| 意味 | 例文 |
threshold currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1912件
In this way, the reduction of a potential of the bit line BL3 is prevented by leak of a current through a non-selection memory cell MC when a threshold value of the selected memory cell MC12 is high, and wrong judgment that it is 'on-state' is prevented.例文帳に追加
こうして、選択メモリセルMC12の閾値が高い場合に非選択メモリセルMCを介して電流がリークしてビット線BL3の電位が下がることを防止し、オン状態であると誤判断されないようにする。 - 特許庁
Simultaneously with the shutting off of the switch, in a SRAM circuit, a substrate bias is controlled so that the threshold voltage of an N-channel MIS transistor is increased to reduce the leak current, in timing at which the switch becomes the shut off state.例文帳に追加
同時にスイッチが遮断状態になるのと合わせてSRAM回路では、Nチャネル型MISトランジスタのしきい値電圧が上昇するように基板バイアスを制御してリーク電流を低減する。 - 特許庁
In a group III nitride semiconductor laser element 11, since a laser waveguide is extended in a direction of a cross line of the m-n surface and a semi-polar surface 17a, light emission of band transition, which enables a low threshold current, can be utilized.例文帳に追加
III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁
Further, the method includes the steps of: selectively acquiring a suitable dynamic threshold based upon change in environmental state; and contrasting differences between the feature vector groups to determine whether the current face image and reference face image match each other.例文帳に追加
次いで、環境状態の変化に基づいて、適切な動的閾値を選択的に取得し、特徴ベクトル群の差を対比させることで、現在の顔画像が参考顔画像と一致するかどうかを決定する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser which can reduce a threshold current and increase output even if using a compound semiconductor off-board having a main surface inclining in a direction <01-1> relative to a crystal face {100}.例文帳に追加
{100}結晶面から<01−1>方向へ傾いた面を主面とする化合物半導体オフ基板を用いても、しきい値電流を低くすることでき、かつ、出力を高めることできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁
Thus, in a head IC outputting the current bias, a voltage applied to the STOAR is detected, and when the voltage is increased to a threshold or more, it becomes possible to determine that the STOAR is being oscillated.例文帳に追加
そこで、電流バイアスを出力しているヘッドICにおいて、STOAR素子に印加されている電圧を検知し、電圧が閾値以上に増加した場合は発振していると判断することが可能になる。 - 特許庁
In a group III nitride semiconductor laser element 11, it is possible to use light emission of a band transition which makes a low threshold current possible, because a laser waveguide is extended in a direction of the crossing line of the m-n surface and a semipolar surface 17a.例文帳に追加
III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁
When insulation deterioration is not generated between the driving circuit 2 and the body chassis B, a current hardly flows therebetween, and the amplitude of a voltage at the left end of a capacitor 33 is larger than a threshold Vm.例文帳に追加
駆動回路2とボディシャーシBとの間に絶縁劣化が発生していない場合には、両者の間にほとんど電流が流れず、コンデンサ33の左端における電圧の振幅はしきい値Vm以上となっている。 - 特許庁
A method of controlling a brushless motor includes exciting a winding of the motor with a voltage, and freewheeling the winding when current in the winding exceeds a threshold or after the winding has been excited for a timeout period.例文帳に追加
電圧でモータの巻線を励起する段階と巻線の電流が閾値を超える時に又は巻線がタイムアウト期間にわたって励起された後に巻線をフリーホイールさせる段階とを含むブラシレスモータを制御する方法。 - 特許庁
On the other hand, when insulation deterioration is generated, a current flows therebetween, to generate a voltage drop in a resistor 32, and the amplitude of the voltage at the left end of the capacitor 33 becomes smaller than a threshold Vm.例文帳に追加
一方、絶縁劣化が発生すると、両者の間に電流が流れることで、抵抗32において電圧降下が生じ、コンデンサ33の左端における電圧の振幅がしきい値Vmよりも小さくなる。 - 特許庁
The controller determines a current threshold Ith2 for protecting a diode in the voltage boosting converter based on a detection value from a cooling water temperature sensor for detecting a cooling water temperature in the voltage boosting converter (S50).例文帳に追加
さらに、制御装置は、昇圧コンバータの冷却水温度を検出する冷却水温センサの検出値に基づいて、昇圧コンバータのダイオードを保護するための電流しきい値Ith2を決定する(S50)。 - 特許庁
Since the side wall spacer 6 has the width in the range of 2 nm to 4 nm, both control of fluctuation in the threshold voltage of semiconductor device and elimination of reduction in the current drive force are attained simultaneously.例文帳に追加
該サイドウォールスペーサー6が、2nm乃至4nmの範囲の幅を有するので、半導体装置の閾値電圧のばらつきの抑制と電流駆動力の低減の回避との両方を達成することが可能となる。 - 特許庁
When a voltage Va corresponding to the detected temperature or a voltage Vc corresponding to the detected current rises and exceeds a threshold value, an overheated state detection signal Sb and further switching signals Sd and Se are brought to the H level.例文帳に追加
検出温度に応じた電圧Vaまたは検出電流に応じた電圧Vcがしきい値以上に上昇すると、過熱状態検出信号Sbさらには切替信号Sd、SeがHレベルになる。 - 特許庁
As the WTRU constantly moves, the WTRU monitors signal quality in the selected direction, and switches to another direction when the signal quality in a current direction drops below a predetermined threshold.例文帳に追加
WTRUは絶えず移動するため、WTRUは選択された方向での信号品質を監視し、その時点の方向での信号品質が予め定められた閾値より低下した場合には、別の方向に切り換える。 - 特許庁
To provide a light source having a low threshold current and a nearly double output power of a conventional SLD by dividing a super luminescent diode for use in an external cavity laser into an SLD region and an SOA region.例文帳に追加
外部共振型レーザーに使われるスーパールミネッセンスダイオードをSLD領域及びSOA領域に分けてしきい電流が低く且つ出力が従来のSLDより2倍程度高い光源を提供する。 - 特許庁
Write-in operation being characterized in that electric charges injection speed does not depend on threshold voltage that is a hot electron injection system is performed by controlling drain voltage and a drain current of a memory transistor.例文帳に追加
本発明では、メモリトランジスタのドレイン電圧とドレイン電流とを制御することによって、電荷注入速度がしきい値電圧に依存しないことを特徴とするホットエレクトロン注入方式の書き込み動作を行う。 - 特許庁
Hence, the resonator end face is smoother and flatter cleavage plane than the conventional GaN type semiconductor laser element 10, and the threshold current is also low.例文帳に追加
種結晶層42が基準線に対して正確な方位で形成されているので、共振器端面が、従来のGaN系半導体レーザ素子10に比べて平滑で平坦な劈開面となっており、閾値電流も低い。 - 特許庁
When the pixel is lighted, the drain current of the transistor Tr 1 is made to flow by the gate-source voltage formed by adding the threshold voltage written into the capacitor C 2 to the data voltage written into the capacitor C 1.例文帳に追加
画素が点灯される場合においては、コンデンサC1 に書き込まれたデータ電圧に、コンデンサC2 に書き込まれたスレッショルド電圧を加算したゲート・ソース間電圧により、トランジスタTr1のドレイン電流が流れる。 - 特許庁
When the output current signal 18 is higher than the threshold level SL, an 'H' is outputted as the output signal 11B from the voltage comparator 10B to announce that the conduction state to a control circuit is normal.例文帳に追加
出力電流信号18がスレッショルドレベルSLより高い時には、電圧比較器10Bからの出力信号11Bとして“H”を出力し、制御回路へ導通状態が正常であることを知らせる。 - 特許庁
To improve the reliability of a buried type semiconductor laser by preventing an increase in oscillation threshold current and a decrease in external differential quantum efficiency in cases where the semiconductor laser is energized continuously under conditions of high temperature and high optical output.例文帳に追加
埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。 - 特許庁
A switching power supply, for example, of separate excitation flyback, includes a circuit that offsets a threshold value for detecting zero current against a voltage waveform of an auxiliary winding on the basis of a voltage of the auxiliary winding when starting.例文帳に追加
例えば、他励型フライバック方式のスイッチング電源において、起動時に、補助巻線の電圧に基づいて、ゼロ電流を検出する閾値を補助巻線の電圧波形に対してオフセットさせる回路を備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device which is simple in structure, can operate in a high output with a threshold current, is high in reliability, and is low in cost, its manufacturing method, an optical disc, and a photo transfer system.例文帳に追加
簡単な構成で低閾値電流で高出力動作ができると共に、信頼性が高く低コストな半導体レーザ素子とその製造方法および光ディスク装置および光伝送システムを提供する。 - 特許庁
In judging the replacement time of a surge protection apparatus suppressing a surge, a surge current flowing in the surge protection apparatus is judged by using a surge judging parameter Ps and a surge judging parameter threshold Psc (step S102).例文帳に追加
サージを抑制するサージ防護装置の交換時期を判定するにあたり、サージ防護装置にサージ電流が流れたことを、サージ判定パラメータPsとサージ判定パラメータ閾値Pscとを用いて判定する(ステップS102)。 - 特許庁
A friction level of an intermediate transfer belt 10 is obtained based on a current value of an intermediate transfer body driving motor 120, and the second lubricant applying device is brought into contact with the intermediate transfer belt 10, when the value exceeds a threshold value.例文帳に追加
中間転写ベルト10の摩擦レベルを中間転写体駆動モータ120の電流値によって把握し、その値が閾値を超えたら第二潤滑剤塗布装置を中間転写ベルト10に当接させる。 - 特許庁
Based on a voltage ratio, a current ratio and a power threshold, a pulse signal simulating a pulse signal output by a wattmeter 15 for measuring power used in facilities is generated to be output.例文帳に追加
電圧比、電流比、電力閾値に基づいて、施設内で使用される電力を測定するための電力計15より出力されるパルス信号を模擬したパルス信号が生成し、このパルス信号を出力する。 - 特許庁
When the current capability of the MOS transistor (P1) drops due to the drop of the power-supply voltage, the operating speed of the MOS transistor (P1) is compensated by automatically performing adjustment in the direction in which the threshold voltage of the MOS transistor (P1) is dropped.例文帳に追加
電源電圧が低下してMOSトランジスタ(P1)の電流能力が低下すると、自動的に、そのMOSトランジスタのしきい値電圧を下げる方向に調整が働き、動作速度が補償される。 - 特許庁
Then, the level of an A-phase signal being the drain voltage of the transistor TrA, in relation to the threshold of a consumed current Icc, just after the rise of the signal, is determined, and the direction of movement of the moving object 11 is obtained by the A-phase signal alone.例文帳に追加
そして、トランジスタTrAのドレイン電圧であるA相信号の立ち上がり直後の消費電流Iccの閾値に対するレベルを判定して、A相信号のみによって、移動体11の移動方向を得る。 - 特許庁
Since the threshold of a PMOS 11 and an NMOS 12 of the inverter 10 is 0.6 V, the PMOS 11 and the NMOS 12 are alternately conductive to continue the oscillation, but since they are not simultaneously conductive, no through-current flows.例文帳に追加
インバータ10のPMOS11及びNMOS12の閾値電圧は0.6Vであるので、交互にオン状態になって発振動作は継続されるが、同時にオン状態にはならず貫通電流が流れることはない。 - 特許庁
A gate voltage of a transistor T3 which is diode-connected is set to an offset voltage (Vdd-Vth) corresponding to its own threshold voltage Vth in an electrically isolated state between a variable current source 4a and the transistor T3.例文帳に追加
可変電流源4aとトランジスタT3とが電気的に分離されている状態において、ダイオード接続されたトランジスタT3のゲート電圧を、自己のしきい値電圧Vthに応じたオフセット電圧(Vdd−Vth)に設定する。 - 特許庁
This alleviates the concentration of the electric filed to the top end (angular portion) of the fin-shape active region, thus making it possible to maintain the current drive capability of the fin effect field transistor and simultaneously inhibit the decrease in threshold voltage.例文帳に追加
これにより、フィン状の活性領域の上端部(角部)における電界集中が緩和されることから、フィントランジスタの電流駆動能力を維持しつつ、閾値電圧の低下を抑制することが可能となる。 - 特許庁
Thereby, it can be determined that the circulation pump 25 is not normal unless the driving current value I of the circulation pump 25 is above the predetermined threshold I0, and an abnormal stop mode is executed when it is continuously counted to a predetermined value.例文帳に追加
従って、循環ポンプ25の駆動電流値Iが所定の閾値I0以上でないと、循環ポンプ25が正常でないと判断でき、これを連続して所定値カウントすると、異常停止モードを実行する。 - 特許庁
To provide a laser irradiation apparatus that restrains unevenness in a surface condition or crystallinity of a semiconductor film in order to crystallize the semiconductor film uniformly; in addition, a production method of the semiconductor device using the laser irradiation apparatus, which restrains on-current of TFT, mobility, and scattering of a threshold value; and a semiconductor device produced using the production method.例文帳に追加
半導体膜の表面の状態や結晶性にむらが生じるのを抑え、半導体膜の結晶化を均一に行なうことができるレーザ照射装置の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide a surface-emitting semiconductor laser, where the polarization of laser beam is controlled to be in the constant direction with a relatively simple configuration, for a low threshold current and high output, and to provide a laser array where no variation in polarization characteristics exists among laser elements provided on a single substrate.例文帳に追加
比較的簡単な構成でレーザ光の偏光を一定方向に制御することができ、低しきい値電流、高出力を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁
The phase point θmin corresponding to the min. value Imin is extracted from the phase curve of a jet current (step S102) and the max. value Imax is extracted (step S103) and a threshold value (Imax-δ) is set (step S104).例文帳に追加
ジェット電流の位相曲線から最小値I_minに対応する位相点θ_m_inを抽出し(ステップS102)、最大値I_maxを抽出し(ステップS103)、閾値(I_max−δ)を設定する(ステップS104)。 - 特許庁
The inverter 31 and 32 with current limit are combined with the inverters 24 and 25 where a threshold voltage is different from that of the inverters 31 and 32 so that the oscillator is operated with a stable oscillation frequency within the wide voltage range.例文帳に追加
第2オシレータ形成部22は、トランジスタQ24、Q25からなる電流制限付きインバータ28と、トランジスタQ26からなる電流制限付きインバータと、インバータ25とを直列に接続させたものである。 - 特許庁
An LDIth detection operation section 82 provided in an ASIC 80 detects a threshold electric current Ith lased by a laser diode on the basis of an output (LD monitor value) of a photodiode corresponding to the luminous energy of a laser diode.例文帳に追加
ASIC80に設けられたLDIth検出演算部82は、レーザダイオードの光量に対応するフォトダイオードの出力(LDモニタ値)に基き、レーザダイオードが発振する閾値電流Ithを検出する。 - 特許庁
Light piping is lengthened by shading of memory array 33 and several characteristics of the image sensor, holding time of memory cell being lengthened under the effect of sub threshold current that increases according to light and photocharge in the substrate.例文帳に追加
メモリアレイ33の遮光と画像センサの幾つかの特徴とにより、光パイピング、光により増加するサブスレショルド電流、及び基体における光電荷の影響をさせることにより、メモリセルの保持時間が長くなる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with an input circuit that reduces a through-current flowing when the level of an external input signal reaches an intermediate level between the threshold voltages and responses to no noise input at the intermediate level.例文帳に追加
外部入力信号がしきい値電圧間の中間レベルになったときに流れる貫通電流を低減すると共に、中間レベルのノイズ入力に応答しない入力回路を備えた半導体装置を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer.例文帳に追加
活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
When the temperature of the glass seal 4 exceeds a prescribed threshold due to overcurrent or the like flowing in the electrode 3, the current flowing in the electrode 3 is stopped, thereby melting of the glass seal 4 can be prevented certainly.例文帳に追加
電極3を流れる過電流等によってガラスシール4の温度が所定のしきい値を超えたときに、電極3を流れる電流を停止することで、ガラスシール4の溶融を確実に防止することができる。 - 特許庁
To provide a structure of a ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element capable of stabilizing a transverse horizontal mode without increasing threshold current density and operating voltage.例文帳に追加
リッジ導波路型III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、閾電流密度及び動作電圧の上昇を伴うことなく水平横モードを安定化することが可能な構造を提供する。 - 特許庁
Then, the encoding mode associated with the corresponding reference macroblock is selected as the mode for encoding the current macroblock if the amount of correlation is greater than a predetermined threshold, and otherwise a new mode is selected.例文帳に追加
次に、相関量が所定の閾値よりも大きい場合、対応する基準マクロブロックに関連する符号化モードが、現マクロブロックを符号化するためのモードとして選択され、そうでない場合、新たなモードが選択される。 - 特許庁
The second comparator IC2 varies the threshold value based on the current value supplied to the motor circuit M so as to follow the load voltage supplied to the first comparator IC1 to delay.例文帳に追加
そして、第2コンパレータIC2は、モータ回路Mに供給されている電流値に基づいたしきい値を、第1コンパレータIC1に供給される負荷電圧に対して遅延させて追従させるように変化させる。 - 特許庁
In another mode, when the load current derived from the power supply by an outside circuit is equal to or less than a threshold value for a predetermined time amount, a shutoff circuit making the outside circuit a low power consumption state is included.例文帳に追加
別の態様では、外部回路によって電源から引き出される負荷電流が所定の時間量にわたって閾値以下に低下したとき、外部回路を低電力消費状態とするシャットオフ回路を含む。 - 特許庁
A real temperature of the power MOSFETs is obtained by adding the temperature detected by the temperature sensor 16 to the heat value, and a motor current is changed and controlled by a CPU 11 so that a real temperature does not exceed a predetermined threshold.例文帳に追加
この発熱量に、温度センサ16で検出した温度を加算することにより、パワーMOSFETの実温度を求め、実温度が所定の閾値を超えないように、CPU11でモータ電流を変更制御する。 - 特許庁
To provide a complementary MISFET capable of suppressing a leak current which is generated in a gate insulating film, and controlling a threshold voltage for each transistor while maintaining high transistor characteristics.例文帳に追加
ゲート絶縁膜に生じるリーク電流を抑制でき、高いトランジスタ特性を維持したまましきい値電圧の制御を個々のトランジスタごとに実行することができる相補型MISFETを提供することである。 - 特許庁
To propose an optical communication system capable of favorably being used without damaging a laser element by utilizing a surface emitting type semiconductor laser element chip in which an operating voltage, an oscillation threshold current or the like can be lowered as a light emitting light source.例文帳に追加
動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、レーザ素子が破損しないで良好に使用できる光通信システムを提案することにある。 - 特許庁
To provide a phase synchronous circuit capable of performing automatic adjustment so that a VCO (voltage-controlled circuit) can meet a prescribed frequency range even within a frequency range that the VCO oscillates due to a leak current caused when a low threshold process is applied.例文帳に追加
低しきい値プロセスを適用した場合に発生するリーク電流によりVCOが発振する周波数範囲であっても、VCOが所定の周波数範囲を満たすように自動調整できる位相同期回路を提供する。 - 特許庁
To provide a level shift circuit where restriction in the range of an input signal and an output signal is reduced, another potential such as a threshold potential Vref is not required and current does not flow excepting for the time of transition of the input signal.例文帳に追加
入力信号と出力信号の範囲に制限が少なく、閾値電位Vrefのような他の電位も必要なく、入力信号の遷移時以外に電流が流れないレベルシフト回路を提供する。 - 特許庁
The electric power steering apparatus calculates a reference electrical angle where a q-axis current is at a first threshold or less while a q-axis voltage is applied, and determines an anomalous phase according to the reference base angle.例文帳に追加
電動パワーステアリング装置では、q軸電圧が印加されているにも関わらず、q軸電流が第1閾値以下である基準電気角を算出し、前記基準電気角に基づいて異常相を判定する。 - 特許庁
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