「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The size of each transistor configuring the current mirror circuits 12 and 14 is adjusted, and predetermined currents are set as the value of currents running when a voltage between the gate/source of the transistor 20 is equal to a threshold, and the reset potential of a photoelectric converting part is applied to the input of the transistor 20.例文帳に追加

カレントミラー回路１２、１４を構成する各トランジスタのサイズを調整し、所定の電流をトランジスタ２０のゲート−ソース間の電圧が閾値に等しいときに流れる値に設定し、トランジスタ２０の入力に光電変換部のリセット電位を印加する。 - 特許庁

Moreover, when a detected voltage of a direct current voltage detection circuit 21 exceeds a threshold voltage corresponding to the accumulated lighting time at that timepoint, the discharge lamp La is regarded to have reached its lifetime end, and a shutdown circuit 18 stops operation of an inverter circuit 2.例文帳に追加

また直流電圧検出回路２１の検出電圧がその時点における累積点灯時間に対応したしきい値電圧を越えることで放電灯Ｌａが寿命に達したとみなされて停止回路１８がインバータ回路２の動作を停止させる。 - 特許庁

The capacitor element C and the switching elements operate so that, when a current is supplied from the drive circuit 11 to the OLED, a voltage difference between the gate terminal and the source terminal of the D-TFT is a sum of the threshold voltage of the driving transistor and a voltage determined from the voltage of the drain terminal of the driving transistor and the control voltage during a current setting period.例文帳に追加

容量素子Ｃと複数のスイッチ素子は、駆動回路１１がＯＬＥＤへ電流を供給する時に、Ｄ−ＴＦＴのゲート端子とソース端子との電圧差を、駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧とデータ線から供給される制御電圧とから決定される電圧と、駆動用トランジスタのしきい値電圧とを加えた電圧とする。 - 特許庁

In the overcurrent detection circuit 21 wherein an Early effect cancel circuit 10 is arranged among a current mirror circuit 6, a MOS transistor 3, and a current sensing resistor 11, when the load side ground PGND is opened and a PGND level rises in excess of a prescribed threshold value REF2, a erroneous detection prevention circuit 22 disables a detection output of a voltage detection circuit 11.例文帳に追加

過電流検出回路２１において、カレントミラー回路６とＭＯＳトランジスタ３並びに電流検出抵抗１１との間にアーリー効果キャンセル回路１０を配置する場合、負荷側グランドＰＧＮＤがオープン状態になりＰＧＮＤ電位が所定のしきい値REF2を超えて上昇すると、誤検出防止回路２２は電圧検出回路１２の検出出力を不能にする。 - 特許庁

In a control IC 12, a threshold value used for monitoring a power supply voltage supplied to a control logic section 15 and implementing a protection operation is made to have a hysteresis characteristic having a width of a voltage drop level or more based on a wiring resistance on a path for supplying a load current to a motor 6 and the maximum load current by a hysteresis setting section 14 for composing a protection function section 19.例文帳に追加

制御ＩＣ１２は、保護機能部１９を構成するヒステリシス設定部１４において、制御ロジック部１５に供給される電源電圧を監視して保護動作を行なうためのしきい値に、モータ６に対して負荷電流を供給する経路の配線抵抗と負荷電流の最大値とに基づく電圧降下レベル以上の幅を有するヒステリシス特性を持たせる。 - 特許庁

The ECU 90 executes intermittent operation control of switching the mode of the fuel cell 12 between a normal power generation mode and a power generation suspension mode based on comparison between a power generation request P* made to the fuel cell 12 and a threshold Pthr, and executes control for changing the threshold Pthr in response to a change in an FC current I_FC while executing high potential evasion control in the power generation suspension mode.例文帳に追加

ＥＣＵ９０は、燃料電池１２に対する発電要求パワーＰ＊と閾値Ｐｔｈｒとの比較に基づいて燃料電池１２を通常発電モードおよび発電休止モードの間で切り替える間欠運転制御を実行し、発電休止モード中に高電位回避制御を実行しつつＦＣ電流Ｉ_FCの変化に応じて上記閾値Ｐｔｈｒを変更する制御を実行する。 - 特許庁

a leak current in channel flowing in a memory cell of an over erasing state of which the threshold voltage is low is suppressed in a self-adjustment way by connecting the resistor R1, in a memory cell being an object of batch rewriting, output voltage of a charge pump circuit supplying drain voltage of a high potential required for forming a high electric field region for generating sub-threshold CHE is secured.例文帳に追加

抵抗Ｒ１を接続することによって、しきい値電圧が低い過消去状態のメモリセルにおいて流れるチャネル性リーク電流が自己調整的に抑制され、一括した書戻し対象のメモリセルにおいて、サブスレッショルドＣＨＥを発生させるための高電界領域を形成するのに必要な高電位のドレイン電圧を供給するチャージポンプ回路の出力電圧が確保される。 - 特許庁

To provide a display device which stably and exactly supplies a desired value of current to a luminous element of each pixel independent of not only variation of threshold values of active elements in the pixel but also that of mobility and displaying the image of high quality, and also to provide a driving method therefor.例文帳に追加

画素内部の能動素子のしきい値のバラツキはもとより、移動度のバラツキによらず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、高品位な画像を表示することが可能な表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The laser beam 23 passes through a discharge area between a pair of electrodes 11, 12 and is irradiated on the high-temperature plasma raw material 21, and pulse voltage is impressed between the electrodes 11, 12 so that a discharge current becomes a given threshold value, when at least a part of the evaporated raw material reaches the discharge area.例文帳に追加

レーザビーム２３は１対の電極１１，１２間の放電領域を通過して高温プラズマ原料２１に照射され、気化した原料の少なくとも一部が放電領域に到達したとき、放電電流が所定の閾値となるように電極１１，１２間にパルス電力を印加する。 - 特許庁

A system where a light beam emitted from a semiconductor laser 1, reflected by some object, returns to the semiconductor laser 1 shows a phenomenon, in which the threshold of an injection current for the semiconductor laser 1 is lowered in proportion to the intensity of the returning light, namely, a self-coupling effect.例文帳に追加

半導体レーザ１は、半導体レーザ１から出射した光が何かにより反射されて再び半導体レーザ１に戻ってくる場合、当該半導体レーザ１に対する注入電流の閾値が戻り光の強度に比例して低下する現象、即ち、自己結合効果を示す。 - 特許庁

A contact point potential difference between contact points of relay contact points 31 of the electric power source relay circuit 33 is detected, and the electric power source relay circuit 33 is controlled in an ON state by finishing precharging when this contact point potential difference becomes smaller than a threshold value estimating that a rush current is not generated.例文帳に追加

電源リレー回路３３のリレー接点３１の接点間の接点電位差を検出し、この接点電位差が、突入電流が生じないと予測されるしきい値より小さくなったとき、プリチャージを終了し、電源リレー回路３３をオン状態に制御する。 - 特許庁

The thermally protective circuit is configured by having a means that continuously or gradually suppresses the load driving (for example, the upper limit value of driving current), according to a monitoring objective temperature, after the monitoring objective temperature exceeds a predetermined threshold temperature Tlmt.例文帳に追加

本発明に係る熱保護回路は、監視対象温度が所定の閾値温度Ｔｌｍｔを上回って以後、前記監視対象温度に応じて負荷の駆動（例えば駆動電流の上限値）を連続的或いは段階的に抑制する手段を有して成る構成とされている。 - 特許庁

Hereby, the voltage at the second end of the first capacitor C1 is hardly influenced by the threshold between the source and drain of the first diode D1, and the first n-type thin-film transistor N1 and the first p-type thin-film transistor P1 are completely switched off to suppress the occurrence of a leakage current.例文帳に追加

これにより、第１キャパシタＣ１の第２端における電圧が第１ダイオードＤ１のソース・ドレイン間のしきい値電圧の影響を受け難くいようにし、第１のＮ型薄膜トランジスタＮ１、第１のＰ型薄膜トランジスタＰ１を完全にオフさせてリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

The threshold voltage can be found, by using the slope of the biased charging roller DC current vs. voltage curve, measuring the photoreceptor surface potential with respect to a plurality of target voltage values lower than the charging "knee" of the curve to obtain the intercept value, or finding the actual value of the charging knee.例文帳に追加

スレッシュホールド電圧は、バイアスされた荷電ローラーのＤＣ電流・対・電圧曲線の傾斜を使用し、荷電膝より下の複数のターゲット電圧に対して光受容体表面電位を測定して切片値を得るか、又は荷電膝の実際の値を見つけることで、見出すことができる。 - 特許庁

By controlling the potential applied to the back gate electrode with the back gate control circuit, the threshold voltage can be adjusted so that the on resistance is lowered in the case of large output power, and so that the off current is lowered in the case of small output power.例文帳に追加

バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

On the contrary, when the oil temperature is high and the viscosity resistance of the operation oil is low, at it is not necessary to drive the oil pump a little early in comparison with the case in which the oil temperature is low and the viscosity resistance of the operation oil is high, the current threshold value ITH of the electric motor for driving the oil pump is set to rather high.例文帳に追加

これとは逆に、油温が高くて作動油の粘性抵抗が低い場合には、油温が低くて作動油の粘性抵抗が高い場合に比べて早めにオイルポンプを駆動する必要はないから、オイルポンプを駆動する電動モータの電流しきい値ＩTHを高めに設定する。 - 特許庁

After that, a threshold of a parasitic transistor to be generated on the peripheral edge portion of the channel is increased using an ion implantation method, and a leak current due to the parasitic transistor is suppressed.例文帳に追加

ＳＯＩトランジスタのチャネル部周縁部を開口し、中央部へのイオン注入を防ぐための第１不純物添加阻止層を形成した後イオン注入法を用いてチャネル部周縁部に生じる寄生トランジスタの閾値を上昇させて寄生トランジスタ起因のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

Specifically, a gate current value of an n-channel transistor in which a channel region is formed by an oxide semiconductor is measured in a state where a voltage lower than the threshold voltage of the transistor is applied between a gate and a source, and a potential higher than that applied to the gate is applied to a drain.例文帳に追加

具体的には、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間にトランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインにゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態におけるゲート電流値の測定を行う。 - 特許庁

After writing, the auxiliary switch element is conducted in a state that the sampling transistor is not conducted, and the voltage of the signal line (voltage higher than a threshold correction reference voltage) is written in the leak suppressing capacitor, so that the drain-source voltage of the sampling transistor is made low to reduce a leakage current.例文帳に追加

その書込後に、サンプリングトランジスタを非導通の状態で補助スイッチ素子を導通させて、信号線の電圧（閾値補正基準電圧より高い電圧）をリーク抑制用容量に書き込ませることで、サンプリングトランジスタのドレイン・ソース間電圧を低くし、リークを低減させる。 - 特許庁

To provide an operational amplifier that is endowed with a higher slew rate without increasing normal current consumption, to provide a parameter setting circuit that makes a threshold voltage and other parameters optionally set without increasing the number of external terminals, and to provide a semiconductor device including the same, and a power supply unit.例文帳に追加

定常消費電流を大きくせずスルーレートを高速化したオペアンプを提供し、また、外部端子数を増大せず、閾値電圧などのパラメータを任意に設定することが可能なパラメータ設定回路、並びに、これを備えた半導体装置、電源装置を提供する。 - 特許庁

An autonomous traveling control part 11 determines an initial target direction θs targeting route follow-up from the current location and passing point location information of a traveling object 1 and a second direction group as the group of a direction in which a distance between the traveling object 1 and an obstacle 2 exceeds a threshold L.例文帳に追加

自律走行制御部１１は、移動体１の現在位置と通過点位置情報とから経路追従を目的とする初期目標方向θｓと、障害物２までの距離がしきい値Ｌを超える方向の集合である第２方向集合とを決定する。 - 特許庁

Even if a direction of the stroke speed Ss and a direction of the target damping force Dtgt is different, in the case that the absolute value of the stroke speed Ss is smaller than a second determination threshold value Ssth2, the target current Itgt is set regardless of the direction of the stroke speed Ss.例文帳に追加

そして、ストローク速度Ｓｓの方向と目標減衰力Ｄｔｇｔの方向とが異なっていても、ストローク速度Ｓｓの絶対値が第２判定閾値Ｓｓｔｈ２より小さい場合には、ストローク速度Ｓｓの方向にかかわらず目標電流Ｉｔｇｔが設定される。 - 特許庁

A condition notification device includes an input unit 12 where a heart rate of the target person detected by a heart rate detecting device 2 is input and a generating unit 18 for generating condition information indicating a current condition of the target person from the heart rate based on a predetermined threshold value.例文帳に追加

心拍数検知装置により検知された対象人物の心拍数が入力される入力部と、 予め定められた閾値に基づいて、前記心拍数から対象人物の現在の状態を示す状態情報を生成する生成部と、を有する状態通知装置を提供する。 - 特許庁

To provide a switching device driving unit that, even in a case where a threshold voltage of a switching device is varied, can suppress variations in switching speed, and prevent a power loss caused by an unnecessary gate current in a constant ON operation state of the switching device, so that a desired slew rate can be easily set.例文帳に追加

スイッチングデバイスの閾値電圧がばらついた時でも、スイッチング速度のばらつきを抑制し、スイッチングデバイスの定常的なＯＮ動作状態で不要なゲート電流によるパワー損失を防止して、所望のスルーレートを容易に設定できるスイッチングデバイス駆動装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On the basis of whether or not a monitoring voltage corresponding to the current value of a charged bias, which is applied to the corona wire 221 by a charged-bias high-voltage power supply 222, is equal to or more than the predetermined threshold voltage according to the process speed, the image forming apparatus 20 determines whether or not the corona wire 221 needs to be cleaned.例文帳に追加

画像形成装置２０は、帯電バイアス用高圧電源２２２がコロナワイヤ２２１に印加する帯電バイアスの電流値に対応するモニタ電圧が、プロセススピードに応じた所定の閾値電圧以上であるか否かに基づいて、コロナワイヤ２２１を清掃する必要があるか否かを判定する。 - 特許庁

When the battery voltage goes down to the threshold V_2 or less being an overdischarge detecting voltage, it is decided that the battery voltage has reached an overdischarge area, a discharge control FET4 is turned off, a control unit 7 is made into a sleep status, and the consumption current in the control unit 7 is reduced.例文帳に追加

電池電圧が過放電検出電圧である閾値Ｖ_２以下となった場合には、電池電圧が過放電領域に達したと判断し、放電制御ＦＥＴ４をＯＦＦするとともに制御部７をスリープ状態として制御部７における消費電流を低減させる。 - 特許庁

In the corrosion inspection method, in a state where a sheathing material is attached to the measuring target, counted value related to the moisture amount of the sheathing material is measured by a neutron moisture meter; and only when the counted value is higher than a preset threshold, is the wall thickness of the measuring target measured by an eddy current flaw detector.例文帳に追加

腐食検査方法では、被測定物に外装材が取り付けられた状態で、中性子水分計にて、外装材の水分量についてのカウント値を測定し、カウント値が予め設定された閾値よりも高い場合にのみ、渦電流探傷器にて、被測定物の肉厚を測定する。 - 特許庁

A transmission state determining part 48 compares the error power with the predetermined threshold value to determine whether a near-end is in transmission state at the current frame time in response to the comparison result, and when the determining part 48 determines that it is not in transmission state, an echo canceling part 50 executes an echo cancellation process.例文帳に追加

送話状態判定部48は、誤差パワーを所定の閾値と比較し、この比較の結果に応じて、現フレーム時刻において近端が送話状態であるか否かを判定し、判定部48が送話状態でないと判定した場合、エコーキャンセル部50はエコーキャンセル処理を行なう。 - 特許庁

The pulse width modulation circuit 1 includes a current bypass circuit 4 for bypassing charging voltages J1, J2 by supplying clamp voltages Vk1, Vk2 to the input terminals of inverters INV1, INV2 when charging voltages Vc1, Vc2 of the capacitors C1, C2 increase to threshold voltage Vth of the inverters INV1, INV2.例文帳に追加

パルス幅変調回路１はコンデンサＣ１，Ｃ２の各充電電圧Ｖc1，Ｖc2がインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２のスレシホールド電圧Ｖthに上昇すると、クランプ電圧Ｖk1，Ｖk2をインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２の入力端に供給して充電電流Ｊ１，Ｊ２をバイパスさせる電流バイパス回路４を備える。 - 特許庁

A soft-stop overvoltage protection circuit 90, into which a soft-stop overvoltage detection voltage Vfb proportional to a direct current output voltage is input, reduces the output of a multiplier 24 in accordance with the soft-stop overvoltage detection voltage Vfb when the soft-stop overvoltage detection voltage Vfb exceeds a first threshold value.例文帳に追加

ソフト過電圧保護回路９０は、直流出力電圧に比例するソフト過電圧検出電圧Ｖｆｂが入力され、ソフト過電圧検出電圧Ｖｆｂが第１の閾値を超えたときソフト過電圧検出電圧Ｖｆｂに応じて乗算器２４の出力を低下させる。 - 特許庁

The actual load current waveform is AD-converted, variance of the change quantity of the peak value and the bottom value is calculated for each turn of working, and when the peak exceeds a predetermined threshold value for three continuous times in the graph of the variance, the waveform having this continuous peak value is recognized as the suggested wave.例文帳に追加

この実負荷電流波形をＡＤ変換し、さらに加工１回転毎にピーク値とボトム値の変化量の分散を計算し、この分散のグラフにおいて、所定のしきい値を３回連続して超えたピークの出現したとき、この連続するピーク値を有する波形を予兆波と認定する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which makes a low threshold current possible, and having a structure which makes an increase in oscillation yield possible, on a semipolar surface of a support base in which a c axis of a hexagonal group III nitride is tilted in the direction of an m axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein in particular, in a semiconductor device formed by using a thin-film transistor, even if a constant signal is input, dispersion is produced in the output potential, as well as, a current value flowing in the thin-film transistor, caused by variance or the like, of the threshold of the thin-film transistor.例文帳に追加

半導体装置、特に薄膜トランジスタを用いて形成された半導体装置においては、一定の信号を入力したとしても、薄膜トランジスタのしきい値ばらつき等に起因して、出力される電位や、薄膜トランジスタを流れる電流値にばらつきを生じてしまう。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, which requires no external control circuits against fluctuation in atmospheric temperature by providing a quantum well semiconductor laser layer structure with a carrier supply layer adjacent to a quantum well layer, related to an element structure which reduces the temperature change in threshold current of the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの閾値電流の温度変化を低減する素子構造において，量子井戸型半導体レーザ層構造に量子井戸層に隣接したキャリア供給層を設けることにより，雰囲気温度の変動に対しても外部制御回路を必要としない半導体レーザを提供する． - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The reading circuit 100 comprises a detection module 110 which detects light in a pixel unit of display, a first transistor 120 which converts the detection result to generate a current signal, and a compensation module 130 which compensates the threshold voltage of the first transistor.例文帳に追加

表示の画素ユニットにおいて、光を検出する検出モジュール１１０、前記検出結果を変換し、電流信号を発生する第１トランジスタ１２０、及び前記第１トランジスタのスレッショルド電圧を補償する補償モジュール１３０を含む読み取り回路１００を設ける。 - 特許庁

When an electric voltage is applied to an actuator 158 by a deterioration condition detecting circuit 192, and in the case when the magnitude of the electric current energized in the actuator 158 exceeds either one of a plurality of predetermined different threshold values, a detecting signal is output by being changed from a low level signal to a high level signal.例文帳に追加

劣化状態検出回路１９２により、アクチュエータ１５８に電圧が印加された際にアクチュエータ１５８に流れる電流の大きさが予め定められた複数の異なる閾値の何れかを超えたときに検出信号をローレベル信号からハイレベルに変えて出力する。 - 特許庁

Then, the drive switches SX1 to SXn connect constant current sources I1 to In to data lines to be subjected to light emission control and apply a forward voltage of +V1 (the voltage below the light emission threshold) not contributing to the light emission to the data lines of non-light emission control.例文帳に追加

続いて、ドライブスイッチＳＸ１〜ＳＸｎは、発光制御されるデータ線に定電流源Ｉ１ 〜Ｉｎ を接続すると共に、非発光制御のデータ線に対して、発光に寄与しない順方向電圧＋Ｖ１ （発光しきい値以下の電圧）を印加する動作とが実行される。 - 特許庁

A valve opening prohibiting part 206 prevents the water cut-off valve 4 from becoming a valve opening position by prohibiting driving of the electric motor 7 by the motor control part 201 on and after as soon as the water cut-off valve 4 becomes a valve closing position in the next place, when the current-carrying quantity of the electric motor 7 becomes a predetermined threshold value or more.例文帳に追加

開弁禁止部２０６は、電動モータ７の通電量が所定の閾値以上になると、次に止水弁４が閉弁位置になりしだい、以降は、モータ制御部２０１による電動モータ７の駆動を禁止して、止水弁４が開弁位置にならないようにする。 - 特許庁

To provide a redundancy input and output fuse circuit of a semiconductor device, of which bias voltage drop by NMOS transistor equal to a threshold voltage and accompanying reduction in noise margin are prevented, and of which time delay problem caused by reduction in NMOS current is improved.例文帳に追加

伝送ゲートを用いてＮＭＯＳトランジスタによるしきい電圧だけの電圧バイアスの低下や、これに伴うノイズマージンの減少を防止し、ＮＭＯＳの電流減少による時間遅延を改善できる半導体素子のリダンダンシ入出力ヒューズ回路を提供すること。 - 特許庁

A through-current flowing into the inverter INV is reduced by increase of a resistance between the second terminal P2 and the node B, and the power consumption is reduced, and also a shift of threshold voltages of the transistors T14, T15 is suppressed to stabilize the operation of a shift circuit 21_k.例文帳に追加

従って、第２の端子Ｐ２とノードＢ間の抵抗の増加によってインバータＩＮＶに流れる貫通電流が低減されて消費電力が削減されるとともに、トランジスタＴ１４、Ｔ１５の閾値電圧のシフトが抑制されて、シフト回路２１_ｋの動作が安定する。 - 特許庁

To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加

書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A depression type FET 2 to which a voltage lower than the constant voltage Vdd by a threshold voltage or more is supplied to the gate is connected between the second node P2 and a third node P3, and the control signal fc is guided to both terminals of a current path of the FET2 by using resistors R7, R3, R6.例文帳に追加

第２のノードＰ２と第３のノードＰ３の相互間に一定電圧Ｖｄｄより閾値電圧分以上低い電圧がゲートに供給されたデプレション型のＦＥＴ２を接続し、抵抗Ｒ７、Ｒ３、Ｒ６によりＦＥＴ２の電流通路の両端に制御信号ｆｃを導いている。 - 特許庁