「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.例文帳に追加

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁

The frequency offset estimation value selection unit 108 selects more correct frequency offset estimation value as the frequency offset estimation value of a current frame, out of the frequency offset estimation values determined by a forward equalization processing unit 103 and a backward equalization processing unit 104 from the RSSI value minimum position information and the RSSI threshold comparison information.例文帳に追加

周波数オフセット推定値選択部１０８は、ＲＳＳＩ値最小位置情報とＲＳＳＩ閾値比較情報とにより、順方向等化処理部１０３と逆方向等化処理部１０４で求められた周波数オフセット推定値のうち、より正しいと思われる周波数オフセット推定値を現フレームの周波数オフセット推定値とする。 - 特許庁

A semiconductor laser device 51 outputting a laser light of plurality of longitudinal oscillation modes lower than a threshold level generating Brillouin scattering is provided in a module and the focal point of a second lens 54 is shifted appropriately in the arrow directions X, Y and Z in order to lower the optical coupling efficiency intentionally thus lowering the laser light intensity while ensuring the operation with a large driving current.例文帳に追加

誘導ブリルアン散乱が発生する閾値以下の複数の発振縦モードのレーザ光を出力する半導体レーザ装置５１をモジュール化するとともに、第２レンズ５４の焦点を矢印Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に適宜ずらすことで、光結合効率を意図的に低下させ、大きな駆動電流での動作を確保しつつ、レーザ光強度を小さくする。 - 特許庁

An internal accident determination circuit 130 determines an internal accident when an operation is determined by the relay operation determining means 115 of a current differential protection circuit 110, and when the overlapped phase determining means 122 of the phase comparison circuit 120 determines that the degree of overlap of phases is equal to or higher than the predetermined threshold value between all the terminals on one side and the terminals on the other side.例文帳に追加

内部事故判定回路１３０は、電流差動保護回路１１０のリレー動作判定手段１１５により動作判定され、かつ、位相比較回路１２０の重なり位相判定手段１２２により全ての自端子と相手端子間において位相の重なり度合いが所定の閾値以上であると判定された場合に内部事故であると判定する。 - 特許庁

A sensor node chip is provided with: a sensor element signal detection circuit 4 for shifting an output signal with a predetermined threshold according to the output of a sensor element part 3 which outputs a detection signal according to external vibration; and a power storage circuit 2 for accumulating charge output from an AC current generator 1 which generates AC currents according to the external vibration.例文帳に追加

センサノードチップは、外部の振動に応じて検知信号を出力するセンサ素子部３の出力に応じて所定の閾値で出力信号を遷移させるセンサ素子信号検出回路４と、外部の振動に応じて交流電流を発生させる交流電流発生器１から出力される電荷を蓄積する蓄電回路２とを備える。 - 特許庁

The current source includes a resistor R having one end connected to a first power source node VSS, and a depression type transistor TR in which the other end of the resistor R is connected to a source and the first power source node VSS is connected to a gate, wherein the threshold voltage of the transistor TR has negative temperature characteristics and the resistance value of the resistor R has positive temperature characteristics.例文帳に追加

電流源は、一端が第１の電源ノードＶＳＳに接続される抵抗Ｒと、ソースに抵抗Ｒの他端が接続され、ゲートに第１の電源ノードＶＳＳが接続されるデプレッション型のトランジスターＴＲとを含み、トランジスターＴＲのしきい値電圧は負の温度特性を有し、抵抗Ｒの抵抗値は正の温度特性を有する。 - 特許庁

In an on-vehicle device 1 (data communication device) of the invention, when difference between the most recent transmission expiration time and the current time becomes a predetermined threshold value or below, a data transmission unit 102 transmits not only data whose transmission expiration time is the most recent one but also other data whose transmission expiration time has not arrived to the same transmission destination.例文帳に追加

本発明に係る車載機１（データ通信装置）においては、直近送信有効期限と現在時刻との差分が所定の閾値以下となったときに、データ送信部１０２が、その直近送信有効期限のデータだけでなく、送信有効期限がまだ到来していない他のデータも併せて、同一の送信先に送信する。 - 特許庁

A method of controlling a brushless motor includes rectifying an alternating voltage to provide a rectified voltage having a ripple of at least 50%, exciting a winding of the motor with the rectified voltage, and performing a first process or a second process in response to current in the winding exceeding a threshold that is proportional to the rectified voltage.例文帳に追加

流電圧を整流して少なくとも５０％のリップルを有する整流電圧を供給する段階と、整流電圧でモータの巻線を励起する段階と、整流電圧に比例した閾値を超える巻線の電流に応答して第１の処理又は第２の処理を実行する段階とを含むブラシレスモータを制御する方法。 - 特許庁

After that, when the value resulting from division of the output voltage Vo falls to the first threshold and the main switching element 9 is caused to start operation by the PWM signal from a control circuit 22, a drive detecting circuit 31 detects this start and allows the supply of the PWM signal to the rectification switching element 10, with the result that any subsequent flow-in of the sink current can also be inhibited.例文帳に追加

その後、出力電圧Ｖｏを分圧した値が第１の閾値にまで低下し、制御回路２２からのＰＷＭ信号によって主スイッチング素子９が動作し始めると、ドライブ検出回路３１がこれを検出して、整流スイッチング素子１０へのＰＷＭ信号の供給を許可するので、その後の吸い込み電流の流れ込みも阻止できる。 - 特許庁

While a voltage is applied between one end and the second electrode so that potential is higher at one end in the case that the voltage between one end and the other end exceeds a threshold voltage of the light emitting element according to a change in potential applied to the third electrode, an electric current flows between one end and the other end to cause the light emitting element to emit light.例文帳に追加

そして、一端部と第２電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。 - 特許庁

In this manufacturing method, electric field intensity at the tip of an emitter is enhanced by forming the emitter formed of a carbon film 2 into a needle-like projection structure having sharp tips and by forming a gate 3 in its extreme vicinity, and a threshold voltage is lowered and current density is heightened by uniformly forming the minute needle-like emitter all over the region of the emitter.例文帳に追加

炭素膜からなるエミッタを先端が先鋭な針状の突起構造とすること、ごく近傍にゲートを形成することによって、エミッタ先端への電界強度が高くなり、更にその微細な針状エミッタをエミッタ領域一面に均一に形成することにより、しきい値電圧を低くし、電流密度を高くすることができる。 - 特許庁

The gate voltage generation circuit 15 generates the voltage V1 by performing feedback control in such a manner that the difference between the bit line precharge voltage VHB and the voltage V1 coincides with the threshold voltage of a second PMOS transistor TP2 while the prescribed current flows to the second PMOS transistor TP2 having the same process and operation characteristics as those of the PMOS transistor TP1.例文帳に追加

ゲート電圧発生回路１５は、ＰＭＯＳトランジスタＴＰ１とプロセス及び動作特性が同一の第２のＰＭＯＳトランジスタに所定の電流を流した状態で、ビット線プリチャージ電圧ＶＨＢと電圧Ｖ１の差が第２のＰＭＯＳトランジスタのしきい値電圧に一致するようにフィードバック制御を行って電圧Ｖ１を発生する。 - 特許庁

Both of the above-mentioned tunnel oxide film 107 (the first gate insulating film) and the interpolysilicon insulating film (the second gate insulating film) 106 are constituted by a thin oxide film whereon a tunnel current can be applied, and the Vth of their cell can be controlled almost automatically so as to be in equilibrium with each other when desired threshold voltage is obtained.例文帳に追加

上記トンネル酸化膜１０７（第一のゲート絶縁膜）、インターポリ絶縁膜（第二のゲート絶縁膜）１０６両者共にトンネル電流を流すことのできる程度の薄い酸化膜で構成され、実質的に所望のしきい値電圧Ｖｔｈになったところで、両方のトンネル電流が拮抗することにより、そのセルのＶｔｈをほぼ自動的に制御する。 - 特許庁

A deceleration part 113 decelerates the cooling fan 2 by one step (Rc-1) if the lapse of time from the fan speed setting time St is longer than a hysteresis time Ht when the temperature from the temperature sensor 3 is below a threshold value T3, and then, records the speed and the time (the current fan speed Rc and the fan speed setting time St).例文帳に追加

また、減速部１１３は、温度センサ３からの温度Ｔがしきい値Ｔ３を下回っており、かつ、ファン速度設定時刻Ｓｔからの経過時間がヒステリシス時間Ｈｔを越えている場合、冷却ファン２を一段階減速し（Ｒｃ−１）、その速度と時刻とを記録する（現在ファン速度Ｒｃ，ファン速度設定時刻Ｓｔ）。 - 特許庁

When drive control of an AC motor 4 supplied with power from a battery 13 is started by rectangular wave control, the current to the motor 4 is controlled to fall within a predetermined threshold Is0 at start-up by changing the value of a filling resistance for the motor 4 and an inverter 10 in a pseudo manner through on-off control of a relay 18 for charging.例文帳に追加

バッテリ１３からの給電で交流モータ４を矩形波制御で駆動を開始する際に、モータ４及びインバータ１０に対する充填抵抗の値を、充電用リレー１８をオンオフ制御することで擬似的に変更することによって、モータ４への始動時の電流が、所定電流閾値Ｉｓ０以内となるように制御する。 - 特許庁

At this time, the ECU 6 determines that the actual rail pressure is rapidly increased, when a difference between a current value of the actual rail pressure taken in from a pressure sensor 12 and a previous value exceeds a preset threshold value and this state continues for predetermined time or longer, and predicts generation of overshoot when an absolute value of an integral term exceeds a predetermined value.例文帳に追加

この時、ＥＣＵ６は、圧力センサ１２から取り込む実レール圧の今回値と前回値との差が、予め設定された閾値以上であり、且つ所定時間以上継続した場合に、実レール圧が急上昇していると判断し、さらに、積分項の絶対値が所定値以上となった時に、オーバーシュートの発生を予測する。 - 特許庁

By dividing a first comparator IC1-1 for detecting un-connecting and breakage of lamp of a discharge lamp 101 and a second comparator IC1-2 for determining operation of the protection circuit in the protection circuit 102, operation of the threshold voltage which determines un-connecting and breakage of the lamp can be made to perform even for the discharge lamp lighting device of low tube current specifications.例文帳に追加

保護回路１０２において、放電ランプ１０１の未接続、破損を検出する第１のコンパレータＩＣ１−１と保護回路を動作させる判定を行う第２のコンパレータＩＣ１−２とを分けることにより、ランプ未接続、破損を判定する閾値電圧を低管電流仕様の放電灯点灯装置においても容易に行えるようにした。 - 特許庁

The control means 110 exercises predetermined conversion processing of the current values obtained with predetermined timing in a first step wherein the motor 60 is driven for manufacturing the bread, and sequentially integrates obtained converted-values in order to acquire an integrated value, so that the first step is forcibly terminated when the integrated value exceeds a predetermined threshold value.例文帳に追加

制御手段１１０は、パンの製造のためにモータ６０を駆動させる第１の工程において、所定のタイミングで得られる前記電流値に対して所定の変換処理を行うとともに、得られた変換値を順次積算して積算値を取得し、該積算値が所定の閾値を超えた場合に前記第１の工程を強制終了させる。 - 特許庁

A cell balancing circuit comprises a first cell having a first voltage, a second cell in series with the first cell and having a second voltage greater than the first voltage, and a bypass path in parallel with the second cell for enabling a bypass current for the second cell if a difference between the first voltage and the second voltage is greater than a predetermined threshold.例文帳に追加

セルバランス回路は、第1の電圧を有する第1のセル、第1のセルと直列で、第1の電圧よりも大きい第2の電圧を有する第2のセル、および第1の電圧と第2の電圧との間の差が所定のしきい値よりも大きい場合、第2のセルに対してバイパス電流を有効にするための、第2のセルと並列のバイパス経路を含む。 - 特許庁

In the state where an optical leakage current is generated in a TFT optical sensor, charging into the capacitor C is started by a charging circuit 31, and the intensity of external light is detected by a determination circuit 32 by measuring an arrival time from a time when charging is started by the charging circuit 31 until a time when a voltage value of the capacitor C reaches a determination threshold voltage Vth.例文帳に追加

そして、ＴＦＴ光センサに光リーク電流が生じうる状態で充電回路３１によりコンデンサＣへの充電を開始し、判定回路３２で、充電回路３１による充電開始時点からコンデンサＣの電圧値が判定閾値電圧Ｖｔｈに到達するまでの到達時間を計測することで外光強度を検知する。 - 特許庁

The electric vehicle has a temperature sensor Sa that detects temperature Tc of the inverter 31 installed in the inverter 31 and includes an inverter limiting means 95 that sets a limit to the current instruction given to the inverter 31 until dTc/dt obtained by differentiating the temperature Tc by the time t becomes 0 or less when the temperature Tc detected by the temperature sensor Sa exceeded the threshold value.例文帳に追加

インバータ３１に、このインバータ３１の温度Ｔｃを検出する温度センサＳａを設け、温度センサＳａで検出される温度Ｔｃが閾値を超えたとき、温度Ｔｃを時間ｔで微分したｄＴｃ／ｄｔが０以下になるまでインバータ３１に与える電流指令に制限を加えるインバータ制限手段９５を設けた。 - 特許庁

When an over voltage exceeding a threshold is impressed to an output terminal 15 in a semiconductor circuit 1, an input transistor 12 is turned off regardless of the level of a control signal by turning on an auxiliary transistor 12 so that an output transistor 6 can be surely turned on and a surge current caused by the over voltage can be discharged to a ground part 4, and the output transistor 6 is protected.例文帳に追加

半導体回路１は、出力端子１５に閾値を越える過電圧が印加されると、補助トランジスタ１２がオンすることにより制御信号のレベルに関わらず入力トランジスタ１２がオフし、これにより出力トランジスタ６が確実にオンして過電圧によるサージ電流が接地部４に放電され、出力トランジスタ６は保護される。 - 特許庁

When a temperature of the variable speed means reaches an upper limit threshold set to be lower than a temperature causing the abnormal stop, normal operation is switched to load reduction operation to decrease a current value and thereby to reduce a calorific value, or is switched to cooling promotion operation promoting the cooling of the variable speed means so as to decrease the temperature of the variable speed means.例文帳に追加

可変速手段の温度が異常停止させるべく温度より低く設定した上限閾値に達したら、通常運転から負荷軽減運転により電流値を低減し発熱量を低減、冷却促進運転による可変速手段の冷却の増大する運転へと切替え可変速手段の温度を低減することにより解決する。 - 特許庁

The stop mode includes a stop period in which the high voltage is not basically applied on the electrode needle 4, and during this stop period, when a charged body approaches and self-discharge is generated, and if, accompanied with this, the absolute value of current flowing in a resistor R2 exceeds a first threshold, destaticizing operation to apply the high voltage on the electrode needle 4 to generate ions is started.例文帳に追加

休止モードは、基本的には高電圧を電極針4に印加しない休止期間を含み、この休止期間中に、帯電体が接近して自己放電が発生すると、これに伴って抵抗R2に流れる電流値の絶対値が第１しきい値を越えると、電極針4に高電圧を印加してイオンを発生させる除電動作を開始する。 - 特許庁

Further, the power supply apparatus for operation for outputting power to a surgical instrument includes a phase difference detection section for detecting a phase difference between an output voltage and an output current from the power in the output, and an abnormality detection section for detecting abnormality according to whether or not a variation value of the phase difference per unit time exceeds a predetermined threshold.例文帳に追加

また処置具に電力を出力する手術用電源供給装置は、前記出力中の電力から、出力電圧と出力電流との位相差を検出する位相差検出部と、単位時間当たりの前記位相差の変動値が、予め定めた閾値を超えているか否かにより、異常を検出する異常検出部と、を具備する。 - 特許庁

An automobile navigation system calculates a correlation value indicating similarity of a shape of practical traveling track of a vehicle and a shape of map matching traveling track connecting a current position on a road obtained by the map matching processing (step S100) and releases stoppage of the map matching processing in the case that the correlation value is a prescribed threshold or more (steps S110 and S120).例文帳に追加

車両の実際の走行軌跡の形状と、マップマッチング処理によって得られた道路上の現在位置を連結したマップマッチング走行軌跡の形状との相似性を示す相関値を算出し（ステップＳ１００）、その相関値が所定の閾値以上となった場合にマップマッチング処理の中止を解除する（ステップＳ１１０及びＳ１２０）。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

An FET 24 is controlled by the same signal as a control signal to be applied to an FET 4, and detection currents α×Iout are made to flow by a prescribed current ratio α to currents Iout flowing through the FET 4, and a voltage degradation detection circuit 23 makes active a reset signal when detecting that the detection currents α×Iout has risen over a prescribed threshold Iref.例文帳に追加

ＦＥＴ２４は、ＦＥＴ４に与えられる制御信号と同じ信号で制御されてＦＥＴ４に流れる電流と所定の電流比αで検出電流を流し、電圧低下検出回路部２３は、その検出電流α・Ｉoutが所定の閾値Ｉrefを超えて上昇したことを検出するとリセット信号をアクティブにする。 - 特許庁

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current.例文帳に追加

このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser that can control polarization of a laser beam unidirectionally with a comparatively simple configuration and that has low threshold electric current and high power property, and to provide a refractive index waveguide type surface emitting semiconductor laser that can be manufactured easily and that is capable of oscillating fundamental lateral mode light having a high output.例文帳に追加

比較的簡単な構成でレーザ光の偏光を一定方向に制御することができ、低しきい値電流、高出力特性を有する面発光型半導体レーザを提供すること、また、製造が容易で、高出力な基本横モード光を発振することが可能な屈折率導波型の面発光型半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

The count or/and determination as a different kind is carried out in consideration of a convection current changed by a fluctuated water level so that at least one of the designated counted value and fixed threshold is dynamically established on the basis of a liquid level in the reducing agent tank, and the liquid can be precisely determined whether or not the liquid is a different solution.例文帳に追加

このとき、還元剤タンクの液体水位に基づいて所定計数値及び確定閾値の少なくとも一方を動的に設定することで、水位変化に応じて変化する対流を考慮した計数又は／及び異種判別確定が行われ、液体が異種水溶液であるか否かを高精度に判別することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The detection circuit 15 comprises a full-wave rectification circuit for rectifying an output of a gain control amplifier, a comparator for comparing an output of the full-wave rectification circuit with prescribed threshold voltage, an up/down counter for switching counting directions according to an output of the comparator and a D/A converter circuit for converting an output of the up/down counter into direct current voltage.例文帳に追加

検波回路１５は、利得制御増幅器の出力を整流する全波整流回路と、全波整流回路の出力を所定の閾値電圧と比較する比較器と、比較器の出力でカウント方向を切り換えるアップダウンカウンタと、アップダウンカウンタの出力を直流電圧に変換するＤ／Ａ変換回路とで構成する。 - 特許庁

To prevent deterioration in ON-current caused by a depletion phenomenon of a groove gate of a groove type transistor, and prevent an increase in variation of the threshold voltage of a planar type transistor comprising P- or N-type gate having conductivity type different from that of the groove type transistor, in a semiconductor device where the groove type transistor and the planar type transistor comprising a PN gate coexist.例文帳に追加

溝型トランジスタとＰＮゲートで構成されるプレーナ型トランジスタとが共存する半導体装置において、溝型トランジスタの溝ゲートの空乏化現象によるオン電流の低下を抑制し、溝型トランジスタと異なる導電型のＰ又はＮゲートで構成されるプレーナ型トランジスタの閾値電圧のバラツキ増加を防止する。 - 特許庁

A dummy transistor dT11 is arranged near the transistor T11 for a gain connected to a memory cell to be accessed, a bit line BL made for reference by the dummy transistor dT11 is driven, and the influence of a variation in the threshold of the transistor for a gain is offset by using the potential or current of the bit line as a reference signal of a reading determination.例文帳に追加

アクセスされるメモリセルに接続されたゲイン用トランジスタＴ１１の近傍にダミートランジスタｄＴ１１を配置し、それによって参照用とされるビット線ＢＬを駆動して、そのビット線の電位または電流を読み出し判定の参照信号として使用することでゲイン用トランジスタの閾値ばらつきの影響を相殺する。 - 特許庁

The driving circuit includes a microphone; a filter that allows passing of only signals of predetermined frequency out of voice signals by the microphone; a comparing means for comparing filter output with a predetermined threshold; and a cavitation restraining circuit composed of a voltage control means for lowering the voltage value of the alternating current when the compared result of the comparing means indicates that the filter output exceeds the threshold.例文帳に追加

駆動回路と、該駆動回路が出力する交流電流に応じた周波数および振幅にて振動するハンドピースとを備える超音波手術器において、前記駆動回路は、マイクと、前記マイクによる音声信号のうち、所定周波数の信号のみを通過させるフィルターと、前記フィルター出力を予め定められた閾値と比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果が、前記フィルター出力が前記閾値を超えるものである場合には、前記交流電流の電圧値を下げる電圧制御手段からなるキャビテーション抑制回路を備える。 - 特許庁

When the capacitor C3 is charged and the terminal voltage of the auxiliary power supply terminal VDD reaches the upper limit of the threshold value voltage Vchgoff of a hysteresis comparator 141, the switch circuit becomes nonconductive, permitting the capacitor C3 to be charged only with the charging current from the first power supply due to the separation of the second power supply (PchMOSFETP11) from the auxiliary power supply terminal VDD.例文帳に追加

コンデンサＣ３が充電され、補助電源端子ＶＤＤの端子電圧がヒステリシスコンパレータ１４１の上限の閾値電圧Ｖｃｈｇｏｆｆに達すると、スイッチ回路が非導通状態となり、第２の電流源（ＰｃｈＭＯＳＦＥＴＰ１１）と補助電源端子ＶＤＤとが切り離されることで、第１の電流源の充電電流だけでコンデンサＣ３が充電されるようになる。 - 特許庁

The control device 30 determines that the system relay SMRG is melted when the voltage difference between a voltage Vm from a voltage sensor 13 in generating a L-level signal SEP to turn off only a system relay SMRP, and a D.C. voltage Vb from a voltage sensor 10 is below a predetermined reference value, and when a direct current Ib is above a predetermined threshold value.例文帳に追加

制御装置３０は、Ｌレベルの信号ＳＥＰを生成してシステムリレーＳＭＲＰのみをオフしたときの電圧センサ１３からの電圧Ｖｍと電圧センサ１０からの直流電圧Ｖｂとの電圧差が所定の基準値を下回るときであって、かつ、直流電流Ｉｂが所定の閾値以上であるとき、システムリレーＳＭＲＧが溶着していると判定する。 - 特許庁

A CPU of the image accumulation device 4 computes an inter-frame difference value between a still image previously transferred and a still image to be transferred in the current term for every channel of the input systems and performs processing for relatively raising probability to select still images of channels with large motion between recorded images in which the inter-frame difference values exceed a predetermined threshold in the plurality of channels.例文帳に追加

画像蓄積装置４のＣＰＵは、入力系統のチャンネル毎に、前回転送した静止画像と現タームで転送対象となっている静止画像とのフレーム間差分値を算出し、複数チャンネルの内で、当該フレーム間差分値が所定のしきい値を上回る記録画像間の動きが激しいチャンネルの静止画像が選択される確率を相対的に上げる処理を行う。 - 特許庁

Since this pseudo current signal is sufficiently higher than the threshold, the control 2 decides that an overcurrent is present and sends an overcurrent signal to an LED display 3 and a sound output section 4 to make at least one of them display an overcurrent or give an overcurrent message.例文帳に追加

この疑似電流検出信号は閾値よりも充分に高いものであるから、制御部２は過電流状態が発生しているものと判定して過電流検出信号をＬＥＤ表示部３並びに音声出力部４に出力し、ＬＥＤ表示部３による光の過電流表示と音声出力部４による音声メッセージの少なくとも何れか一方が表示される。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a starting circuit for starting an object circuit when input voltage reaches a designated threshold and an input voltage detecting circuit for detecting and determining the input voltage, that can reduce the chip size and consumption current without lowering of input voltage detection accuracy.例文帳に追加

本発明は、入力電圧が所定の閾値に達してから対象回路に起動をかける起動回路と、入力電圧の検出判定を行う入力電圧検出回路と、を有して成る半導体装置において、入力電圧検出精度を低下させることなく、チップサイズ縮小や消費電流低減を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a state that an electric current command value of a throttle motor exceeds a threshold, when a knock detection signal is fluctuated within a predetermined range W, it is determined that this fluctuation of the knock detection signal within the predetermined range W results from an effect by the fluctuation of a ground level, and knocking determination based on the knock detection signal or treatment to respond to knocking such as ignition timing correction is prohibited.例文帳に追加

スロットルモータの電流指令値が閾値を超える状態で、ノック検出信号が所定範囲Ｗ内で変動する場合には、この所定範囲Ｗ内でのノック検出信号の変動は、グランドレベルの変動に影響を受けた結果であると判断し、ノック検出信号に基づくノッキング判別又は点火時期補正等のノッキング対応処理を禁止する。 - 特許庁

A transistor DN10 has a current passage connected to at least one between a terminal to which the external power supply voltage VEXT is supplied and the output end of the voltage generation circuit 13 and between the terminal to which the external power supply voltage VEXT is supplied and the output end of the reference voltage generation circuit 11, and a negative threshold voltage in which a certain voltage is supplied to a gate.例文帳に追加

トランジスタＤＮ１０は、外部電源電圧ＶＥＸＴが供給される端子と電圧生成回路１３の出力端との間、及び外部電源電圧ＶＥＸＴが供給される端子と基準電圧発生回路１１の出力端との間の少なくとも一方に電流通路が接続され、ゲートに一定の電圧が供給された負の閾値電圧を有する。 - 特許庁

The AD converter 100 according to the present invention is configured so that by setting an inversion threshold voltage of an inverter constituting a voltage comparator 110 equal to a reference voltage of the AD converter 100, a reference voltage generating circuit which is necessary to set before is eliminated to decrease the number of error correction terminals due to fining, thereby reducing the circuit scale and attaining the low-current-consumption operation.例文帳に追加

本発明のＡＤ変換器１００は、電圧比較器１１０を構成するインバータの反転しきい値電圧をＡＤ変換器１００の基準電圧と等しくなるように設定することにより、従来基準電圧発生回路を備える必要性を排除し、微細化に起因した誤差補正端子数を低減して、回路面積の縮小し、低消費電流動作を実現する。 - 特許庁