「surface acoustic wave substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface acoustic wave apparatus includes a piezoelectric substrate; a surface acoustic wave element having at least one interdigital electrode made of a conductive film on the piezoelectric substrate; and a thin film electrically connected between terminals connecting to electrode fingers of the interdigital electrode, the thin film showing varistor characteristics formed on the piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板と、 前記圧電基板上に導電膜で形成された少なくとも１つ以上のインターディジタル電極を有する弾性表面波素子と、 前記インターディジタル電極の電極指が接続される端子間に電気的に接続され、前記圧電基板上に形成されたバリスタ特性を示す薄膜を有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device includes: a ceramics planar base substrate; a ceramics frame of a ring shape extended vertically from the outer circumference of the ceramics planar base substrate; a surface acoustic wave element mounted on the ceramics planar base substrate at the interior of the ceramics frame; and a metallic cover adhered to the end of the ceramics frame.例文帳に追加

平板状のセラミックス製ベース基板と、セラミックス製ベース基板の外周から垂直に伸びるリング状のセラミックス製枠体と、セラミックス製枠体の内側のセラミックス製ベース基板上に実装された弾性表面波素子と、セラミックス製枠体の端に接着された金属蓋とを有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided at least with: a piezoelectric substrate 2; a support substrate 3 stuck to the piezoelectric substrate 2 via an adhesive layer 4; and an interdigital electrode 5 which excites surface acoustic waves formed on a surface opposite to the bonding surface of the piezoelectric substrate 2, wherein a glass transition point Tg of the adhesive layer 4 is ≤200°C.例文帳に追加

少なくとも、圧電基板２と、該圧電基板２に接着層４を介して貼り合わされた支持基板３と、前記圧電基板２の接着面と反対側の面に形成された弾性表面波を励振する櫛形電極５とを備え、前記接着層４のガラス転移点Ｔｇが２００℃以下である弾性表面波素子１。 - 特許庁

The photomask used to form an electrode on the surface acoustic wave element arranged on the wafer constituting a surface acoustic wave device is provided with a gap where a main surface of the piezoelectric substrate and the photomask come into contact with each other to improve evacuation of the gap between the piezoelectric substrate and the photomask.例文帳に追加

目的を実現するために本発明は、弾性表面波装置を構成するウエハー上に配置された弾性表面波素子に電極を形成するために用いるフォトマスクにおいて、圧電基板の主面と該フォトマスクが密接する間隔を空けることで、該圧電基板と該フォトマスクとの間を真空引きするときの引きを向上することで課題を解決する。 - 特許庁

A protection film is preliminarily formed on the surface of a piezoelectric substrate after the formation of an interdigital electrode such as an aluminum deposition film and an aluminum alloy evaporation film prior to the water injection cooling type dicing of the piezoelectric substrate at the time of surface acoustic wave resonator chip division after the formation of the interdigital electrode such as the surface acoustic wave resonator aluminum deposition film or an aluminum alloy deposition film.例文帳に追加

弾性表面波共振器アルミニウム蒸着膜、アルミニウム合金蒸着膜のすだれ状櫛形電極形成後の弾性表面波共振器チップ分割における圧電性基板の注水冷却式ダイシングに先立ち、アルミニウム蒸着膜、アルミニウム合金蒸着膜のすだれ状櫛形電極形成圧電性基板表面に予め保護膜を形成したものである。 - 特許庁

To provide an excellent surface acoustic wave device with versatility that has an electrode structure which suppresses interdigital electrodes formed on the surface of a piezoelectric substrate from being destroyed due to storage of electric charges on the piezoelectric substrate and its discharge in the manufacture processes, is applicable to interdigital electrodes of an optional shape and gives no adverse effect on the characteristics of surface acoustic wave devices themselves.例文帳に追加

製造過程において圧電基板上での電荷蓄積とその放電により、圧電基板の表面上に形成された櫛歯電極が破壊することを抑制する電極構造を備え、任意形状の櫛歯電極に対して適用可能で、しかも弾性表面波素子自身の特性に影響を与えない、汎用性のある優れた弾性表面波装置を提供すること。 - 特許庁

The groove 4 is smoothly formed so as to have a tilted surface 4a on the edge of the groove in contact with the substrate surface S and suppresses the reflection of the surface acoustic wave W.例文帳に追加

溝４は基板表面Ｓと接する縁に傾斜面４ａを有して滑らかに形成され、弾性表面波Ｗの反射が抑制されている。 - 特許庁

The semiconductor vibrator composite device 10 is provided with a substrate 1, the surface acoustic wave element (vibrator vibrated by electric energy) 10a provided on one surface (upper surface) 1a of the substrate 1 and the semiconductor element 10b provided on the other surface 1b of the substrate 1.例文帳に追加

半導体振動子複合装置１０は、基板１と、基板１の一方の面（上面）１ａに設けられた弾性表面波素子（電気エネルギーにより振動する振動子）１０ａと、基板１の他方の面１ｂに設けられた半導体素子１０ｂとを有している。 - 特許庁

A surface acoustic wave device 1 using an SH wave comprises: a crystal substrate 2 which has an upper surface and a lower surface and has grooves formed on the upper surface; and an IDT electrode 4 comprising a metal layer 3a filling the grooves, wherein the metal layer 3a is made of a metal having a heavier density than aluminum.例文帳に追加

上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板２と、前記溝内に充填されている金属層３ａを有し、該金属層３ａがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるＩＤＴ電極４とを備え、ＳＨ波を利用している弾性表面波装置１。 - 特許庁

To provide a means of suppressing spuriousness due to a bulk wave which occurs to a high-frequency side of a resonance frequency of a surface acoustic wave device using a lithium tetraborate piezoelectric substrate, and also reducing errors to occur when the reverse surface of the piezoelectric substrate is sucked by a device.例文帳に追加

四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスおいて、共振周波数より高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧すると共に、圧電基板の裏面を装置で吸引する際のエラーを低減する手段を得る。 - 特許庁

To optionally change design of damping characteristics in a surface acoustic wave filter in which a waveguide 22 of surface acoustic waves is constituted by forming an inter-digital electrode 18 consisting of an input electrode 14 and an output electrode 16 which perform conversion of an electric signal and the surface acoustic waves between reflectors 20/20 provided on the surface of a piezoelectric substrate 12.例文帳に追加

圧電性基板１２の表面に設けた反射器２０・２０間に、電気信号と弾性表面波の変換を行う入力電極１４と出力電極１６とからなるインターデジタル電極１８を形成することにより、弾性表面波の導波路２２を構成した弾性表面波フィルタにおいて、減衰特性を任意に設計変更可能とする。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 2 comprises a piezoelectric substrate 3, a comb-shaped electrode 4 formed on the piezoelectric substrate 3, a reflector 5, and electrode pad 6.例文帳に追加

弾性表面波素子２は、圧電基板３と、この圧電基板３上に形成されたくし型電極部４、リフレクタ５、電極パッド６で構成されている。 - 特許庁

To provide a highly reliable surface acoustic wave element using a piezoelectric substrate made of lithium tetraborate and suppressing deterioration in the adhesive strength between the piezoelectric substrate 1 and an electrode pad 5.例文帳に追加

四ホウ酸リチウムを圧電基板として用いる弾性表面波素子において、圧電基板１と電極パッド５の密着強度の劣化を抑え、高い信頼性の弾性表面波素子を提供する。 - 特許庁

A surface acoustic wave element where a lithium piezoelectric body is made to be a substrate and an electrode is formed on the substrate with a metallic film whose specific gravity is different from that of the piezoelectric body is manufactured.例文帳に追加

リチウム系圧電体を基板とし、前記の圧電体と比重の異なる金属の膜で基板上に電極を形成した弾性表面波素子を製造する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is provided with a piezoelectric substrate 1, a thin film 2 made of a piezoelectric material and formed on the piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

圧電体基板１と該基板１上に形成された圧電材料からなる薄膜２と非圧電材料からなる薄膜３と電極４とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

To shorten reduction processing time and improve static electricity characteristic improvement effect of a substrate, in a method for manufacturing the lithium tantalate substrate for a surface acoustic wave element.例文帳に追加

表面弾性波素子用タンタル酸リチウム基板の製造方法において、還元処理時間を短縮すると共に、該基板の静電気特性改善効果を向上する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element having low-loss and wideband characteristics while a conventional general piezoelectric substrate is used with respect to a piezoelectric substrate and its cut orientation.例文帳に追加

圧電基板やそのカット方位は従来の一般的な圧電基板を使用した状態で、低損失で広帯域な特性を有する弾性表面波素子を提供すること。 - 特許庁

In a wafer level package material 1 for a surface acoustic wave device, holes 3 are formed at least on a single crystal piezoelectric substrate 2 where piezoelectricity is eliminated and Li is diffused from the exterior part of the substrate.例文帳に追加

少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板２に穴３が形成され、かつ基板外部よりＬｉが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料１。 - 特許庁

In the surface acoustic wave element wherein an electrode pattern is formed on one principal face of a piezoelectric substrate, a chipping suppression pattern is formed apart from an outer circumferential edge of the piezoelectric substrate at the outside of an electrode pattern forming region.例文帳に追加

圧電性基板の一方主面に電極パターンを形成した弾性表面波素子において、前記電極パターンの形成領域よりも外側に、圧電性基板の外周縁より離間してチッピング抑制パターンを形成する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is provided with a crystal substrate 1, a thin film 2 made of a piezoelectric material and formed on the crystal substrate 1, a thin film 3 made of a non-piezoelectric material, and electrodes 4.例文帳に追加

水晶基板１と該水晶基板１上に形成された圧電材料からなる薄膜２と非圧電材料からなる薄膜３と電極４を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The low-pass filter 21 and the high-pass filter 22 are formed on a multilayer substrate and the bandpass filter 25 consisting of a phase shifter 24 and an SAW (surface acoustic wave) filter 25 is mounted on the multilayer substrate.例文帳に追加

ローパスフィルタ２１及びハイパスフィルタ２２を積層基板に形成し、バンドパスフィルタ２５は、位相シフタ２４とＳＡＷ（表面弾性波）フィルタ２５とから構成され、該積層基板上に載置される。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 has a crystal rotation Y cut whose Euler angle is represented by (0, θ, ψ) as a substrate 2, and has an IDT 3 and reflectors 4, 5 provided on this substrate 2.例文帳に追加

弾性表面波素子１は、基板２としてオイラー角が（０、θ、ψ）で表される水晶回転Ｙ板を有し、この基板２上に設けられたＩＤＴ３および反射器４、５を有している。 - 特許庁

The ends of the piezoelectric substrate 2 are formed semi-circularly or quadri-secting circle, and a sound adsorption agent 5 is coated to the outsides of both the electrodes 3, 4 along the surface acoustic wave traveling direction on the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

圧電体基板2の端部は半円状、又は１／４円状であり、圧電体基板2上にて、両電極3、4の弾性表面波進行方向に沿う外側には、吸音剤5が塗布されている。 - 特許庁

To provide a c-axis tilt AIN single crystal laminated substrate which is suitably used for a substrate material for a surface acoustic wave element having high electromechanical coupling factor and improved transmission speed and has improved crystal orientation.例文帳に追加

高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。 - 特許庁

In the surface acoustic wave element where metallic film interdigital IDTs 12a, 13a are formed to one side 11a of a piezoelectric substrate 11, a conductor pattern 14 is formed to the other side 11b of the piezoelectric substrate 11.例文帳に追加

圧電性基板１１の一方の面１１ａに金属薄膜で櫛歯状のＩＤＴ１２ａ，１３ａを形成した弾性表面波素子において、圧電性基板１１の他方の面１１ｂに導電パターン１４を形成するようにしている。 - 特許庁

On the piezoelectric substrate 1 such as a quartz substrate, a 1-port surface acoustic wave element comprising transmission/reception electrodes 2A, 2B by a pair of comb electrodes facing each other and reflectors 3, 4 is formed.例文帳に追加

水晶基板などの圧電基板１上には、互いに対向する一対の櫛形電極による送受信電極２Ａ，２Ｂと反射器３，４とからなる１ポートの弾性表面波素子が形成されている。 - 特許庁

An antenna switch 6, a low-pass filter 5, a surface acoustic wave filter 7 and a balun 8 are integrally made of a multiplayer substrate 11 and a part built in or mounted on the substrate 11 to thereby form a module.例文帳に追加

アンテナスイッチ６、ローパスフィルタ５、弾性表面波フィルタ７およびバラン８を、多層基板１１および該多層基板１１に内蔵または搭載された部品により一体化したモジュールとして構成する。 - 特許庁

To provide an improved surface acoustic wave(SAW) device such as SAW filter with which stable characteristics can be expected by relaxing the storage of static electricity on a piezoelectric substrate itself due to the pyroelectric effect of the substrate even in any environment.例文帳に追加

いかなる環境下でも圧電基板の焦電効果による静電気の蓄積を基板自体で緩和でき、安定した特性が期待できる優れた弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-frequency module for preventing airtightness breakdown and short circuit between electrodes in an air-tight space between a substrate, and to provide a surface acoustic wave element that is flip-chip mounted to the substrate and covered with a thermosetting resin.例文帳に追加

基板上にフリップチップ実装され熱硬化性樹脂で被覆された弾性表面波素子と基板との間の気密空間の気密破壊や電極同士の短絡を防止する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device has at least one IDT formed principally of Ag on an LiTaO_3 substrate of a 20-60° rotary Y plate and also has the SiO_2 film formed on the LiTaO_3 substrate while covering the IDT.例文帳に追加

２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ_3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ_3基板上にＳｉＯ_2膜が形成されている、弾性表面波装置。 - 特許庁

To solve problems of a conventional surface acoustic wave element that has had deteriorated adhesiveness between electrodes and a piezoelectric substrate and has caused a material Cu employed for the electrodes to be susceptible to oxidation when the Cu is employed for the electrodes formed on the piezoelectric substrate in order to improve the power resistance.例文帳に追加

耐電力性を向上させるため、圧電基板上に形成される電極においてＣｕを用いると、電極と圧電基板との密着性が悪く、またＣｕが酸化されやすいという問題に遭遇する。 - 特許庁

To make a success rate of crystal growth of a uniform single crystal higher and a production cost higher in a method for manufacturing a substrate for a piezoelectric device, the substrate for the piezoelectric device, and a surface-acoustic-wave device using the same.例文帳に追加

圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高いと共に、生産コストも高くすること。 - 特許庁

A slit extending in the transmitting direction of a surface acoustic wave is formed on the backside of a substrate between the two resonators and the amount of the bulk waves transmitted through the substrate is reduced.例文帳に追加

二つの共振子の間の基板裏面に表面弾性波の伝播方向に伸びるスリットを形成し、基板内部を伝わるバルク波の量を少なくする。 - 特許庁

The method also comprises a third step of cutting the substrate 40, the substrate 50 and the material 51 between the adjacent elements 20, and forming a plurality of the surface acoustic wave devices.例文帳に追加

第３の工程は、実装用集合基板４０、封止用基板５０、封止材５１を、隣接する弾性表面波素子２０の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成する。 - 特許庁

A surface acoustic wave system touch panel is configured of a glass plate; a film facing the glass plate surface and a dot spacer installed on the glass surface facing the film, wherein the substantial diameter of a shape 51 that the dot spacer is brought into contact with the glass substrate is set so as to be 1/2 of the wavelength of a propagating surface acoustic wave.例文帳に追加

表面波弾性方式のタッチパネルが、ガラス板と、前記ガラス板表面と対向するフィルムと、前記フィルムに対向する前記ガラス表面に設けられたドットスペーサとから構成され、前記ドットスペーサがガラス基板と接触する形状５１の実質的な直径を伝播する表面弾性波の波長の１/２以下とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave filter which has the optimum insertion loss of passing band characteristics and the optimum in-band deviation by using a lithium tantalate single-crystal substrate which has a new and useful crystal azimuth and to provide the optimum azimuth determining method for a piezoelectric crystal substrate which makes it possible to easily design a surface acoustic wave filter having a desired specific band width.例文帳に追加

新規で有用な結晶方位を有するタンタル酸リチウム単結晶基板を用いて、通過帯域特性の挿入損失や帯域内偏差が最適な弾性表面波フィルタを提供すること、及び、所望の比帯域幅を有する弾性表面波フィルタを容易に設計できる、圧電結晶基板の最適な方位決定方法を提供すること。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate 1, an IDT 2 formed on the piezoelectric substrate 1, an electrode pad 4 which is electrically connected to the IDT2 and is extensively formed, and a stud bump 5 which is allocated on the electrode pad 4 so that the LC element of the surface acoustic wave device has a predetermined value.例文帳に追加

表面弾性波デバイスにおいて、圧電基板１と、圧電基板１上に形成されたＩＤＴ２と、ＩＤＴ２に電気的に接続され、引き伸ばして形成されている電極パッド４と、表面弾性波デバイスのＬＣ成分が所定の値になるように電極パッド４上に配置されたスタッドバンプ５とを備える。 - 特許庁

In a surface acoustic wave transducer having a piezoelectric substrate 22 and at least two electrodes 20 and 21 on the surface of the substrate 22, the electrode 20 contains fingers 24 which overlap the fingers 24 of the other electrode 21 in the projection parallel to the surface of the substrate 22.例文帳に追加

圧電基板２２と圧電基板の表面上の少なくとも２つの電極２０，２１とを有する弾性表面波トランスデューサであって、電極２０が、圧電基板２２の表面に対して平行な投射において別の電極２１のフィンガと重なるフィンガ２４を含んでいる。 - 特許庁

A fixing layer 4 for fixing a surface acoustic wave element 2 on which at least a pair of interdigital transducers are provided on the surface of a piezoelectric substrate on a base substrate 3 is connected to the rear surface 29 of the piezoelectric substrate, and the layer 4 has a thickness set in a range of 100 μm-200 μm.例文帳に追加

圧電基板の表面に少なくとも一対の櫛歯電極が設けられる表面弾性波素子２をベース基板３に固定する固定層４が、圧電基板の裏面２９に接続され、この固定層４の厚みが１００μｍ〜２００μｍの範囲に設定される。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator which can be operated at a high frequency, the realization of which is difficult by a bulk elastic wave and a surface acoustic wave of prior arts, and in which the propagation characteristic or the resonance characteristic of a Lamb wave propagated in a piezoelectric substrate can be controlled.例文帳に追加

従来のバルク弾性波や弾性表面波では実現が困難な高い周波数で動作することができると共に、圧電基板内を伝播するラム波の伝播特性あるいは共振特性を制御可能とする圧電振動子を提供することである。 - 特許庁

The surface acoustic wave element includes: a laminated substrate 103 which is made by laminating a first substrate 101 consisting of a piezoelectric material on a second substrate 102 consisting of a material different from that of the first substrate 101; and comb-electrodes 104 formed on the first substrate 101.例文帳に追加

圧電性材料からなる第１の基板１０１と第１の基板１０１とは異なる材料からなる第２の基板１０２とが積層された積層基板１０３と、第１の基板１０１上に形成された櫛形電極１０４とを備える。 - 特許庁

A surface acoustic wave absorption portion A2 having unevenness of prescribed surface roughness is formed at a part of a substrate 1 except a piezoelectric material layer 30 in a function area A1.例文帳に追加

機能領域Ａ１の圧電材料層３０を除く基板１の一部に、所定の表面粗さの凹凸を有する弾性表面波吸収部Ａ２が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The groove 22 of plural stages is formed between the resonator patterns 18 and it extends in the transmitting direction of a surface acoustic wave generated on the surface of the substrate 12 between the resonator patterns 18.例文帳に追加

各共振器パターン１８間には複数段からなる溝２２が形成され、共振器パターン１８間の基板１２の表面上に生じる表面弾性波の伝播方向に伸びている。 - 特許庁

This surface acoustic wave is propagated on the upper end surface of a non-piezoelectric plate 1 to the 2nd piezoelectric substrate 3 and converted by output inter-digital electrodes R_x1 into electric signals E_xj (j=1, 2,..., n).例文帳に追加

この弾性表面波は、非圧電板１の上端面を伝わって、第２圧電基板３に伝搬され、出力用すだれ状電極R_x1において電気信号E_xj (j=1, 2,…, n)に変換される。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 10 is constituted by forming a ZnO piezoelectric thin film 2 on an R-surface sapphire substrate 1 by sputtering, etc., and further forming a chirp type inter-digital electrode 3 of an Al film on the ZnO piezoelectric thin film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上に、ＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上に、Ａｌ膜からなるチャープ型のインターデジタル電極３を形成してなるものである。 - 特許庁