「threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a quantum effect semiconductor laser element which is manufactured by using a selecting growth method, in which a leakage current in a growth suppression layer position is hardly generated, and which can be oscillated at a low threshold voltage.例文帳に追加

選択成長法を用いて製造される量子効果型半導体レーザー素子において、成長抑制層位置でのリーク電流を生じにくく、ひいては低い閾電圧で発振可能な半導体レーザー素子を提供する。 - 特許庁

If a current game state shows that a prescribed capability value of a game character, which is an object of an operation by a player, is equal to or more than a threshold value, the effects of the new game item appearing in place of the former game item are exerted.例文帳に追加

そして、現在ゲーム状況がプレイヤの操作対象であるゲームキャラクタの所定能力値が所定閾値以上であることを示す場合に、元ゲームアイテムに代えてゲームに登場した新ゲームアイテムの効果を発動させる。 - 特許庁

A bit line BLn of left-hand neighbor is grounded, and a voltage of the selection bit line BLn+1 is biased to 4.5 V, and a voltage of the selection word gate WLn is raised to 1.2 V which is slightly higher than a word gate threshold voltage, for controlling a programming current.例文帳に追加

左隣のビット線ＢＬｎは接地され、選択ビット線ＢＬｎ＋１は４．５Ｖにバイアスされ、プログラミング電流を制御するために、選択ワードゲートＷＬｎはワードゲート閾値電圧よりも僅かに高い１．２Ｖに上げられる。 - 特許庁

When a current increases owing to an overload, a power signal P from a power detecting circuit 16 exceeds an overpower threshold value Pth and a power determination comparator 17 detects an overpower state, an overpower detection signal Po becomes at a high level.例文帳に追加

過負荷などで電流が上昇し、電力検出回路１６から電力信号Pが過電力しきい値Pthを超え、電力判定比較器１７により過電力状態と検出されると、過電力検出信号Poがハイレベルとなる。 - 特許庁

On the other hand, when the input signal to the combinational circuit does not change, since C5 and C6 make the threshold of the MOS transistor in the combinational circuit of the operation higher than the time of a normal operation, though the speed of the operation is decreased, the leakage current is decreased.例文帳に追加

一方、組み合わせ回路への入力信号が変化しない場合は、Ｃ５，Ｃ６が組み合わせ回路内のＭＯＳトランジスタの動作閾値を通常動作時よりも高くするので、動作スピードを落ちるがリーク電流は少なくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a multi-fin FET, wherein a short channel effect is suppressed by its structure, a threshold voltage is controlled, current driving force is excellent, and a high-speed operation is attained; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

短チャネル効果を抑制できる構造であり、しきい値電圧を制御でき、電流駆動力に優れ、高速動作が可能なマルチフィンＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an integrated circuit design device, an integrated circuit design program, and an integrated circuit design method for reducing the leak current of a semiconductor integrated circuit for selecting a threshold voltage from a plurality of ranks.例文帳に追加

しきい電圧を複数のランクから選択することが可能な半導体集積回路のリーク電流をより小さくすることができる集積回路設計装置、集積回路設計プログラム、集積回路設計方法を提供する。 - 特許庁

The control circuit acquires information of the primary current of the transformer T_5 by the detection resistor R_s, acquires a compensation signal from an input voltage by the voltage-dividing compensation circuit, and controls a threshold value voltage of the primary power switch Q_5.例文帳に追加

該制御回路は検出抵抗Ｒ_sによって変圧器Ｔ_5の一次電流情報を取得し、かつ該分圧補償回路によって、入力電圧より補償信号を取得し一次電力開閉器Ｑ_5の閾値電圧を制御する。 - 特許庁

Moreover, since it can be determined that oscillation is being weakened when the resistance value is reduced after the voltage reaches a certain threshold or more, the STOAR can be normally oscillated again by boosting with current.例文帳に追加

また一定の閾値以上に電圧が達した後に抵抗値が低下する場合は、発振が弱まっていると判定できるため、電流でブーストすることでＳＴＯＡＲ素子を再び正常に発振させることが可能である。 - 特許庁

The control part 3 determines whether a motor M is in a starting state or in a steady state, and then determines whether or not a driving current Is is an overcurrent using an overcurrent detection voltage Vth different according to an operation state of the motor M as a threshold.例文帳に追加

制御部３でモータＭが始動状態か定常状態かを判定し、モータＭの動作状態に応じて異なる過電流検出電圧Ｖｔｈを閾値として駆動電流Ｉｓが過電流か否かを判定する。 - 特許庁

The appearance of the person is determined by comparing with a threshold, a similarity between the ideal appearance image of the person imaged beforehand by the imaging part and the current image of the person imaged by the imaging part.例文帳に追加

前記人物の身だしなみの判定は、事前に前記撮影部で撮影した前記人物の理想の身だしなみ画像と前記撮影部で撮影した前記人物の現在の画像との類似度を閾値と比較することで行う。 - 特許庁

To provide a field emitting type cold cathode having a low emission threshold voltage and high current density and to provide a manufacturing method capable of producing it with a simple process, in a field emitting cold cathode having a gate and an emitter of a carbon film.例文帳に追加

ゲート、炭素膜のエミッタを有する電界放出型冷陰極において、エミッションしきい値電圧の低い、電流密度の高い電界放出型冷陰極とそれをより簡単なプロセスで作製できる製造方法を提供する。 - 特許庁

When the output current signal 18 is lower than the threshold level SL, an 'L' is outputted as the output signal 11B from the voltage comparator 10B to announce that there is certain abnormality in the conduction state to the control circuit.例文帳に追加

出力電流信号１８がスレッショルドレベルＳＬより低い時には、電圧比較器１０Ｂからの出力信号１１Ｂとして“Ｌ”を出力し、制御回路へ導通状態に何らかの異常があることを知らせる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be made very small without lowering driving force of a transistor and prevent junction leakage current increase between a gate electrode and a source electrode in a dynamic threshold performance transistor (DTMOS).例文帳に追加

動的閾値動作トランジスタ（ＤＴＭＯＳ）において、トランジスタの駆動力を低下させることなく微細化させると共に、ゲート電極とソース電極との間の接合リーク電流増大を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

By providing a gate electrode 114 to an i region 112 of a pin type optical sensor diode, the threshold of a bias voltage when a current starts flowing in the optical sensor diode can be controlled with a gate voltage.例文帳に追加

ｐｉｎ型の光センサ用ダイオードのｉ領域１１２に絶縁膜を介してゲート電極１１４を設けることにより、光センサ用ダイオードに電流が流れ始めるときのバイアス電圧の閾値をゲート電圧によって制御可能とする。 - 特許庁

Then coordinates of a substrate center Sa based upon a first detection position RP1 are computed with reference to position data each time a detected value reaches a "first threshold", and coordinates of a target point are corrected on the basis of the current substrate center Sa.例文帳に追加

そして、位置データを参照して、検出値が「第１閾値」になるごとに、第１検出位置ＲＰ１に基づく基板中心Ｓａの座標を演算し、その時の基板中心Ｓａに基づいて目標点の座標を補正する。 - 特許庁

To provide a crystal oscillation circuit capable of greatly improving variation in various characteristics such as current consumption and negative resistance, due to a temperature variation in threshold voltage VT of an oscillation circuit comprising a CMOS inverter.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータで構成される発振回路の閾値電圧ＶＴの温度変動に起因する消費電流や、負性抵抗などのさまざまな特性変動を大幅に改善することができる水晶発振回路を提供する。 - 特許庁

The current flowing through the antenna electrode, and/or, a phase difference in signals between the antenna electrode and an oscillation circuit output, are compared with a predetermined threshold, and it is possible to detect the existence of a passenger by a sure and low-cost method.例文帳に追加

アンテナ電極を流れる電流、及び／又は、アンテナ電極と発振回路出力との間の信号の位相差を所定の閾値と比較することにより、確実で安価な方法で乗客の存在を検出することが可能である。 - 特許庁

The disorder detecting and protecting circuit 16 short-circuits both electrodes of the fluorescent lamp FLR1 when direct current superimposed high frequency voltage exceeds at least one of the threshold values for positive and negative polarity respectively.例文帳に追加

異常検出・保護回路１６は、直流重畳高周波電圧が正負両極性にそれぞれ設定された所定のしきい値のうちの少なくとも一方を越えた場合に、蛍光灯ＦＬＲ１の両電極間を短絡する。 - 特許庁

This control method for a brushless motor is one which avoids the occurrence of regeneration abnormality by performing calculation in a regeneration abnormality avoiding algorithm part (10) when the DC voltage at regeneration is over a specified threshold, thereby making an optimum current command (Im').例文帳に追加

本発明によるブラシレスモータの制御方法は、回生時の直流電圧が所定のしきい値以上の時は、回生異常回避アルゴリズム部(10)で演算し、最適な電流指令(Im')として回生異常の発生を避ける方法である。 - 特許庁

Energy of the ballistic electron is continuously increased by a tunnel voltage Vt, and energy of the ballistic electron at a threshold at which current flowing through an ammeter 8 is started to be detected is measured as an electron injection energy barrier eVb.例文帳に追加

弾道電子５のエネルギーをトンネル電圧Ｖｔによって連続的に増大させ、電流計８に流れる電流が検出され始めるしきい値の弾道電子のエネルギーを、電子注入エネルギーバリアｅＶｂとして測定する。 - 特許庁

This control method for a brushless motor is one which avoids the occurrence of regeneration abnormality by performing calculation in a regeneration abnormality avoiding algorithm part (10) when the DC voltage at regeneration is over a specified threshold, and changing the current limit value (Im).例文帳に追加

本発明によるブラシレスモータの制御方法は、回生時の直流電圧が所定のしきい値以上の時は、回生異常回避アルゴリズム部(10)で演算し、電流リミット値(Im)を変えて回生異常の発生を避ける方法である。 - 特許庁

The ECU 300 switches from the rectangular wave control mode to the pulse width modulation control mode as a current phase φ_i# impressed to the AC motor 200 reaches a threshold φ_th during execution of the rectangular wave control mode.例文帳に追加

ＥＣＵ３００は、矩形波制御モードの実行中に、交流電動機２００へ印加される電流位相φ_i#がしきい値φ_thに到達したことに応じて、矩形波制御モードからパルス幅変調制御モードへ切換える。 - 特許庁

The contact positions Pc1, Pc2 may be detected as positions that exceeds a threshold value Ith by increasing the motor current value I of a motor as a driving source of the press pressure releasing cam by working a load on the press pressure releasing cam from the press plate.例文帳に追加

接触位置Ｐｃ１，Ｐｃ２は、プレス圧解除カムにプレス板からの負荷が作用して、プレス圧解除カムの駆動源としてのモータのモータ電流値Ｉが増大して閾値Ｉｔｈを超えた位置として、検出することができる。 - 特許庁

A CPU 17a detects a charge condition of the battery 11 by using a current sensor 13 and a voltage sensor 14, and measures the internal resistance of the battery 11 if the detected charge condition of the battery 11 is equal to or more than a first threshold.例文帳に追加

ＣＰＵ１７ａは、電流センサ１３及び電圧センサ１４を用いて、バッテリ１１の充電状態を検出し、検出したバッテリ１１の充電状態が第１閾値以上のときのバッテリ１１の内部抵抗を測定する。 - 特許庁

When the distance is longer than a threshold, the control part 32 judges that the user who carries the terminal device 3 is far away from the monitored object and inquires the current monitor mode of a monitor device 1 or monitor center 2.例文帳に追加

そして、上記距離が閾値以上の場合には、制御部３２は、端末装置３を携帯した利用者が監視対象から離れていると判断し、監視装置１または監視センタ２に、現在の監視モードを問い合わせる。 - 特許庁

The threshold value of the inductor current is adjusted so as to suppress the fluctuation in the ripple of the output voltage Vout due to a fluctuation in a ratio in response to the ratio of the input voltage Vin and the output voltage Vout.例文帳に追加

更に、インダクタ電流の上記しきい値は、入力電圧Ｖｉｎと出力電圧Ｖｏｕｔとの比に応じて、当該比の変動に伴う出力電圧Ｖｏｕｔのリップルの変動が抑制されるように調節される。 - 特許庁

To provide an optical communication system that uses, as a light emitting source, a surface-emitting semiconductor laser element chip operable with a low voltage and a low oscillation threshold current, etc., and that can obtain superior optical coupling of this laser element and an optical fiber.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、このレーザ素子と光ファイバの良好な光学的カップリングが得られる光通信システムを提供する。 - 特許庁

At this time, the capacitance TFT 26 turns to on from off and the gate voltage of the drive TFT 24 changes in correspondence to the capacitance change and reduces the drive current while compensating the threshold and mobility of the drive TFT 24.例文帳に追加

このとき、容量ＴＦＴ２６がオフからオンとなり、この容量変化に対応して駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧が変化して駆動ＴＦＴ２４のしきい値と移動度を補償しながら駆動電流を縮小する。 - 特許庁

The peak current limit threshold or the operating frequency is substantially adjusted, so as to fixedly maintain the product I_p^m.f^n in each power source controller, and here m is substantially equal to 2, further n is substantially equal to 1.例文帳に追加

ピーク電流制限閾値または動作周波数は、具体的には、電源制御器ごとに、Ｉ_ｐ^ｍ・ｆ^ｎの積を実質的に一定に維持するように調節され、ここでｍが実質的に２に等しく、かつｎが実質的に１に等しい。 - 特許庁

When a change from an accumulation time T_11 to an accumulation time T_12 is determined as decrease of the accumulation time equal to or more than a threshold TH, the CMOS image sensor generates a ramp signal increased from a current clamp amount D_11 relatively by a clamp amount Df.例文帳に追加

蓄積時間T_11から蓄積時間T_12への変更が、閾値TH以上の蓄積時間の減少であると判定された場合、CMOSイメージセンサは、現在のクランプ量D_11から相対的にクランプ量Dfだけ上昇させたランプ信号を生成させる。 - 特許庁

This device is so constituted as to have a normal operation mode in which a logic circuit performs a normal operation and a low power consumption mode in which sub-threshold current and power consumption due to switching of a 10S transistor of the logic circuit are decreased.例文帳に追加

論理回路が通常動作を行う通常動作モードと、論理回路のＭＯＳトランジスタのスイッチングによる消費電力とサブスレッショルド電流とを低減させる低消費電力モードとを有するように構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is modified so that a gate electric-field concentration in the end parts of a channel is reduced, reduction in the threshold at the operation of a MOSFET is suppressed, and reduction in a leakage current can be contrived.例文帳に追加

チャネル端部でのゲート電界集中が低減され、ＭＯＳＦＥＴ動作時のしきい値低下が抑えられ、リーク電流の低減を図ることができるように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser device including a laser resonator allowing a low threshold current on a semipolar surface of a support substrate where the c-axis of hexagonal group III nitride is inclined in the direction of the m-axis.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element with a laser resonator, allowing a low-threshold current on a semipolar surface of a supporting base wherein the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the a-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The gate voltage of the drive transistor is temporality reduced by applying the second driving voltage, and the drain-source voltage of the sampling transistor is reduced when the signal line has the threshold correction reference voltage, and accordingly, the leakage current is suppressed.例文帳に追加

第２の駆動電圧によって、駆動トランジスタのゲート電圧を一時的に下げ、信号線が閾値補正基準電圧となっているときの、サンプリングトランジスタのドレイン・ソース間電圧を小さくすることで、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laser element 11 includes a laser waveguide extending in a direction of a line of intersection of the m-n plane and semipolar plane 17a so as to utilize light emission of band transition allowing a low threshold current.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用するために、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

An active region 15 is prevented from deteriorating, and a threshold current is reduced, so that a wavelength 780 nm band InGaAsP well layer semiconductor laser device which operates stably for a long hours, outputting a high power of 100 mW or above can be obtained.例文帳に追加

こうして、活性領域１５の劣化を防ぐと共に閾値電流を下げることによって、１００mＷ以上の高出力時でも安定して長時間動作が可能な波長７８０nm帯ＩnＧaＡsＰ井戸層半導体レーザ素子を得る。 - 特許庁

To solve a problem such that an idle current Idsq is considerably dispersed since a threshold voltage Vth is considerably dispersed by a production lot or the like concerning an FET for high frequency such as GaAsFET in the bias circuit of a resistance dividing system.例文帳に追加

抵抗分割方式のバイアス回路では、ＧａＡｓＦＥＴ等の高周波用ＦＥＴは製造ロットなどにより、しきい値電圧Ｖｔｈが大きくばらつくため、アイドル電流Ｉｄｓｑに大きなばらつきが生じる。 - 特許庁

Since the current of the transistor MP4 is proportional to that of the transistor MN1, the High-level input voltage ViH does not depend upon the threshold voltage Vth and temperature of the transistor and the power-supply voltage VCC and is kept constant.例文帳に追加

トランジスタＭＰ４の電流は、トランジスタＭＮ１の電流に比例するので、Ｈｉｇｈレベル入力電圧ＶｉＨは、トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈ、温度、ならびに電源電圧ＶＣＣに依存せず一定となる。 - 特許庁

To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance.例文帳に追加

ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。 - 特許庁

A switching regulator can obtain control over a minimum peak inductor current level and the hysteresis of a burst comparator 217 during burst mode operation, because the burst threshold level and hysteresis of the burst comparator 217 can be made externally controllable by the user.例文帳に追加

バーストしきい値レベルおよびバースト比較器のヒステリシスがユーザにより外部から制御可能にされることにより、バーストモード動作中に、最小ピークインダクタ電流レベルおよびバースト比較器のヒステリシスに対する制御が得られる。 - 特許庁

To improve a falling waveform of an optical output by making the off-timing of input current appropriate with respect to relaxed oscillation of the optical output when performing a high-speed drive from below an oscillation threshold value for low power driving.例文帳に追加

低電力駆動のために発振閾値以下から高速駆動を行う際の、光出力の緩和振動に対する入力電流のＯＦＦタイミングを適正化することにより、光出力の立下り波形の改善を行う。 - 特許庁

Accordingly, the supply time of a readout time is shortened from the point of view of suppression of occurrence of readout disturbance so as to increase the threshold value of a current at which the magnetization inversion occurs, thereby securing a sufficient readout disturbance margin.例文帳に追加

そのため、読出しディスターブの発生を抑制する観点からは、読出し電流の供給時間を短くすることにより、磁化反転が生じる電流のしきい値を高めて、読出しディスターブマージンを十分に確保できる。 - 特許庁