「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The data architecture includes a data horizon program which uses the output of the vehicle positioning program and data from the map database so as to determine more than one paths, extended from the current vehicle position up to a range relating to a threshold, where the automatic vehicle can travel.例文帳に追加

データ・アーキテクチャはまた、しきい値と関連する範囲まで、現在の車両位置から拡張する、自動車両が走行することができる一つ以上の経路を決定するために、車両測位プログラムの出力及びマップ・データベースからのデータを使用するデータ・ホリゾン・プログラムも含む。 - 特許庁

A control part 29 computes in advance the torque sensitivity per unit current that each coil can output (S10) and selects a coil which can output larger torque sensitivity than the torque threshold which changes, according to a torque command value, from among the coils having each sensitivity (S20).例文帳に追加

制御部２９では、ロータ位置に基づいて、各コイルが出力可能な単位電流当たりのトルク感度を算出しておき（Ｓ１０）、各トルク感度を有するコイルの中から、トルク指令値に応じて変化するトルクしきい値よりも大きなトルク感度を出力可能なコイルを選択する（Ｓ２０）。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device which is suitable for constituting a semiconductor laser apparatus emitting a red laser beam, and which reduces manufacturing process steps of the semiconductor laser apparatus greatly and raises its manufacturing yield realizing both low oscillation threshold current and high reliability of the semiconductor laser apparatus.例文帳に追加

赤色レーザ光を出射する半導体レーザ装置を構成するのに適し、その半導体レーザ装置の低発振閾値電流と高信頼性を両立しつつ、製造工程を大幅に削減し、製造歩留りを向上できる化合物半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In another embodiment, a method monitoring the integrity of a ground member coupling a substrate support to a chamber body in a plasma processing chamber includes monitoring a metric indicative of current passing through the ground member during processing, and setting a flag in response to the metric exceeding a predefined threshold.例文帳に追加

別の実施形態において、プラズマ処理チャンバ内で基板支持体をチャンバ本体部に連結している接地部材の完全性のモニタ方法は、処理中に接地部材を流れる電流を示す計量値をモニタし、所定の閾値を越えた計量値に応答してフラグを設定することを含む。 - 特許庁

When access frequency to the VD 20 is lower than the threshold indicated in the trigger condition, a control mechanism of the state storage device 40 changes the RD 30 constituting the VD 20 to an inexpensive RD 30 having a performance lower than the current RD 30 configuring the VD 20.例文帳に追加

状態格納装置４０の制御機構は、ＶＤ２０に対するアクセス頻度が、トリガー条件が示すしきい値以下となると、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を、現在ＶＤ２０を構成しているＲＤ３０に比して性能が低く安価なＲＤ３０に変更する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, along with its manufacturing method, capable of eliminating the effect of degradation of crystal that occurs in an epitaxial layer by a simple method, for improved throughput as well as stable characteristics such as threshold value current, slope efficiency, and element life.例文帳に追加

簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Therefore, the dispersion of the threshold voltages of TFT 40P, 40N can be compensated, and also the floating body effect can be suppressed, and in the operational state, fast and accurate operation is made possible, and in the stand-by state, the power consumption is reduced by lowering the off-current.例文帳に追加

したがって、ＴＦＴ４０Ｐ，４０Ｎの閾値電圧のばらつきを補償するとともに、フローティングボディ効果を抑制することができ、前記動作状態では、高速かつ正確な動作が可能になり、前記待機状態では、オフ電流を低くして、消費電力を削減することができる。 - 特許庁

To provide a new cathode for field emission, a method of producing the cathode, and to optimize field emission performance of the cathode by reducing threshold electric field and increasing emission current.例文帳に追加

作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。 - 特許庁

Speed estimating data in a plurality of range bins arranged in an irradiation direction or a scan direction of a radar beam is supplied to a medium filter, a representing value of a speed component of an ocean current is extracted, and the speed estimating data beyond a predetermined threshold out of the representing value is eliminated as the clutter component.例文帳に追加

レーダビームの照射方向またはスキャン方向に並んだ複数のレンジビンにおける速度推定データを、メディアンフィルタに供給して海流の速度成分の代表値を抽出し、この代表値から所定の閾値を越えた速度推定データをクラッタ成分として除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a power source impedance of a switch circuit for use in control of a leak current reduction circuit can be reduced without increasing a gate width of the switch circuit, even when the switch circuit is always in the on state in the case that a transistor has been manufactured with a rather high threshold voltage.例文帳に追加

トランジスタのしきい電圧が高めに仕上がった場合に、リーク電流低減回路の制御に用いられるスイッチ回路を常にオン状態としても、当該スイッチ回路のゲート幅を大きくすることなく電源インピーダンスを低減することを可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the unevenness of ON current, mobility or a threshold value of a TFT can be suppressed by suppressing the occurrence of the uneven state of the surface of a semiconductor film or crystallinity, and to provide the semiconductor device manufactured by using this manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、半導体膜の表面の状態や結晶性にむらが生じるのを抑え、ＴＦＴのオン電流、移動度、閾値のばらつきを抑えることができる半導体装置の作製方法と、該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

Thus even if an abnormality temporarily occurs in the communication between a main control unit 110 and the first sub-control unit 121 via a first communication line so that the absolute value of the variable δ is in excess of the threshold value ε, abrupt change of the current I to be fed to the motor 131 is suppressed.例文帳に追加

これにより、主制御ユニット１１０と第１副制御ユニット１２１との第１通信線を介した通信に一時的に異常が生じて変数δの絶対値が閾値εを超えた場合でも、モータ１３１への供給電流Ｉの急激な変化が抑制される。 - 特許庁

The control device 30 determines that at least either of the voltage sensors 10 and 13 fails when the voltage difference between the voltage Vm from the voltage sensor 13, and the D.C. voltage Vb from the voltage sensor 10 is below the reference value, and when the direct current Ib is below the threshold value.例文帳に追加

また、制御装置３０は、電圧センサ１３からの電圧Ｖｍと電圧センサ１０からの直流電圧Ｖｂとの電圧差が基準値を下回るときであって、かつ、直流電流Ｉｂが閾値を下回るとき、電圧センサ１０，１３の少なくとも一方が故障していると判定する。 - 特許庁

This operational amplifier 1 is constituted by adding a circuit for detecting that a difference voltage between two input terminals VIN+ and VIN- of the operational amplifier 1 exceeds threshold value by switching circuits of transistors Q6 and Q7 and resistances R1 and R2 and supplying current to a capacitor C1 for inside phase compensation.例文帳に追加

オペアンプ１の２つの入力端子ＶIN+ とＶIN- との差電圧がある閾値を超えたことを、トランジスタＱ６，Ｑ７及び抵抗Ｒ１，Ｒ２のスイッチング回路にて検知して内部位相補償用コンデンサＣ１に電流を供給する回路を、オペアンプ１に付加した構成とする。 - 特許庁

Parallel to a relay circuit 58a arranged on a feed line between the trunk station 30 and a branch station 34, a resistor 86a for adjusting the threshold current of a relay operation to a fixed value is connected to a circuit having a series normally-closed switch 88a to be opened at the time of the operation of the relay circuit 58a.例文帳に追加

トランク局３０と分岐局３４との間の給電路上に配置されるリレー回路５８ａに並列に、リレー動作のしきい値電流を一定値に調整する抵抗８６ａとリレー回路５８ａの動作時に開放する常閉スイッチ８８ａを直列接続した回路を接続する。 - 特許庁

When the data Dxy is smaller than the threshold T, a flag FLG that is set when a pixel before the current attentional pixel is processed is referred to, when FLG=0, it is made so that the data Oxy=0 and meanwhile, when FLG=1, the flag FLG is reset, after has been set that the data Oxy=1.例文帳に追加

補正データＤxyが閾値Ｔより小さい場合には現在の注目画素の前の画素の処理時にセットされたフラグＦＬＧを参照し、ＦＬＧ＝０のときには２値化データＯxy＝０とし、他方、ＦＬＧ＝１のときには２値化データＯxy＝１とした後、フラグＦＬＧをリセットする。 - 特許庁

The short circuit detection device 30 includes a voltage detection part 32 measuring a voltage value (a detected voltage value) corresponding to a current value passing through the glow plug 1, and an operational amplifier 36 comparing the detected voltage value with a predetermined voltage threshold and determining short circuit or non-short circuit of the glow plug 1.例文帳に追加

短絡検知装置３０は、グロープラグ１に流れる電流値に対応する電圧値（検出電圧値）を計測する電圧検出部３２と、前記検出電圧値及び所定の電圧閾値を比較し、グロープラグ１を短絡・非短絡を判定するオペアンプ３６とを備える。 - 特許庁

Then when an IG switch is ON (S70:YES), and a steering torque detection value Td exceeds a predetermined threshold T0 (S80 A:YES), a handle is vibrated to a rotating direction during driver's handle operation by adding a vibration component which has predetermined amplitude and frequency to a current command value (S90).例文帳に追加

その後、ＩＧスイッチがオンで（Ｓ７０：ＹＥＳ）、操舵トルク検出値Ｔｄが所定の閾値Ｔ０を超えたとき（Ｓ８０Ａ：ＹＥＳ）、電流指令値に所定の振幅および周波数を有する振動成分を加算することで、運転者のハンドル操作時にハンドルを回転方向に振動させる（Ｓ９０）。 - 特許庁

The sensor S, a diode D and a load resistance R are connected in series to an alternating current source P, and a comparator 5 for switching between ON/OFF states of an output by comparing the voltage amplified by an operational amplifier 6 with a prescribed threshold is connected to both ends of the load resistance R through the operational amplifier 6.例文帳に追加

センサＳとダイオードＤと負荷抵抗Ｒを交流電源Ｐに直列に接続し、負荷抵抗Ｒの両端にオペアンプ６を介し、このオペアンプ６で増幅された電圧を所定のしきい値と比較して出力のオン、オフを切り換えるコンパレータ５を接続する。 - 特許庁

When the vehicle body speed exceeds a first threshold value, for example, a duty ratio of ON/OFF of a current supplied to respective linear valves SLFR to SLRR is set so as to be a differential pressure amount corresponding to the target W/C pressure obtained in a target W/C pressure calculation part 100a at 1:1 ratio.例文帳に追加

例えば、車体速度が第１しきい値を超えているときには、目標Ｗ／Ｃ圧演算部１００ａで求められた目標Ｗ／Ｃ圧と１：１で対応する差圧量となるように、各リニア弁ＳＬＦＲ〜ＳＬＲＲに対して流す電流のＯＮ／ＯＦＦのデューティ比を設定する。 - 特許庁

The VTHCPS1 includes an NMOS transistor Q16 constituted of the same process specification as Q5 and corrects Vg by converting the varying part of a current flowing to Q16 into a voltage using a resistor R8 in accordance with the threshold voltage fluctuation of Q5 (also Q16 accompanied with this).例文帳に追加

ＶＴＨＣＰＳ１は、Ｑ５と同一プロセス仕様からなるＮＭＯＳトランジスタＱ１６を含み、Ｑ５（これに伴ってＱ１６）のしきい値電圧変動に応じてＱ１６に流れる電流の変動分を抵抗Ｒ８で電圧に変換することでＶｇの補正を行う。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which enables a low threshold current and having a structure by which an oscillation yield can be improved, on a semi-polar surface of a support base body in which a c-axis of a hexagonal system group III nitride inclines to a direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The capacitance value of the hold capacitor is determined on the basis of the gate capacitance value of the correcting transistor and the amount of the charge flowing into the hold capacitor during the voltage variation of a pulse voltage line is appropriately set, whereby the effect of the variation in the threshold value of the driving TFT on the driving current can be effectively reduced.例文帳に追加

保持容量の容量値を補正トランジスタのゲート容量値に基づいて決定し、パルス電圧ラインの電圧変化の際に保持容量に流れ込む電荷量を適切に設定し、駆動ＴＦＴのしきい値変動の駆動電流への影響を効果的に減少できる。 - 特許庁

Next, the CPU 60 obtains the absolute value of a detected voltage Va from a development current sensor 64, and determines whether the chargeability of toner has been deteriorated or not by determining whether the absolute value of the obtained detected voltage Va is smaller than a first threshold preset in a ROM 61 (S125 to S145).例文帳に追加

そして、現像電流センサ６４から検出電圧Ｖａの絶対値を取得し、取得した検出電圧Ｖａの絶対値が、ＲＯＭ６１に予め設定された第１の閾値未満であるか否かを判定することで、トナーの帯電性が劣化しているか否かを判定する（Ｓ１２５〜Ｓ１４５）。 - 特許庁

To create a vibration sensitive switch capable of being easily installed in an electric apparatus without requiring installing a controller part therein separately from a sensor part in the event that the function is installed therein of turning on/off a power current when the level of vibration imposed on the electric apparatus exceeds a threshold.例文帳に追加

電気機器に加わる振動レベルが閾値を超えたときに電源電流をオンしたりあるいはオフする機能を組み込むにあたって、センサ部とは別にコントローラ部を組み込む必要がなく、簡単に電気機器に組み込むことができる振動感応型スイッチを創作する。 - 特許庁

When an oil temperature is low and the viscosity resistance of an operation oil is high, as it is necessary to driven an oil pump a little early in comparison with the case in which the oil temperature is high and the viscosity resistance of the operation oil is low, the current threshold value ITH of the electric motor for driving the oil pump is set to rather low.例文帳に追加

油温が低くて作動油の粘性抵抗が高い場合には、油温が高くて作動油の粘性抵抗が低い場合に比べて早めにオイルポンプを駆動する必要があるから、オイルポンプを駆動する電動モータの電流しきい値ＩTHを低めに設定する。 - 特許庁

A load rate is calculated from data inputted to a display device (step 1002) and a load rate is calculated back from a current luminance value; when the difference between the both is larger than a threshold (steps 1100, 1006), a luminance value is calculated from the load rate (step 1008) and luminance is set to the value (step 1010).例文帳に追加

表示装置へ入力されたデータから負荷率を計算し（ステップ１００２）、現在の輝度値から負荷率を逆算し、両者の差が閾値以上であるとき（ステップ１１００，１００６）、負荷率から輝度値を計算し（ステップ１００８）、その値に輝度を設定する（ステップ１０１０）。 - 特許庁

In a wiper motor drive controller which is equipped with a thermal FETQA being switched, according to a PWM control signal 152, and controlling the power supply from a power source to a wiper 102, a comparator CMP2 compares the load current flowing to the wiper motor 102 with a prescribed threshold.例文帳に追加

ＰＷＭ制御信号１５２に応じてスイッチング制御され電源からワイパモータ１０２への電力供給を制御するサーマルＦＥＴＱＡを備えたワイパモータ駆動制御装置において、コンパレータＣＭＰ２は、ワイパモータ１０２に流れる負荷電流を所定のしきい値と比較する。 - 特許庁

By turning on the MOSFET15, a dropper 17 supplies a charging current to a gate input capacitor of a MOSFET12 through the MOSFET15, a high-speed diode 14 and a resistor 13, which makes the gate-source voltage of the MOSFET2 slightly higher than a threshold VTH of the MOSFET2 and turns it on.例文帳に追加

MOSFET１５がONする事により、ドロッパ１７よりMOSFET１５、高速ダイオード１４、抵抗１３を通してMOSFET２のゲート・ソース間容量に充電電流が供給されMOSFET２のゲート・ソース間電圧はMOSFET２のしきい値電圧VTHを若干上回る電圧に設定された電圧となり、MOSFET２はONする。 - 特許庁

The GaN semiconductor laser element 30 has a low threshold current because the refractive index distribution by the holes 52 which possess different dimensions and are laid out in a one-dimensional periodic arrangement is formed outside a light emitting region, so that the intensity distribution of a laser beam or NFP can be controlled.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子では、寸法の異なる空孔５２の一次元の周期的配列による屈折率分布を発光領域の外側に設けることにより、低閾値電流を実現し、レーザ光の強度分布つまりＮＦＰを制御することができる。 - 特許庁

The PWM circuit 26 generates a discharge detection pulse every time the filtered discharge current detection signal exceeds a threshold value, detects generation frequency of discharge from generation frequency of the discharge detection pulse, and changes output voltage of a DC/DC converter 18 depending on the generation frequency of discharge.例文帳に追加

このＰＷＭ回路２６は、フィルタ後の放電電流検出信号がしきい値を越える毎に放電検出パルスを発生し、この放電検出パルスの発生頻度から放電の発生頻度を検出し、その発生頻度に応じてＤＣ／ＤＣコンバータ１８の出力電圧を変化させる。 - 特許庁

To solve the problem that a semiconductor device, especially, a semiconductor device using a thin film transistor has variance in potential to be output or value of a current flowing to the thin film transistor owing to variance in threshold of the thin film transistor even when a constant signal is input.例文帳に追加

半導体装置、特に薄膜トランジスタを用いて形成された半導体装置においては、一定の信号を入力したとしても、薄膜トランジスタのしきい値ばらつき等に起因して、出力される電位や、薄膜トランジスタを流れる電流値にばらつきを生じてしまう。 - 特許庁

The occurrence of the unintended electrical path between the load and reference potential causes a change in the voltage or current signal on the first power conductor of sufficient magnitude relative to the threshold value for detection by the detector such that the output signal of the detector is indicative of a detected fault.例文帳に追加

負荷と基準電位との間の偶発的な電気路の発生によって、検出器による検出の該閾値に対して十分な大きさで第１の電力導体の電圧或いは電流信号が変化し、検出器の出力信号は検出された故障を示す。 - 特許庁

Idling currents and a current drive to a push-pull circuit 3 are controlled, by changing threshold voltages of the transistor Q17 and Q18 by utilizing substrate bias effects with changes in the voltages applied to the N-well and P-well.例文帳に追加

ＮウェルおよびＰウェルに印加する電圧を変化させることにより、基板バイアス効果を利用して、Ｎｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１７およびＰｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１８のスレッシュホールド電圧を変化させることで、プッシュプル回路３に流れるアイドリング電流や電流駆動能力を制御する。 - 特許庁

To obtain a serial data detection circuit which reduces variation of a threshold to realize a quick operation by adjusting the current quantity for offset in accordance with a process, the temperature, etc., and conforms to USB standards or the like, and to obtain a reception data signal processor using the serial data detection circuit.例文帳に追加

オフセット用の電流量をプロセス、温度等に応じて調整することにより、しきい値のばらつきを低減し高速動作を可能にしたＵＳＢ規格等に準拠したシリアルデータ検出回路及びシリアルデータ検出回路を使用した受信データ信号処理装置を得る。 - 特許庁

At operation, by applying a voltage of 0 V to a gate of a transistor(TR) MP0 of the switching circuit 20 and applying a bias voltage VB the same as or slightly lower than the power supply voltage Vdd to the channel region can lower the threshold voltage of the TR MP0 and increase the current drive capability thereof.例文帳に追加

動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_B を印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。 - 特許庁

To provide an electronic trip device, concerning an electronic circuit breaker equipped with threshold parameterization, current measurement, a test connector, a display and communication functions or the like, capable of incorporating into an existing opening and closing device, and also simplified irrespective of density of incorporated functions.例文帳に追加

しきい値パラメータ設定、電流測定、テストコネクタ、表示および通信機能等を備える電子式回路遮断器に関して、既存の開閉装置に組み込み可能であるとともに、組み込まれた機能の密度にかかわらず簡素化された電子式トリップ装置を提供する。 - 特許庁

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current.例文帳に追加

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。 - 特許庁

A threshold voltage of the drive transistor Dr-Tr is stored into the writing capacity Cw by making a current flowing between the drain electrode and the gate electrode of the drive transistor Dr-Tr via the series circuit of the correction capacity Cf and the first control transistor AZA-Tr flow until a voltage of the gate electrode of the drive transistor Dr-Tr reaches the threshold voltage in a state that an electric charge is accumulated in the correction capacity Cf.例文帳に追加

補正容量Ｃｆに電荷が蓄積された状態で、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのソース電極・ドレイン電極間および補正容量Ｃｆと第１の制御用トランジスタＡＺＡ−Ｔｒとの直列回路を経由する電流が、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極の電圧が閾値電圧に達するまで流れることにより、書込容量Ｃｗに駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒの閾値電圧を記憶する。 - 特許庁

The computer executable instruction, when executed by the microcontroller 80, serves as an instruction which drives the microcontroller 80 so as to receive and decompose the secondary signal into detailed and approximate coefficients, and generate a trip signal for use in interrupting an operation of the electrical circuit when a current of the sensed load is above a predetermined threshold and the detailed and approximate coefficients indicate that threshold conditions for trip signal generation are satisfied.例文帳に追加

このコンピュータ実行可能命令は、マイクロプロセッサ８０により実行されると、二次信号を受け取り、その二次信号を詳細係数及び近似係数に分解し、検知した負荷電流が所定の閾値を上回り、且つ、詳細係数及び前記近似係数が共にトリップ信号生成の閾条件を満たしている場合、電気回路の動作を中断させるために用いられるトリップ信号を生成するように、マイクロプロセッサ８０を駆動させる命令である。 - 特許庁

In a determination correction part 54, a frequency determination part 62 reads target current value data of an amount for past 0.5 seconds stored in a memory 61 and performs the FFT processing of the data, and a current correction part 63 determines whether or not the data may have outputs near the unsprung resonance frequency by comparing the FFT processing data inputted from the frequency determination part 62 with a previously-set threshold S.例文帳に追加

判定補正部５４において、周波数判定部６２がメモリ６１に記憶されている過去０．５秒間の分量の目標電流値データを読み出し、該データのＦＦＴ処理を行い、電流補正部６３が周波数判定部６２から入力されるＦＦＴ処理データを予め設定されている閾値Ｓと比較してばね下共振周波数付近の出力となるか否かを判定する。 - 特許庁

When a similarity determination part 223 determines that the target person is the registered person by comparison of the similarity with a predetermined threshold, a player database 20 accumulates the face image of the registered person determined to be the target person, and a current database management part 227 deletes the face image accumulated in the current collation database 19, which corresponds to the face image accumulated by the player database 20.例文帳に追加

類似度判定部２３３が、類似度と所定の閾値との比較により、照合対象者が登録者であると判定した場合、遊技者データベース２０は、照合対象者であると判定された登録者の顔画像を蓄積し、当日データベース管理部２２７は、遊技者データベース２０により蓄積された顔画像に対応する、当日照合データベース１９で蓄積されている顔画像を削除する。 - 特許庁

This supervising apparatus corrects the remaining capacity by calculating a new remaining capacity by using a reference capacity C of the storage battery 8 and a remaining capacity correcting coefficient Ks stored in a ROM 43 when it is judged by this charging current judging means that the charging current is a predetermined threshold value 11 or less, and by rewriting the remaining capacity stored in a backup memory 23.例文帳に追加

この充電電流判定手段により充電電流が所定のしきい値Ｉ１以下であることを判定された場合に蓄電池８の基準容量ＣとＲＯＭ４３に記憶された残存容量補正係数Ｋｓを用いて新たな残存容量を算出しバックアップ・メモリ２３に記憶されている残存容量を書き換えることにより残存容量を補正するようにしている。 - 特許庁

When a temperature sensor 20 detects temperature around the pickup 7 to find that the temperature rises more than temperature before starting image formation by a threshold ΔTth or more, a moving amount setting part 17 sets a moving space S of the slider and a shift amount L of the objective lens small and lowers the maximum value of drive current to the actuator 10.例文帳に追加

ピックアップ７付近の温度を温度センサ２０にて検出し、画像形成開始前の温度よりも閾値ΔＴｔｈ以上上昇している場合、移動量設定部１７は、スライダの移動間隔Ｓと対物レンズのシフト量Ｌを小さく設定して、アクチュエータ１０への駆動電流の最大値を下げる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.例文帳に追加

逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁