「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

A donor substrate for transfer including a substrate, a photothermal conversion layer formed on the substrate, and a transfer layer formed on the photothermal conversion layer is characterized in that: that surface of the photothermal conversion layer which is in contact with the transfer layer is inactivated; and the transfer layer contains a specific anthracene derivative or a specific anthracene precursor compound.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された光熱変換層と、前記光熱変換層上に形成された転写層を含む転写用ドナー基板であって、前記光熱変換層の転写層と接する面が不活性化されており、かつ前記転写層中に特定のアントラセン誘導体または特定のアントラセン前駆体化合物を含有することを特徴とする転写用ドナー基板。 - 特許庁

The fuel side electrode layer 3, the solid electrolyte layer 4, and an air side electrode layer 5 are laminated in order on an electrode supporting substrate 1, and an intermediate layer 7 made of a porous substance having lower porosity than the electrode supporting substrate 1 and the fuel side electrode layer 3 and containing Ni is formed between the electrode supporting substrate 1 and the fuel side electrode layer 3.例文帳に追加

電極支持基板１上に、燃料側電極層３、固体電解質層４、空気側電極層５が順次積層されるとともに、電極支持基板１と燃料側電極層３との間に、電極支持基板１および燃料側電極層３よりも気孔率の低い多孔質からなり、Ｎｉを含有する中間層７が形成されることにより達成される。 - 特許庁

The image sensor includes a substrate on which a CMOS circuitry containing a lower wiring is formed, a plurality of first wirings separately formed on the substrate, an insulating layer formed between the first wirings while planarized, an intrinsic layer formed on the substrate including the insulating layer, and a second conductive type conducting layer formed on the intrinsic layer.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは、下部配線を含むＣＭＯＳ回路（circuitry）が形成された基板と、上記基板の上に複数で分離されて形成された第１配線と、上記第１配線の間に平坦化されて形成された絶縁層と、上記絶縁層を含む基板の上に形成された真性層（intrinsic layer）と、上記真性層の上に形成された第２導電型伝導層とを含む。 - 特許庁

The method comprises a step of preparing a base substrate of the donor substrate; a step of forming the conversion layer on the base substrate; a step of forming the buffer layer on the conversion layer; a step of increasing roughness by processing a surface of the buffer layer; and a step of forming the transfer layer on the buffer layer of which the surface has been processed.例文帳に追加

ドナー基板のベース基板を準備する段階と、該ベース基板上に光熱変換層を形成する段階と、該光熱変換層上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層の表面を処理して粗さを増加させる段階と、前記表面処理されたバッファ層上に転写層を形成する段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The tuning fork resonator 100 includes: an SOI substrate 1 including a substrate 2, an oxide layer 3 formed above the substrate 2, and a semiconductor layer 4 formed above the oxide layer; a tuning fork type vibration section 10 comprising a semiconductor layer formed by applying processing to the semiconductor layer 4 and the oxide layer 3; and a drive section 20 for generating bending vibration of the vibration section 10.例文帳に追加

音叉振動子１００は、基板２と、該基板２の上方に形成された酸化物層３と、該酸化物層の上方に形成された半導体層４と、を有するＳＯＩ基板１と、前記半導体層４と前記酸化物層３を加工して形成された、半導体層からなる音叉型の振動部１０と、前記振動部１０の屈曲振動を生成するための駆動部２０と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10, an active area 50 formed in the semiconductor substrate 10, a silicide layer 45 formed on the upper layer of the active area 50, a first inter layer insulating film 15 formed on the semiconductor substrate 10 and silicide layer 45, and a contact plug 60 which is formed on the silicide layer 45 and passes through the first inter layer insulating film 15.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０内に形成された活性領域５０と、活性領域５０の上面に形成されたシリサイド層４５と、半導体基板１０およびシリサイド層４５の上に形成された第１の層間絶縁膜１５と、シリサイド層４５上に形成され、第１の層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトプラグ６０とを備えている。 - 特許庁

The surface-protecting film 1 obtained by coextrusion comprises a substrate layer 2 composed of a fluororesin or a silicone-based resin and a polyolefin, an intermediate layer 3 composed of a polyolefin laminated on one surface 2a of the substrate layer 2 and an adhesive layer 4 laminated to a surface 3b on the side opposite to the side to which the substrate layer 2 of the intermediate layer 3 is laminated.例文帳に追加

共押出により得られた表面保護フィルムであって、フッ素系樹脂またはシリコーン系樹脂とポリオレフィンとからなる基材層２と、基材層２の一方の面２ａに積層されたポリオレフィンからなる中間層３と、中間層３の基材層２が積層されている側とは反対側の面３ｂに積層された粘着層４とからなる、表面保護フィルム１。 - 特許庁

The magnetic recording medium having a magnetic layer or a layer other than the magnetic layer (a primer layer, a back coating layer and the like) on a non-magnetic substrate is characterized in that fine spherical hollow bodies having 0.1-1 μm external diameter are incorporated into at least one of the magnetic layer and the layer other than the magnetic layer.例文帳に追加

非磁性支持体上に磁性層またはこれとこれ以外の層（下塗り層やバツクコ—ト層など）を有する磁気記録媒体において、磁性層と上記これ以外の層のうちの少なくともひとつの層中に外径が０．１〜１μｍの中空微小球を含ませたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

The three layers are compounded and integrated; an adhesive layer (damping layer) which applies an adhesion function to a substrate to be damped, being as a first layer; a compressed porous body layer of polyester fiber system nonwoven fabric, being as a second layer; and a skin layer of polyester system spunbond fabric which constrains the compressed porous body layer, being as a third layer.例文帳に追加

第一層として被制振基板に対して粘着機能を付与する粘着層（制振層）、第二層としてポリエステル繊維系不織布の圧縮多孔質体層、第三層として前記圧縮多孔質体層を拘束するポリエステル繊維系スパンボンド不織布の表皮層、の三層を複合一体化した。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a first insulating layer, a first semiconductor layer provided on the first insulating layer, a second insulating layer selectively provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer provided above the first semiconductor layer via the second insulating layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層の上に選択的に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層を介して前記第１半導体層の上に設けられた第２半導体層と、を備える。 - 特許庁

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁

The organic EL element is obtained by successively laminating a hole transport layer 3, a luminous layer 4, an electron transport layer 5, a negative electrode layer 6 and a collector electrode layer 7 on a glass substrate 1, on which a positive electrode layer 2 has been laminated, and forming the negative electrode layer 6 and collector electrode layer 7 with a conductive composition containing a particulate silver compound, respectively.例文帳に追加

陽極層２が積層されたガラス基板１にホール輸送層３、発光層４、電子輸送層５、陰極層６、集電電極層７が順次積層され、陰極層６および集電電極層７が粒子状銀化合物を含む導電性組成物で形成された有機ＥＬ素子。 - 特許庁

The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.例文帳に追加

透明性を有する基材上に、少なくとも第１層に酸化シリコン層（１）、第２層に窒化チタン層、第３層に酸化シリコン層（２）をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層（１）の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

A projecting insulating layer 13 is formed in a prescribed position of an insulating layer 12 on a SUS substrate 11, and a wiring layer 21 consisting of a conductive layer 16, a Ni layer 18a and a Au layer 18b and a protective layer 29 are formed so as to cover the projecting insulating layer 13 to obtain the wiring integrated type suspension.例文帳に追加

ＳＵＳ基板１１上の絶縁層１２の所定位置に凸状の絶縁層１３を形成し、凸状の絶縁層１３を覆うように導体層１６、Ｎｉ層１８ａ及びＡｕ層１８ｂからなる配線層２１及び保護膜層２９を形成して配線一体型サスペンションを得る。 - 特許庁

The semiconductor mesa 14 includes: an n-ty pe first clad layer 18 provided on an n-type clad layer 18 provided on the n-type InP substrate 12; an n-type second clad layer 24 provided on the first clad layer 18; an active layer 20 provided between the first clad layer 18 and second clad layer 24; and a tunnel junction layer 22.例文帳に追加

半導体メサ１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられたｎ型の第１クラッド層１８と、第１クラッド層１８上に設けられたｎ型の第２クラッド層２４と、第１クラッド層１８及び第２クラッド層２４の間に設けられた活性層２０と、トンネル接合層２２とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an n-type crack preventive layer 5, an n-type AlGaN first clad layer 6, an MQW light emitting layer 7, a p-type AlGaN second clad layer 8, and a p-type contact layer 9 are formed sequentially on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、バッファ層２、アンドープのＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層６、ＭＱＷ発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８、ｐ−コンタクト層９が順に形成されてなる。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁

The first layer 4 and the third layer 6 are nitride semiconductors, having a composition in which the difference in a lattice constant to the Si substrate 1, is smaller than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, the film thickness is larger than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, and the first layer 4 has a larger film thickness than that of the third layer 6.例文帳に追加

第１の層４及び第３の層６は、第２の層５及び第４の層７のいずれよりもＳｉ基板１との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第２の層５及び第４の層７のいずれよりも膜厚が大きく、第１の層４は、第３の層６よりも膜厚が大きい。 - 特許庁

(2) The optical recording medium having at least a first protective layer, a phase change recording layer, a second protective layer and a reflection layer in this order or reverse order on a substrate is provided, wherein at least one layer selected from the phase change recording layer, the first protective layer and the second protective layer is film-deposited under a reduction atmosphere.例文帳に追加

（２）基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有する光記録媒体において、相変化記録層と第１保護層と第２保護層から選ばれる少なくとも１層が還元雰囲気下で成膜されている光記録媒体。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 20 includes a lower DBR layer 21, a lower spacer layer 22, an active layer 23, an upper spacer layer 24, a current constriction layer 25, an upper DBR layer 26, and a contact layer 27 in sequence from the side of a substrate 10, wherein a columnar mesa part M1 including an optical outgoing window 28A is formed on the contact layer 27.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、下部ＤＢＲ層２１、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、上部ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側から順に含むと共に、コンタクト層２７上に光射出窓２８Ａを含む柱状のメサ部Ｍ１を有する。 - 特許庁

The non-magnetic base layer is divided into two layers and the layer near the substrate of the two layers is constituted of a pure Cr layer and the layer near the magnetic recording layer is constituted of a Cr-Mo-W ternary alloy layer to more uniformize the grain size of the Co alloy magnetic recording layer formed on the base layer.例文帳に追加

非磁性下地層の２層化し、２層のうち下地層の基板に近い側を純Ｃｒ層とするとともに、下地層の磁気記録層に近い側をＣｒ−Ｍｏ−Ｗの３元系合金層とすることによって、下地層の上に形成されるＣｏ合金磁性記録層の結晶粒子径をより均一なものとする。 - 特許庁

The insulating layer contains the same elements as the semiconductor base substrate, so that the semiconductor device is hard to be separated from the semiconductor base substrate, and the metallic layer can be prevented from being deteriorated because it contains the same elements as the substrate of the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層が半導体ベース基板と同じ元素を含むので、半導体素子が半導体ベース基板から分離しにくくなり、半導体素子の基板と同じ元素を含むので、金属層の劣化が防止される。 - 特許庁

The substrate for film-formation with an antireflection film to be set, upon forming a film, between a light source (a laser) for irradiating the substrate for film-formation with light and a reflection layer and a light absorbing layer provided on the substrate for film-formation is manufactured.例文帳に追加

成膜用基板に光を照射する光源（レーザ）と、成膜用基板に設けられた反射層や光吸収層等との間に配置された反射防止膜を設けた成膜用基板を作製する。 - 特許庁

This display element comprises an emitter formed on a glass substrate; a sealing layer having an edge bonded to the glass substrate; and a sealing layer for flit formed on the bonding area between the glass substrate and a glass cap.例文帳に追加

表示素子が、ガラス基板上に形成された発光体と、ガラス基板の縁に接合した縁を有する封止層と、ガラス基板とガラスキャップの間の接合領域上に形成したフリットの封止層とを含む。 - 特許庁

The substrate heating means is mainly constituted of a heat generation layer 101e applied on an insulating substrate 101d of the electrostatic conveyance substrate 101 and a power supply circuit which supplies power to the heat generation layer 101e.例文帳に追加

この基板加熱手段は、静電搬送基板１０１の絶縁性基板１０１ｄ上に被覆された発熱層１０１ｅと、これに電源を供給する電源供給回路とから主に構成されている。 - 特許庁

A process of forming a small substrate smaller than a large substrate 15 by cutting the large substrate 15, and an organic EL layer forming process of forming the organic EL layer to correspond with TFT 3 are included.例文帳に追加

大型基板１５を切断して、大型基板１５より小さな小型基板を形成する切断工程と、ＴＦＴ３に対応するように有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can inhibit warpage of a substrate generated after curing a resin layer disposed on one surface of a substrate or after forming a conductor layer on one surface of the substrate.例文帳に追加

基板の一面に樹脂層を配し、この樹脂層を硬化させた後に生じる、又は基板の一面に導体層を形成した後に生じる、基板の反りを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an SOI substrate produced by forming a silicon layer on a silicon substrate 2 through an insulating layer, through holes 7a-7d are made in the silicon substrate 2 and a movable structure 9 having beams 11a-11d is sectioned.例文帳に追加

シリコン基板２の上に絶縁層を介してシリコン層を形成したＳＯＩ基板におけるシリコン基板２には貫通孔７ａ〜７ｄが形成され、梁１１ａ〜１１ｄを有する可動構造体９が区画されている。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having at least a magnetic layer and a protective layer on a substrate, the substrate is made of nonmagnetic glass, and this substrate is manufactured by providing rotation and executing a heat treatment.例文帳に追加

基体上に少なくとも磁性層、保護層を有する磁気記録媒体において、前記基体は、非磁性ガラス質から成り、前記ガラス質基体に回転を与え且つ熱処理されて製造された基体である磁気記録媒体。 - 特許庁

The elastic boundary wave element 10 includes a piezoelectric substrate 11; a dielectric layer 12 formed on the piezoelectric substrate 11; and IDT electrodes 13a, formed between the piezoelectric substrate 11 and the dielectric layer 12.例文帳に追加

弾性境界波素子１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上に形成されている誘電体層１２と、圧電基板１１と誘電体層１２との間に形成されているＩＤＴ電極１３ａとを有する。 - 特許庁

The luminous layer 14 of the first substrate 11 and the luminous layer 24 of the second substrate 21 are bonded with pressure to the cathodes 32 and 33, respectively, at a position where the first anode 12 is symmetrical with the second anode 22 while interposing the third substrate therebetween.例文帳に追加

第一基板１１の発光層１４および第二基板２１の発光層２４が、第一陽極１２と第二陽極２２とが第三基板を挟んで対称となる位置で陰極３２，３３に圧着される。 - 特許庁

The glass substrate 10 and the flexible substrate 20 are so arranged that the end of the surface 10a formed with the wiring layer 12 and the end of the substrate 20a formed with the wiring layer 22 are superposed on each other.例文帳に追加

ガラス基板１０と可撓性基板２０とは、配線層１２が形成された表面１０ａの端部と配線層２２が形成された表面２０ａの端部とが互いに重畳するように配置されている。 - 特許庁

To provide a power module substrate capable of improving junction reliability by joining a metal layer with a heat sink without causing peeling at a junction between a ceramic substrate and the metal layer, and a method for manufacturing the power module substrate.例文帳に追加

セラミックス基板と金属層との接合部に剥離を生じさせることなく金属層とヒートシンクとを接合して、接合信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film structure P formed on the front face of a substrate S made of a resin is provided with an adhesion layer M formed on the front face of the substrate S and the inorganic thin film layer F formed on the front face of the substrate S.例文帳に追加

樹脂製の基板Ｓの表面に形成された薄膜構造体Ｐであって、基板Ｓの表面に形成された密着層Ｍと、密着層Ｍの表面に形成される無機薄膜層Ｆとを備えている。 - 特許庁

The microlens substrate 1 has a glass substrate 2 having a plurality of recessed parts 3 for a microlens and a glass layer 8 joined to a face where the recessed parts 3 are formed of the glass substrate 2, through a resin layer 9.例文帳に追加

マイクロレンズ基板１は、多数のマイクロレンズ用の凹部３が設けられたガラス基板２と、かかるガラス基板２の凹部３が設けられた面に樹脂層９を介して接合されたガラス層８とを有している。 - 特許庁

To provide a wiring substrate with a reinforcing member that can supply a large current from a conductor layer on a substrate rear surface side to a conductor layer on a substrate principal surface side, and also improve reliability and handlability.例文帳に追加

基板裏面側の導体層から基板主面側の導体層に大電流を供給することができ、しかも、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる補強材付き配線基板を提供すること。 - 特許庁

Warpage of a substrate 2 that occurs during thermocompression bonding is minimized by arranging an insulation layer 10, having a coefficient of thermal expansion equal to or larger than that of the substrate 2, on a resin layer 9 arranged on the substrate 2.例文帳に追加

基板２の上に配置された樹脂層９の上に、基板２と同等もしくは大きい熱膨張係数をもつ絶縁層１０を配置することにより、熱圧着の際に発生する基板２の反りを抑制する。 - 特許庁

The elastomer consists of the substrate 3 comprising a rubber or an elastomer, and the carbonaceous film 3c formed on the surface layer of the substrate by injecting carbonaceous ions in at least a part of the surface layer of the substrate and subsequently accumulating them thereon.例文帳に追加

ゴム又はエラストマーよりなる基材３と、上記基材の表層の少なくとも一部に炭素系イオンの注入処理後、炭素系イオンを堆積させてなる炭素系被膜３ｃとを備えたこととしたものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate achieving a high yield in a semiconductor device by suppressing a decrease in the oxygen concentration of a semiconductor substrate surface layer and reducing a COP in the semiconductor substrate surface layer.例文帳に追加

半導体基板表層の酸素濃度低下を抑制しつつ、半導体基板表層のＣＯＰを低減させることによって、半導体デバイスの高歩留まりを実現する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the composite nano-rod substrate, metal nano-rods are formed on a metal layer formed on the substrate or a metal substrate, and a metal oxide layer is formed on the surface of each of the metal nano-rods.例文帳に追加

基板上に形成された金属層上あるいは金属基板上に、金属ナノロッドが形成されており、該金属ナノロッドの表面に金属酸化物層が形成されていることを特徴とする複合ナノロッド基板。 - 特許庁

The laminate for forming the substrate with the wiring having a layer 2a consisting of Ag or an Ag alloy on a substrate and a layer 2b consisting of Cu or Cu alloy thereon, the substrate with wiring and the method of forming the same.例文帳に追加

基体上にＡｇまたはＡｇ合金からなる層２ａと、その上に、ＣｕまたはＣｕ合金からなる層２ｂとを有する配線付き基体形成用積層体と、配線付き基体およびその形成方法。 - 特許庁

An integrated circuit having MISFETs and wiring is formed on a silicon layer 102 of an SOI substrate, and the MEMS sensor containing a structure 125 inside is formed by processing a substrate layer 100 of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層１０２上にＭＩＳＦＥＴや配線を有する集積回路を形成し、ＳＯＩ基板の基板層１００を加工して、構造体１２５を含むＭＥＭＳセンサを形成している。 - 特許庁

First, the method comprises a step of overlapping a substrate for transfer 20 provided with a light-emitting layer 23 on one of the main faces on a transferred substrate 10 under a vacuum atmosphere with the light-emitting layer 23 directed toward the transferred substrate 10.例文帳に追加

まず、真空雰囲気下で、一主面側に発光層２３が設けられた転写用基板２０を、発光層２３を被転写基板１０側に向けた状態で、被転写基板１０に重ね合わせる工程を行う。 - 特許庁