| 意味 | 例文 |
threshold currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1912件
To provide a semiconductor device including a starting circuit for starting an object circuit when input voltage reaches a designated threshold and an input voltage detecting circuit for detecting and determining the input voltage, that can reduce the chip size and consumption current without lowering of input voltage detection accuracy.例文帳に追加
本発明は、入力電圧が所定の閾値に達してから対象回路に起動をかける起動回路と、入力電圧の検出判定を行う入力電圧検出回路と、を有して成る半導体装置において、入力電圧検出精度を低下させることなく、チップサイズ縮小や消費電流低減を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
When the capacitor C3 is charged and the terminal voltage of the auxiliary power supply terminal VDD reaches the upper limit of the threshold value voltage Vchgoff of a hysteresis comparator 141, the switch circuit becomes nonconductive, permitting the capacitor C3 to be charged only with the charging current from the first power supply due to the separation of the second power supply (PchMOSFETP11) from the auxiliary power supply terminal VDD.例文帳に追加
コンデンサＣ３が充電され、補助電源端子ＶＤＤの端子電圧がヒステリシスコンパレータ１４１の上限の閾値電圧Ｖｃｈｇｏｆｆに達すると、スイッチ回路が非導通状態となり、第２の電流源（ＰｃｈＭＯＳＦＥＴＰ１１）と補助電源端子ＶＤＤとが切り離されることで、第１の電流源の充電電流だけでコンデンサＣ３が充電されるようになる。 - 特許庁
The control device 30 determines that the system relay SMRG is melted when the voltage difference between a voltage Vm from a voltage sensor 13 in generating a L-level signal SEP to turn off only a system relay SMRP, and a D.C. voltage Vb from a voltage sensor 10 is below a predetermined reference value, and when a direct current Ib is above a predetermined threshold value.例文帳に追加
制御装置３０は、Ｌレベルの信号ＳＥＰを生成してシステムリレーＳＭＲＰのみをオフしたときの電圧センサ１３からの電圧Ｖｍと電圧センサ１０からの直流電圧Ｖｂとの電圧差が所定の基準値を下回るときであって、かつ、直流電流Ｉｂが所定の閾値以上であるとき、システムリレーＳＭＲＧが溶着していると判定する。 - 特許庁
To provide the driving circuit of an active matrix type current- controlled type light emitting element which is capable of suppressing a display unevenness of luminance of light emitting elements caused by the dispersion in the threshold voltages of transistors or the like and in which circuits compen sating offset voltages are incorporated and with which a satisfactory picture characteristic can be obtained with a relatively small number of transistors.例文帳に追加
アクティブマトリックス型のＥＬ発光装置において、階調表示を実現させるためにカレントミラー回路あるいは閾値変動の補償回路を設けることでＴＦＴ特性のばらつきによる輝度の変動を抑えていたが、１画素内にＴＦＴを複数設ける必要があり、高い歩留まりを確保するためには１画素内に少ないＴＦＴで階調表示させることが必要である。 - 特許庁
Minute currents I1, I2 supplied from constant current sources 21, 22 are alternately made to flow into resistances R4, R3 constituting a first bridge circuit Wb1 via lines L1, L2 while switching by a switch circuit 25A, and by comparing voltages V1, V2 generated then with a predetermined threshold voltage by comparators 31, 32, the fault can be immediately detected.例文帳に追加
定電流源２１，２２から供給される微小電流Ｉ１，Ｉ２をラインＬ１，Ｌ２を介して第１のブリッジ回路Ｗｂ１を構成する抵抗Ｒ４，Ｒ２に切換回路２５Ａで切り換えながら交互に流し、このとき発生する電圧Ｖ１，Ｖ２を所定のしきち電圧と比較器３１，３２において比較することにより、即座に故障を検出することが可能となる。 - 特許庁
The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set.例文帳に追加
本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。 - 特許庁
The voltage slope maintains a current flowing to discharge gas at each pixel site at fixed low level and keeps a voltage applied to the discharge gas at the pixel site constant, thereby generating a wall voltage having such a level that a fixed final voltage applied to the discharge gas is set a little lower than a discharge threshold voltage at each pixel site after the application of the voltage slope ends.例文帳に追加
前記電圧勾配は、各画素部における放電ガスに流れる電流を一定の低いレベルに維持し、各画素部における放電ガスに印加される電圧を一定に維持して、電圧勾配の印加が終了した後において、放電ガスに印加される固定的で最終的な電圧を、各画素部における放電閾値電圧よりわずかに低く設定するようなレベルを有する壁電圧を形成する。 - 特許庁
To provide a high frequency power amplifier circuit incorporating a bias control circuit that can supply an idle current with a desired value even when a threshold voltage of power amplifier MOS transistors is deviated from a prescribed value due to manufacturing dispersion thereby obtaining a stable output power in a wireless communication system for controlling the output power by changing a bias voltage of the power amplifier transistors.例文帳に追加
電力増幅用トランジスタのバイアス電圧を変化させて出力電力を制御する無線通信システムにおいて、電力増幅用ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧が製造ばらつきで所定の値からずれたとしても所望の大きさのアイドル電流を流すことができ、それによって安定した出力電力が得られるバイアス制御回路を内蔵した高周波電力増幅回路を提供する。 - 特許庁
If a current-value measured signal output exceeds a threshold when a current-value discriminating section 30 makes discrimination, switching is made to compute and display an interphase voltage, power, electric energy by using the voltage value measured signal output stored in the storing circuit 32 through a change-over switch 33.例文帳に追加
通電主導体２の電流、電圧を検出する変流器１３及び変圧器１４と、検出された電流、電圧をサンプリング・演算処理して電流値、電圧値、電力値、電力量等の計測信号出力に変換する演算処理手段２１、２２、２６、２７と、電圧値計測信号出力を記憶する電圧値記憶回路３２とを備え、電流値判定部３０の判定において、電流値信号出力が閾値以上の場合に切換イッチ３３を介して電圧値記憶回路３２に記憶されている電圧計測信号出力を使用して相間電圧、電力、電力量の演算・表示させるように切換える。 - 特許庁
The controller 50 includes a memory 60 on which a universal register R, previously stored key parameters P1 and the received key breaker personality parameters P2 are stored, and components to execute trip protection when at least one of a current and a voltage within the circuit breaker device 1 exceeds a respective predetermined threshold as defined by the previously stored key parameters P1 and the key breaker personality parameters P2.例文帳に追加
当該コントローラ５０は、汎用レジスタＲと、予め記憶された主要パラメータＰ１と、受信した当該主要遮断器パーソナリティパラメータＰ２を記憶するメモリ６０と、当該回路遮断装置１内の電流および電圧の少なくとも一方が、予め記憶された当該主要パラメータＰ１と受信した当該主要遮断器パーソナリティパラメータＰ２とによって規定される各既定閾値を上回る場合に、トリップ保護を実行するための構成部品とを含む。 - 特許庁
To improve the productivity for manufacturing a module package assembly and to easily structure an optical communication system by making the length of an optical fiber cable, led out of a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., or the module package storing the chip longer than a certain length by using the surface light emitting semiconductor laser element as the light emitting source.例文帳に追加
動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、当該面発光型半導体レーザ素子チップ、もしくは当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバーケーブルのファイバーケーブル長を一定長以上とすることで当該パッケージのアセンブリ製作の生産性の向上を図るとともに、容易に光通信システムを構築できるようにすることにある。 - 特許庁
When both absolute values of input/output restrictions Win, Wout of a battery are equal to or below a threshold value Wref (S110), a charge and discharge current square mean Iave is calculated as a mean value of square values of charge and discharge currents Ib of the battery (S115).例文帳に追加
バッテリの入出力制限Ｗｉｎ，Ｗｏｕｔの絶対値が共に閾値Ｗｒｅｆ以下であるときには（Ｓ１１０）、バッテリの充放電電流Ｉｂの二乗値の平均値としての充放電電流二乗平均Ｉａｖｅを計算し（Ｓ１１５）、計算した充放電電流二乗平均Ｉａｖｅが閾値Ｉｒｅｆより大きく且つ電池温度Ｔｂが閾値Ｔｂｒｅｆより高いときに（Ｓ１２０，Ｓ１３０）、駆動装置に異常が生じていると判定する（Ｓ１４０）。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
