「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic EL element has a transparent conductive film lamination layer that includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and consisting of metal other than silver, and a silver thin film layer consisting of silver or a silver alloy installed on the underlying layer, in which a film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄い透明導電膜積層体を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the paper 11 having a photocatalytic function comprises the 1st paper-making process to form the substrate paper layer 12, the 2nd paper-making process to form a paper layer on the substrate paper layer 12, and a functional paper layer forming process to incorporate the photocatalyst particles 14 in the paper layer to form the functional paper layer 13.例文帳に追加

光触媒機能を有する紙１１の製造方法は、基材紙層１２を抄紙する第１抄紙工程と、基材紙層１２に紙層をさらに抄き合わせる第２抄紙工程と、その紙層に光触媒粒子１４を含有させて機能紙層１３を形成する機能紙層形成工程とを備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、ＺｒＢ_2基板１の表面上に形成された窒化物系半導体層（バッファ層２、ｎ型クラッド層３、発光層４、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６）と、ＺｒＢ_2基板１の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜９とを備えている。 - 特許庁

This solar cell includes: a glass substrate 12; a back electrode layer 14 formed on the glass substrate 12 and acting as a back electrode; a CIGS light absorption layer 16 formed on the back electrode layer 14; and a transparent electrode layer 20 formed on the CIGS light absorption layer 16 through a buffer layer 18.例文帳に追加

太陽電池は、ガラス基板１２と、該ガラス基板１２上に形成され、裏面電極となる裏面電極層１４と、該裏面電極層１４上に形成されたＣＩＧＳ光吸収層１６と、該ＣＩＧＳ光吸収層１６上に緩衝層１８を介して形成された透明電極層２０とを有する。 - 特許庁

In transferring the elements arrayed on a first substrate onto a second substrate, the elements are previously arrayed across a photocatalyst layer and an organic matter layer on the first substrate and are irradiated with UV rays, by which the elements are peeled from the first substrate.例文帳に追加

第１の基板上に配列された素子を第２の基板上に転写するに際し、光触媒層及び有機物層を介して素子を第１の基板上に配列しておき、紫外線を照射することにより素子を第１の基板から剥離する。 - 特許庁

A LiNbO_3 single crystal substrate 12 with a greater electromechanical coupling coefficient to which hydrogen ions are impregnated is directly joined with a polycrystal diamond layer 11 formed on an Si (100) substrate 10 and a thin LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 is formed by separating the substrate by heat treatment.例文帳に追加

Si(100)基板１０上に形成した多結晶ダイアモンド層１１に、水素イオンを打ち込んだ電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶基板１２を直接接合し、熱処理により分離して、薄いLiNbO_3単結晶層１３を形成する。 - 特許庁

An interposing portion 10 penetrating through the semiconductor substrate 2 and the insulating layer 6 from the second surface 2b and reaching inside the support substrate 8 is provided between the outer peripheral surface S of a junction 9 of the semiconductor substrate 2 and the support substrate 8 and the active layer 3.例文帳に追加

半導体基板２と支持基板８との接合体９の外周面Ｓと活性層３との間には、第２の面２ｂから半導体基板２と絶縁層６を貫通し、支持基板８内に達する介在部１０が設けられている。 - 特許庁

The electrooptical device is provided with a TFT substrate (10) and a counter substrate (20) holding a liquid crystal layer (50) in between and is provided with a dustproof substrate (901) composed of quartz on the side of the counter substrate not confronted with the liquid crystal layer.例文帳に追加

電気光学装置は、液晶層（５０）を挟持してなるＴＦＴアレイ基板（１０）及び対向基板（２０）を備え、該対向基板における前記液晶層に対向しない側に水晶からなる防塵用基板（９０１）を備えてなる。 - 特許庁

To provide a substrate-supporting jig suppressing such a disadvantage that foreign matters of a substrate are transferred to a supporting layer and the resultant foreign matters of the supporting layer attach to another substrate to cause a contamination, and capable of being easily inspected even when circuit patterns or the like are formed on both surfaces of the substrate.例文帳に追加

基板の異物が保持層に転写され、この保持層の異物が別の基板に付着して汚染を招くのを抑制し、基板の両面に回路パターン等が形成されている場合でも、容易に検査できる基板保持治具を提供する。 - 特許庁

The collecting method of a first substrate 10 includes a process for bonding a second substrate 20 to a semiconductor layer 11 which is epitaxially grown on a first substrate 10, and a process for separating the semiconductor layer 11 and the first substrate 10.例文帳に追加

第１の基板上１０にエピタキシャル成長させられた半導体層１１に第２の基板２０を貼りつける工程と、上記半導体層１１と第１の基板１０とを分離する工程とを含む第１の基板１０の回収方法。 - 特許庁

When anodizing treatment is performed, the anode junction of the substrate 24 is performed on the lower surface of the substrate 21, and the anode junction of the layer 31 under the substrate 28 is simultaneously performed on the upper surface of the layer 30 disposed on the substrate 21.例文帳に追加

そして、陽極酸化処理を行うと、シリコン基板２１の下面に第１ガラス基板２４が陽極接合されると同時に、シリコン基板２１上のガラス層３０の上面に第２ガラス基板２８下の金属層３１が陽極接合される。 - 特許庁

The display substrate 16 is constructed by forming a display side electrode 28 and an insulating layer 30 on a substrate 26 and the back substrate 18 is constructed by forming a backside electrode 34, the coloring part 36 and an insulating layer 38 on a substrate 32.例文帳に追加

表示基板１６は基板２６上に表示側電極２８及び絶縁層３０が形成された構成であり、背面基板１８は、基板３２上に背面側電極３４、着色部３６、絶縁層３８が形成された構成である。 - 特許庁

A second prior substrate forming step has a second substrate interval holding layer forming step for forming a second substrate interval holding layer on a second substrate positioned in first and second peripheral regions which do not contribute to display and an outer side of a sealing material.例文帳に追加

第２前段基板形成工程は、表示に寄与しない第１及び第２周辺領域及びシール材の外側に位置する第２基板の上に第２の基板間隔保持層を形成する第２の基板間隔保持層形成工程とを有する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor comprises a conductive substrate, a photosensitive layer and a surface layer, having the photosensitive layer and the surface layer stacked in this order on the conductive substrate, wherein the surface layer contains a group 13 element and nitrogen and/or oxygen, and the photoreceptor has an intermediate layer between the surface layer and the photosensitive layer.例文帳に追加

導電性基体と、感光層と、表面層とを含み、前記導電性基体上に前記感光層と前記表面層とがこの順に積層された電子写真感光体であって、前記表面層が、１３族元素と、窒素および／または酸素と、を含有し、且つ前記表面層と前記感光層との間に中間層を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

This field effect transistor is provided with a substrate 6, an insulating layer 5 formed on the substrate 6, a lattice relaxation SiGe layer 4 formed like an island on the insulating layer 5, a distortion Si layer 3 formed on the lattice relaxation SiGe layer 4, a gate insulating layer 2 formed on the distortion Si layer 3, and a gate electrode 1 formed on the gate insulating layer 2.例文帳に追加

基板６と、基板６上に形成された絶縁層５と、絶縁層５上に、島状に形成された格子緩和ＳｉＧｅ層４と、格子緩和ＳｉＧｅ層４上に形成された歪Ｓｉ層３と、歪Ｓｉ層３上に形成されたゲート絶縁層２と、ゲート絶縁層２上に形成されたゲート電極１とを具備する電界効果トランジスタである。 - 特許庁

The high-efficiency light-emitting device has a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer formed on the nitride light-emitting layer, wherein the second nitride semiconductor layer has a plurality of hexagonal pyramid cavities, on the surface of the second nitride semiconductor layer opposite to the nitride light-emitting layer.例文帳に追加

高効率発光素子は、基板、基板上に形成された第１窒化物半導体層、第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層及び窒化物発光層上に形成された第２窒化物半導体層を有し、第２窒化物半導体層は、窒化物発光層の反対の第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する。 - 特許庁

The solar cell includes: a substrate; a lower electrode layer formed on the substrate; a semiconductor layer formed on the lower electrode layer; an upper electrode layer formed on the semiconductor layer and electrically connected to the lower electrode layer; and an auxiliary wiring formed on the upper electrode layer and made of a material having electric resistivity lower than that of the upper electrode layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成された下部電極層と、前記下部電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、前記下部電極層と電気的に接続される上部電極層と、前記上部電極層上に形成された前記上部電極層よりも電気抵抗率が低い材料で構成された補助配線と、を備えた。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductive seamless belt having a lubricating layer on a surface of an elastic substrate layer comprises a coating step of forming a coating layer on an elastic substrate layer by coating with a lubricating layer forming coating material, and a drying step of forming a lubricating layer by drying the coating layer, wherein the coating layer is dried at 20-90°C.例文帳に追加

弾性体基材層に潤滑層形成塗料を塗布して塗膜層を形成する塗装工程及び前記塗膜層を乾燥して潤滑層とする乾燥工程を有し、前記乾燥工程は、前記塗膜層を２０〜９０℃で乾燥する工程である弾性体基材層の表面に潤滑層を有する半導電性シームレスベルトの製造方法とする。 - 特許庁

This organic electroluminescence display comprises a light transmissive substrate, a laminate including an anode layer, a cathode layer and the luminous layer located between the anode layer and the cathode layer, a porous material layer located between the light transmissive substrate and the laminate, and a protecting layer located between the porous material layer and the laminate.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス表示体が、光透過性を有する基板と、積層体であって、陽極層と陰極層と前記陽極層および前記陰極層の間に位置する発光層とを含んだ積層体と、前記光透過性を有する基板と前記積層体との間に位置する多孔質体層と、前記多孔質体層と前記積層体との間に位置した保護層と、を備える。 - 特許庁

This surface reproduction type optical recording medium has at least a reflection layer, a recording layer and a protection layer formed on a substrate in this order or at least a heat radiating layer, a heat shielding layer, a reflection layer, a recording layer and a protection layer formed on a substrate in this order.例文帳に追加

基板上に少なくとも反射層、記録層及び保護層をこの順に形成した表面再生型光記録媒体または基板上に少なくとも放熱層、熱遮断層、反射層、記録層および保護層をこの順に積層した表面再生型光記録媒体において、反射層がＡｕとＣｕとの合金で構成されており、Ａｕ含有量を５０〜９９．９原子％とする。 - 特許庁

An in-plane magnetic recording medium 10 is provided with a first NiAl base layer 2, a second CrMo base layer 4, a CoPt ferromagnetic atom rich layer 6, a Ru magnetic coupling layer 12, a CoCrPtB recording layer 16, and a carbon protective layer 18 on a substrate 20.例文帳に追加

面内磁気記録媒体１０は、基板２０上に、ＮｉＡｌ第１下地層２、ＣｒＭｏ第２下地層４、ＣｏＰｔ強磁性原子リッチ層６、Ｒｕ磁気結合層１２、ＣｏＣｒＰｔＢ記録層１６及びカーボン保護層１８を備える。 - 特許庁

The light shielding part PA includes a substrate S, a semitransparent layer 11, a light shielding layer 13 provided on the semitransparent layer and made of Cr or a Cr compound, and an etching stopper layer 12 provided between the semitransparent layer 11 and the light shielding layer 13.例文帳に追加

遮光部ＰＡは、基材Ｓと、半透過層１１と、半透過層の上に設けられＣｒ又はＣｒ化合物で形成された遮光層１３と、半透過層１１と遮光層１３との間に設けられたエッチングストッパ層１２とを含む。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 has a structure in which a reflection layer 3, an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type cladding layer 7, and a p-type window layer 8 are sequentially laminated on a substrate 2 made of n-type GaAs.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板２上に反射層３と、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型ウインドウ層８とが順に積層されている。 - 特許庁

The thin-film solar cell includes a transparent substrate where a transparent surface electrode layer, a photovoltaic active layer system, a transparent conductive barrier layer 4, and a back layer system 5 including a metal junction layer 6 and an Ag-containing reflector layer 8 are arranged.例文帳に追加

薄膜太陽電池は、透明表面電極層、光起電活性層システム、透明導電性バリア層４、ならびに金属接合層６およびＡｇ含有反射体層８を含む裏面層システム５が配置される透明基板を有する。 - 特許庁

In the optical recording medium, a transparent substrate 1, a photoabsorption layer 2, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5 and a reflecting layer 6 are laminated to one another by the order named, the recording layer includes Ag, In, Sb, Te and Ge as constituent elements.例文帳に追加

透明基板１、光吸収層２、第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５、及び、反射層６を順次有する光記録媒体において、前記記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んでいる。 - 特許庁

The substrate for mounting an element thereon includes: an insulation resin layer 10; a wiring layer 20 formed on one-side main surface of the insulation resin layer 10; and projection electrodes 30 electrically connected to the wiring layer 20 and projecting toward the insulation resin layer 10 from the wiring layer 20.例文帳に追加

絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の主表面に設けられた配線層２０と、配線層２０と電気的に接続され、配線層２０から絶縁樹脂層１０側に突出している突起電極３０と、を備える。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has a lamination structure, where an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated successively from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

After the substrate W, carrying the SiO2 pattern layer, is set in a first deposition unit 12 via a transporting device 10, a Ti layer is formed on the pattern layer and a contact layer is formed, by silicifying the Ti layer through irradiating of the Ti layer with a laser beam.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2パターン層を形成した基板Ｗを、搬送装置１０を介して第１成膜ユニット１２中にセットし、基板ＷのＳｉＯ_2パターン層上に、Ｔｉ層を形成し、レーザ照射によってシリサイド化してコンタクト層とする。 - 特許庁

In the substrate in which a gas barrier layer laminating at least one layer of an inorganic and an organic layers alternately and an electrode layer are laminated on a base material film, the electrode layer is made to be adjacent to the inorganic layer composing the gas barrier layer.例文帳に追加

基材フィルム上に、無機層と有機層とを交互に少なくとも１層ずつ積層させたガスバリア層と、電極層とを積層してなる画像表示素子用基板において、前記電極層が前記ガスバリア層を構成する無機層と隣接させる。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes a first DBR reflection layer 4 provided on a semiconductor substrate 3 and having a first semiconductor layer and a second semiconductor layer alternately stacked, a first clad layer 5, an active layer 7, and a second clad layer 10.例文帳に追加

半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ第１半導体層及び第２半導体層が交互に積層された第１ＤＢＲ反射層４と、第１クラッド層５と、活性層７と、第２クラッド層１０とを備える。 - 特許庁

The optical element comprises: an SOI (Silicon on Insulator) substrate 20 comprising a support silicon layer 30, a BOX layer 40 and an SOI layer 50, layered in this order; a grating coupler 54 formed in the SOI layer; and an overclad layer 60 formed on the SOI layer.例文帳に追加

支持シリコン層３０、ＢＯＸ層４０及びＳＯＩ層５０がこの順に積層されたＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ層に形成されたグレーティングカプラ５４と、ＳＯＩ層上に形成されたオーバークラッド層６０とを備えて構成される。 - 特許庁

Through the zinc silicate layer, a light-emitting layer 12 having a quantum well structure consisting of an n-type ZnO layer 11, a ZnO well layer and a ZnMgO barrier layer, and a p-type ZnO layer 13 are grown epitaxially for the ZnO-based substrate.例文帳に追加

このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 - 特許庁

In the pattern part, when producing the magneto-optical disk, reflection films (dielectric layer, reproducing layer, intermediate layer, recording layer, dielectric layer and heat radiating layer or the like) are formed in the state of setting an outer peripheral ring 110 having a rugged part P on a substrate.例文帳に追加

前記パターン部は、光磁気ディスクの製造時において、凹凸部Ｐを有する外周リング１１０を基板上にセットした状態で反射膜（誘電体層，再生層，中間層，記録層，誘電体層，放熱層等）の成膜を行う。 - 特許庁

A first metal layer 5 is formed on the surface of the silicon substrate 2 so that the first metal layer 5 faces a protective layer non-formation area where the protective layer 4 is not formed and a part of the protective layer non-formation area is exposed after the protective layer 4 is pattern-formed.例文帳に追加

シリコン基板２の表面上に、保護層４がパターン形成された後、保護層４が形成されていない保護層非形成領域と対向し、その保護層非形成領域の一部が露出するように、第１金属層５が形成される。 - 特許庁

A structure is adopted in which at least a soft magnetic lining layer 2, an intermediate layer 5, a magnetic recording layer 6, and a first protective layer 7 are sequentially deposited on a nonmagnetic substrate 1, and a liquid lubricant layer 8 is deposited on the first protective layer 7.例文帳に追加

非磁性基体１上に、少なくとも軟磁性裏打ち層２と中間層５と磁気記録層６と第一保護層７とが順に形成された構造を有しており、さらに第一保護層７の上に液体潤滑剤層８が形成されている。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

An NiTa adhesion layer 2, a soft magnetic layer 3, a Ta intermediate layer 4, an Ru intermediate layer 5, and a Co alloy granular magnetic recording layer 6 are formed on a nonmagnetic substrate 1 and thereafter, the surface of the Co alloy granular magnetic layer 6 is treated by hydrogen (H_2) plasma.例文帳に追加

非磁性基板１の上にＮｉTa密着層２、軟磁性層３、Ｔａ中間層４、Ｒｕ中間層５、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６を形成した後、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６の表面を水素（Ｈ_２）プラズマ処理する。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 comprises a transparent substrate 11, an optical interference layer 12, a domain wall displacement layer 13, an intermediate layer 14, a recording layer 15, a protective layer 16, a heat sink layer 17, and information tracks 18 for recording and reproducing information.例文帳に追加

本発明の光磁気記録媒体１０は、透光性の基板１１、光干渉層１２、磁壁移動層１３、中間層１４、記録層１５、保護層１６、放熱層１７、情報を記録再生するための情報トラック１８から構成される。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes processes of: forming an optical guide layer on a substrate; forming a cap layer on the optical guide layer; and forming openings in partial parts of the optical guide layer and the cap layer to form a diffraction grating from the part of the optical guide layer.例文帳に追加

基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。 - 特許庁

A via hole is formed, by removing the first conductive layer and insulating layer of one principal surface of an aggregate substrate provided, where the insulating layer is laminated between the first conductive layer and a second conductive layer, and made to expose the second conductive layer and forms a via hole.例文帳に追加

第１の導電層と第２の導電層との間に絶縁層が積層された集合基板を用意し、集合基板の一主面の第１の導電層及び絶縁層を除去し、第２の導電層を露出させ、ヴィアホール部を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁

An n+-type GaAs layer 24, an n+-type InGaP layer 26, an n+- typed InAlP layer 28, an n-type InGaP layer 30, a p-type InGaP layer 32, and a p-type InAlP layer 34 are laminated in this order on an n+-type GaAs substrate 22.例文帳に追加

ｎ^+ 型ＧａＡｓ基板２２の上に、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層２４、ｎ^+ 型ＩｎＧａＰ層２６、ｎ^+ 型ＩｎＡｌＰ層２８、ｎ型ＩｎＧａＰ層３０、ｐ型ＩｎＧａＰ層３２、およびｐ型ＩｎＡｌＰ層３４が、この順序で積層されている。 - 特許庁

In the optical information recording medium wherein a recording layer, the reflection layer and a protective layer are layered in a thin film shape on a transparent substrate, the print layer consisting of an ink reception layer and a colored layer and formed by using a hydrophobic resin is further provided thereon.例文帳に追加

透明基板上に記録層、反射層及び保護層を薄膜状に積層されている光情報記録媒体において、更にインク受容層及び着色層からなる疎水性樹脂の印刷層を設けている光情報記録媒体。 - 特許庁

The antireflection film has a laminated structure on a substrate, the outermost layer of the laminated structure is an optical silica layer, and a layer kept in contact with the optical silica layer is an adhesive silica layer having a higher refractive index than the optical silica layer.例文帳に追加

基材上に積層構造を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層構造の最外層が光学シリカ層とし、前記光学シリカ層に接触する層を、前記光学シリカ層より大きい屈折率を有する密着シリカ層とする。 - 特許庁

On transparent glass substrate 11, an anode 12, a hole injection layer 13, a hole transporting layer 14, a red color emitting layer 15, a blue color emitting layer 16, a green color emitting layer 17, an electron injection layer 18, and a cathode 19 are laminated in this order.例文帳に追加

透明ガラス製の基板１１上には、陽極１２、正孔注入層１３、正孔輸送層１４、赤色発光層１５、青色発光層１６、緑色発光層１７、電子注入層１８及び陰極１９がこの順に積層されている。 - 特許庁