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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
In this case, a metal layer 103 exists between the low-melting-point metal member and the silicon substrate, and an adhesive layer 104 exists between the silicon substrate and the metal layer.例文帳に追加
その際、前記低融点金属部材と前記シリコン基板との間に金属層103を有する構成とし、また前記シリコン基板と前記金属層との間に、接着層104を有する構成とすることができる。 - 特許庁
On a magnetic recording medium 10 with a Co-based recording layer 3 for a nonmagnetic substrate 1, a foundation layer 2 comprising Ru and O is formed between the above substrate 1 and the above recording layer 3.例文帳に追加
非磁性の基板1上に、Coを主成分とする磁気記録層3を有する磁気記録媒体10において、上記基板1と、上記磁気記録層3との間に、RuおよびOからなる下地層2を形成する。 - 特許庁
The photodetector 10 is obtained by forming an underlying layer 2 and a functional layer 3 consisting of a group III nitride on a template substrate 1 according to MOCVD wherein the template substrate 1 having an AlN layer 1b on a sapphire single crystal base 1a.例文帳に追加
サファイア単結晶基材1aの上にAlN層1bを有するテンプレート基板1上に、III族窒化物によって下地層2と機能層3とをMOCVDにて形成することで受光素子10を得る。 - 特許庁
The substrate for flexible printed circuit is produced by laminating a thin film layer of copper and a substrate of aromatic polyamide film through an alloy layer of nickel and chromium wherein the ratio of chromium in the alloy layer is 2-5 wt.%.例文帳に追加
銅薄膜層と芳香族ポリアミドフィルムからなる基材とが、ニッケルとクロムからなる合金層を介して積層され、該合金層中のクロムの割合が2〜5重量%であるフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁
The substrate for flexible printed circuit is produced by laminating a thin film layer of copper and a substrate of aromatic polyamide film through an alloy layer of nickel and chromium wherein the ratio of chromium in the alloy layer is 15-25 wt.%.例文帳に追加
銅薄膜層と芳香族ポリアミドからなる基材とが、ニッケルとクロムからなる合金層を介して積層され、該合金層中のクロムの割合が15〜25重量%であるフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁
A substrate is etched so as to satisfy the relation of lower-layer mask < intermediate mask at the etching rate in which the lower-layer mask and the intermediate mask are etched by using the lower-layer mask and the intermediate mask, so that contact holes are formed in the substrate.例文帳に追加
下層マスク及び中間マスクをマスクに用いて、下層マスク及び中間マスクがエッチングされるエッチング速度が、下層マスク<中間マスク、を満たすように基板のエッチングを行い、基板内にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁
The carbon-based composite material 2 is composed of a carbon-based substrate 4, an electronic conducting layer 8 formed on the surface of the carbon-based substrate 4, and an oxide layer 10 formed on the surface of the electronic conducting layer 8.例文帳に追加
炭素系複合材料2を、炭素系基体4と、当該炭素系基体4表面に付与された電子伝導性層8と、この電子伝導性層8表面に付与された酸化物層10とで構成する。 - 特許庁
In the image-receiving sheet for electrophotography, the image-receiving layer comprising a lamination constitution of two layers or more is disposed on a substrate and, in the image-receiving layer, the hardness on the nearest layer to the substrate is higher than the hardness on the other layers.例文帳に追加
支持体上に、2層以上の積層構成からなる受像層を有し、該受像層において、支持体に最も近い層における硬度が、他の層における硬度以上である電子写真用受像シートである。 - 特許庁
In the optical information recording medium, at least one information layer provided on a transparent substrate 1 includes a protective layer 2 and a write-once recording layer 3 that are disposed in this order from the transparent substrate 1 side.例文帳に追加
本発明の光学的情報記録媒体では、透明基板1上に設けられた少なくとも1つの情報層が、透明基板1側から順に配置された保護層2及び追記形の記録層3を含んでいる。 - 特許庁
In the optical information recording medium which has a substrate, a reflective layer and a protective layer, and makes a signal reproducing laser beam incident from the protective layer to perform reproduction, a phase pit row for carrying information is disposed on the substrate.例文帳に追加
基板と反射層と保護層とを有し、信号再生用レーザビームを保護層から入射せしめて再生を行う光学式情報記録媒体であって、基板には情報を担う位相ピット列が設けられている。 - 特許庁
The LC device has a substrate 100, a support layer 120 formed on the substrate, inductors formed on either the upper or lower side of the support layer, and capacitors formed in the opposite side of the support layer.例文帳に追加
LC素子は基板100と、基板上に形成された支持層120と、支持層の上部及び下部のうちいずれか一つに形成されるインダクタL及び支持層のもう一つに形成されるキャパシタCを有する。 - 特許庁
To provide a method for epitaxially forming a thin oxide film, such as an intermediate layer or a superconductive layer, by removing the oxidized layer from the surface of an oriented metallic substrate without fail and keeping the biaxial orientability of the oriented metallic substrate.例文帳に追加
配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の2軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。 - 特許庁
The reflection plate 10 is composed of a substrate 2, a ruggedness layer which is located on the substrate and is made of a resin film 11 having repeatedly formed ruggedness, and a light reflecting layer made of a metal film 13 with which the ruggedness layer is covered.例文帳に追加
反射板10は、基材2と、その上に配され起伏が繰返し形成された樹脂膜11からなる起伏層と、起伏層を被覆する金属膜13からなる光反射層とで構成されている。 - 特許庁
This laminated body can be obtained by laminating the ITO film 22 on the substrate 26 with the ruggedness forming layer 23 previously film-formed, however, after film-forming the rugged forming layer 23 on the transparent substrate, the ITO film 22 is preferably rapidly laminated without exposing the ruggedness forming layer to air.例文帳に追加
このITO透明導電膜の表面は、凹凸形成層により10点平均粗さRzで表示して17.3nmであり、かつ比抵抗は2.0×10^-4Ωcm以下であった。 - 特許庁
In this substrate 3, the layer 2 consisting of multiple layers (eight layers) is provided only in a region A in a Fig. 1 (reference numeral 4 in the figure), and the layer 2 is not provided in a region B (reference numeral 5 in the figure) in an intermediate layer in the substrate.例文帳に追加
この多層誘電体基板3では図1の領域A(図中4)にのみ多層(8層)から成る導電層2を設け、領域B(図中5)には基板内の中間層に導電層が無いようにした。 - 特許庁
A silicon substrate 31 having an upper surface(111) is prepared, a buffer layer 34 composed of Si_xGe_1-x layer(0<x≤1) is formed on the silicon substrate 31, and a nitride single crystal 35 is formed on the buffer layer 34.例文帳に追加
上面に(111)面を有するシリコン基板31を用意し、シリコン基板31の上面にSi_xGe_1-x層(0<x≦1)から成るバッファ層34を形成し、バッファ層34上に窒化物単結晶35を形成する。 - 特許庁
The stencil mask 10 is provided with a shielding layer 20 having a first layer 22 provided on the side where a substrate processed is arranged, and a second layer 24 provided on the side opposite to the side where the substrate processed is arranged.例文帳に追加
ステンシルマスク10は、処理基板が配置される側に設けられている第1層22と処理基板が配置される側とは反対側に設けられている第2層24を有している遮蔽層20を備えている。 - 特許庁
This porous carrier is prepared by forming an electroconductive layer on the upper surface of an insulating substrate and using the electroconductive layer forming insulating substrate as a support to fix and form the porous film to the upper surface of the electroconductive layer.例文帳に追加
絶縁性基板の上面に電気伝導性層を形成し、電気伝導性層形成絶縁性基板を支持体として、電気伝導性層上面に多孔質膜を固着して形成し多孔質担体を調製する。 - 特許庁
The infrared antireflection film 3 is formed on at least one surface of the substrate 2 and formed of layered product by laminating an inner layer 4, an intermediate layer 5 and an outer layer 6 in this order from the substrate side.例文帳に追加
前記赤外反射防止膜3は、前記基板2の少なくとも一面に形成されているとともに、当該基板側から、内層4、中間層5及び外層6がこの順に積層された積層体からなっている。 - 特許庁
At least one of a substrate 3 with the organic semiconductor layer 11 formed thereon and a protective film 13 provided on the substrate 3 under the condition of covering the organic semiconductor layer 11 is employed as the shielding layer.例文帳に追加
有機半導体層11が形成された基板3および有機半導体層11を覆う状態で基板3上に設けられた保護膜13のうちの少なくとも一方が、遮蔽層として用いられている。 - 特許庁
On a single-crystal substrate 1, a buffer layer 2 and an optical waveguide layer 3 are formed and in the optical waveguide layer 3, a ridge type channel optical waveguide 4 is formed along the length of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加
単結晶基板1上にはバッファ層2及び光導波路層3が形成され、光導波路層3には単結晶基板1の長手方向に沿ってリッジ型のチャンネル光導波路4が形成されている。 - 特許庁
The thin sheet substrate, in the thin sheet substrate of a laminate having an inorganic glass layer and a resin layer, the resin layer is formed from a composition containing a metal oxide polymer containing organic groups as a main component.例文帳に追加
薄膜シート状基板は、無機ガラス層と樹脂層とを備えた積層体からなる薄膜シート状基板において、前記樹脂層が、有機基を含む金属酸化物ポリマーを主成分とした組成物からなる。 - 特許庁
A metal is vapor-deposited on a polymer substrate and heat- treated to form a metal layer, and after a photoresist is applied to the metal layer, lithography is performed to etch the metal layer to obtain the polymer substrate microelectrode.例文帳に追加
ポリマー基板に金属を蒸着し、熱処理することにより得られる金属層上にフォトレジストを塗布した後、リソグラフィーを行い、金属をエッチングすることを特徴とするポリマー基板マイクロ電極とする。 - 特許庁
The auxiliary pattern is a metal layer formed on the substrate, made of one of an indium tin oxide and molybdenum, and comprises a metal layer formed on the substrate and an insulating film formed on the metal layer.例文帳に追加
補助パターンは、基板上に形成された金属層であり、インジウムスズ酸化物及びモリブデン中の一つからなり、また基板上に形成された金属層及び金属層上に形成された絶縁膜からなる。 - 特許庁
A compound semiconductor device is provided with a silicon substrate, a silicon carbide layer formed on the substrate, and a compound semiconductor layer formed on the silicon carbide layer and containing a nitrogen compound of a group III element.例文帳に追加
化合物半導体装置であって、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成されたIII族元素の窒素化合物を含む化合物半導体層とを備える。 - 特許庁
The electrode for electrolysis comprises a substrate of a valve metal, an intermediate layer of metallic iridium covering the substrate surface, iridium oxides covering the surface of the intermediate layer, and a catalytic layer containing a stabilizer for a metallic oxide.例文帳に追加
弁金属基材、該基材表面に被覆された金属イリジウム中間層、及び該中間層表面に被覆された酸化イリジウム及び金属酸化物安定剤を含有する触媒層を含んで成る電解用電極。 - 特許庁
The resist substrate 4 is characterized in that the resist layer 2 is formed on the substrate 1 and a photomask layer 3 adheres on an upper surface of the resist layer 2.例文帳に追加
本発明によって、基板1上にレジスト層2が形成されたレジスト基板4であって、前記レジスト層2の上面に密着するフォトマスク層3を具備することを特徴とするレジスト基板4が提供される。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor contains conductive inorganic particles (oxygen deficiency tin oxide coated particles) and a conductive polymer (polypyrrole, polyaniline and polythiophene) in the substrate layer in a layered photoreceptor having the substrate layer and the intermediate layer on the support.例文帳に追加
支持体上に下地層及び中間層を有する積層感光体において下地層が導電性無機粒子(酸素欠損型酸化スズ被覆粒子)及び導電性ポリマー(ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン)を含有する。 - 特許庁
The surface of the substrate between the P-type layer 12 which includes the RESURF layer 13 and the channel stopper layer 14 is lower than that of the substrate in the periphery, and a semiconductive film 15 is formed thereon.例文帳に追加
RESURF層13を含むP型層12とチャネルストッパ層14との間の基板表面が周辺の基板表面高さより低くなっておりその上に半導電性膜15が形成されている。 - 特許庁
A first surface layer common electrode 11 is formed in a TFT substrate 1, and a second surface layer common electrode 23 opposite to the first surface layer common electrode 11 is formed in a counter substrate 2.例文帳に追加
TFT基板1には第1の表層共通電極11が、対向基板2には第1の表層共通電極11と対向する第2の表層共通電極23が、それぞれ形成されている。 - 特許庁
The semiconductor device 1 includes a substrate 2 made of a material containing a silicon, a buffering layer 3 formed on the substrate 2, and a device forming layer 4 containing a nitride-based semiconductor formed on the buffering layer 3.例文帳に追加
半導体装置1は、シリコンを含む材料からなる基板2と、基板2上に形成された緩衝層3と、緩衝層3上に形成された窒化物系半導体を含むデバイス形成層4とを有する。 - 特許庁
To provide a substrate for layer formation capable of easily separating a wiring layer and stably forming a wiring layer, a wiring substrate and its manufacturing method, and to provide a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加
安定して配線層を形成することができると共に配線層を容易に分離することができる層形成用基板、配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the substrate provided with the semiconductor layer includes a process wherein the semiconductor layer provided on the substrate is irradiated with a laser beam to flatten the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁
On the main surface of a substrate 1, a pre-stage buffer layer 2', composed of an In-based compound or a Zn-based compound which are not contained in the substrate 1, is laminated as a polycrystal layer or an amorphous layer.例文帳に追加
基板1の主表面上に、基板1に含まれないIn系化合物またはZn系化合物を構成材料とする前段バッファ層2’を多結晶層またはアモルファス層として積層形成させる。 - 特許庁
This display substrate is so structured that a positive hole injection layer 3 is formed in a display region out of a surface of a glass substrate 1; and a luminescent layer 4 is formed in each region surrounded by a bank 9 formed on its upper layer.例文帳に追加
ガラス基板1の面のうちの表示領域に正孔注入層3を形成させ、その上層に設けたバンク9によって囲まれる領域の各々に、発光層4を形成する構造にする。 - 特許庁
The surface of the substrate 3 of one side is covered with a scanning electrode group and an alignment layer and the surface of the substrate 3 of another side is also covered with a signal electrode group and an alignment layer and a pair of these substrates 3 are opposed with liquid crystal layer 5.例文帳に追加
基板3上に走査電極群と配向膜を被覆し、他方の基板3も信号電極群と配向膜を被覆し、これらの一対の基板3を液晶層5を介して対向させる。 - 特許庁
An intermediate layer 5 of a film thickness of a monomolecular film level is formed on the entire surface of a glass substrate 2 so as to enhance adhesive strength between a glass substrate 2 having an ITO layer 3 formed on its surface and a graft polymer layer 6.例文帳に追加
ITO層3が表面に形成されたガラス基板2とグラフトポリマー層6との密着性を高めるために、ガラス基板2の表面全体に単分子膜レベルの膜厚で中間層5を形成する。 - 特許庁
The optical information recording medium 1 has a structure wherein a recording layer 3, a semi-transparent reflection layer 4, a heat generating layer 5, a reflection layer 6, a deformation layer 7 and a protective layer 8 are sequentially formed on a first light transmissive substrate 2 and the reflection layer 6 and the deformation layer 7 are thermally deformed by irradiating the heat generating layer 5 with laser light to generate heat.例文帳に追加
光情報記録媒体1は、第一の透光性基板2上に記録層3、半透過反射層4、発熱層5、反射層6、変形層7及び保護層8を順次形成した構造を有し、発熱層6にレーザー光を照射して発熱させることにより、反射層6及び変形層7を熱変形させる。 - 特許庁
In the semiconductor light emitting device, a first cladding layer 112, an active layer 113, a second cladding layer 114, and a contact layer 117 are formed on a substrate, and a quantum well hetero barrier layer 116 having a contact barrier layer 116b and a contact well layer 116w is formed between the second cladding layer 114 and the contact layer 117.例文帳に追加
基板上に、第1クラッド層112と、活性層113と、第2クラッド層114と、コンタクト層117とが形成された半導体発光素子であって、第2クラッド層114とコンタクト層117との間に、コンタクトバリア層116bとコンタクトウェル層116wとを有する量子井戸へテロバリア層116が形成されている。 - 特許庁
On a p-type substrate 100, a p-type anode layer 102 as a first semiconductor layer, an n-type gate layer 104 as a second semiconductor layer, a non-doped semiconductor layer 105, a p-type gate layer 106 as a third semiconductor layer, and an n-type cathode layer 108 as a fourth semiconductor layer are formed in order, and a cathode electrode 110 and a gate electrode 112 are further formed.例文帳に追加
p型基板100上に、順次、第1半導体層としてp型アノード層102、第2半導体層としてn型ゲート層104、ノンドープ半導体層105、第3半導体層としてp型ゲート層106、第4半導体層としてn型カソード層108が形成され、さらにカソード電極110とゲート電極112が形成される。 - 特許庁
This method has a process for forming an Al layer 2 and a tungsten layer 3 contacting to the Al layer 2 on a substrate, a process for oxidizing the surface of the Al layer 2 to form an oxidized aluminum layer 5 on the surface, and a process for removing the oxidized layer on the surface of the oxidized aluminum layer 5 to form spaces between the Al layer 2 and the tungsten layer 3.例文帳に追加
基板上にAl層2と、Al層2と接触するタングステン層3と、を形成する工程と、Al層2の表面を酸化して、該表面に酸化アルミニウム層5を形成する工程と、酸化アルミニウム層5の表面の酸化層を除去して、Al層2とタングステン層3との間に間隙を形成する工程と、を有する。 - 特許庁
A multilayer covering tool is featured that a layer having a diploid structure consisting of a titanium zirconium carbonitroxide layer and a zirconium carbonitride layer forms a unit layer and/or a layer having a diploid structure consisting of a titanium zirconium carbonitroxide layer and a zirconium carbonitroxide layer forms a unit layer and a tool substrate is covered by at least one unit layer.例文帳に追加
工具基体表面上に、炭窒酸化チタンジルコニウム層と炭窒化ジルコニウム層からなる複層構造の層を単位層又は/及び炭窒酸化チタンジルコニウム層と炭窒酸化ジルコニウム層とからなる複層構造の層を単位層とし、前記単位層を工具基体上に少なくとも1単位層以上被覆していることを特徴とする多層被覆工具である。 - 特許庁
An Indium Tin Oxide (ITO) film 12, a light emitting layer 13, and an electrode 14 are formed on a first substrate 11 and moreover, an organic electroluminescence (EL) display 10 is formed by sticking the substrate and a second substrate 16 as an opposing substrate together.例文帳に追加
第1基板11上に、ITO膜12、発光層13、電極14を形成し、さらに、対向基板としての第2基板16と貼り合わせて有機ELディスプレイ10を形成する。 - 特許庁
Upon forming a resin film on a substrate, an intermediate layer that chemically bonds the substrate primarily comprising an inorganic composition and a resin film to be formed on the substrate is firstly formed on the substrate.例文帳に追加
基板に樹脂膜を形成するとき、まず、無機組成物を主成分とする基板と、前記基板に形成しようとする樹脂膜との間を化学結合させる中間層を前記基板に形成する。 - 特許庁
To solve the problem that when using an SOI substrate, it is hard to form external extension electrodes on a support substrate in a rear face since there is an embedded oxide film between an SOI substrate layer and the support substrate.例文帳に追加
SOI基板を用いた場合、SOI基板層と支持基板の間に、埋め込み酸化膜が有るために、簡単に裏面の支持基板に外部取り出し電極を形成することが出来ない。 - 特許庁
The display panel comprises: a first substrate 10; a second substrate 30 facing the first substrate 10; and a display medium layer 20 formed between the first substrates 10 and the second substrate 30.例文帳に追加
表示パネルは、第1の基板10と、第1の基板10に対向して設けられた第2の基板30と、第1の基板10と該第2の基板30との間に設けられた表示媒体層20と、を備える。 - 特許庁
To provide a substrate processing method and a substrate processor that enable quick peel-off (removal) of a resist, having a resist hardening layer from the surface of a substrate, without damaging the substrate.例文帳に追加
基板にダメージを与えることなく、基板の表面からレジスト硬化層を有するレジストを速やかに剥離(除去)することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁
A composite substrate 10 is obtained, by bonding the piezoelectric substrate 11 transparent to light used for photolithography and the supporting substrate 12 for supporting the piezoelectric substrate 11 via the organic adhesive layer 13.例文帳に追加
複合基板10は、フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板11と圧電基板11を支持する支持基板12とを有機接着層13により貼り合わせたものである。 - 特許庁
In the substrate for the magnetic recording medium comprising the non-magnetic substrate and a base plating layer on the non-magnetic substrate, the non-magnetic substrate whose surface is subjected to hydrophilic treatment is effective.例文帳に追加
非磁性基板と該非磁性基板上の下地メッキ層とを含む磁気記録媒体用基板であって、該非磁性基板表面が親水性処理をされたものであることが有効なことを見出した。 - 特許庁
The housing 10 has a front substrate 11 and a rear substrate 12 which are arranged opposed to each other, and the peripheral parts of the front substrate and the rear substrate are mutually joined through a sealing layer 21.例文帳に追加
外囲器10は、対向配置された前面基板11および背面基板12を有し、前面基板および背面基板の周辺部同士は封着層21を介して互いに接合されている。 - 特許庁
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