「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

When the output level of the light-receiving element 20 is equal to or greater than the threshold value of a comparator 23, the semiconductor switching element 7 is triggered by a trigger circuit 25 to cause the discharge current from the needle electrode 1 to flow from the bypass circuit 8 to ground to instantaneously shut off the discharge.例文帳に追加

この受光素子２０の出力レベルがコンパレータ２３において閾値以上のとき、半導体スイッチング素子７をトリガ回路２５でトリガして針電極１からの放電電流をバイパス回路８からアースへ流し、放電が瞬時に遮断する。 - 特許庁

When incorrect connection of a power supply is detected, the switching element control signal is output to turn the whole lower arm switch on and threshold decision is performed by the switching element control signal based on a detection current.例文帳に追加

一方、電源装置の誤接続を検出する場合には、下アームスイッチ部の全てがオンとなるようなスイッチング素子制御信号を出力し、当該スイッチング素子制御信号によって検出された検出電流に基づいて閾値判定する。 - 特許庁

To suppress low the amount of variation of threshold voltage by suppressing variation of a work function when adopting a high dielectric gate insulating film and a metal gate electrode, and hence restrain the increase of a gate leak current for preventing reliability from being lowered.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲート電極を採用する場合に、仕事関数の変動を抑えて閾値電圧の変動量を低く抑えることができるようにし、ゲートリーク電流の増大を抑えて、信頼性の低下を招かないようにする。 - 特許庁

Since waveform over the threshold of the comparator 6 remains even in case that the input of the comparator 6 is attenuated by the low-pass filter 4, the output signal of the comparator 6 is deflected to positive/negative intermittently, consquently the detection of a heavy grounding current becomes possible.例文帳に追加

比較器６の入力がローパスフィルタ４により減衰した場合にも比較器６のしきい値を超える波形が残るので、比較器６の出力信号が継続的に正／負に振れる結果、重地絡電流の検出が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor for a liquid crystal display device wherein, in formation of a back channel part, no off current or a threshold change is caused to be increased, a semiconductor layer is thinner, and no back channel part is affected by an electric charge accumulation.例文帳に追加

バックチャネル部の形成において、オフ電流やＶthシフト等の増加を引き起こさず、半導体層の薄膜化が図られ、さらにバックチャネル部への電荷蓄積の影響を受けない液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法を得る。 - 特許庁

In this way, since the differential gain of the active region can be made small and the differential gain of a supersaturated absorber can be made large, even if mode loss is reduced, a semiconductor laser which can oscillate through self excitation at a low threshold and a low drive current up to a high temperature can be obtained.例文帳に追加

これにより、モード損失を低減しても活性領域の微分利得を小さく、可飽和吸収体の微分利得を大きく出来るので、低しきい値、低駆動電流で高温まで自励発振する半導体レーザが得られる。 - 特許庁

To provide such amplifier circuits adopting a configuration of a plural ity of stages having off-leak current interruption transistors (TRs) that input sensitivity is enhanced by noise prevention and a signal amplification characteris tic is improved by suppressing a deviation in a circuit threshold value among the amplifier circuits.例文帳に追加

オフリーク電流遮断用トランジスタを有する複数段構成の増幅回路において、ノイズの防止による入力感度の向上、及び、各増幅回路間における回路閾値のずれの抑制による信号増幅特性の向上を図る。 - 特許庁

The method of controlling an optical amplifier for detecting an input signal interruption and controlling a pumping light source is used to control the driving current of the pumping light source or a driving voltage at a threshold of the pumping light source or smaller when the input signal interruption is detected.例文帳に追加

入力信号断を検出して励起光源を制御する光増幅器の制御方法において、入力信号断検出時に励起光源の駆動電流または駆動電圧を、励起光源のしきい値以下に制御する制御方法。 - 特許庁

According to these arrangements, the garbage disposer measures the motor electric current which flows into the motor and detects the amount of the garbage pooled in the treatment container 42 by comparing the predetermined threshold data with the measured results.例文帳に追加

このような構成を備えることにより、生ゴミ処理装置１は、モータへ流入するモータ電流を計測し、計測結果を所定の閾値データを比較することにより、処理容器４２内に溜まっている生ゴミの量を検出するものである。 - 特許庁

When there is no difference between the input voltage and the output voltage of the switching element 3 and the value of lamp current is larger than the threshold value, a lamp-protection means 17 turns on a thyristor 18, short-circuits the output of a chopper circuit 2 and protects the discharge lamp 12.例文帳に追加

ランプ保護手段１７はスイッチング素子３の入力電圧と出力電圧に差がなく、しかもランプ電流がしきい値より大きい場合には、サイリスタ１８を導通させ、チョッパ回路２の出力を短絡して、放電ランプ１２を保護する。 - 特許庁

By lowering potential of the gate electrode 43 like this, the potential of the gate electrode 43 can be set in such stable region as a current i of a thin-film diode 4 does not fluctuate even if a threshold value of the thin-film diode 4 fluctuates.例文帳に追加

こうして、ゲート電極４３の電位を低くすることで、薄膜ダイオード４の閾値が変動した場合であっても、薄膜ダイオード４の電流ｉが変動しないような安定領域にゲート電極４３の電位を設定することができる。 - 特許庁

The vehicle side controller 26 also determines that foreign matter exists between the primary side resonance coil 13b and the secondary side resonance coil 21b in the case that an absolute difference value between the estimated impedance and a current impedance of the secondary battery 25 is higher than a threshold value.例文帳に追加

また、車両側コントローラ２６は、インピーダンス推定値と、現在の２次電池２５のインピーダンス値との差の絶対値が閾値より大きい場合に異物が１次側共鳴コイル１３ｂと２次側共鳴コイル２１ｂとの間に存在すると判断する。 - 特許庁

Moreover, a power generation output control unit is prepared for detecting effective power and reactive power from a detected current and voltage and outputting a delay-phase reactive power, when the detected voltage is equal to or less than a preset threshold.例文帳に追加

また、検出された電流及び電圧から有効電力と無効電力とを検出するとともに、検出された電圧が予め設定された閾値以下であった場合に遅相無効電力を出力する発電出力制御部を備えた。 - 特許庁

To provide an element structure that can realize a short resonator laser which can be operated at a high speed with a low-threshold current or a wavelength tunable laser which is excellent in wavelength stability, and to provide a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

開示技術の課題は、上記の問題を克服し低しきい値電流で高速動作可能な短共振器レーザや波長安定性に優れた波長可変レーザを実現する素子構造およびその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which realizes a low voltage operation and a low standby current in a simpler manufacturing step without using a complicated manufacturing step of forming a device of a plurality of threshold voltages and taking a body potential.例文帳に追加

複数の閾値電圧のデバイスを形成したり、ボディ電位をとったりするといった複雑な製造工程を用いることなく、より簡単な製造工程にて低電圧動作、低スタンバイ電流を実現する半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To hold a stable state during a wait by reducing a leak current during the wait without increasing a chip area and deteriorating characteristics in operations in a semiconductor integrated circuit using a low threshold device in which a high-speed operation is made possible by a low power supply voltage.例文帳に追加

低電源電圧で高速動作が可能な低しきい値デバイスを用いた半導体集積回路において、チップ面積増大や動作時の特性劣化を招くことなく待機時のリーク電流を削減し、待機時の安定状態を保持する。 - 特許庁

The transmitting control section 13 controls the transmission of the driving pulse by a transmitting section 11 such that the sum of the peripheral temperature T_amb and the temperature rising value ΔT in the current transmitting condition dose not exceed the temperature threshold value T_thduring inspection.例文帳に追加

検査の際には、周囲温度Ｔ_ａｍｂと現在の送信条件における温度上昇値ΔＴとの和が上記温度しきい値Ｔ_ｔｈを超えないように、送信制御部１３が送信部１１による駆動パルスの送信を制御する。 - 特許庁

However, at the time of a disconnection generated state, a current does not flow to the payout detection circuit 87 of the payout control means 70 and the detection signals provided with a signal level (about 7.8 V) exceeding the threshold voltage are supplied to the positive input terminal.例文帳に追加

しかし、断線発生状態のときには、払出し制御手段７０の払出し検出回路８７に電流が流れず、＋入力端子にはしきい値電圧を跨いで越える信号レベル（約７．８Ｖ）を有する検出信号が供給される。 - 特許庁

When energizing frequency ω_r is smaller than a predetermined value depending upon the thermal time constant of a power switching element, a threshold level L_t relative to a current value for switching a PWM frequency corresponding to the energizing frequency ω_r is determined (S3).例文帳に追加

励磁周波数ω_ｒがパワースイッチング素子の熱的な時定数によって決まる設定値より小さいときには、励磁周波数ω_ｒに応じてＰＷＭ周波数を切り替えるための電流値に対するスレショルドレベルＬ_ｔを求める(Ｓ３)。 - 特許庁

The 1st and 2nd detecting transistors 113, 114 detect the threshold voltage of the driving transistor 111 in advance of current-driving of the electro-optical device 117, and hold the potential detected for offsetting the influence beforehand to the capacitive element C111.例文帳に追加

第１及び第２検知トランジスタ１１３，１１４は、電気光学素子１１７の電流駆動に先だってドライブトランジスタ１１１の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に検知した電位を容量素子Ｃ１１１に保持する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which can be manufactured at a low cost, and has high oscillation efficiency by preventing oscillation laser beam from leaking up to an electrode prepared at a ridge side, further, can operate in low power (low threshold current).例文帳に追加

低コストで製造できて、かつ、リッジ部側に設けられた電極にまで発振レーザ光が漏れないようにすることによって高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能な半導体レーザ素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents hydrogen from being retained in a gate insulating film, which changes a threshold voltage of a transistor without generating a field mismatch in the gate insulating film and which prevents an on current from being deteriorated, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中への水素残留を防止すると共に、ゲート絶縁膜に界面不整合を発生させず、トランジスタの閾値電圧の変動やオン電流の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The peak current limit threshold or the operating frequency are trimmed during manufacture specifically to maintain the I_p^m×f^n product substantially constant during operation from one power supply controller to another where m is substantially equal to 2 and n is substantially equal to 1.例文帳に追加

ピーク電流制限閾値または動作周波数は、具体的には、電源制御器ごとに、Ｉ_ｐ^ｍ・ｆ^ｎの積を実質的に一定に維持するように調節され、ここでｍが実質的に２に等しく、かつｎが実質的に１に等しい。 - 特許庁

In particular, in the control device, in learning of the reference position, based on the situation where an absolute value of a duty ratio which is a ratio of current-carrying time to a brushless motor 41 exceeds a threshold value, it is determined that the control shaft 34 reaches the Lo end position.例文帳に追加

この制御装置では特に、同基準位置の学習に際して、ブラシレスモータ４１への通電時間の割合であるデューティ比の絶対値が閾値以上となることに基づいてコントロールシャフト３４がＬｏ端位置まで達した旨を判断する。 - 特許庁

Current distribution can be sufficiently reduced as compared with optical distribution in the horizontal direction without extremely deteriorating laser characteristic like a threshold value, so that stable self-excited oscillating operation up to a high temperature which is impossible in the conventional case is enabled.例文帳に追加

本発明によれば、しきい値などのレーザ特性を極端に悪化させることなく、水平方向の光分布に比べて電流分布を十分小さくできるため、従来不可能であった高温まで安定した自励発振動作が可能となる。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

An RC parallel circuit 12 gradually assumes a high conversion rate state when a short circuit current Is1 keeps flowing, and when energizing time becomes t1, a terminal voltage Vo exceeds a threshold voltage Vr and abnormal signals S2 are outputted from a comparator 32.例文帳に追加

短絡電流Ｉｓ１が流れ続けると、ＲＣ並列回路１２が次第に高変換率状態となり、通電時間がｔ１になったときに、端子電圧Ｖｏが閾値電圧Ｖｒを超えてコンパレータ３２から異常信号Ｓ２が出力される。 - 特許庁

To provide a semiconductor element where the generation of an electric field between a drain impurity area and an impurity layer for threshold voltage control is prevented, leak current is reduced and the reliability of the semiconductor is improved, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン不純物領域としきい値電圧調節用不純物層との間の電界発生を防止して漏洩電流を減少させ、半導体素子の信頼性を改善できるようにした半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When noise is detected (S102:Yes), the threshold of over-current detection is made higher than a normal reference value (S104) and the start of a protecting operation is determined (S112), so that an accidental start of the protecting operation by the noise can be prevented.例文帳に追加

ノイズを検出した際に（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、過電流検出のしきい値を通常の基準値よりも高めて（Ｓ１０４）、保護動作開始を判断するため（Ｓ１１２）、ノイズにより保護動作が誤って開始されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

The management device 307 outputs a control signal for stopping the output of alternating-current power to at least one of the inverter 104 and the switch 105, when a period from the transmission of the identification information to the reception of response information exceeds the threshold.例文帳に追加

管理装置３０７は、識別情報の送信から返信情報の受信までの期間が閾値を越える場合、交流電力の出力を停止するための制御信号をインバータ１０４および開閉器１０５の少なくとも一方に出力する。 - 特許庁

In automatic-zero operation, a TFT 115 is turned on together with a TFT 113 to connect a reference current line ISL to a driving transistor TFT 111 of a pixel through a 1st node ND 111, and variance in threshold Vth is corrected.例文帳に追加

オートゼロ動作時に、ＴＦＴ１１３とともにＴＦＴ１１５をオンさせて、画素のドライブトランジスタＴＦＴ１１１に第１のノードＮＤ１１１を通して基準電流線ＩＳＬを接続して、しきい値Ｖｔｈのバラツキの補正を行う。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device with built-in drive circuit having a small number of control clock lines by using an inverter circuit which has small influences of manufacture variations in threshold voltage and ON resistance of a transistor, quickly rises and falls, and has small current consumption.例文帳に追加

トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの製造バラツキやオン抵抗の影響が小さく、立ち上がり、立下りが高速で、消費電流の小さいインバータ回路を用いて、制御クロック線数の少ない駆動回路一体型の液晶表示装置 - 特許庁

Load resistors R1 and R2 of current switch parts (10 and 20) are directly connected to the GND and when a DC gain is defined as Gv (dc), the threshold voltage of a constitutive transistor is defined as Vth and a minimum logic amplitude is defined as Vgst, the inequality of 'Gv(dc)≥1-2Vth/Vgst' is set.例文帳に追加

電流スイッチ部（１０と２０）の負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２をＧＮＤに直接接続すると共に、ＤＣ利得をＧv(dc)、構成トランジスタのしきい値電圧をＶth、最小論理振幅をＶgstとするとき、「Ｇv(dc)≧１−２Ｖth／Ｖgst」に設定する。 - 特許庁

To eliminate current component due to the concentration of a gate field at the end of a silicon thin film which is generated at the end of an island-type semiconductor thin film of a top-gate thin film transistor, or the deviation of a threshold value, which is generated by a fixed charge near the end of the silicon thin film.例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタの島状半導体薄膜の端部で発生するシリコン薄膜端部でのゲート電界の集中やシリコン薄膜端部近辺の固定電荷起因の閾値のずれによる電流成分を消失させる。 - 特許庁

To reduce a threshold current in a nitride semiconductor device where an active layer having a nitride semiconductor containing In is held between p- and n-type cladding layers, and, especially, light emission is made at a wavelength of at least 440 nm.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４４０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

A method of controlling a brushless motor comprises a step of rectifying an alternating voltage to provide a rectified voltage, a step of exciting a winding of the motor with the rectified voltage and a step of freewheeling the winding when current in the winding exceeds a threshold.例文帳に追加

交流電圧を整流して整流電圧を供給する段階と、整流電圧でモータの巻線を励起する段階と、巻線内の電流が閾値を超える時に巻線をフリーホイールさせる段階とを含むブラシレスモータを制御する方法。 - 特許庁

The polygon is image-rendered in a frame buffer unless a Z value larger than a Z value of the polygon is registered in a Z-buffer, and only if the current α value is larger than the written threshold, the Z value of the polygon is written into the Z-buffer.例文帳に追加

ここで、当該ポリゴンのＺ値よりも大きなＺ値がＺバッファに登録されてなければ、当該ポリゴンをフレームバッファに画像を描画するが、現α値が書込閾値より大きいときのみ、当該ポリゴンのＺ値をＺバッファに書き込む。 - 特許庁

A light-emitting diode (LED) is connected to the first PN junction diode, and a current detection threshold value substantially proportional to a difference between a forward voltage drop of the LED and a forward voltage drop of the first PN junction diode is provided.例文帳に追加

発光ダイオード（ＬＥＤ）がこの第１のＰＮ接合ダイオードに結合され、ＬＥＤの順方向電圧降下と第１のＰＮ接合ダイオードの順方向電圧降下の間における差と実質的に比例する電流検出しきい値を提供する。 - 特許庁

The fuel cell system 80 includes a control means 70 for controlling a power generation amount of the fuel cells such that power generation current density becomes a threshold or lower at sub-zero starting of the fuel cells 10.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池システム（８０）は、燃料電池（１０）の氷点下起動時において、発電電流密度がしきい値以下になるように燃料電池の発電量を制御する制御手段（７０）を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

To reduce power consumption by suppressing the leak current in an MOSFET in an OFF state in an MOS logic circuit composed of a deep submicron MOS having a low threshold voltage, which can operate at high speed with a low power supply voltage, for example.例文帳に追加

例えば低電源電圧で高速動作可能な低しきい値電圧のディープサブミクロンＭＯＳからなるＭＯＳ論理回路において、オフ状態とされたＭＯＳＦＥＴのリーク電流を抑制し、消費電力を少なくすることにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, where hydrogen is prevented from remaining in a gate insulating film, interface mismatching is restrained from occurring in the gate insulating film, and a transistor can be prevented from varying in a threshold voltage and decreasing in an ON-state current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中への水素残留を防止すると共に、ゲート絶縁膜に界面不整合を発生させず、トランジスタの閾値電圧の変動やオン電流の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric power steering apparatus 10 detects, as an anomalous phase, a phase other than combinations of phases having an interphase voltage of near zero volts in the condition that a torque axis current is at a first threshold or less while a torque axis voltage is applied.例文帳に追加

電動パワーステアリング装置１０では、トルク軸電圧が印加されているにも関わらず、トルク軸電流が第１閾値以下の状態において、相間電圧がゼロボルト近傍になっている組合せの相以外の相を異常相として検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing an oxide semiconductor in a semiconductor active layer in which variation in hysteresis, shift of threshold, and increase in off current do not take place even if the semiconductor device is operated in the atmosphere, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、酸化物半導体を半導体活性層に用い、大気中動作を行っても、ヒステリシスの変化、閾値のシフト、およびオフ電流が大きくなることのない半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The newly stored number of rotations is compared with 1000 rotations as a prescribed threshold, and when the number of rotations exceeds 1000 rotations, the partition member 312 is moved to a position opposite to the current position through a solenoid.例文帳に追加

そして、新たに記憶した回転数と、予め定められた閾値である１０００回転とを比較し、その回転数が１０００回転を超えている場合には、ソレノイドを介して、現在の位置と反対方向の位置へ仕切部材３１２を移動させる。 - 特許庁