「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable an insulated gate field effect transistor (MOSFET), whose gate length is of the order of sub-micron or sub-0.1 μm to be enhanced in characteristics and improved in characteristics uniformity by a method, where the planarity of a resist underlying layer serving as a gate electrode is ensured, and a gate electrode is formed accurately by actuate patterning.例文帳に追加

絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、ゲート電極となるレジスト下地層の平坦性を確保し、ゲート電極の精度良いパターニングを実現することによりゲート長がサブミクロン領域、或いはサブ0.1μｍ領域のＭＯＳＦＥＴにおいて、トランジスタ特性の向上、ばらつきの低減を図る。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor that is a flexible device, can be fabricated with good reproducibility and high yield, and does not generate abnormal surface geometry because of breaking or scratches in a post process by giving solidity to an underlying layer itself, a method of manufacturing the same, and to provide an image display apparatus.例文帳に追加

再現性良く、高収率でフレキシブルデバイスとしての電界効果型トランジスタを作製することができ、下地層そのものに堅牢性を与えることによって後工程による破壊や傷による表面形状の異常が生じない電界効果型トランジスタ及びその製造方法、並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁

On a underlying layer of Cu, or the like, formed on a substrate body, an Ni film or an Ni alloy film, a Pd film or a Pd alloy film, and an Au film are deposited sequentially and then heat treated at 200-300°C, for not longer than 120 sec, thus alloying the Pd film or the Pd alloy film and the Au film.例文帳に追加

基板本体上に形成されたＣｕなどからなる下地層に、順にＮｉ膜またはＮｉ合金膜、Ｐｄ膜またはＰｄ合金膜、Ａｕ膜を成膜し、これを２００℃から３００℃の温度で１２０秒以下の時間で熱処理して、前記Ｐｄ膜またはＰｄ合金膜と前記Ａｕ膜とを合金化する。 - 特許庁

In the underlying layer the proportion (weight ratio) of the carbon fiber to the flame-retardant organic fiber is about 5/95-75/25 (carbon fiber/flame-retardant organic fiber) and the proportion (weight ratio) of the total amount of the carbon fiber and the flame-retardant organic fiber to the binder fiber can be about 30/70-90/10 (former/latter).例文帳に追加

前記基層部において、炭素繊維と難燃性有機繊維との割合（重量比）が、炭素繊維／難燃性有機繊維＝５／９５〜７５／２５程度であり、炭素繊維及び難燃性有機繊維の合計量と、バインダー繊維との割合（重量比）が前者／後者＝３０／７０〜９０／１０程度であってもよい。 - 特許庁

Also, in the thin-film transistor (10) having this laminate, the underlayer (Under) of the laminate is used as a substrate (Sub) of the thin-film transistor, and an organic semiconductor film (Semi) is formed directly on the amorphous organosilane thin film (Amr) formed on the underlying layer (Under).例文帳に追加

また、本発明の積層体を有する薄膜トランジスタ（１０）では、本発明の積層体の下地層（Ｕｎｄｅｒ）が、薄膜トランジスタの基板（Ｓｕｂ）として用いられ、且つこの下地層（Ｕｎｄｅｒ）上に形成されている非晶質オルガノシラン薄膜（Ａｍｒ）上に直接に、有機半導体膜（Ｓｅｍｉ）が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, cleavage is performed along a division line D set at a position overlapping the eaves 7 when viewed from the laminating direction so that the underlying electrode layer 4 extends with a substantially equal thickness up to the opposite end faces 1a and 1a of the semiconductor laser element 1 thus enhancing emission efficiency of the semiconductor laser element 1.例文帳に追加

その後、積層方向から見て庇７と重なる位置に設定した分割線Ｄに沿ってへき開を行うことにより、半導体レーザ素子１の両端面１ａ，１ａに至るまで、下地電極層４をほぼ等厚で延在し、半導体レーザ素子１の発光効率の向上が図られる。 - 特許庁

An activated p-type impurity is doped to a region underlying the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and the activated n-type impurity is doped to a region excluding an area underlying the gate electrode.例文帳に追加

本発明による多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置は、多結晶半導体層は上面に絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、このゲート電極の一方の側の多結晶半導体層をドレイン領域、他方の側の多結晶半導体層をソース領域とするもので、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側の領域には活性化されたｐ型不純物が注入されており、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側以外の領域には活性化されたｎ型不純物が注入されているというものである。 - 特許庁

To provide an antifouling coating composition which forms an antifouling layer having excellent fouling resistance, excellent resistance to hot water, and self-cleaning capabilities, is environmentally friendly since no organic solvent is used, and does not cause dissolution, swelling, or the like of an underlying coating film having susceptibility to organic solvents, and a method for forming an antifouling coating film.例文帳に追加

耐汚染性や、耐温水性に優れた、自己洗浄能力を有する防汚層を形成し、また、有機系溶剤を使用しないため環境面においても優しく、更に有機溶剤に弱い下地塗膜を溶解や膨潤等を起こすことのない防汚塗料組成物及び防汚塗膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

Alternatively, a nitride film is formed in contact with an organic insulating film having an opening, the nitride film is patterned to expose a semiconductor film or a conductive film underlying the nitride film, a first conductive layer having barrier properties is formed in contact with the nitride film, and a second conductive film containing aluminium is formed in contact with the first conductive film.例文帳に追加

又は、開口部が形成された有機絶縁膜に接するように窒化膜を形成し、窒化膜の下層の半導体膜又は導電膜が露出するように窒化膜をパターニングし、窒化膜に接するようにバリア性を有する第１の導電膜を形成し、第１の導電膜に接するようにアルミニウムを含む第２の導電膜を形成する。 - 特許庁

The TFT array substrate comprises a gate line 4 provided on an insulating substrate, a source line 5 intersecting the gate line 4 through an insulating film, a source electrode 3 connected with the source line, a drain electrode 2 provided oppositely to the source electrode 3, and a semiconductor layer 1 underlying the source electrode 3 and the drain electrode 2.例文帳に追加

本発明にかかるＴＦＴアレイ基板は絶縁性基板上に設けられたゲート配線４と、ゲート配線４と絶縁膜を介して交差するソース配線５と、ソース配線と接続されたソース電極３と、ソース電極３と対向して設けられたドレイン電極２と、ソース電極３とドレイン電極２の下層に設けられた半導体層１を備えている。 - 特許庁

To provide a hard mask composition for forming an inorganic hard mask film having an excellent etching selectivity to an organic hard mask film over the organic hard mask film used in etching of a fine pattern of a semiconductor device, and a method for manufacturing semiconductor devices in which an underlying layer pattern of a semiconductor device is formed using a hard mask formed using the hard mask composition.例文帳に追加

半導体素子の微細パターンの食刻に用いられる有機系ハードマスク膜の上部に、有機系ハードマスク膜に対する食刻選択比に優れた無機系ハードマスク膜の形成のためのハードマスク用組成物、及びこれを利用して形成されるハードマスクを用いて半導体素子の被食刻層パターンを形成する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁