「surface acoustic wave substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface acoustic wave device 1 includes a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, comb-like electrodes 21, 22 formed in contact with the main surface 11 of the sapphire substrate 10, an aluminum nitride film 30 for covering the comb-like electrodes 21, 22, and a silicon dioxide film 40 formed on the surface of the aluminum nitride film 30.例文帳に追加

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes, a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, an aluminum nitride film 30 formed on the main surface 11 of the sapphire substrate 10, comb-like electrodes 21, 22 formed on the surface of the aluminum nitride film 30, and a silicon dioxide film 40 for covering the surfaces of the comb-like electrodes 21, 22 and the aluminum nitride film 30.例文帳に追加

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave atomizer 1 provided with a substrate 11 having an interdigital electrode 12 to generate a surface acoustic wave, which atomizes liquid supplied onto the substrate 11, comprises an electric field electrode 15 comprising a pair of electrodes 15a, and 15b which forms an electric field E between the electrodes 15a, 15b by applying a voltage wherein the liquid is ionized by the electric field E formed between the electrodes 15a, 15b.例文帳に追加

弾性表面波を生成する交差指電極１２を有する基板部１１を備え、基板部１１に供給される液体を弾性表面波によって霧化する弾性表面波霧化装置１であって、対となる電極１５ａ、１５ｂから構成され、電圧が印加されることで電極１５ａ、１５ｂ間に電界Ｅを形成させる電界電極１５を備え、電極１５ａ、１５ｂ間に形成される電界Ｅにより液体を電離させることを特徴とする弾性表面波霧化装置。 - 特許庁

A surface acoustic wave convolver 10 is a THC type convolver provided with a piezoelectric substrate 11 composed of a single crystal of KNbO3, a pair of input electrodes 12a and 12b arranged facing opposite to each other on the surface of the substrate 11, and a pair of output electrodes 13a and 13b arranged opposite to each other on the substrate 11 perpendicular to the electrodes 12a and 12b.例文帳に追加

この弾性表面波コンボルバ１０は、ＫＮｂＯ_3 単結晶からなる圧電体基板１１と、基板表面に対向配置された一対の入力電極１２ａ、１２ｂと、一対の入力電極１２ａ、１２ｂと直交する方向に対向配置された一対の出力電極１３ａ、１３ｂとを備えたＴＨＣ型コンボルバである。 - 特許庁

The frequency adjustment method for the surface acoustic wave apparatus including a piezoelectric substrate 1 and an insulation film formed on the piezoelectric substrate 1 to cover interdigital electrodes 2 formed on the piezoelectric substrate applies plasma processing to the insulation film 3 to modify the surface of the insulation film 3 thereby changing the frequency.例文帳に追加

圧電基板１と、圧電基板上に形成されたくし型電極２を覆うように圧電基板１上に形成された絶縁膜とを有する弾性表面波装置の周波数調整に際し、絶縁膜３をプラズマ処理し、該絶縁膜３の表面を変質させることにより、周波数を変化させる、弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is constituted so that a piezoelectric substrate 2 is flip-chip mounted on a base substrate 3 and the excitation region 6 is sealed with a resin film 5, wherein a projection bank part 13 is provided in the extension region of the propagation path 12 of an interdigital electrode 1 and on the base substrate 3 near the outer peripheral end of the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

この目的を達成するために、本発明は、ベース基板３上に圧電基板２をフリップチップ実装してその励振領域６を樹脂フィルム５で封止する弾性表面波デバイスにおいて、櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍のベース基板３上に突起堤部１３を設けた。 - 特許庁

A surface acoustic wave filter 21 equipped with the bump 31 is packaged on a packaging substrate having a smaller coefficient of linear expansion than a piezoelectric substrate 23 by flip chip bonding across the bump 31 to suppress thermal expansion and thermal shrinkage of the piezoelectric substrate 23 due to temperature variation by the packaging substrate.例文帳に追加

このようなバンプ３１を備える弾性表面波フィルタ２１を、バンプ３１を介したフリップチップボンディングによって、圧電性基板２３より線膨張係数の小さい実装基板上に実装し、温度変化による圧電性基板２３の熱膨張および熱収縮を実装基板によって抑えるようにする。 - 特許庁

The surface acoustic wave resonator 101 includes an IDT electrode 103 and a reflector electrodes 104, 105 formed on a piezoelectric substrate 102 in such a manner that the reflector electrodes 104, 105 are disposed at both sides of the IDT electrode 103.例文帳に追加

弾性表面波共振器１０１は、圧電基板１０２上に形成されたＩＤＴ電極１０３と反射器電極１０４，１０５とにより構成され、ＩＤＴ電極１０３の両側には反射器電極１０４，１０５が配置される。 - 特許庁

A method of manufacturing a surface acoustic wave device having an Al electrode containing 0.5 wt% or more of Cu density which is formed on the chip of the piezoelectric substrate comprises a step of treating a wafer having the Al electrode using water containing ozone.例文帳に追加

圧電性基板のチップ上に形成されたＣｕ濃度０．５ｗｔ％以上を含有するＡｌ電極を有する弾性表面波装置の製造方法において、オゾンを含有する水を用いて前記Ａｌ電極が形成されたウェハを水処理する工程を含む弾性表面波装置の製造方法。 - 特許庁

To increase a reflection coefficient in an interdigital electrode so as to suppress an undesired ripple in a surface acoustic wave element in which the interdigital electrode and an insulating film are formed on a piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板上にインターデジタル電極及び絶縁膜が形成されている弾性表面波素子において、インターデジタル電極における反射係数を増大でき、従って、所望でないリップルの抑圧を果たし得る弾性表面波素子を提供する。 - 特許庁

On a piezoelectric substrate 101, the longitudinal mode type surface acoustic wave filter is formed which comprises a 1st IDT electrode 102, 2nd and 3rd IDT electrodes 103 and 104, and 1st and 2nd reflector electrodes 105 and 106.例文帳に追加

圧電基板１０１の上に、第１のＩＤＴ電極１０２と第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４と第１、第２の反射器電極１０５、１０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。 - 特許庁

The surface acoustic wave filter, which has a plurality of IDT electrodes 3 connected to a ladder circuit or a lattice circuit on a piezoelectric substrate 1, has an IDT electrode 2 for controlling frequency characteristics connected in parallel to at least one of the IDT electrodes.例文帳に追加

圧電基板１上にＩＤＴ電極３の複数をラダー型回路またはラティス型回路に接続した弾性表面波フィルタであって、少なくとも１つのＩＤＴ電極に周波数特性制御用のＩＤＴ電極２を並列接続したことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes an anodic oxidation step of the interdigital electrodes 2, wherein the density of current flowing between a cathode member 5 and the interdigital electrodes 2 in an electrolytic solution 4 is controlled to thereby adjust the frequency of the surface acoustic wave excited in a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

インターディジタル電極２の陽極酸化処理工程において、電解液４中で陰極部材５とインターディジタル電極２の間を流れる電流の密度を制御することにより、圧電基板１に励起されることとなる弾性表面波の周波数を調整する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a surface acoustic wave device, which can simplify manufacturing steps where a piezoelectric substrate made of lithium tetraborate is employed and deteriorations in the characteristic and long term performance stability due to contact with water at dicing hardly take place.例文帳に追加

四ほう酸リチウムからなる圧電基板を用いて構成されており、ダイシングに際しての水の接触による特性の劣化や長期性能安定性の劣化が生じ難く、製造工程の簡略化を果たし得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A multi-channel surface acoustic wave (SAW) filter includes: an input electrode 102 formed on a voltage controlled velocity tunable piezoelectric substrate 101 and a plurality of input sub-electrodes 103 connected in parallel; and an output electrode 111 and a plurality of output sub-electrodes 108 connected in parallel.例文帳に追加

電圧制御により速度調整可能な圧電基板１０１上に形成される入力電極１０２及び並列接続される複数の入力補助電極１０３、並びに出力電極１１１及び並列接続される複数の出力補助電極１０８を含む。 - 特許庁

The surface acoustic wave chip 10 comprises an interdigital electrode 16 and a reflector 18 formed on a crystal substrate 14 wherein the interdigital electrode 16 is formed of a metal material and the reflector 18 is formed of a heavier metal material.例文帳に追加

弾性表面波チップ１０は、水晶基板１４上にすだれ状電極１６と反射器１８とを備えた弾性表面波チップ１０であって、前記すだれ状電極１４を金属材料で形成し、当該金属材料よりも重い金属材料で前記反射器１８を形成した構成である。 - 特許庁

The LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 with the greater electromechanical coupling coefficient is used to be joined with the polycrystal diamond layer 11 at an optimum crystal azimuth to easily manufacture the surface acoustic wave element whose temperature coefficient is zero or close to zero.例文帳に追加

電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶層１３を最適な結晶方位で、多結晶ダイアモンド層１１に接合して用いることにより、温度係数が零若しくは零に近い広帯域の弾性表面波素子を容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises; a silicon substrate 1; a first piezoelectric layer (piezoelectric thin film) 2 made of zinc oxide; a second piezoelectric layer 3 made of lithium niobate; a protection layer 4 made of an oxide or a nitride as a protection film; and an electrode 5.例文帳に追加

表面弾性波素子は、シリコン基板１と、酸化亜鉛からなる第１の圧電体層（圧電薄膜）２と、ニオブ酸リチウムからなる第２の圧電体層３と、保護膜としての酸化物又は窒化物からなる保護層４と、電極５とから構成される。 - 特許庁

In the surface acoustic wave device, at least a diamond film, a piezoelectric material film and electrodes are provided on a substrate, and in the whole part or a portion of the diamond film, the diamond has electrical conductivity with dopants doped.例文帳に追加

弾性表面波デバイスであって、基材上に、少なくとも、ダイヤモンド膜、圧電材料膜、電極を具備し、前記ダイヤモンド膜の全部又は一部はドーパントがドープされた電気伝導性を有するダイヤモンドであることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 特許庁

The surface acoustic wave filter has at least one SAW resonator S of a plurality of modes where a plurality of IDT electrodes (2, 3, 4, 2) having a comb-toothed electrode comprising a plurality of electrode fingers are connected in series on a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１上に、複数の電極指から成る櫛歯状電極を備えたＩＤＴ電極の複数（２，３，４，２）を直列に接続して成る複数モードのＳＡＷ共振子Ｓを１以上備えた弾性表面波フィルタとしている。 - 特許庁

To improve the steepness of rising at the low-pass side of a pass frequency band in a vertically coupled surface acoustic wave filter which arranges three or more IDT electrodes on a piezoelectric substrate and arranges reflectors at both sides of these IDT electrodes.例文帳に追加

圧電基板上にＩＤＴ電極を３つ以上並べると共にこれらのＩＤＴ電極の両側に反射器を配置した縦結合型弾性表面波フィルタにおいて、通過周波数帯域における低域側の立ち上がりの急峻性を改善すること。 - 特許庁

An acoustic sensor 11 comprises a vibration film 22 and a fixed film 23 formed on the upper surface of a semiconductor substrate and detects a sonic wave by changes in a capacitance between a vibration electrode 22a of the vibration film 22 and a fixed electrode 23a of the fixed film 23.例文帳に追加

音響センサ１１は、半導体基板の上面に振動膜２２および固定膜２３が形成され、振動膜２２における振動電極２２ａと固定膜２３における固定電極２３ａとの間の静電容量の変化により音波を検出する。 - 特許庁

The measurement device 100 has exciters 102, 103 composed of IDTs as a pair of interdigital electrodes and a receiver 105 on a scale substrate 101 made of a glass ceramic material that can propagates a surface acoustic wave and has an extremely small coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

計測装置１００は、表面弾性波が伝播可能で、かつ熱膨張係数が極めて小さいガラスセラミックス材で構成されたスケール基板１０１上に、櫛型電極対であるＩＤＴで構成された励振器１０２，１０３および受信器１０５を備えている。 - 特許庁

While taking account of shift to the low frequency side by parasitic inductance Ls generated by the ground conductor layer 11, position of the attenuation pole of the surface acoustic wave duplexer units 2 and 3 is previously shifted to the high frequency side from a position set when they are mounted on the multilayer substrate module 21.例文帳に追加

グランド導体層１１によって発生する寄生インダクタンスＬｓによる低周波側へのシフトを考慮し、弾性表面波デュプレクサ２，３単体の減衰極の位置は、多層基板モジュール２１に搭載されたときに設定されるべき位置より高周波側にあらかじめシフトされている。 - 特許庁

In the surface acoustic wave element 12, segregation of Cu, etc., occurs in the thin film electrode 18, and inventors newly finds out that such segregation is effective to prevent a crack occurring in the piezoelectric substrate 28 at the time of ultrasonic joining of flip chip mounting in an experiment.例文帳に追加

この表面弾性波素子１２においては、薄膜電極１８にＣｕ等の偏析が生じており、このような偏析は、フリップチップ実装の超音波接合の際に圧電性基板２８に亀裂が入る事態を抑止することに有効であることが、発明者らの実験により新たに見出された。 - 特許庁

A cavity part 41 is formed around the surface acoustic wave element 2 in the thermosetting resin layer 4 so as to prevent at least the annular sealing electrode 24 and the thermosetting resin layer 4 from coming into contact with each other, and the cavity part 41 is communicatively connected to external space on the end edge of the front side of the wiring substrate 1.例文帳に追加

熱硬化性樹脂層４における弾性表面波素子２の周囲には少なくとも環状封止電極２４と熱硬化性樹脂層４とが接触しないように空洞部４１が形成されており、空洞部４１が配線基板１の表面の縁端上で外部空間と連通している。 - 特許庁

The insulating layer 21 having the above chemical structure can allow a frequency temperature coefficient of the surface acoustic wave element to approximate to zero within a range of a thin film thickness of the insulating layer 21, irrespective of the material of the piezoelectric substrate 12, compared to the conventional case that a silicon dioxide film is used as an insulating layer.例文帳に追加

上記の化学構造を有する絶縁層２１により、従来、絶縁層として二酸化ケイ素膜を用いたときに比べて、前記圧電性基板１２の材質にかかわらず、前記絶縁層２１を薄い膜厚の範囲内で、弾性表面波素子の周波数温度係数を０に効果的に近づけることが出来る。 - 特許庁

A sealing resin 5 made of a 2nd resin having an elastic modulus lower than that of the 1st resin is packed to a region surrounded by the frame 3 and a stimulation electrode 2 and a substrate 6 are kept hollow to seal the surface acoustic wave element 10.例文帳に追加

枠部３で囲まれた領域を上記第１の樹脂より低い弾性率を有する第２の樹脂からなる封止樹脂５により充填し、励起電極２と基板６の間を中空状態に保持して表面弾性波素子１０を封止する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device and the manufacturing method thereof can be realized whereby the characteristic can be inspected in a wafer state while suppressing destruction by discharge through the adoption of a configuration wherein an oxygen deficient layer is included in a face of a piezoelectric substrate on which electrodes are formed.例文帳に追加

圧電基板の電極を形成する面に酸素欠乏層を有する構成とすることにより、放電破壊を抑制しながらウエハ状態で特性検査を可能とする弾性表面波デバイスおよびその製造方法を実現することができる。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave (SAW) element and manufacturing method thereof in which a frequency is highly accurately adjusted, and frequency stability is improved in a diamond SAW element coping with a frequency increase, in which an IDT is formed on a substrate of a diamond layered structure.例文帳に追加

ダイヤモンド積層構造の基板にＩＤＴを形成した高周波化対応のダイヤモンドＳＡＷ素子において、その周波数を高精度に調整することができかつ周波数安定性に優れたＳＡＷ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention provides the substrate for a surface acoustic wave device that is made of a lithium tantalate single crystal the abnormal optical refractive index of which is 2.1767-2.1795 and the double refraction value of which is 0.0004-0.0032, which are respectively measured by using a He-Ne laser at a temperature of 20-30°C.例文帳に追加

温度２０〜３０℃において、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いて測定した、異常光屈折率が２．１７６７〜２．１７９５、または複屈折値が０．０００４〜０．００３２の、タンタル酸リチウム単結晶から成る弾性表面波装置用基板とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multi-frequency surface acoustic wave filter that can widely be compatible with a frequency band and specifications of a SAW filter independently of the property of a piezoelectric substrate and that can manufacture a high quality interdigital transducers(IDT) with excellent power capacity.例文帳に追加

圧電基板の性質によらず、またＳＡＷフィルタの周波数帯や仕様に広く対応可能であり、且つ、耐電力性の優れた高品質なＩＤＴを形成することを可能とする多周波弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device sealed by a resin, for suppressing flowing-in of an outer layer resin to a vibration space and particularly adhesion of the outer layer resin to electrode lands on a mount substrate and capable of promoting downsizing.例文帳に追加

樹脂で封止してなる弾性表面波装置において、外層樹脂の振動空間への流入の抑制、特に実装基板上の電極ランドへの付着を抑制し、かつ小型化を進めることを可能とする弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

A surface acoustic wave element 1 has a finger 3 and bus bars 4 on a piezoelectric substrate 2 and has at least either an IDT (inter Digital Transducer) electrode 6 or reflector electrodes 7, wherein the bus bars 4 have an area 5 where film thickness gradually increases at the finer 3 side.例文帳に追加

圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。 - 特許庁

To provide a production method for surface acoustic wave(SAW) device by which an electrode or resist is hardly damaged by heating in an electrode forming process and a piezoelectric substrate is hardly cracked in flip chip bonding, etc., without increasing a production process.例文帳に追加

製造工程を増加させることなく、電極形成工程時の加熱による電極やレジストの破損が生じ難く、かつフリップチップボンディング等における圧電基板のクラックが生じ難い、弾性表面波装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Each of principal faces of the surface acoustic wave substrate 1 an IDT electrode section 4 and the connection section 6, and an IDT electrode 5 and the connection section 7, and resin films 2, 3, the resin film 2 covering the one principal face and the resin film 3 covering the other principal face.例文帳に追加

表面波基板１の両主面にＩＤＴ電極部４および接続部６、ＩＤＴ電極５および接続部７をそれぞれ有し、一方主面を覆う樹脂フィルム２と他方主面を覆う樹脂フィルム３とを備える。 - 特許庁

Each of the interdigital electrodes 26 has cross electrodes 28(28a, 28b) which excite the surface acoustic wave by the piezoelectric substrate 22 in cooperation with the other interdigital electrode, and dummy electrodes 30(30a, 30b) disposed opposite at a leading edge of the cross electrode 28 of the other interdigital electrode.例文帳に追加

各櫛型電極２６は、他方の櫛型電極と協働して圧電基板２２に弾性表面波を励振する交差電極部２８(２８ａ、２８ｂ）と、他方の櫛型電極の交差電極部２８の先端に対向して配置したダミー電極部３０（３０ａ、３０ｂ）とを有する。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, the electrode 2 on the piezoelectric substrate 1 is configured by sequentially laminating a lower part Ti layer 3, an intermediate metal layer 4 made of Mo, W or alloy composed of these metal, an upper part Ti layer 5 and an upper part conductive layer 6 made of Al or an Al alloy.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子においては、圧電基板１上の電極２が、下部Ｔｉ層３、Ｍｏ若しくはＷ又はこれらの金属の合金からなる中間金属層４、上部Ｔｉ層５、及びＡｌ若しくはＡｌ合金からなる上部導電層６を順次積層して構成される。 - 特許庁

The crush of the bump 17 when the pressure is applied from the outside is suppressed by constituting the bump 17 for connecting a packaging substrate 13 with a surface acoustic wave element 11 by providing a soldering material 18 in an external layer and a core member 19 relatively harder than the soldering material inside.例文帳に追加

実装基板１３と弾性表面波素子１１とを接続するバンプ１７を、外層がはんだ材料１８で、内部にはんだ材料よりも相対的に固いコア材料１９を有する構造とすることにより、外部から圧力が加わった際のバンプ１７の潰れを抑えている。 - 特許庁

To provide a one-way surface acoustic wave converter in which the filter characteristic of an SAW transversal filter more than in the conventional practice by using an LBO for a piezoelectric substrate and making it possible to define a phase difference Δθ as about 45°.例文帳に追加

圧電基板にＬＢＯを用い、しかも、位相差△θをほぼ４５°とすることができ、これにより、従来のものよりＳＡＷトランスバーサルフィルタのフィルタ特性を向上させることができる一方向性弾性表面波変換器を提供する。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 1 has a finger 3 and bus bars 4 on a piezoelectric substrate 2 and has at least either an IDT (Inter Digital Transducer) electrode 6 or reflector electrodes 7, wherein the bus bars 4 have an area 5 where film thickness gradually increases at the finger 3 side.例文帳に追加

圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element for adopting a diamond SAW element formed by forming IDTs to a substrate of a diamond lamination structure so as to be capable of adjusting the frequency to high accuracy, realizing an excellent frequency stability, and suppressing variations in the transmission characteristic and the temperature characteristic with respect to a frequency adjustment amount in addition to applicability to high frequency applications.例文帳に追加

ダイヤモンド積層構造の基板にＩＤＴを形成したダイヤモンドＳＡＷ素子により高周波化を図ることに加え、周波数を高精度に調整し、優れた周波数安定性を実現し、周波数調整量に対する伝送特性及び温度特性の変動を抑制する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes: a piezoelectric substrate 7; a first IDT electrode 9 formed on the piezoelectric substrate 7 and having a first film thickness; a second IDT electrode 13 formed on the piezoelectric substrate 7 and having a second film thickness larger than the first film thickness; and an insulation film 20 covering only the first IDT electrode 9 in the first IDT electrode 9 and the second IDT electrode 13.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚を有する第1のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚より大きい第２膜厚を有する第２のＩＤＴ電極１３と、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３のうち第1のＩＤＴ電極９のみを被覆する絶縁膜２０と、を備えている。 - 特許庁

A surface acoustic wave device includes: a piezoelectric substrate 1; an excitation electrode 3 disposed on the piezoelectric substrate 1; a bonding pad part 2 disposed on the piezoelectric substrate 1; a first protecting member 6 partially facing the excitation electrode 3 via a space 8; a second protecting member 9 provided on the first protecting member; and a bump disposed on the bonding pad part.例文帳に追加

圧電基板１と、圧電基板１上に配設された励振電極３と、圧電基板１上に配設されたボンディングパッド部２と、一部が励振電極３に対し空間８を介して対向する第１の保護部材６と、第１の保護部材上に設けられる第２の保護部材９と、ボンディングパッド部上に配設されるバンプと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A surface acoustic wave device 1 comprises a piezoelectric substrate 2 and an interdigital electrode 3 formed on the piezoelectric substrate 2, wherein the interdigital electrode 3 has a main electrode layer 3a composed of Cu or an alloy mainly containing Cu, and a tightly adhering layer 3b disposed between the main electrode layer 3a and the piezoelectric substrate 2, mainly containing Ti and having a film thickness of 18-60nm.例文帳に追加

圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたインターデジタル電極３とを備え、インターデジタル電極３が、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層３ａと、主電極層３ａと圧電基板２との間に配置されており、Ｔｉを主成分とし、膜厚が１８〜６０ｎｍの範囲にある密着層３ｂとを備える、弾性表面波装置１。 - 特許庁