「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

The group III nitride semiconductor layer 2 has a laminated structure in which an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22 serving as a light-emitting layer, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron stopping layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated in this order from the side of the GaN monocrystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁

A magneto-optical medium is provided with a substrate 50, a first dielectric layer 130, a first magneto-optical data layer 132, a second dielectric layer 134, a transmitting member 78, a third dielectric layer 140, a second magneto-optical data layer 142, a fourth dielectric layer 144, and a reflection layer 146.例文帳に追加

光磁気媒体は、基板５０と、第１の誘電体層１３０と、第１の光磁気データ層１３２と、第２の誘電体層１３４と、透光部材７８と、第３の誘電体層１４０と、第２の光磁気データ層１４２と、第４の誘電体層１４４と、反射層１４６とを備えている。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 has a lamination structure wherein an N-type contact layer 21, a first quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a P-type electron inhibition layer 23, a P-type contact layer 24, and a second quantum well layer 26 are stacked in sequence from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

Thereby, it becomes unnecessary to make the one-lower layer of the uppermost layer on which the LSI is mounted and the one-upper layer of the lowermost layer on which the LSI is mounted a ground layer wherein a ground pattern is formed almost all over the layer, respectively, and the number of lamination of the multi-layer substrate is reduced.例文帳に追加

そのため、従来のようにＬＳＩを実装した最上層の一つ下層およびＬＳＩを実装した最下層の一つ上層をそれぞれに、層の略全体に渡ってグランドパターンを形成したグランド層とする必要がなくなり、多層基板の積層数を削減することができる。 - 特許庁

This embodiment comprises a silicon substrate 2, a silicon dioxide layer 3, a monocrystal silicon layer 4, a silicon dioxide layer 5, a spacer 13 of N+ doped polysilicon, a conformal layer 15 of a conductive diffusion preventing substance, a metal silicide layer 16, a CVD silicon dioxide layer 17, an insulator spacer 18, a silicon oxide layer 19, and a polysilicon 21.例文帳に追加

シリコン基板２、二酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４、二酸化シリコン層５、Ｎ＋ドープ・ポリシリコンのスペーサ１３、導電性拡散防止物質のコンフォーマル層１５、金属シリサイド層１６、ＣＶＤ二酸化シリコン層１７、絶縁体スペーサ１８、酸化シリコン層１９、ポリシリコン２１を備える。 - 特許庁

In a four layer type catalyst base body 1 for CNT production, a heat-resistant resin layer 4 is formed on the substrate layer 2, an Al layer 6 is formed on the heat-resistant resin layer 4, and the catalyst layer 8 for CNT synthesis is formed on the Al layer 6.例文帳に追加

本発明のＣＮＴ製造用の四層型触媒基体１は、基板層２の上に耐熱性樹脂層４を形成し、前記耐熱性樹脂層４の上にＡｌ層６を形成し、前記Ａｌ層６の上にＣＮＴ合成用の触媒層８を形成している。 - 特許庁

A first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, and an etching stop layer 6 are formed sequentially on a crystal substrate 1, a third ridge stripe clad layer 7 is formed on the etching stop layer, and block layers 10 are formed on both sides of the third clad layer.例文帳に追加

結晶基板１上に、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、およびエッチング停止層６を順次備え、エッチング停止層上にリッジストライプ状の第３クラッド層７を有し、第３クラッド層の両側にブロック層１０が形成された構造を有する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium 1 is composed of a soft magnetic layer 3, an alignment controlling layer 4 for alignment control, a first recording layer 5 and a second recording layer 6, a deformation layer 9 susceptible to slip deformation caused by the first recording layer 5, and a protective layer 7 on a substrate 2 mainly composed of glass or aluminum.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体１は、ガラスまたはアルミを主とする基板２の上に、軟磁性層３、配向制御のための配向制御層４、第一の記録層５及び第二の記録層６、第一の記録層５より滑り変形を起こす変形層９、及び保護膜７から構成される。 - 特許庁

An intermediate layer 4 consisting of a mixture of the same material as the material constituting the water-repellent layer, and the same material as the material constituting the catalyst layer may be formed between the water-repellent layer and the catalyst layer, and a release layer may be formed between the substrate and the water-repellent layer.例文帳に追加

撥水層と触媒層との間に、撥水層を構成する材料と同一の材料及び前記触媒層を構成する材料と同一の材料の混合物からなる中間層４が形成されていてもよく、基材と撥水層との間に離型層が形成されていてもよい。 - 特許庁

The optical information recording medium which has a substrate, a recording layer, a protective layer containing sulfur, an interface layer adjacent to the protective layer, and a reflection layer adjacent to the interface layer and consisting essentially of Ag, and which is characterized in that the interface layer consists essentially of Nb and/or Mo, is used.例文帳に追加

基板、記録層、硫黄を含有する保護層、前記保護層に接する界面層、及び前記界面層に接するＡｇを主成分とする反射層を有し、前記界面層がＮｂ及び／又はＭｏを主成分とすることを特徴とする光学的情報記録媒体を用いる。 - 特許庁

The VCSEL includes a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are layered in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。 - 特許庁

A lower electrode 2, a multilayered dielectric layer 3, and an upper electrode 4 are layered in order on a substrate 1, the multilayer structure of the dielectric layer 3 has a dielectric layer 3b as the uppermost layer, of relative permittivity smaller than that of a lower layer 3a, and the thickness of the uppermost layer 3b is formed thinner than the lower layer.例文帳に追加

基板１上に、下部電極２，多層の誘電体層３，上部電極４を順に積層し、誘電体層３は多層構造にして最上層を、下層３ａよりも比誘電率の小さい誘電体層３ｂとし、かつ最上層３ｂの厚さは下層よりも薄く形成する。 - 特許庁

On a transparent substrate 1, a 1st dielectric layer 2, a phase change recording layer 3, a 2nd dielectric layer 4, and a metal reflecting layer 6 are deposited by sputtering in this order and a 3rd dielectric layer 5 is deposited of a material other than sulfide between the 2nd dielectric layer and the metal reflecting layer.例文帳に追加

透明基板１上に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４及び金属反射層６をその順にスパッタ製膜してなり、第２誘電体層と金属反射層との間に硫化物以外の材料からなる第３誘電体層５を設けてなる。 - 特許庁

A glass laminate is constituted in the order of a glass substrate 10, a bottom reflection preventing layer 11, a heat ray reflecting layer 15, a central reflection preventing layer 17, a heat ray reflecting layer 19 and a top reflection preventing layer 21 and the bottom reflection preventing layer has a layer containing aluminum nitride.例文帳に追加

ガラス基体１０、底部反射防止層１１、熱線反射層１５、中央部反射防止層１７、熱線反射層１９、頂部反射防止層２１の順に構成され、底部反射防止層はアルミニウムの窒化物を含む層を有するガラス積層体とその製造方法。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

A laminated body 9 where an antiferromagnetic layer 2, a fixed magnetic layer 3, a non-magnetic conductive layer 4, a free magnetic layer 5, a backed layer (average free process extending layer) B1 and a vertical bias layer 6 are laminated and electrode layers 8 formed on both sides of the laminated body 9 are disposed on a substrate K.例文帳に追加

基板Ｋ上に、反強磁性層２、固定磁性層３、非磁性導電層４、フリー磁性層５、バックド層（平均自由行程延長層）Ｂ１、縦バイアス層６が積層されてなる積層体９と、この積層体９の両側に形成された電極層８とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁

The optical recording medium includes a transparent substrate, a reflective layer set up on the transparent layer, a protective layer set up on the reflective layer, a message arranged on the surface of the protective layer, and at least one opaque and eliminable material layer which is arranged on the protective layer and covers the message.例文帳に追加

透明基板と、前記透明基板の上に設けられた反射層と、前記反射層の上に設けられた保護層と、前記保護層の表面に設けられたメッセージと、前記保護層の上に設けられて、前記メッセージに被さる少なくとも一つの不透明の除去可能な材料層とを含む。 - 特許庁

This surface acoustic wave device is provided with a diamond layer or a substrate layer and a diamond layer, a ZnO piezoelectric film layer, an interdigital electrode layer and short-circuit electrode layer and then especially includes (2π.H/λM)=3.0-10.0 when the thickness of the ZnO layer is H and the wavelength of a surface acoustic wave is λM.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド層あるいは基板層とダイヤモンド層と、ZnO圧電体膜層と櫛形電極層と短絡電極層とを備え、ZnO層の厚みをＨ、表面弾性波の波長をλMとした時、（2π・Ｈ／λM）=３．０〜１０．０が含まれる事を特徴とする。 - 特許庁

A tightly adhered layer 2 is formed on a hard coat layer 1A on of the substrate 1, and on this tightly adhered layer 2, a transparent electrode layer 3, the organic electric field luminous layer 4 and a metal-electrode layer 5 are laminated as the function part, and further a protective layer 6 is formed to constitute the organic electric field luminous element 10.例文帳に追加

基板１のハードコート層１Ａ上に密着層２を形成し、この密着層２上に機能部として透明電極層３、有機電界発光層４および金属電極層５を積層し、さらに保護層６を形成して有機電界発光素子１０が構成される。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacture method for a cathode substrate for FED having at least a cathode electrode layer 22, an insulating layer 24, a gate electrode layer 25 and a carbon-based emitter growth catalyst layer 23, the carbon-based emitter growth catalyst layer is formed before the insulating layer 24 and the gate electrode layer 25 are formed.例文帳に追加

カソード電極層２２、絶縁層２４、ゲート電極層２５、およびカーボン系エミッタ成長触媒層２３を少なくとも有するＦＥＤ用カソード基板の作製方法において、絶縁層２４およびゲート電極層２５の形成前にカーボン系エミッタ成長触媒層を形成する。 - 特許庁

The array substrate comprises a first wiring layer, a second wiring layer 17, and a third wiring layer 19, in which the second wiring layer 17 and the third wiring layer 19 constitute a signal line, and a part of the first wiring layer of the bottom layer constitutes a gate electrode 15 of a thin film transistor.例文帳に追加

第１配線層、第２配線層１７、第３配線層１９を有し、信号線が第２配線層１７及び第３配線層１９により構成されるとともに、最下層の第１配線層の一部が薄膜トランジスタのゲート電極１５を構成している。 - 特許庁

The imaging method utilizing the imaging member containing a supporting substrate, a layer of a charge carrier injecting surface, a hole blocking layer, an optional adhesive layer, a layer of a charge carrier transport material, a layer of an charge carrier generating material, an optional charge trapping layer, a crossed linked silicone rubber, and an electrically insulating covercoating layer is provided.例文帳に追加

支持基板、電荷キャリア注入面の層、ホール遮断層、任意の接着剤層、電荷キャリア輸送材料の層、電荷キャリア発生材料の層、任意の電荷捕獲層、架橋シリコーンゴムおよび電気絶縁上塗層を含む画像形成部材を用いる画像形成法。 - 特許庁

A nitride semiconductor light-emitting element 11 comprises a substrate 13, a buffer layer 15, a nitride semiconductor layer 16 (clad layer) added with Si, a nitride semiconductor layer 17 (light-emitting layer) added with Eu and Mg as impurities and a nitride semiconductor layer 19 (clad layer) added with Mg.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１は、基板１３と、バッファ層１５と、Ｓｉが添加された窒化物半導体層１６（クラッド層）と、不純物としてＥｕ及びＭｇが添加された窒化物半導体層１７（発光層）と、Ｍｇが添加された窒化物半導体層１９（クラッド層）と、を備えている。 - 特許庁

This surface protecting sheet is characterized in that the surface protecting sheet is obtained by making a mixture comprising a polyolefin resin and recycled article of the surface protecting sheet into a substrate layer having 25-150 μm thickness, providing one side of the substrate layer with an adhesive layer and the other side with a mold release layer and the mold release layer, the substrate layer and the adhesive layer are formed by coextrusion molding.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂と表面保護シートのリサイクル品を含有する混合物を厚み２５〜１５０μｍの基材層とし、当該基材層の片面に粘着層が設けられ、もう一方の片面に離型層が設けられている表面保護シートであって、前記の離型層、基材層および粘着層が共押出し成形により形成されていることを特徴とする表面保護シート。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

Or, the semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the insulation film and has its part surrounded by the diffusion layer patterns and is formed through the diffusion layer patterns and the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、絶縁膜には接することなくその一部が拡散層パターンに包囲されて拡散層パターンおよび半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

The microstructure array 9 is manufactured by forming a mask layer 6 on the flat surface of a substrate 5 and forming a plurality of aperture parts 7 in the mask layer 6, and the substrate 5 in etched through the aperture parts 7 to form the substrate 5 having fine projections and removing the mask layer 6 to form a precipitation layer 6 on the substrate 5 using a chemical precipitation method.例文帳に追加

マイクロ構造体アレイ9は、基板5の平坦な面上にマスク層6を形成し、マスク層6に複数の開口部7を形成し、開口部7より基板5のエッチングを行うことにより微小突起を有する基板5を形成し、マスク層6を除去し、化学的析出法を用いて基板5上に析出層8を形成するプロセスで作製される。 - 特許庁

The method for producing an ink-jet printhead comprises the steps of forming a first patterning layer 20 on the surface of a first substrate 10, forming a second patterning layer 28 on the surface of a second substrate 100, bringing the surface of the first layer into intimate contact with the surface of the second substrate to join them, and removing the second substrate 100 from the second patterning layer 28.例文帳に追加

インクジェットプリントヘッドを作製する方法は、第１基板１０の表面上に第１パターニング層２０を形成すること、第２基板１００の表面上に第２パターニング層２８を形成すること、第１および第２層を面と面を密着して接合させること、および、第２パターニング層２８から第２基板１００を除去することを含む。 - 特許庁

The manufacturing method has processes of: forming a silicon substrate 1, the buffer layer 2 formed on the silicon substrate, and a gallium nitride semiconductor layer on top of it; forming a trench of a depth reaching the gallium semiconductor layer by penetrating the silicon substrate and the buffer layer 2 from the back surface of the silicon substrate 1; and embedding a conductive material in the trench.例文帳に追加

シリコン基板１と前記シリコン基板上に形成されたバッファ層２とその上に窒化ガリウム半導体層を形成し、前記シリコン基板１の裏面から前記シリコン基板ならびに前記バッファ層２を貫通して前記窒化ガリウム半導体層に達する深さのトレンチを形成し、このトレンチの中に導電体を埋め込む工程を有する製造方法する。 - 特許庁

An adhesive layer 4 is formed on one surface of the substrate 3 to be processed, a photothermal conversion layer 2 is formed on one surface of a supporting substrate 1 having a surface which has an outer shape larger than that of the surface of the substrate 3, and a laminated body is obtained by bonding the substrate 3 on the surface of the photothermal conversion layer 2 with the adhesive layer 4 therebetween.例文帳に追加

被処理基板３の一方の面に接着剤層４を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板１の一方の面に、光熱変換層２を形成し、この被処理基板３を光熱変換層２の表面上に接着剤層４を介して接着して積層体を得る。 - 特許庁

The structure is formed between a first substrate and a second substrate, and is configured by a buffer layer having an opening formed on the first substrate, a conductive layer formed on the buffer layer, and a non-conductive film formed between the conductive layer and the second substrate as bonding means for the bonding structure.例文帳に追加

第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成されており、その構造は、第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、緩衝層上に形成される伝導性層と、ボンディング構造のためのボンディング手段として、伝導性層と第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムから成る。 - 特許庁

Related to the method for evaluating an SOI wafer 1 where an SOI layer 14 is provided on a substrate 10, an element different from that which mainly constitutes the substrate 10 and the SOI layer 14 is diffused in the SOI layer 14 or the substrate, so that the crystal lattice of the SOI layer 14 is different from that of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０と当該基板１０の上にＳＯＩ層１４が設けられたＳＯＩウェーハ１を評価する評価方法において、基板１０及びＳＯＩ層１４を構成する主たる元素とは異なる元素をＳＯＩ層１４或いは基板に拡散することにより、ＳＯＩ層１４の結晶格子と基板１０の結晶格子とを異ならしめる。 - 特許庁

The electrophoretic display device has an electrophoretic layer 30 held between an element substrate 10 and a counter substrate 50 and uses the side of counter substrate 50 as a display screen, wherein the electrophoretic display device includes a transparent impact relaxing layer 70, a transparent support layer 80 and a transparent surface layer 90, in this order on the upper side of the counter substrate 50.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置は、素子基板１０と対向基板５０との間に挟持された電気泳動層３０を有し、対向基板５０側を表示面とする電気泳動表示装置であって、対向基板５０の上層側に、透明な衝撃緩和層７０と、透明な支持層８０と、透明な表層９０と、をこの順番に備えている。 - 特許庁

In an optical recording disk substrate having at least a transparent substrate, a recording layer provided on the transparent substrate and a metal reflection layer provided on the recording layer, heat resistance per unit length in a horizontal direction of the metal reflection layer is made equal to or higher than the heat resistance per unit length in the horizontal direction of the transparent substrate.例文帳に追加

少なくとも、透明基板と、前記透明基板の上に設けられる記録層と、前記記録層の上に設けられる金属反射層とを有する光記録ディスク基板において、前記金属反射層の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗を前記透明基板の水平方向の単位長さ当たりの熱抵抗と同じか、それより大きくした。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has a single crystal silicon substrate 11, a dislocation layer 12 formed in a surface region excluding the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, a buffer layer 13 formed on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, and a gallium nitride layer 14 formed on the surface of the buffer layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。 - 特許庁

The surface height of the liquid crystal layer side of the second substrate in the reflection region is higher than that of the liquid crystal layer side of the second substrate in the transmission region, and also the surface height of the liquid crystal layer side of the first substrate in the reflection region is substantially equal to that of the liquid crystal layer side of the first substrate in the transmission region.例文帳に追加

反射領域における第２基板の液晶層側の表面の高さが、透過領域における第２基板の液晶層側の表面の高さよりも高くなっており、かつ、反射領域における第１基板の液晶層側の表面の高さと、透過領域における第１基板の液晶層側の表面の高さとが実質的に等しい。 - 特許庁

To provide a flexible substrate a manufacturing method therefor, and a thin film transistor using the same, which can prevent such phenomena that a metal substrate bends due to a buffer layer and the buffer layer peels off the metal substrate by restricting a substance of the buffer layer formed on the metal layer according to the thermal expansion coefficient of the metal substrate.例文帳に追加

金属基板の熱膨脹係数に従って前記金属基板上に形成されるバッファ層の物質を限定して、前記バッファ層により前記金属基板が曲がる現象、前記金属基板から前記バッファ層が剥離される現象を防止することができるフレキシブル基板及びその製造方法、それを用いた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

This liquid crystal display device has: a color filter substrate 201; a TFT array substrate 202; a liquid crystal layer 203 between both substrates; a first alignment layer 223 formed on the color filter substrate 201 and coming into contact with the liquid crystal layer; a sensor electrode 224 on the first alignment layer 223; and a second sensor electrode (a pixel electrode 210) formed on the TFT array substrate 202.例文帳に追加

カラーフィルタ基板２０１と、ＴＦＴアレイ基板２０２と、両基板間の液晶層２０３と、カラーフィルタ基板２０１に形成され液晶層に接する第１配向膜２２３と、第１配向膜２２３上のセンサ電極２２４と、ＴＦＴアレイ基板２０２に形成される第２センサ電極（画素電極２１０）と、を有する。 - 特許庁

The self-adhesive film for protection of a photomask comprises a substrate layer (A), a self-adhesive layer (B) layered on one surface of the substrate layer (A), and a surface layer (C) layered on the other surface of the substrate layer (A), wherein the surface layer (C) contains a conductive polymer and a cured material formed of isocyanate silane and siloxane having an end hydroxy group.例文帳に追加

基材層（Ａ）と、前記基材層（Ａ）の一方の表面上に積層された粘着剤層（Ｂ）と、前記基材層（Ａ）の他方の表面上に積層された表面層（Ｃ）とを含有するフォトマスク保護用粘着フィルムであって、前記表面層（Ｃ）は、 導電性高分子と、 イソシアネートシラン及び末端水酸基をもつシロキサンから形成された硬化物とを含むフォトマスク保護用粘着フィルム。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate in which the diffusion layer is formed, a gate electrode formed on the substrate, a first insulating layer formed on the substrate up to a position higher than the gate electrode, a first contact electrically connected to the diffusion layer and penetrating the first insulating layer, a second contact electrically connected to the gate electrode, and a second insulating layer formed on the first insulating layer.例文帳に追加

半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a substrate 1, a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating layer 3 formed on the gate electrode 2 and the substrate 1, a p-type organic semiconductor layer 4 formed on the gate insulating layer 3, a protective layer 5 formed on the p-type organic semiconductor layer 4, and a source electrode 8 and a drain electrode 9 formed on the protective layer 5.例文帳に追加

基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 - 特許庁