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threshold currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1912件
Afterwards, a determination is made on whether or not a present operation area falls within a fuel cut permission area (102), and when falling within the fuel cut permission area, the existence of combustion abnormality (a misfire or incomplete combustion) is determined by whether or not the ion current peak value Ib is a combustion abnormality determining threshold value Io or less (103).例文帳に追加
この後、現在の運転領域が燃料カット許可領域内であるか否かを判定し(102)、燃料カット許可領域内であれば、イオン電流ピーク値Ib が燃焼異常判定しきい値Io 以下であるか否かで、燃焼異常(失火又は不完全燃焼)の有無を判定する(103)。 - 特許庁
Then a minimum value of the first coefficient is pre set so that a voltage at a node 900 when the first coefficient has the minimum value (in a minimum grayscale) is larger than a predetermined first value set larger than operation threshold voltages of PMOS transistors Q41 to Q44 of the current output section 30.例文帳に追加
そして、上記第1係数が最小値のとき(最小階調のとき)のノード900の電圧が、電流出力部30のPMOSトランジスタQ41〜Q44の動作閾値電圧よりも大きく設定される所定の第1の値以上となるように、第1係数の最小値が予め設定される。 - 特許庁
To provide a semiconductor relay in which even when the impurity concentration of a base is increased for reducing a leak current between the drain and source of an output stage MOSFET, a gate threshold voltage Vt or ON resistance Ron is not increased and a switching time is not increased or ON resistance is not increased, as a result.例文帳に追加
本発明の課題は、出力段MOSFETのドレイン・ソース間のリーク電流を低減するためベースの不純物濃度を高くしても、ゲート閾値電圧Vtやオン抵抗Ronが増加せず、その結果、スイッチング時間が増加したりオン抵抗が増加したりすることがない半導体リレーを提供することである。 - 特許庁
The number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor laser structure 200 is decreased by the p-n tunnel junction 220 to reduce dispersion loss, threshold current density thereby decreases to lower total series resistance, and higher growth temperature is obtained to improve structural quality of a laser.例文帳に追加
このp−nトンネル接合220により、窒化物系半導体レーザ構造200におけるp型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 - 特許庁
In the invention of claim 1, an iron core temperature in carrying a current is measured online by attaching a temperature sensor 8 to the iron core 4 of each coil 5 of the jacket roll; the iron core temperature in reaching an equilibrium position by raising the temperature is compared with a reference temperature; and an alarm is outputted when a temperature difference between both of them exceeds a threshold value.例文帳に追加
請求項1の発明では、ジャケットロールの各コイル5の鉄芯4に温度センサ8を取付けて通電中の鉄芯温度をオンラインで測定し、昇温して平衡点に達したときの鉄芯温度を基準温度と比較し、両者の温度差が閾値を越えたときに警報を出力する。 - 特許庁
When the threshold value is exceeded, the automatic control unit 13b starts display from past caption content before the time point of the excess by a predetermined time or a predetermined number of caption display processing units and until caption content corresponding to the current audio can be displayed, allows display of caption content at a predetermined display speed higher than a normal display speed.例文帳に追加
自動制御部13bは、上記閾値を超えた場合、超えた時点より所定時間前又は所定数の字幕表示処理単位分前の過去の字幕コンテンツから現在の音声に対応する字幕コンテンツを表示できるまで、通常の表示速度より速い所定の表示速度で字幕コンテンツを表示させる。 - 特許庁
When the output voltage of the auxiliary power source is equal to or less than a first voltage threshold Vth1, the ECU turns on/off a switching element on the lower stage side (earth side) of a boost circuit to charge the auxiliary power source, and based on the output current value Ib of the main power source, varies the on-duty ratio of the switching element.例文帳に追加
そして、補助電源の出力電圧が第1の電圧閾値Vth1以下である場合には、補助電源を充電すべく昇圧回路の下段側(接地側)のスイッチング素子をオン/オフさせるとともに、主電源の出力電流値Ibに基づいて、そのスイッチング素子のオンDuty比を可変する。 - 特許庁
In an electronic wiring circuit breaker, a CPU determines on an overcurrent state, based on the detected value of a passage current (S11), counts a time duration of the overcurrent (S12); and when the counted value reaches a threshold (S13), the counted value is written in a nonvolatile memory part (S14), and then a main contact is opened (S15).例文帳に追加
電子式の配線用遮断器において、CPUは、線路電流の検出値に基づいて過電流状態を判定し(S11)、過電流の継続時間をカウントし(S12)、そのカウント値が閾値に達したときに(S13)、カウント値を不揮発性記憶部に書き込んだ後に(S14)、主接点を開放する(S15)。 - 特許庁
In a BD reproduction device (an optical disk device) 10 including an optical pickup 11 which has a laser diode 22 to reproduces an optical disk d, a ceiling on the number of retrying related to a servo error or a disk determination mistake is raised when a drive current value which increases according to deterioration in the laser diode 22 exceeds a predetermined threshold.例文帳に追加
光ディスクdの再生を行うレーザダイオード22を有する光ピックアップ11を備えたBD再生装置(光ディスク装置)10において、レーザダイオード22の劣化に応じて増加する駆動電流値が所定の閾値を超えた場合、サーボエラー又はディスク判別ミスに対するリトライ回数の上限を上げる構成とする。 - 特許庁
In the cleaning device, when the driving current of a driving motor 30 for driving and rotating a photoreceptor drum 2 becomes greater than a predetermined threshold during an image formation period, a roller controller 24 increases rotation speed of a cleaning roller 10 to a prescribed speed during a non-image formation period after the end of the image formation period.例文帳に追加
ローラ制御部24は、画像形成期間において、感光体ドラム2の回転駆動を行う駆動モータ30の駆動電流が予め定められた閾値より大きくなった場合に、その画像形成期間終了後の非画像形成期間において、クリーニングローラ10の回転速度を所定の速度に上げるようにした。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator allowing a low threshold current and an end structure reducing a chip width on an element end for the laser resonator on a semipolar plane of a support substrate with a c-axis of a hexagonal group III nitride inclined in the direction of an m-axis.例文帳に追加
六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器と該レーザ共振器のための素子端部にチップ幅を縮小可能な端部の構造とを有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
The electric circuit 4214 cuts off supply of electric power to the SL1 linear solenoid valve 4210 when the total valve of respective current values ISL(1), ISL(2) and ISL(3) supplied to the SL1 linear solenoid value 4210, an SL2 linear solenoid valve 4220 and an SL3 linear solenoid valve 4230 is a threshold value ISL(O) or more.例文帳に追加
電気回路4214は、SL1リニアソレノイドバルブ4210、SL2リニアソレノイドバルブ4220およびSL3リニアソレノイドバルブ4230に供給される各電流値ISL(1)、ISL(2)およびISL(3)の合計値がしきい値ISL(0)以上である場合、SL1リニアソレノイドバルブ4210への電力の供給を遮断する。 - 特許庁
When a register assignment signal S1 has information about a physical register having possibility of future use, a leak current control circuit 12 sets each threshold value voltage of PMOS elements and NMOS elements of registers 13-1, 13-2, etc. to 13-n to V1, and/or sets a power source voltage of a power source 14 to V2.例文帳に追加
レジスタ割当て信号S1が、将来使用される可能性がある物理的なレジスタに関連する情報を有する場合、リーク電流制御回路12は、レジスタ13−1,13−2,...13−nのPMOS素子及びNMOS素子のしきい値電圧をV1とし、及び/又は、電源14の電源電圧をV2とする。 - 特許庁
When the detected load value is smaller than an adult determining threshold and a seat belt is switched into a wear condition from a non-wear condition when comparing the execution time of a routine for determining an occupant at a previous time with a current seat belt wear condition, the CPU changes the value of the non-adult determining flag to "1".例文帳に追加
検出荷重値が大人判定しきい値より小さく、且つ、前回の乗員判定のルーチンの実行時と、現在とのシートベルトの装着状態を比べて、シートベルトが非装着状態から装着状態に切り替わっている場合、CPUは、非大人判定フラグflagの値を「1」に変更する。 - 特許庁
To provide a boosted voltage generating circuit capable of performing pumping operation without a drop owing to the threshold voltage of an NMOS transistor, capable of obtaining a higher boosting efficiency than before, capable of shortening a boosting time, and capable of decreasing also a current con sumed in boosting operation.例文帳に追加
NMOSトランジスタのスレッショルド電圧による降下なしにポンピング動作を行うことができ、従来に比較して高い昇圧効率を得ることができ、昇圧時間を短縮でき、昇圧動作のとき消耗される電流も減少させることができる昇圧電圧発生回路を提供すること。 - 特許庁
In the case that number of times of busy states recorded in a communication history reaches a threshold number of times specified in advance as a result of the count, the control section 2 discriminates it that a specific opposite station is very frequently busy even when re-dialing is executed at a current interval of reading and revises the redialing interval.例文帳に追加
カウントの結果、通信履歴に記録されている使用中状態の回数が予め規定した閾値の回数に達した場合、制御部2は現在の再発呼間隔にて再発呼を実行しても特定の相手局が使用中である頻度が高いと判断し、再発呼間隔の変更を実施する。 - 特許庁
A battery 4 is charged based on the power generation output of the alternator 2 and a capacitor 5 is also charged at a constant voltage (threshold voltage of a high voltage side), and then, a field current is turned off to stop the alternator 2 (so-called alternator-cut state), and the energy stored in the capacitor 5 is supplied to the load.例文帳に追加
オルタネータ2の発電出力により、バッテリ4が充電され、かつ、キャパシタ5も一定電圧(高電圧側の閾値電圧)以上に充電されると、自動的に、オルタネータ2はフィールド電流がオフされて発電停止状態(いわゆるオルタカットの状態)になり、キャパシタ5の蓄積エネルギが負荷に給電される。 - 特許庁
In the case that mail traffic is congested with the result that mail cannot normally be sent/received, contrivances are made such that a channel mode is selected, the threshold value is revised depending on the number of GPS reception satellites, the GPS satellites are selected in the order of higher elevation angles to calculate the current position, and a bar code interface function is attached to the mobile terminal.例文帳に追加
また、メールのトラヒックが混雑し、正常にメールの送受信が出来ない場合、回線モードに切り替える、上記規定値をGPS受信衛星数で変更できる、GPS衛星を仰角の高い順に選択して現在位置を演算する、携帯端末にバーコードインタフェース機能を付加する等の工夫がされている。 - 特許庁
At the same time, a latch & encoder 12 which has a larger occupation area in the entire A/D conversion circuit than the pulse delay circuit 10 and does not require high-speed operation, is configured using a transistor with little leak current and high threshold voltage Vth4 (>Vth1), thereby suppressing increase in power consumption in the entire A/D conversion circuit.例文帳に追加
これと共に、パルス遅延回路10よりA/D変換回路全体に対する占有面積が大きく、高速動作の必要がないラッチ&エンコーダ12を、リーク電流の少ない高閾値電圧Vth4 (>Vth1 )のトランジスタを用いて構成することにより、A/D変換回路全体で見た消費電力の増大を抑制する。 - 特許庁
A power source scanner switches a feeding line DS of previous line, from high potential to low potential before the mobility correcting operation, and after the threshold potential correcting operation, introduces a capacity coupling voltage into one current terminal of the transistor T2 for driving via auxiliary capacitance Csub and to make it conduct normal execution of the mobility correcting operation.例文帳に追加
電源スキャナは、閾電圧補正動作の後で移動度補正動作の前に、前行の給電線DSを高電位から低電位に切り換え、補助容量Csubを介して容量カップリング電圧を駆動用トランジスタT2の一方の電流端に入れ、以って移動度補正動作を正常に行わせる。 - 特許庁
A timer starts time count simultaneously with the start of charging (S11), and if the time count exceeds a threshold Ta (Y in S13) before the charging voltage reaches Vf (N in S12), it is determined that the leakage current of the electrolytic capacitor is abnormally large, and the charging is prohibited and an alarm is outputted (S14, S15).例文帳に追加
補充電の開始と同時にタイマによる計時が開始され(S11)、充電電圧がVfに達する前に(S12でN)計時が閾値Taを超えた場合(S13でY)には、電解コンデンサの漏れ電流が異常に大きいと判断し、充電を禁止するとともに警報を出力する(S14、S15)。 - 特許庁
After a voltage stress or a current stress is applied to an MIS transistor formed in the scribe region of a semiconductor wafer for forming a product, the S factor, threshold voltage or transconductance characteristics of the transistor is measured, and the results are compared with specified management values, thus managing the fabrication process.例文帳に追加
製品が形成される半導体ウエハのスクライブ領域にMISトランジスタを形成し、電圧ストレス又は電流ストレスを付加した後に、トランジスタのS因子、闘値電圧又は相互コンダクタンス特性を測定し、その測定結果と所定の管理値を比較・判定することで製造工程の管理を行う。 - 特許庁
When a deviation ΔT between a presumed temperature Te calculated from a charge/discharge electricity current and a cooling performance of a secondary battery and an actual cell temperature Tb, is larger than a threshold Tr (S100 to S106), a fan for cooling is driven in Hi mode at first (S112), and an unusual rise of the temperature of the secondary battery is suppressed.例文帳に追加
二次電池の充放電電流と冷却性能とから計算される推定温度Teと実際の電池温度Tbとの偏差ΔTが閾値Trより大きいときには(S100〜S106)、まず冷却用のファンをHiモードで駆動して(S112)、二次電池の温度の異常な上昇を抑制する。 - 特許庁
To provide an optical communication system which can reduce power consumption at a low-cost on the whole by using a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as a light emitting source and using a circuit formed of a CMOS for a semiconductor laser drive IC.例文帳に追加
動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、半導体レーザ駆動ICがCMOSからなる回路を用いる事により、システム全体の消費電力の低減及び低コスト化を可能とする光通信システムを提案することにある。 - 特許庁
The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement.例文帳に追加
本発明に係る半導体試験装置1は、プローバ2、測定装置3、電子制御装置4を備えており、半導体素子10のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。 - 特許庁
To provide a reliable integrated semiconductor laser which has a low threshold current density and a superior temperature characteristic and can be used suitably for an optical pickup head for both DVD and CD by monolithically integrating a plurality of 'effective refractive-index-guide type' lasers having high lateral mode controllability in a unique constitution.例文帳に追加
横モード制御に優れる「実屈折率ガイド型」の複数のレーザを、独特の構成によりモノリシックに集積することにより、しきい値電流密度が低く、温度特性や信頼性にも優れ、DVD/CD兼用光ピックアップヘッドに用いて好適な集積型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
In a manufacturing method, an ion is doped to taper-shaped peripheral end parts 16t and 17t of first and second semiconductor layers 16 and 17 being etched in an island shape on an insulating board 13 for making them amorphous, the current drive capacity of the peripheral end parts 16t and 17t is deteriorated, and influence to a threshold voltage is reduced.例文帳に追加
絶縁基板13上にて島状にエッチング加工される第1及び第2の半導体層16、17のテーパー状の周囲端部16t、17tにイオンドーピングを行い、非晶質化する事により周囲端部16t、17tの電流駆動能力を劣化させ、しきい値電圧への影響を低減する。 - 特許庁
The display device corrects irregularity of a transistor TR2 and sets gradation by setting a signal level of a signal line SIG after setting the threshold voltage of the transistor TR2 in the capacitor Cs2 for holding a signal level provided between gate sources of the transistor TR2 to the transistor TR2 driving by current the light emitting element 12.例文帳に追加
発光素子12を電流駆動するトランジスタTR2に対して、そのゲートソース間に設けられた信号レベル保持用のコンデンサCs2にトランジスタTR2のしきい値電圧を設定した後、信号線SIGの信号レベルを設定することにより、トランジスタTR2のばらつきを補正して階調を設定する。 - 特許庁
Further, second high-speed heat treatment is applied to an entire panel, defects in the crystal grains are reduced in a region PSI made polycrystalline by the former energy beam to obtain a high quality polycrystalline semiconductor film for use in a high performance circuit TFT with a high on-current, a low threshold value, little variation, and steep rising characteristics.例文帳に追加
更に第二の高速熱処理をパネル全面に行い、先のエネルギービームで多結晶化した領域PSIでは結晶粒内の欠陥を低減させ、高いオン電流、低いしきい値、低ばらつき、急峻な立ち上がり特性を持つ高性能回路用TFT用の高品質多結晶半導体薄膜を得る。 - 特許庁
If the error between radio wave intensity of access points capable of receiving and the data of the radio intensity table does not show a threshold value or less, a portable wireless terminal 30, in accordance with the combination, selects a combination of plural access points capable of receiving and determines a current location by estimating a distance from each selected access point by radio wave intensity.例文帳に追加
携帯無線端末30は、受信可能なアクセスポイントの電波強度と電波強度一覧表のデータとの誤差が閾値以下でなければ、前記組合せに応じて受信可能な複数のアクセスポイントの組合せを選定し、選定された各アクセスポイントからの距離を電波強度から推定して現在位置を求める。 - 特許庁
When the vehicle body speed becomes not larger than the first threshold value, the differential pressure amount such that the target W/C pressure change gradient obtained in the target W/C pressure calculation part 100a becomes small is set, and the duty ratio of ON/OFF of the current supplied to the respective linear valves SLFR to SLRR is set so as to be the differential pressure amount.例文帳に追加
そして、車体速度が第1しきい値以下になると目標W/C圧演算部100aで求められた目標W/C圧の変化勾配が小さくなるような差圧量を設定し、その差圧量となるように各リニア弁SLFR〜SLRRに対して流す電流のON/OFFのデューティ比を設定する。 - 特許庁
In such a case, VTP is threshold voltage of the P channel MOS transistor 1, αp is operating voltage of the P channel MOS transistor 1, and βp is drain voltage needed to saturate drain current Idp when bias voltage (VTP+αp) is applied between the gate Gp and the source Sp of the P channel MOS transistor 1.例文帳に追加
ここで、VTPは、PチャンネルMOSトランジスタ1の閾値電圧、αpは、PチャンネルMOSトランジスタ1の動作電圧、βpはPチャンネルMOSトランジスタ1のゲートGp・ソースSp間にバイアス電圧(VTP+αp)が印加されているときにドレン電流Idpが飽和するのに必要なドレン電圧である。 - 特許庁
By changing reset voltage in a reset period 361 in accordance with voltage applied to the source electrode of the transistor for driving, the gate-to-source voltage of the transistor for driving before starting characteristic correction is ensured to be high without depending on the gradation, and then the drain current is secured, thereby performing the cancellation of the threshold all over the gradation.例文帳に追加
駆動用トランジスタのソース電極に印加される電圧に応じて、リセット期間361におけるリセット電圧を変化させ、特性補正開始前の駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧を、階調によらず大きく取れるようにし、ドレイン電流を確保することで、閾値キャンセルを全階調にわたって行えるようにした。 - 特許庁
To provide a pixel circuit and a display device, wherein a current of a desired value can be stably and accurately supplied to a light emitting element in each pixel independently of the variance in threshold of active elements in pixels to prevent a gradient of luminance in a display image and an image of high quality can be displayed as a result.例文帳に追加
画素内部の能動素子のしきい値のばらつきによらず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、表示画像の輝度に勾配ができることを防止でき、その結果として高品位な画像を表示することが可能な画素回路、および表示装置を提供する。 - 特許庁
According to the power unit 10 for welding, when an electrode 34 and a base metal 36 as loads are separated each other, and an arc is not generated between both, i.e., in an unloaded state, strictly, when output current Io lies in a prescribed threshold Ib or below, an inverter 20 is intermittently driven.例文帳に追加
この発明に係る溶接用電源装置10によれば、負荷としての電極34および母材36が互いに離れており、これら両者の間にアークが発生していない、いわゆる無負荷状態にあるとき、厳密には出力電流Ioが所定の閾値Ib以下であるとき、インバータ20は、間欠的に駆動される。 - 特許庁
A reception circuit 1 is constituted of a light reception means 2, an amplifier 3 converting received current I1 generated in the light reception means 2 into a voltage signal V1 and comparator 4 which binarizes the voltage signal V1 of the amplifier 3, based on a threshold VTH and outputting the binary signal to an inner circuit as a reception signal RX.例文帳に追加
受信回路1は、受光手段2と、受光手段2にて発生する受信電流I1を電圧信号V1に変換する増幅器3と、増幅器3の電圧信号V1をしきい値VTHに基づいて2値化し、その2値信号を受信信号RX として内部回路に出力する比較器4とからなる。 - 特許庁
The image forming device is constituted of a secondary transfer high-voltage circuit, a secondary transfer current detection circuit, a transfer roller, a transfer roller driving unit, and a transfer roller driving circuit environment sensor to perform highly accurate and highly reliable detection of a secondary transfer unit, by varying the abutting/separation interval and a failure detection threshold according to the output from an environment sensor.例文帳に追加
二次転写高圧回路、二次転写電流検出回路、転写ローラ、転写ローラ駆動ユニット、転写ローラ駆動回路環境センサから構成され、環境センサの出力により、当接離間並びに、故障検知閾値を可変することにより高精度高信頼性の二次転写ユニット検知を行う。 - 特許庁
Threshold voltages (V_t) of certain transistors is lowered at low power supply voltage (VCC) levels, low temperature and/or high V_t process conditions to assure adequate transistor drive but can also be raised at high VCC levels, high temperature and/or low V_t process conditions to reduce leakage current.例文帳に追加
いくつかのトランジスタのしきい値電圧(V_t)を、低電源電圧(VCC)レベル、低温および/または高V_tプロセス条件において下げて適切なトランジスタ駆動を確実にする一方、高VCCレベル、高温および/または低V_tプロセス条件において上昇させて漏れ電流を減少させることもできる。 - 特許庁
In the meantime, high speed rotation of the motor is realized by carrying out the field weakening in addition to the boosting (S22) when a motor q-axis electric current is lower than a specified threshold value (S20:Yes) in a state reaching the boosting upper limit in the boosting circuit 60 (S18:Yes).例文帳に追加
一方、昇圧回路60での昇圧上限に達した状態で(S18:Yes)、モータq軸電流が所定閾値以下の際に(S20:Yes)、即ち、昇圧回路での上限のモータ回転数に達したときに、昇圧に加えて界磁弱めを行うことでモータの高速回転を実現する(S22)。 - 特許庁
When the input signal IN is transferred from the Lo level to the Hi level, the transistor MP3 is turned ON until the input signal IN exceeds the logic threshold value, and a High-level input voltage ViH is increased by the current section of the transistor MP4 in the High-level input voltage ViH.例文帳に追加
入力信号INがLoレベルからHiレベルに遷移した際には、トランジスタMP3は入力信号INが論理しきい値をこえるまではONとなり、Highレベル入力電圧ViHは、トランジスタMP4の電流分だけHighレベル入力電圧ViHが上がることになる。 - 特許庁
The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18.例文帳に追加
p型AlGaInP下部クラッド層17は、Beの濃度が、AlGaInP光ガイド層16側端が1.8×10^18cm^-3であり、エッチングストップ層18側端が1.0×10^18cm^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。 - 特許庁
A synchronization control unit 160 performs control to reproduce the material motion picture from the target reproducing position, if a difference between the target reproducing position of the material motion picture calculated by the target reproducing position calculation unit 162 and the current reproducing position of the material motion picture acquired by the reproducing position acquisition unit 152 is greater than a preset threshold.例文帳に追加
同期制御部160は、目標再生位置算出部162が算出した資料動画の目標再生位置と、再生位置取得部152が取得した資料動画の現在の再生位置と、の間の差が予め設定された閾値より大きい場合に、資料動画を目標再生位置から再生させる制御を行う。 - 特許庁
It is determined that the battery is fully charged, when a state continues for a certain time T_20 with the difference between a command voltage of the battery at charging time and its effective voltage being lower than a given value and when a state continues for a certain time T_10 that a battery current I is lower than a prescribed threshold I_0.例文帳に追加
充電時におけるバッテリの指令電圧とバッテリの実電圧との差が所定値を下回る状態が一定時間T_20だけ継続し、かつ、バッテリ電流Iが所定のしきい値I_0を下回る状態が一定時間T_10だけ継続する場合に、バッテリが満充電状態にあると判定する。 - 特許庁
The ridge form of a p-channel InP clad layer is formed on a p-channel AlGaInAs clad layer via a p-channel InP layer and a p-channel etching stopper layer to suppress a series resistance due to discontinuous hand between the etching stopper layer and the AlGaInAs clad layer from being increased and to reduce a threshold current of the laser.例文帳に追加
p型InPクラッド層のリッジ形状を、p型AlGaInAsクラッド層上に、p型InP層及びp型エッチングストッパ層を介して形成することにより、エッチングストッパ層とAlGaInAsクラッド層とのバンド不連続による直列抵抗の増加を抑制し、レーザのしきい値電流を低減する。 - 特許庁
The scanner units 4 and 5 perform preparing operations for canceling the threshold voltage of the driving transistor Trd in a time-division manner by using a plurality of horizontal scanning periods allocated to rows precedent to pixels 2 in a current row, and intervals of the time-division operations are set long enough to make the light emitting element EL discharge.例文帳に追加
スキャナ部4,5は、当該行の画素2に先行する行に割り当てられた複数の水平走査期間を利用して、ドライブトランジスタTrdの閾電圧をキャンセルするための準備動作を時分割的に行うとともに、時分割する間隔を発光素子ELが放電するのに十分な程度に長く設定する。 - 特許庁
When there is an abnormality that a detection value of current flowing in the fuel injection valve does not exceed a threshold value (a step S10: NO), idling drive wherein a drive pulse in a short time where the fuel is not injected from the fuel injection valve is applied to the fuel injection valve more than once, after fuel cut processing is performed (a step S12).例文帳に追加
燃料噴射弁に流れる電流の検出値が閾値を超えない異常がある場合(ステップS10:NO)、燃料カット処理を行なった後(ステップS12)、燃料噴射弁から燃料が噴射されないような短時間の駆動パルスを燃料噴射弁に対し複数回与える空打ち駆動をする。 - 特許庁
A driving method for the optical gyro has a plurality of annular resonator type semiconductor lasers having different oscillation threshold current differences between the laser light in one travelling direction and the laser light in the reverse direction and injects currents corresponding to the respective annular resonator type semiconductor lasers.例文帳に追加
一進行方向のレーザ光と該一進行方向と反対の進行方向のレーザ光との発振しきい値電流差が異なる複数のリング共振器型半導体レーザを有する光ジャイロの駆動方法であって、それぞれのリング共振器型半導体レーザに対応した電流を注入する光ジャイロの駆動方法。 - 特許庁
The controller 8 outputs TxFault, from the TxFault output terminal (b) to the output buffer 11; outputs a shutdown signal to the APC circuit 7 based upon input to the TxDisable input terminal (a); and outputs the TxFault to the external supervisory control signal input/output terminal (g), when a monitor value of a bias current exceeds a shutdown threshold.例文帳に追加
コントローラ8は、バイアス電流のモニタ値がシャットダウン閾値を超えた場合に、TxFault出力端子bから出力用バッファ11にTxFaultを出力し、TxDisable入力端子aへの入力に基づいてAPC回路7へシャットダウン信号を出力すると共に、TxFaultを外部監視制御信号入出力端子gへ出力させる。 - 特許庁
When a location computer 21 finds acceleration equal to a threshold or greater previously set by a navigation sensor 6 in the processing of computing information on a current position; a distance traveled; and a traveling direction, the location computer 21 makes reference to the attributes, cancels acceleration changes, corrects a distance traveled, and executes three-dimensional map matching.例文帳に追加
ロケーションコンピュータ21は、現在位置、移動距離、および、進行方向に関する情報を算出する処理において、ナビゲーションセンサ6においてあらかじめ設定された閾値以上の加速度を検出した場合、属性を参照して、加速度の変化をキャンセルして移動距離を補正して、3次元マップマッチングを実行する。 - 特許庁
To provide a pixel circuit which can realize a high gradation by reducing the crosstalk generated by a change in a gate voltage of a driving transistor by a leakage current of an off region of a pixel switching element to an unrecognizable extent to offset and compensate the threshold voltage of the driving transistor.例文帳に追加
画素スイッチング素子のオフ領域の漏洩電流によって駆動トランジスタのゲート電圧が変化して発生するクロストークを認識不可能な程度に減少させ、駆動トランジスタの閾値電圧を相殺して補償することによって、高階調を実現できる画素回路及びそれを用いた有機発光表示装置を提供する。 - 特許庁
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