「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

A transfer layer 2 is formed on a resin film 1, the transfer layer 2 is formed of the above photosensitive composition, the transfer layer 2 is transferred onto a substrate 3, and the transferred transfer layer 2 is baked, to form a dielectric layer of a plasma display panel on the substrate 3.例文帳に追加

さらに、樹脂フィルム１上に転写層２が形成され、転写層２は上記感光性組成物から形成され、転写層２を基板３上に転写し、転写された転写層２を焼成することにより、基板３上にプラズマディスプレイパネルの誘電体層を形成する。 - 特許庁

The plasma addressed liquid crystal display device is provided with a liquid crystal layer 20 held between a substrate 8 and a dielectric layer 3, an electrode 10 arranged on the liquid crystal layer 20 side of the substrate 8 and a plasma channel 5 arranged opposite to the electrode 10 via the liquid crystal layer 20 and the dielectric layer 3.例文帳に追加

基板８と誘電体層３との間に挟持された液晶層２０と、基板８の液晶層２０側に設けられた電極１０と、液晶層２０および誘電体層３を介して前記電極１０に対向するように設けられたプラズマチャネル５とを備える。 - 特許庁

By the base structural body of an AC type gas discharge panel in which the dielectric layer and the protective layer composed of MgO are provided in this order on the substrate provided with an electrode, and in which the dielectric layer is composed of a laminated body of the organic dielectric layer and an inorganic dielectric layer from the substrate side, the problems are solved.例文帳に追加

電極を備えた基板上に誘電体層とＭｇＯからなる保護層をこの順で備え、誘電体層が基板側から有機誘電体層と無機誘電体層の積層体からなることを特徴とするＡＣ型ガス放電パネルの基板構体により上記課題を解決する。 - 特許庁

The adhesive tape 1 is such that an adhesive layer 11 is formed on a base 10 (substrate), wherein a non-adhesive layer part 12 is formed or a non-adhesive layer film 120 is applied on each edge in the longitudinal direction of the base 10 (substrate), and the non-adhesive layer part 12 or the non-adhesive layer film 120 is provided with notches 13.例文帳に追加

ベース１０（支持体）に粘着剤層１１が形成された粘着テープ１であって、ベース１０（支持体）の長手方向端縁部に非粘着剤層部分１２を形成し、もしくは非粘着剤層皮膜１２０を貼付し、非粘着剤層部分に切り欠き１３を設けた。 - 特許庁

At least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 has compressive strain to the semiconductor substrate 101, and further, at least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 comprises a semiconductor layer 106 having tensile strain to the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して圧縮性の歪を有し、且つ、第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して引張性の歪を有する半導体層(106)を含んでいる。 - 特許庁

This magneto-optical disk 1 has a recording layer 15, acrylic resin layer 18, and lubricant layer 19 of fluorine oil formed in this order on a polycarbonate resin substrate 13, and has a lubricant protective layer 10 on the other surface of the substrate 13 opposite to the recording layer 15.例文帳に追加

光磁気ディスク１は、ポリカーボネート樹脂製の基板１３上に記録層１５、アクリル樹脂からなる樹脂層１８、及びフッ素オイルからなる潤滑剤層１９をこの順に備え、基板１３の記録層１５と反対側の面には潤滑保護層１０を備えている。 - 特許庁

It has a substrate 110, a heater layer 114 including a heat generating body formed on the substrate, electrodes 116 formed at both ends on the upper surface of the heater layer, a protective layer 118 formed to cover the heater layer and the electrodes, and carbon nanotubes 117 formed in the protective layer.例文帳に追加

基板１１０と、基板上に形成された、発熱体を含むヒーター層１１４と、ヒーター層の上面の両端に形成された電極１１６と、ヒーター層及び電極を覆って形成された保護層１１８と、保護層の内部に形成された炭素ナノチューブ１１７と、を備える。 - 特許庁

The light-emitting device 1 comprises the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 6 including gallium and indium formed on the silicon substrate 5, a reaction source supplying layer 7 including gallium and indium formed on the aluminum nitride layer 6, and a light-emitting function layer 8 formed on the reaction source-supplying layer 7.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層７と、反応源供給層７上に形成された発光機能層８とを備えている。 - 特許庁

The electrostatic chuck is provided with a conductor layer 3 provided on an insulator substrate 2, and a dielectric layer 1 covering the conductor layer 3, and the dielectric layer 1 and the insulator substrate 2, or at least the dielectric layer 1 is obtained by using the above alumina sintered compact.例文帳に追加

絶縁体基板２上に設けられた導体層３と、導体層３を被覆する誘電体層１を備えた静電チャックであって、誘電体層１及び絶縁体基板２、若しくは少なくとも誘電体層１は上記アルミナ質焼結体を用いてなることを特徴とする静電チャック。 - 特許庁

The device includes: a substrate; a first electrode located on the substrate; an organic layer located on the first electrode and including an organic emission layer; and a second electrode located on the organic layer, and including a first metal layer and a second metal layer.例文帳に追加

本発明は基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む有機膜層と；及び前記有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a glass substrate 11, a first amorphous carbon layer 12 formed on one surface of the glass substrate 11, a second amorphous carbon layer 13 formed on the first amorphous carbon layer 12, and a metal electrode layer 14 formed on the second amorphous carbon layer 13.例文帳に追加

ガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の面側に形成される第１のアモルファスカーボン層１２と、第１のアモルファスカーボン層１２の上に形成される第２のアモルファスカーボン層１３と、第２のアモルファスカーボン層１３の上に形成される金属電極層１４とを含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a semiconductor substrate; a semiconductor light-emitting layer and a dielectric layer constituting a light-emitting element, formed above the semiconductor substrate; and a carbon nano-tube or a graphene layer formed above and on the semiconductor light-emitting layer and the dielectric layer.例文帳に追加

本発明による発光素子は、半導体基板上に、発光素子を構成する半導体発光層および誘電体層、カーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成され、前記半導体及び誘電体層上にはカーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which prevents light not absorbed by a photothermal conversion layer of an intermediate layer formed between a support substrate and a semiconductor layer from being transmitted to the semiconductor layer concerning light irradiated for separating the support substrate and the semiconductor layer.例文帳に追加

支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

As the working treatment of irradiating a substrate with a laser beam, there is a solar panel manufacture in which a metal layer, a semi-conductor layer and a transparent electrode layer are successively formed on a glass substrate, and each layer is machined in a strip shape by using the laser beam in each process after forming each layer to produce a solar panel.例文帳に追加

基板にレーザ光を照射する加工処理としては、ガラス基板上に金属層、半導体層、透明電極層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光を用いて短冊状に加工してソーラパネルを作成するソーラパネル製造などが該当する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a mounting substrate 10; a lower-layer chip 20 mounted on the mounting surface of the mounting substrate 10 while facing a surface opposite surface to an active surface of the lower-layer chip 20; and an upper-layer chip 30 mounted on an active surface of the lower-layer chip 20, while facing the active surface of the upper-layer chip.例文帳に追加

半導体装置は実装基板１０を備え、この実装基板１０の実装面と、能動面とは反対側の面とを対向させて実装された下段チップ２０と、この下段チップ２０の能動面に、能動面を対向させて実装された上段チップ３０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor substrate 103, a first wiring-structure layer including a first wiring and a first insulating layer alternately formed on the semiconductor substrate, and a second wiring-structure layer including second wiring and a second insulating layer alternately formed on the first wiring-structure layer.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１０３と、半導体基板上に交互に設けられた第１配線および第１絶縁層を含む第１配線構造層と、第１配線構造層上に交互に設けられた第２配線および第２絶縁層を含む第２配線構造層とを含む。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a GaN substrate and a lower clad layer, active layer, upper clad layer, and GaN contact layer, which are deposited on the substrate in this order, The thickness of the GaN contact layer is between 0.07 μm and 80 μm.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、ＧａＮコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記ＧａＮコンタクト層の膜厚が、０．０７μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the recording medium comprising a substrate, an ink receptor layer provided on the substrate and a surface layer or a glossy layer provided on the ink receptor layer, the glossy layer is made rigid by a zirconium compound and a resin capable of forming a crosslinked structure by reacting with the zirconium compound.例文帳に追加

基材と、該基材上に設けられたインク受理層と、該インク受理層上に設けられた表面層としての光沢層とからなる記録媒体において、前記光沢層を、ジルコニウム化合物及び該ジルコニウム化合物と反応して架橋構造を形成し得る樹脂により硬質化した。 - 特許庁

A fabricating method comprises steps of (a) providing the substrate, (b) forming a tuning layer which is within a specific thickness range and tunes magnetic property of the recording medium, on the substrate, (c) forming the buffer layer on the tuning layer, and (d) forming the recording layer on the buffer layer.例文帳に追加

製法は、（ａ）基板を提供するステップと、（ｂ）基板上に特定厚さ範囲を具備して記録媒体の磁気性質を同調する同調層を形成するステップと、（ｃ）同調層上に緩衝層を形成するステップと、（ｄ）緩衝層上に記録層を形成するステップとを備えてなる。 - 特許庁

The original plate for the lithographic printing plate, provided on a transparent substrate 1 with the light/heat converting layer 2, a metallic layer (heat transfer layer) 3 and a heat sensitive layer 4 sequentially, is characterized in that an image is formed on the heat sensitive layer 4 by effecting scanning exposure of laser beams 5 from the side of the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板１上に、光熱変換層２と、金属層（伝熱層）３と、感熱層４とをこの順に有することを特徴とし、該平版印刷版用原版の透明基板側からレーザー光５による走査露光を行い、感熱層４に画像を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The color filter comprises a substrate, a transparent colored layer formed on the substrate, and a transparent resin layer formed to cover the transparent colored layer, wherein the transparent colored layer contains a dye as a coloring material, and the transparent resin layer contains an antioxidant.例文帳に追加

本発明によるカラーフィルタは、基材と、前記基材上に形成された透明着色層と、前記透明着色層を覆うように形成された透明樹脂層とを含んでなり、前記透明着色層が色材として染料を含み、かつ前記透明樹脂層が抗酸化剤を含むものである。 - 特許庁

The semiconductor substrate has: an AlN layer 12 provided on a substrate 10; an Si-doped GaN layer 14 provided on the AlN layer 12; and an undoped GaN layer 16 provided on the Si-doped GaN layer 14.例文帳に追加

本発明は、基板（１０）上に設けられたＡｌＮ層（１２）と、ＡｌＮ層（１２）上に設けられたＳｉドープＧａＮ層（１４）と、ＳｉドープＧａＮ層（１４）上に設けられたアンドープＧａＮ層（１６）と、を具備する半導体基板、半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3, a p-type InP spacer layer 4, a p-type InP clad layer 6 and a p-type InGaAsP contact layer 8 are sequentially laminated on an n-type InP substrate 1, and an n-type electrode 11 is disposed on the lower part of the substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８を積層し、ｎ−ＩｎＰ基板１の下部にはｎ型電極１１を配置する。 - 特許庁

Provided is a support for the plasters, characterized by having a substrate film layer stretchable at ordinary temperature and having a thickness of 5 to 300 μm, a vapor-deposited layer having a thickness of 0.5 to 500 nm and disposed on the substrate film layer, and a protecting layer having a thickness of ≤5 μm and disposed on the vapor-deposited layer.例文帳に追加

常温において伸縮自在な厚さ5〜300μｍの基体フィルム層と、該基体フィルム層上に配置された厚さ0.5〜500ｎｍの蒸着層と、該蒸着層上に配置された厚さ5μｍ以下の保護層を有することを特徴とする貼付剤用支持体である。 - 特許庁

The light-emitting element 100, a light-emitting element containing a nitride-based compound semiconductor, includes a light-emitting layer 5, a supporting substrate 1, a reflection layer 31 formed between the light-emitting layer 5 and the supporting substrate 1, and a protective layer 32 arranged adjacently to the reflection layer 31 and formed of a metal.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を含む発光素子であって、発光層５と、支持基板１と、発光層５と支持基板１との間に形成された反射層３１と、反射層３１に隣接して配置され金属で形成されている保護層３２とを含む発光素子１００。 - 特許庁

To provide a wiring substrate which has a resin insulating layer, a filled via made through the insulating layer and filled with plating material and a conductor layer plated on the insulating layer and filled via, and in which the conductor layer has a uniform thickness, and also to provide a method for manufacturing the wiring substrate.例文帳に追加

樹脂絶縁層と、これを貫通しメッキにより充填形成されたフィルドビアと、これらの上にメッキにより形成された導体層とを有する配線基板において、導体層の厚さがほぼ均一な配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The element also comprises a buffer layer 6 provided between the layer 3 and the layer 9, and since the light emitted from the layer 3 to an electrode 14 side is reflected to the substrate 1 side by the layer 6, the retrieving efficiency of the light from the substrate 1 side can be enhanced.例文帳に追加

又、第１発光層３と第２発光層９との間にはバッファ層６が設けられ、このバッファ層６により第１発光層３から電極１４側に発光された光が基板１側に反射されるので、基板１側からの光の取り出し効率を高めることができる。 - 特許庁

The bipolar transistor includes at least: a semiconductor substrate including an N- type epitaxial layer 3a and a P- type silicon substrate 1a; an N+ type polysilicon layer 21a; a tungsten layer 25; a silicide layer 27a; a silicide layer 39a; a base electrode 36a; an emitter electrode 36b; and a collector electrode 36c.例文帳に追加

本発明は、Ｎ−型エピ層３ａやＰ−型シリコン基板１ａを含む半導体基板、Ｎ＋型ポリシリコン層２１ａ、タングステン層２５、シリサイド層２７ａ、シリサイド層３９ａ、ベース電極３６ａ、エミッタ電極３６ｂ及びコレクタ電極３６ｃを少なくとも備える。 - 特許庁

There are disclosed a nitride semiconductor light-emitting element including a substrate for growth of a sapphire substrate on which unevenness processing is performed, an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent conductive layer and a reflection layer of a dielectric in this order, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

The underlayer sheet for waterproofing the urethane coating is obtained by successively laminating a polyurethane resin layer 1, a substrate film layer 2, a PE resin layer 3, a fibrous material 4 such as a nonwoven fabric, a modified asphalt layer 5, and a pressure-sensitive self layer 6 in this order from above (from a side forming a front surface when stuck to the concrete substrate).例文帳に追加

ウレタン塗膜防水用下張りシートは、上方から（コンクリート下地に貼付した際、表面となる側から）ポリウレタン樹脂層１、基材フィルム層２、ＰＥ樹脂層３、不織布等の繊維状物４、改質アスファルト層５及び自己粘着層６が順次積層されている。 - 特許庁

The method for manufacturing magnetic recording medium, which comprises at least a soft magnetic layer, an orientation coordination layer, and a magnetic recording layer in order on a substrate, and is used for vertical magnetic recording, applies direct current bias on a surface of a substrate when depositing the orientation coordination layer and the magnetic recording layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、前記配向調整層及び前記磁気記録層のそれぞれの成膜時に直流バイアスを基板表面に印加する。 - 特許庁

To provide a copper-clad plastic substrate in which a thin metal film layer to be a seed layer is simply formed by coating or a printing method on a plastic substrate and which is superior in adhesion between a copper layer and the seed layer, heat resistance, electric characteristics, and productivity and can be used appropriately as a two-layer CCL.例文帳に追加

コーティングや印刷法によって簡便にシード層となるべき金属薄膜層がプラスチック基板上に形成されてなる、銅層とシード層との接着力、耐熱性、電気特性、生産性に優れた、２層ＣＣＬとして好適に用いられる銅被覆プラスチック基板を提供すること。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a base layer and a magnetic recording layer formed in this order on a substrate, and has a thin-film layer essentially comprising an element having ≥1.4 and ≤1.7 for Pauling's electronegativity and ≤4.0 nm thickness between the substrate and the base layer and in contact with the base layer.例文帳に追加

基板上に、下地層と磁気記録層とをこの順に設けてなる磁気記録媒体であって、基板と下地層のあいだに、下地層に接して、ポーリングの電気陰性度が１．４以上１．７以下の元素を主成分とし厚さが４．０ｎｍ以下の薄膜層を設けてなる磁気記録媒体。 - 特許庁

A resistive memory device includes: a substrate 10; an insulating layer 11 over the substrate 10; a nano wire 12 to be defined as the lower electrode penetrating the insulating layer 11; a resistive layer 13 formed over the insulating layer 11 and contacting with the nano wire 12; and an upper electrode 14 formed over the resistive layer.例文帳に追加

基板１０と、該基板１０上の絶縁膜１１と、該絶縁膜１１を貫通する下部電極として定義されるナノワイヤ１２と、前記絶縁膜１１上に位置づけられ、前記ナノワイヤ１２と接触する抵抗層１３と、該抵抗層上の上部電極１４と、を備える。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

In a colored substrate for organic EL sequentially having at least a color filter layer, a transparent protective layer, a transparent barrier layer, and a transparent electrode layer on a transparent substrate, the pin holes are formed in a specified area in the barrier layer.例文帳に追加

透明基板上に順次少なくとも、カラーフィルター層、透明保護層、透明バリア層及び透明電極層を設けた有機ＥＬ用カラー化基板において、前記透明バリア層の特定した領域にピンホールを存在させたことを特徴とする有機ＥＬ用カラー化基板。 - 特許庁

The semiconductor substrate and semiconductor device include an AIN layer 12 provided on a Si substrate 10, an AlGaN layer 14 provided on the AIN layer 12 to have a composition ratio of Al of 0.3 or more and 0.6 or less, and a GaN layer 16 provided on an AlGaN layer 14.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１０上に設けられたＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌＧａＮ層１４と、ＡｌＧａＮ層１４上に設けられたＧａＮ層１６と、を具備する半導体基板および半導体装置である。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

In the bottom 20 of the riser body 11, an inside surface layer 21 with abrasion resistance and impact resistance, and a substrate layer 22 inside the layer 21 are laminated, and connected together for integration by a fixing implement 30; and a reinforced resin layer 23 is superposed on the outside of the substrate layer 22.例文帳に追加

この縦管本体１１の底部２０は、耐摩耗性および耐衝撃性を有する内側表面層２１と、その内部の支持体層２２とを積層させて止着具３０により結合一体化され、さらに、支持体層２２の外側に強化樹脂層２３を積層させて構成される。 - 特許庁

A protective layer is formed on a glass substrate, a magnetic layer 2 as a magnetism sensitive surface of a desired shape, an electrode conductive layer 4, and a peripheral circuit unit 6 are further formed on the protective layer, and then, the glass substrate is removed by etching or peeling, and the protective layer 1 is used as a sensor surface of the magnetic sensor.例文帳に追加

ガラス基板上に保護層を形成し、さらにその上に所望の形状の感磁面としての磁性層２、電極導体層４、周辺回路ユニット６を形成した後、ガラス基板をエッチングあるいは剥離にて除去し、保護層１を磁気センサのセンサ表面として用いる。 - 特許庁

The optical recording medium contains: a recording layer of recording information by utilizing holography; a first substrate; a second substrate; a first gap layer; a second gap layer; and a filter layer, and in which the composition of the first gap layer is composed of a non-thermosoftening material in which load deflection temperature is ≥70°C.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層と、第一の基板と、第二の基板と、第一ギャップ層と、第二ギャップ層と、フィルタ層とを有し、前記第一ギャップ層の組成物の荷重たわみ温度が、７０℃以上の非熱軟化性材料であることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

A titania-containing layer 3 is formed on the substrate 2 and a catalyst support layer 4 containing the alkali metal is formed on the titania-containing layer 3 to prevent the alkali metal of the catalyst support layer 4 from coming into contact with the substrate 2 to react therewith by the titania-containing layer 3.例文帳に追加

基材２にチタニア含有層３を形成し、このチタニア含有層３の上にアルカリ金属を含む触媒担持層４を形成することにより、触媒担持層４のアルカリ金属が基材２に接触して該基材２と反応することをチタニア含有層３によって防止する。 - 特許庁

At least a peeling layer 5 comprising an ink coating or a pattern layer 4 is laminated on the front face of a transparent substrate 2, a front low reflection layer 6 formed by vapor deposition is further laminated on the layer 5 or 4 and a rear low reflection layer 8 comprising a low reflection film is disposed on the rear face of the substrate 2.例文帳に追加

透明基板２の表面にインキ皮膜からなる剥離層５または図柄層４が少なくとも積層され、その上に蒸着法により形成された表面低反射層６が積層され、透明基板２の裏面に低反射フィルムからなる裏面低反射層８が積層される。 - 特許庁