「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an obstacle detector of power supply in which a decision is made that a power supply is faulty when variation in output voltage from a power supply (voltage load variation) exceeds a predetermined threshold by supplying a current periodically to a power supply place, and to provide an obstacle detection program and method.例文帳に追加

電源供給先に電流を周期的に供給することによる電源の出力電圧の変動（電圧負荷変動）が所定閾値を越えた場合にその電源を不良と判定する、電源の障害検出装置、プログラム、及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical communications system that utilizes a surface light-emitting type semiconductor laser device chip capable of reducing an operating voltage and an oscillation threshold current as a light-emitting source and can improve the productivity of a laser chip module and the overall yield of a manufacturing process.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用するシステムで、レーザチップモジュールの生産性の向上、しいては製造プロセス全体の歩留まり率向上が可能な光通信システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having long period reliability in addition to the capability of low threshold current and high output operation, further, abundant in the degree of freedom of optical characteristic designing and capable of coping with both of stabilized optical characteristics and cost reduction by simplification of manufacturing processes.例文帳に追加

低閾値電流・高出力動作が可能な上、長期の信頼性を有しており、さらに光学特性設計の自由度に富み、かつ安定した光学特性と製造工程の簡略化によるコスト低減とを両立した半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

Thus, a threshold voltage Vth of the Pch MOSFET 5a is set so as to be high for the precharge period and low for the evaluate period, and a current leak when the Pch MOSFET 5a is turned off is low for the precharge period so as to attain energy saving.例文帳に追加

これにより、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５ａの閾値電圧Ｖｔｈは、プリチャージ期間に高く、エバリュエート期間に低くなるように設定され、プリチャージ期間にはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５ａのオフ時の電流リークを低リーク化し、省エネルギー化することができる。 - 特許庁

To provide an output circuit for an amplification solid-state image pickup device that can sufficiently ensure an operating margin with respect to fluctuation in a threshold voltage and a power supply voltage with a simple configuration and suppress fluctuation in current consumption and is stably operated at a low voltage.例文帳に追加

簡単な構成で、閾値電圧や電源電圧の変動に対して、動作マージンを十分確保できると共に、消費電流の変動を抑えることができ、安定した低電圧動作が可能な増幅型固体撮像装置用出力回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for decreasing useless transition of an internal node when a switching transistor attached gate circuit in a selective multi-threshold (SMT) circuit is restored to an operating state and an excessive current instantaneously flowing by simultaneous switching of the switching transistor attached gate circuits.例文帳に追加

選択的マルチスレッショルド（ＳＭＴ）回路におけるスイッチ付きゲート回路の動作状態復帰の際の、内部ノードの無駄な遷移や、スイッチ付きゲート回路の同時スイッチングにより瞬時に流れる過大な電流を低減する半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

This torque becomes larger with the deterioration in passage of time of the pair of rollers 22 and 24, so that the adequate replacement period can be decided by setting the current equivalent to that of the time of the deterioration limit allowed to the pair of rollers to the threshold.例文帳に追加

このトルクは、計時変化に伴って一対のローラ２２，２４が劣化することにより大きくなるから、一対のローラに対して許容される劣化の限度に相当する電流を閾値に設定することにより、適切な交換時期を判定することができる。 - 特許庁

When a decision is made that the differentiated value ΔT of solder temperature became smaller than a heating off threshold th; a controller delivers a heating off control signal to a high frequency power supply, and stops current supply to a coil thus altering the heating condition to turn off heating for solder.例文帳に追加

はんだ温度微分値ΔＴが、加熱オフ閾値ｔｈより小さくなったと判定すると、コントローラは、加熱オフ制御信号を高周波電源に出力し、コイルへの電流供給を停止し、はんだに対する加熱をオフするように加熱条件を変更する。 - 特許庁

To provide a high-efficiency semiconductor laser which suppresses the increase of its threshold current and the decline of its slope efficiency and intermittently performs laser oscillation, and to provide a method for manufacturing the laser, a semiconductor laser array, a display device, a sensor system, and a semiconductor light emitting device.例文帳に追加

閾電流の増大やスロープ効率の低下を抑制し、間欠的にレーザ発振を行う高効率の半導体レーザ装置およびその製造方法および半導体レーザアレイおよび表示装置およびセンサシステムおよび半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

System users detect transitions in service between a current service area (B10) and an adjacent service area (B2), and request a forward link channel in the new service area (B2) when a detected signal strength for the new service area exceeds predetermined threshold levels.例文帳に追加

システムユーザが現在のサービスエリア（Ｂ10 ）と隣接するサービスエリア（Ｂ2）との間のサービスの移動を検出して、新しいサービスエリアに対する検出された信号強度が予め定められたしきい値レベルを越えたとき新しいサービスエリア（Ｂ2 ）の順方向リンクチャンネルをリクエストする。 - 特許庁

To provide a memory device and its manufacturing method which facilitates adjusting the threshold voltage of the memory device by preventing the short channel effect, and reduces the junction leakage current generated in a storage node junction region to increase the data hold time of the memory device.例文帳に追加

ショートチャネル効果を防止してメモリ素子のしきい電圧の調整を容易にし、ストレージノード接合領域で発生する接合漏れ電流を減少させてメモリ素子のデータ保持時間を増大させることのできるメモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A deterioration determination means 24 outputs a deterioration determination signal S1 indicating that the vehicle-mounted battery 12 is deteriorated when the direct-current internal resistance value Rin detected by the internal resistance value detection means 30 exceeds a deterioration determination threshold R0.例文帳に追加

劣化判定手段２４は、内部抵抗値検出手段３０によって検出された直流内部抵抗値Ｒｉｎが劣化判定閾値Ｒ０を超過したことをもって車載用バッテリ１２が劣化している旨を示す劣化判定信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁

When the last value exists, the device discriminates that the sampling signal reaches reset noise by this time setting value if a difference of the last value and current value is equal or more than the threshold value, and establishes the phase of the sampling signal to a position in which the AFE 133 samples a hold unit of the CCD output.例文帳に追加

前回値がある場合は、今回値との差分がしきい値以上であれば今回の設定値にてリセットノイズにサンプリング信号が達したと判定し、サンプリング信号の位相をＡＦＥ１３３でＣＣＤ出力のホールド部をサンプルできる位置に設定する。 - 特許庁

In other words, in the case of travelling on a smooth road while conducting a roll control and a pitch control, if an absolute value of a stroke speed Ss is smaller than a first determination threshold value Ssth1, the target current Itgt is determined by a target damping force Dtgt only.例文帳に追加

すなわち、ロール制御やピッチ制御を行いながら良路を走行している場合には、ストローク速度Ｓｓの絶対値が第１判定閾値Ｓｓｔｈ１より小さければ、目標電流Ｉｔｇｔは目標減衰力Ｄｔｇｔのみによって決定される。 - 特許庁

To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities.例文帳に追加

活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。 - 特許庁

When the absolute value |Gmax| of the maximum value Gmax of the vertical acceleration G for a specified time has become larger than a low speed reduction switching first threshold value Ga1, the present running road surface is judged to be a rough road (S114:YES), and the current to a solenoid coil is switched on (S116).例文帳に追加

所定時間当たりの上下加速度Ｇの最大値Ｇmaxの絶対値｜Ｇmax｜が低減速切替第一閾値Ｇa1以上となった場合には、現在走行中の路面が悪路であると判断し（Ｓ１１４：ＹＥＳ）、ソレノイドコイルへの通電をＯＮとする（Ｓ１１６）。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated element in which no climbing growth up to a mask occurs during selective growth even if the film thickness of a layer is increased when different layer structures are butted for joint, especially such a narrow irradiation semiconductor laser element that can operate at a low threshold current.例文帳に追加

異なる層構造をバットジョイント接合するときに、選択成長時にその膜厚を厚くしてもマスクへの這い上がり成長が起こらない半導体集積素子、とりわけ、低しきい値電流で動作する狭出射半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An ECU executes a program including a step (S100) for detecting the rotational speed NE of an engine, and a step (S104) for stopping current supply to an electric motor of an intake VVT mechanism when the rotational speed NE of the engine is not higher than a threshold NE(0) (YES in S102).例文帳に追加

ＥＣＵは、エンジン回転数ＮＥを検知するステップ（Ｓ１００）と、エンジン回転数ＮＥがしきい値ＮＥ（０）以下であると（Ｓ１０２にてＹＥＳ）、インテーク用ＶＶＴ機構の電動モータへの通電を停止するステップ（Ｓ１０４）とを含む、プログラムを実行する。 - 特許庁

This vacuum cleaner is designed so as to stop an electric blower and an electric motor 24 for a rotary brush, in cases where a variation width D of amplitude H of a load current of the electric motor 24 for a rotary brush in the suction port body 2 is smaller than that of T0 period (for instance, three seconds) change threshold.例文帳に追加

本発明は、吸口体２の回転ブラシ用電動機２４の負荷電流の振幅Ｈの変化幅ＤがＴ０時間（例えば、３秒）変化しきい値より小さい場合に、電動送風機および回転ブラシ用電動機２４を停止する。 - 特許庁

A current of level larger than a threshold is supplied to the p-side electrode 35 and n-side electrode 36 for a specified time to irradiate the coating 39 with laser light, and then an area including an are of the coating 39 where the laser light is projected is modified.例文帳に追加

ｐ側電極３５およびｎ側電極３６にしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を被膜３９に照射することにより、被膜３９のうちレーザ光の射出された領域を含む領域を改質する。 - 特許庁

As braking operation continues, a logic 6 permits the dissipative load R5 to be switched so as to be repeatedly connected or disconnected with/from the circuit whenever voltage on the DC voltage bus caused by regenerative current exceeds a selected threshold value.例文帳に追加

制動動作が続くにつれ、回生電流によって生じるＤＣ電圧バス上の電圧が選択されたしきい値を超えるたびに、ロジック６により散逸性負荷Ｒ５が反復的に回路に接続されたり、また回路から切断されたりするように切り替えられる。 - 特許庁

A phase adjustor 51 delays clock supplied from a clock supply part 11 so that an overshooting or undershooting of a drive current of a loop antenna 14 does not occur, with a timing of a sine wave being a threshold SH, and supplies the clock to an antenna drive circuit 13.例文帳に追加

位相調節器５１は、ループアンテナ１４のドライブ電流のオーバーシュートやアンダーシュートが、ｓｉｎ波がスレッシュホールド値ＳＨになるタイミングで発生しないように、クロック供給部１１から供給されたクロックを遅延して、アンテナ駆動回路１３に供給する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element having a laser resonator exhibiting high quality for a resonator mirror and allowing a low threshold current, on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group-III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser which can reduce an increase in a threshold current affected by the separation of In, and is provided with at least one semiconductor layer containing Al, In, and P as main components on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＡｌ、Ｉｎ、Ｐを主成分として含む半導体層が少なくとも１層設けられている面発光型半導体レーザにおいて、Ｉｎの分離の影響による閾値電流増加を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator that obtains a low-threshold current on a semipolar surface of a hexagonal group III nitride, and to provide a method of manufacturing the group III nitride semiconductor laser element.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。 - 特許庁

If any motion at the locus is less than a threshold, the preceding and succeeding fields are examined for motion at a locus of at least one pixel that is adjacent to the current pixel to be interpolated.例文帳に追加

さらに、前記場所でのいくつかの動きが１つの閾値より小さい場合、前記前のフィールドおよび前記次のフィールドは、補間されるべき前記現在のピクセルに隣接している少なくとも１つのピクセルの１つのそれぞれの場所で、動きがないかが分析される。 - 特許庁

Program ending time with respect to an input image signal is obtained from EPG data separated by a decoder 12 and a threshold for detecting the telop is variably controlled by a telop information detection part 5 based on difference between the program ending time and the current time.例文帳に追加

デコーダ１２により分離されたＥＰＧデータから、入力画像信号に係る番組終了時刻を求め、該番組終了時刻と現在時刻との差に基づき、テロップ情報検出部５においてテロップを検出するための閾値を可変制御する。 - 特許庁

To provide a III-V nitride semiconductor laser structure which can improve the yield and reliability of elements by suppressing crystal defects and cracks, can emit laser light well shaped in a fundamental lateral mode, and has a low element resistance and threshold current.例文帳に追加

結晶欠陥及びクラックの発生を抑制して素子歩留まり及び信頼性に優れ、かつ良好な基本横モードに整形されたレーザ光を放出でき、素子抵抗及び閾値電流が低いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a glow plug short circuit detection device accurately and immediately detecting shortcircuit of a glow plug by changing a current threshold or the like in correspondence to a temperature rising state of the glow plug, and a heat generation system equipped with the short circuit detection device for a glow plug.例文帳に追加

グロープラグの昇温状態に対応して電流閾値等を変更することで、グロープラグの短絡を精度よく、かつ、速やかに検知することができるグロープラグの短絡検知装置、及び、当該グロープラグの短絡検知装置を備えてなる発熱システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a fin field effect transistor that alleviates the concentration of an electric field to the top end (angular portion) of a fin-shape active region, inhibits a decrease in the threshold voltage of the fin effect transistor, and has high current drive capability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

フィントランジスタにおいて、フィン状の活性領域の上端部（角部）における電界集中を緩和し、フィントランジスタの閾値電圧の低下を抑制し、電流駆動能力の高いフィントランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

If a current communication state is a reception state, and there is a spurious signal within a channel frequency, and reception power is less than a threshold value, a PLL setting change unit 24 increases the jitter of a clock CK, and if otherwise, it sets the jitter of the clock CK to normal.例文帳に追加

ＰＬＬ設定変更部２４は、現在の通信状態が受信状態であり、チャネル周波数内にスプリアスが存在し、受信電力が閾値に満たない場合、クロックＣＫのジッタを増加させ、それ以外の場合、クロックＣＫのジッタを通常設定にする。 - 特許庁

The threshold voltage of the element is prevented from varying since an impurity activating process for the source/drain area can be omitted, and no determination defect of the substrate is generated since the impurities are diffused in a solid state, so that a leak current flowing through a joint can be reduced.例文帳に追加

ソース／ドレーン領域の不純物活性化工程が省略できるので素子のスレショルド電圧変動を防止でき、固体状態で不純物を拡散させるために基板の決定欠陥が発生せず、よって接合を通じた漏れ電流を減らせる。 - 特許庁

The voltage generation circuit is provided with, for example, a plurality of NMOS transistors MN1 and MN2 whose source/drain paths are serially connected and a constant current source IS1 for operating the MN1 and MN2 in a sub-threshold region between a power supply VCC and a ground power supply voltage GND.例文帳に追加

例えば、電源電圧ＶＣＣと接地電源電圧ＧＮＤの間に、ソース−ドレイン経路が直列接続される複数のＮＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２と、ＭＮ１，ＭＮ２をサブスレッショルド領域で動作させるための定電流源ＩＳ１を備える。 - 特許庁

The measuring display device 14 includes a calculation part 54 for secondarily differentiating the current flowing across the sensing acting electrode 48 and the sensing counter electrode 50 and a comparing decision part 56 for calculating whether the value calculated by secondary difference exceeds the threshold.例文帳に追加

計測表示器１４は、検出用作用電極４８と検出用対向電極５０との間に流れた電流の電流値を二次差分する計算部５４と、二次差分によって求められた値が閾値を超えているか否かを求める比較判定部５６と、を含む。 - 特許庁

An overcurrent detecting circuit (11) is fitted to wiring which connects the positive side terminal of the first input capacitor to the positive side dc busbar, wherein the detecting circuit detects that a discharge current of the first input capacitor exceeds a predetermined threshold, and outputs an overcurrent detecting signal.例文帳に追加

第１の入力コンデンサのプラス側端子とプラス側直流母線を結ぶ配線に第１の入力コンデンサの放電電流が所定のしきい値を超えたことを検出して過電流検出信号を出力する過電流検出回路（１１）を取り付ける。 - 特許庁

To correct the instability of the threshold voltage of a driving transistor, reduce the number of transistors, shorten program time, and reduce power consumption in a pixel circuit which makes a light-emitting element light by making a driving current flow through the light-emitting element by means of a driving transistor.例文帳に追加

駆動用トランジスタにより駆動電流を流すことによって発光素子を発光させる画素回路において、駆動用トランジスタの閾値電圧の不安定性を補正するととともに、トランジスタ数の削減、プログラム時間の短縮および消費電力の削減を図る。 - 特許庁

This control apparatus executes a deterioration measurement method for computing its resistance, by applying a specified current at standby of an apparatus and converts the degree of deterioration and reflecting a temperature measuring method; and when the degree is at a threshold or higher with respect to a reference value, the controller changes the control parameter and prevents overloading of the output.例文帳に追加

装置待機時に特定の電流を通電して抵抗を算出する劣化測定法を実施し、温度測定法を反映して劣化度を換算し、基準値に対し閾値以上の場合に、制御パラメータを変更して入出力の過負荷を防ぐ。 - 特許庁

To provide a protection circuit for a BTL (Bridged Tied Load) amplifier that prevents ASO (Area of Safety Operation) breakage due to heat generation before a current of an output transistor reaches a start threshold for protecting operation even when time variation of an input signal is gentle in case of grounding or power supplying.例文帳に追加

地絡・天絡時において、入力信号の時間変化が緩やかであっても、出力トランジスタの電流が保護動作の開始閾値に到達するまでの発熱によるＡＳＯ破壊の発生を防止できるＢＴＬ増幅器の保護回路を提供する。 - 特許庁

When all temperatures of the measured temperature distribution T_n are within a threshold, a DC I_n+1 with a current value of the DC increased is determined, and the DC I_n+1 is made to flow again into the superconducting cable 1 for a certain period of time, and then, a temperature distribution T_n+1 is measured.例文帳に追加

測定した温度分布T_nの全ての温度が閾値以下である場合、直流電流の電流値を増加させた直流電流I_n+1を決定し、直流電流I_n+1を超電導ケーブル1に改めて一定時間流して、温度分布T_n+1を測定する。 - 特許庁

The difference between the average pixel values of a current frame and a previous frame in a predetermined image region is calculated for image data output from an imaging unit, and the number of times that the absolute value of the difference exceeds a threshold is counted in a predetermined period to calculate a count value Dc.例文帳に追加

撮像部から出力された画像データについて、現フレームおよび前フレームによる画像の所定領域における画素値の平均値の差分を求め、差分の絶対値が閾値を超える回数を所定期間内でカウントし、カウント値Ｄｃを求める。 - 特許庁

To provide a method of connecting oxide superconducting wire which can produce wire as long as possible by connecting short wires and can prevent decrease in the threshold current value resulting from distortion effect, and superconducting equipment constructed by this method.例文帳に追加

短い線材を接続してできるだけ長い線材を製造することができ、かつ歪みの影響による臨界電流値の低下を抑制することが可能な酸化物超電導線材の接続方法と、その方法によって構成される超電導機器を提供する。 - 特許庁

In a fault diagnosing unit which is equipped with a thermal FETQA for controlling the power supply from a power source to a wiper motor 102, being switched, according to a control signal, a comparator CMP2 compares the load current flowing in the wiper motor 102 with a prescribed threshold.例文帳に追加

制御信号に応じてスイッチング制御され電源からワイパモータ１０２への電力供給を制御するサーマルＦＥＴＱＡを備えた故障診断装置において、コンパレータＣＭＰ２は、ワイパモータ１０２に流れる負荷電流を所定のしきい値と比較する。 - 特許庁

A light emission diode (LED) is connected to the first PN junction diode, and the electric current detecting threshold substantially proportional to the difference between the forward direction electric voltage drop of the LED and the forward direction electric voltage drop of the first PN junction diode is provided.例文帳に追加

発光ダイオード（ＬＥＤ）がこの第１のＰＮ接合ダイオードに結合され、ＬＥＤの順方向電圧降下と第１のＰＮ接合ダイオードの順方向電圧降下の間における差と実質的に比例する電流検出しきい値を提供する。 - 特許庁

When a temperature detected by temperature detection means 11 at startup of a device is lower than a specific temperature, current supplied from a battery 12 to each component in the device is gradually increased each time the amount of a voltage drop per unit time is equal to or less than a threshold.例文帳に追加

温度検出手段１１の検出した装置の起動時の温度が特定の温度未満であるときは、単位時間当たりの電圧降下量が閾値以下となるたびにバッテリ１２から装置の各部品に供給する電流を段階的に増加させる。 - 特許庁

The potential at the contact portion of the gate electrode of the driving transistor Dr-Tr with the holding capacitor Cs is changed by a resonant current flowing in the resonant circuit, then, the threshold voltage of the driving transistor Dr-Tr is stored in a writing capacitor Cw.例文帳に追加

この共振回路に流れる共振による電流により駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極と保持容量Ｃｓの接続部分の電位を変化させ書込容量Ｃｗに駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒの閾値電圧を記憶する。 - 特許庁