent electrode 3, a metal electrode 4, and an insulation layer are formed, is kept and fixed to a substrate frame 20.例文帳に追加
基板枠20に、透明電極3,金属電極4,絶縁層5が形成された透明基板2を保持させ固定させる。 - 特許庁
SUBSTRATE FOR GROWTH OF NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR BASE LAYER DESORPTION SUBSTRATE, AND THEIR MANUFACTURING METHODS例文帳に追加
窒化物半導体結晶成長用基体、窒化物半導体積層体、窒化物半導体自立基板及びそれらの製造方法 - 特許庁
The organic EL panel 2 includes a substrate 5 and an organic EL element 6 having an organic light emitting layer 12 provided on the substrate 5.例文帳に追加
有機ELパネル2は、基板5と、基板5に設けられた有機発光層12を含む有機EL素子6とを備えている。 - 特許庁
The novel composition may be used in fuser members comprising a substrate 102 and a top-coat layer 106 disposed over the substrate.例文帳に追加
新規組成物を、基材102と、基材の上に配置されたトップコート層106とを備える定着器部材で用いてもよい。 - 特許庁
In a moistureproof paper wherein a moistureproof layer 2 is laminated on the rear surface of substrate paper 1, the substrate paper 1 is constituted of resin-impregnated paper.例文帳に追加
基体紙1の裏面に防湿層2を積層してなる防湿紙において、基体紙1を樹脂含浸紙から構成する。 - 特許庁
The display device is characterized in having an IC and a layer which is as tall as the IC and adjusts substrate spacing on a substrate.例文帳に追加
基板上にICと、前記ICと同じ高さを有する基板間隔を調整する層とを有することを特徴とする。 - 特許庁
The liquid crystal device 100R is provided with a light-emitting side substrate part 102, a light incident side substrate part 101 placed opposite to the light-emitting side substrate part 102 and a liquid crystal layer 103 held between the light-emitting side substrate part 102 and the light incident side substrate part 101.例文帳に追加
液晶装置は、射出側基板部と、前記射出側基板部に対向配置される入射側基板部と、前記射出側基板部および前記入射側基板部に挟まれる液晶層と、を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device 10 includes an Si layer (or an Si substrate) 100 formed on a main surface of an insulator substrate 101, wherein the insulator substrate 101 is a sapphire substrate 101 and the main surface of the insulator substrate 101 is a face (c).例文帳に追加
絶縁体基板101の主面上にSi層(またはSi基板)100を有する半導体装置10において、絶縁体基板101はサファイア基板101であり、絶縁体基板101の主面はc面である。 - 特許庁
A second substrate 2 is placed opposite to the first substrate 1, and a liquid crystal layer 3 containing liquid crystal molecules with an aligning direction parallel to a principal surface of the first substrate 1 is held between the first substrate 1 and the second substrate 2.例文帳に追加
第1の基板1には第2の基板2が対向配置されており、第1の基板1と第2の基板2の間に、第1の基板1の主面に平行な配向方向をもつ液晶分子を含む液晶層3が保持されている。 - 特許庁
The semiconductor device having a semiconductor film formed on a substrate using EBSP, undergoes a processing for reducing the thickness of the substrate by chemical mechanical grinding and a processing for exposing the surface of the semiconductor through removing the substrate reduced in thickness by etching, or removing the substrate and an insulation layer between the substrate and the semiconductor film.例文帳に追加
また、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向性を高め、そのような結晶質半導体膜を用いたTFTを提供することを第二の目的とする。 - 特許庁
The liquid crystal display element comprises a first substrate 1 and a second substrate 2 opposing to each other, a liquid crystal layer 3 present between the first substrate and the second substrate 2, and a temperature controlling functional body formed on the first substrate 1 and/or the second substrate 2.例文帳に追加
液晶表示素子は、互いに対向する第1基板1および第2基板2と、第1基板1および第2基板2の間隙に介在する液晶層3と、第1基板1および/または第2基板2に形成された温度調節機能体を有する。 - 特許庁
The inner surfaces of the first substrate 125 and the second substrate are jointed to each other so that the light emitting layer is located between the first substrate 125 and the second substrate, and at least a part of the first substrate 125 is positioned and stacked on at least a part of the second substrate.例文帳に追加
発光層が第1と第2の基板125の間に位置し、第1の基板125の少なくとも一部分が第2の基板の少なくとも一部分と位置決めされて積重されるように、第1の基板125と第2の基板の内面を接合する。 - 特許庁
The view angle control liquid crystal element 1 has a first substrate 11, a second substrate 12, and a first liquid crystal layer 13 for controlling view angle characteristics of light transmitting through the first substrate and the second substrate by being sandwiched between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加
視野角制御液晶素子1は、第1基板11と、第2基板12と、第1基板および第2基板間に狭持され、これら第1基板および第2基板間を透過する光の視野角特性を制御する第1液晶層13とを有している。 - 特許庁
The organic photoreceptor 100 comprises an A1 substrate 101 of a drum shape and the organic photosensitive layer 102, and is provided with a charge implantation blocking layer between the A1 substrate 101 and the organic photosensitive layer 102 at need.例文帳に追加
有機感光体100は、ドラム形状のAl基体101と有機感光層102とで構成され、必要に応じてAl基体101と有機感光層102との間に電荷注入阻止層が設けらる。 - 特許庁
In the panel heater 1, the transparent heat generating layer 3 comprises a first transparent heat generating layer 3a formed on the front surface 2a of a transparent substrate 2 and a second transparent heat generating layer 3b formed on the rear surface 2b of the transparent substrate.例文帳に追加
パネルヒータ1は、透明発熱層3が透明基板2の前面2aに形成された第1透明発熱層3aと透明基板の背面2bに形成された第2透明発熱層3bとからなる。 - 特許庁
An n-type GaN contact layer 2, a MQW active layer 3, and a p-type AlGaN clad layer 4 are sequentially formed on a GaN substrate 1 and an n-electrode 8 is also formed at the rear surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加
GaN基板1上にn型GaNコンタクト層2、MQW活性層3、p型AlGaNクラッド層4が順に形成されており、GaN基板1の裏面にはn電極8が形成される。 - 特許庁
The light emitting device is provided with a substrate 21, a junction structure comprising an n-type semiconductor layer 22 and a p-type semiconductor layer 23 which are formed on a front surface of the substrate 21, and an n electrode 24 formed on the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加
基板21と、基板21の上表面に形成されるn型半導体層22とP型半導体層23の接合体構造と、n型半導体層22に形成されるn電極24とを備える。 - 特許庁
The nanocolumns 13 are each such that an n-type layer 14 decreases in diameter with the distance from the substrate 11, a light emission layer 15 has a minimum diameter, and a p-type layer 16 increases in diameter with the distance from the substrate 11.例文帳に追加
ナノコラム13は、n型層14は基板11から離れるにつれて径が細くされ、発光層15における部分の径が最小であり、p型層16は基板11から離れるにつれて径が太くされている。 - 特許庁
The insulating circuit board 10 comprises: a wiring layer 11 mounting a power device 7; an insulating substrate 12 bonded to the rear surface of the wiring layer 11; and a heat dissipation layer 12 bonded to the rear surface of the insulating substrate 12.例文帳に追加
絶縁回路基板10は、パワーデバイス7が実装される配線層11と、配線層12の裏面に接合された絶縁基板12と、絶縁基板12の裏面に接合された放熱層12とからなる。 - 特許庁
To propose a glass substrate, a seed layer and a magnetic layer which constitute a magnetic recording medium for obtaining high magnetic anisotropy in the magnetic recording medium having the seed layer of a laminated structure on a non-metal substrate of a glass based material.例文帳に追加
ガラス系材料の非金属基板上に積層構造のシード層を有する磁気記録媒体において、高い磁気異方性を得るための、磁気記録媒体を構成するガラス基板、シード層、磁性層を提案する。 - 特許庁
A heat dissipation structure of this invention comprises a substrate, a ZnO layer formed on at least one surface of the substrate, and a ZnO whisker layer formed on the ZnO layer to solve the problem.例文帳に追加
本発明に係る放熱構造は、上記課題を解決すべく、基板と該基板の少なくとも一表面に形成されたZnO層と該ZnO層の表面に形成されたZnOウィスカー層を有することを特徴とする。 - 特許庁
A semiconductor device includes a substrate of a first conductivity type, an insulating layer formed on at least a portion of the substrate, and an epitaxial layer of a second conductivity type formed on at least a portion of the insulating layer.例文帳に追加
半導体デバイスが、第1導電型の基板、基板の少なくとも一部分上に形成された絶縁層、および絶縁層の少なくとも一部分上に形成された第2導電型のエピタキシャル層を備える。 - 特許庁
In the junction field effect transistor 1; a p-type lower epitaxial layer 3, an n-type epitaxial layer 4, and a p-type upper epitaxial layer 5 are stacked on a semiconductor substrate 2 in this order from the side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加
接合型電界効果トランジスタ1では、半導体基板2上に、p型下エピタキシャル層3、n型エピタキシャル層4およびp型上エピタキシャル層5が、半導体基板2側からこの順に積層されている。 - 特許庁
In this np tandem type dye-sensitized solar cell 1, an anode substrate 21, a dye-sensitized n-type semiconductor layer 22, an electrolyte layer 3, a dye-sensitized p-type semiconductor layer 42 and a cathode substrate 41 are arranged, in this order.例文帳に追加
npタンデム型の色素増感太陽電池1では、アノード基板21、色素増感n型半導体層22、電解質層3、色素増感p型半導体層42、カソード基板41がこの順に配置されている。 - 特許庁
The optical waveguide substrate with an optical fiber fixation groove is produced by forming a lower cladding layer on a base substrate using a male stamp produced from a female stamp and then successively forming a core layer and an upper cladding layer thereon.例文帳に追加
光ファイバ固定溝付き光導波路基板は、凹型から作製された凸型を用いて、ベース基板上に下部クラッド層を形成した後、コア層および上部クラッド層を順次形成することにより製造される。 - 特許庁
The base layer 71 and the protecting layer 73 of the flexible substrate 7 have the equal thickness, and a portion corresponding to a neutral axis of portions 76, 77 folded into round corners in the flexible substrate 7 is the wiring layer 72.例文帳に追加
可撓性基板7のベース層71および保護層73が等しい厚さであり、可撓性基板7で角丸に折り曲げられている部分76、77の中立軸に相当する部分は配線層72である。 - 特許庁
To provide: a method of manufacturing a substrate advantageous in forming a conductive layer by plating while providing mold releasability between an imprinting mold and a resin layer using a metal thin film layer; and a substrate manufactured by the method.例文帳に追加
金属薄膜層を用いてインプリンティングモールドと樹脂層間の離型性を付与しながら、めっきによる導電層の形成に有利な基板の製造方法及びこの方法により製造された基板を提供する。 - 特許庁
At first, a substrate is prepared, the substrate having a recessed part 24 formed by etching a low dielectric constant layer 21 using a metal hard mask layer 25, which is formed in a predetermined pattern on the low dielectric constant layer 21, as a mask.例文帳に追加
はじめに、低誘電率層21上に所定パターンで形成されたメタルハードマスク層25をマスクとして低誘電率層21をエッチングすることにより形成された凹部24を有する基板を準備する。 - 特許庁
This ceramic substrate 7 densifies the surface layer part of the ceramic substrate 7 and makes the average value of the maximum width of an air hole 9 on the surface layer part smaller than that of the air hole 10 on the inner layer surface.例文帳に追加
本発明のセラミックス基板7は、セラミックス基板7の表層部を緻密にし、表層部における気孔9の最大幅の平均値を、内層部における気孔10の最大幅の平均値よりも小さくする。 - 特許庁
The gas barrier film has a gas barrier layer on one surface of a substrate and further has a layer which is arranged adjacent to the substrate on the surface opposite from the gas barrier layer and which includes a light scattering agent or a UV cut agent.例文帳に追加
基材の片面にガスバリア層を有するガスバリア性フィルムであって、該ガスバリア層とは反対面に、該基材に隣接する層に光散乱剤またはUVカット剤を有していることを特徴とするガスバリア性フィルム。 - 特許庁
To provide a resin multilayer substrate such that sufficient adhesion between a first resin layer and a second resin layer is secured and the thickness of the second resin layer is made thin, and a method of manufacturing the resin multilayer substrate.例文帳に追加
本発明は、第1樹脂層と第2樹脂層との密着性を十分に確保し、第2樹脂層の厚みを薄くすることが可能な樹脂多層基板及び該樹脂多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, a hole for exposing the Si substrate 1 is formed at the Si layer 5 and the SiGe layer, and an SiO_2 film 11 is formed on the Si substrate 1 so that the hole is buried and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加
次に、Si層5及びSiGe層にSi基板1を露出させる穴を形成し、穴が埋め込まれ且つSi層5が覆われるようにして、Si基板1上にSiO_2膜11を形成する。 - 特許庁
A transparent electrode 4 and an alignment layer 6 are successively formed on a glass substrate 3, the electrode 4 and the layer 6 are also successively formed on a glass substrate 8 and the substrates are stuck to each other with a sealant 5 via a liquid crystal layer.例文帳に追加
ガラス基板3上に透明電極4と配向膜6を順次形成し、ガラス基板8上に透明電極4と配向膜6を順次形成し、そして、液晶層を介してシール剤5により貼り合わせる。 - 特許庁
At the time of forming a metallic layer by coating the peripheral part of the back face of a lamellate semiconductor substrate by using a holding substrate, the formation diameter of each metallic layer is formed with a different diameter which is relatively smaller than the diameter of the previous layer.例文帳に追加
保持基板を用い薄葉化された半導体基板裏面の周辺部に覆いを施し金属層を形成する際、各金属層の形成径を前層の径よりも相対的に小さい異径に形成する。 - 特許庁
Nuclear layer thickness and aluminum composition are selected so that there is agreement between the substrate and the device layer in terms of refraction factor, and this allows 90% of the light entering the nuclear layer to be outputted into the substrate.例文帳に追加
この核形成層の厚さとアルミニウム組成は、基板とデバイス層の屈折率を一致させるように選択されて、デバイス層から核形成層に入射する光の90%が基板内に取り出されるようになる。 - 特許庁
A liner layer is formed on the exposed face of the substrate including a silicon surface exposed in the trench of the substrate, on the sidewall of the pad oxide layer, and on the sidewall and the surface of the mask layer.例文帳に追加
高速ウェットサーマルプロセスを実施した後、基板の溝内に露出されたシリコン表面を含む基板の露出面、パッド酸化物層の側壁およびマスク層の側壁及び表面上にライナー層を形成する。 - 特許庁
Forming films so that emitter material is vertically implanted to the substrate 1, an emitter lower layer 5a is deposited on the substrate 1 and a first deposited layer 6a is deposited on the layer 3.例文帳に追加
エミッタ材料をシリコン基板1に対して垂直に入射するように成膜すると、シリコン基板1上にはエミッタ下層5aが堆積し、第2の絶縁層2上には第1の堆積層6aが堆積する。 - 特許庁
In order to obtain the gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process, a nitride embedding layer having a plurality of voids therein is embedded between the GaN layer and a base substrate.例文帳に追加
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド(void)を有する窒化物挿入層を形成する。 - 特許庁
In the semiconductor device; concentration of impurities is adjusted in a silicon substrate supporting a SOI layer, and a thickness is controlled in an embedded insulation layer formed on the surface of the silicon substrate in contact with the SOI layer.例文帳に追加
SOI層を支持するシリコン基板の不純物濃度を調整すると共に、SOI層と接するシリコン基板表面に形成された埋込絶縁層の厚さを制御することにより、閾値を調整できるトランジスタが得られる。 - 特許庁
A substrate constituted by laminating a plurality of layers upon another is provided with a semiconductor layer 1a, and a high-temperature oxidized film layer 12b which is formed as the substrate of the semiconductor layer 1a and has a thickness of ≥50 nm.例文帳に追加
複数の層が積層された基板において、半導体層1aと、前記半導体層1aの下地として形成される50nm以上の厚さの高温酸化膜層12bとを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for growing a GaN-based compound semiconductor, by which a crystal growth layer can be easily separated from a sapphire substrate without causing damage to the crystal growth layer, and to provide a substrate with the growth layer.例文帳に追加
結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なGaN系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。 - 特許庁
Since a solid lubrication layer having high adhesion to a substrate 5A is formed on the substrate 5A of the display wheel 5, the solid lubrication layer is not peeled off in a processing step regarding formation of the display layer 51.例文帳に追加
表示車5の基材5A上に、基材5Aに対する付着性が高い固体潤滑層を形成するので、表示層51の形成に係る処理工程において該固体潤滑層が剥がれることがない。 - 特許庁
The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B.例文帳に追加
p形半導体層3と上記活性層とn形半導体層2とで発光部Bを構成し、発光部Bの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。 - 特許庁
The step for preparing the substrate includes a step 21 for applying a photosensitive resin layer onto the substrate, a step 22 for photocuring the applied photosensitive resin layer, and a step 23 for developing the photocured photosensitive resin layer.例文帳に追加
基板を準備するステップは、基板上に感光性樹脂層を塗布するステップ21と、塗布された感光性樹脂層を光硬化するステップ22と、光硬化した感光性樹脂層を現像するステップ23とを含む。 - 特許庁
A metal layer 4, formed on a laser transmitting substrate 3, is transferred onto an insulating substrate by means of a laser 5 and used as plating catalyst nuclei for forming an electroless plating layer 6 on a transfer metal layer 2.例文帳に追加
レーザ透過性の基板上3に形成された金属層4を、レーザ5により絶縁基板1上に転写し、これをめっき触媒核として転写金属層2上に無電解メッキ層6を形成する。 - 特許庁
A connecting part for conducting the outer peripheral end of the SOI layer and the support substrate is formed after a process for particularly forming an SOI structure constituted of the SOI layer, the insulation layer and the support substrate.例文帳に追加
特にSOI層、絶縁層、支持基板からなるSOI構造を形成する工程の後に、前記SOI層の外周端と前記支持基板の間を導通させるための連結部を形成することにより製造する。 - 特許庁
This adhesive material 15 is made into a so-called double-sided tape shape in which an adhesive material layer coated with an adhesive material is formed, for example, on both sides of a sheet-like substrate, and a reflecting layer is provided on the substrate or on the adhesive material layer.例文帳に追加
この粘着材15は、例えば、シート状の基材の両面に、粘着材料を塗布した粘着材層が形成された、いわゆる両面テープ状とし、基材または粘着材層に反射層を備える。 - 特許庁
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