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underlying layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 368



例文

A first interlayer insulating film IL1 is formed to cover an underlying pattern layer formed on the main surface of a semiconductor substrate SUB.例文帳に追加

半導体基板SUBの主表面に形成された下地パターン層を覆うように第1の層間絶縁膜IL1が形成されている。 - 特許庁

An SRAM cell has an SOI/bulk hybrid structure, where source/ drain diffusion regions 206, 208 have not reached an underlying insulator layer 212.例文帳に追加

SRAMセルはSOI/バルク混成構造を有し、ソース/ドレイン拡散領域206、208は下地絶縁物層212には到達していない。 - 特許庁

The sealing material filling device 100 fills indium on an underlying layer 22 coated in advance near an inner surface peripheral edge part of a front surface substrate 2.例文帳に追加

封着材充填装置100は、前面基板2の内面周縁部近く予め塗布された下地層22の上にインジウムを充填する。 - 特許庁

In a wiring circuit board 1 comprising a base layer 2, a conductor layer 4 and a cover layer 5, surface of the conductor layer 4 in an opening 6 of the cover layer 5 is irradiated, at first, with UV-rays and then an underlying layer 7a is formed by electroless plating on the surface irradiated with UV-rays.例文帳に追加

ベース層2、導体層4およびカバー層5により構成される配線回路基板1の、カバー層5のオープニング6内における導体層4の表面に、まず、紫外線を照射し、次いで、その紫外線が照射された表面に、無電解めっきによって下地層7aを形成するようにする。 - 特許庁

例文

The solution is provided by a magnetic recording medium, in which a magnetic layer is a layer including an alloy having a Co main component, and in which a nonmagnetic underlying layer includes a material having the Al_3Ni_2 structure, or the non-magnetic under layer has a multi-layer structure in which at least one layer includes a material having the Al_3Ni_2 structure.例文帳に追加

磁性層はCoを主成分とする合金を含む層であって、非磁性下地層がAl_3Ni_2構造を有する材料を含む、または非磁性下地層が多層構造を有していて少なくとも1つの層がAl_3Ni_2構造を有する材料を含むことを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。 - 特許庁


例文

Since an underlying film 9 is formed on part of the surface of a projecting part 3, exposed by removing part of a liquid-repellent layer 6, the smooth reflective surface 4 with a uniform thickness can be formed accurately on the underlying film 9 through electroless deposition.例文帳に追加

撥液膜6の一部を除去することで露出させた凸部3の表面の一部に、下地膜9を形成するので、下地膜9の上に、無電解めっきにより均一な厚さで滑らかな反射面4を精度良く形成することができる。 - 特許庁

Each dope is cast from a casting die 89 onto a traveling casting band 85 to form a multilayer cast film 70 in which the air surface layer 121a and the support surface layer 122a are formed on each side of the underlying layer 120a.例文帳に追加

各ドープを流延ダイ89から走行する流延バンド85上に流延して基層120aの両面にエア面層121a及び支持体面層122aを設けた複層構造の流延膜70を形成する。 - 特許庁

Next, the bottom of the isometric barrier / adhesive layer 216 lying on the bottom of the double damask hole, and subsequently, the underlying section of the superposed layer 204 is removed until the metallized layer 204 is exposed by anisotropic etching processing.例文帳に追加

次に二重ダマスク穴の底部に横たわる等角障壁/接着層216の底部を除去し、引き続いて非等方エッチング処理によって金属化層202が露出されるまで上乗せ層204の下伏部分を除去する。 - 特許庁

To provide a seed layer being formed as an underlying layer when a copper interconnect line excellent in electromigration resistance is formed in a semiconductor device, e.g. an LSI, and to provide a copper alloy sputtering target required for obtaining the seed layer.例文帳に追加

この発明は、LSIなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a seed layer being formed as an underlying layer when a copper interconnect line excellent in electromigration resistance is formed in a semiconductor device, e.g. an LSI, and to provide a copper alloy sputtering target required for obtaining that seed layer.例文帳に追加

LSIなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットに関するものである。 - 特許庁

例文

In addition, an underlying multilayer 22 and a magnetic domain control layer 23 are provided between a non-magnetic base 21 and a soft magnetic lining layer 24, thereby making it possible to significantly suppressing spike noise caused by the soft magnetic lining layer 24.例文帳に追加

更に、非磁性基体21と軟磁性裏打ち層24との間に、多層下地層22及び磁区制御層23を付与することにより軟磁性裏打ち層24に起因して発生するスパイクノイズを大幅に抑制することが可能となる。 - 特許庁

The formation of the Al electrode layer 4 by the low temperature film forming can prevent inter-diffusion between the Al and Ti or the like included in the underlying electrode layer 5 and prevent the deterioration in the crystallinity of the Al electrode layer 4.例文帳に追加

Al電極層4を低温成膜によって形成することにより、Alと下地電極層5に含まれるTi等との相互拡散が防止され、Al電極層4における結晶配向性が阻害されることを防止する。 - 特許庁

The headers of the packets of the voice/multi-media session are compressed and AAL2 circuits allocated to voice/multi-media sessions are used as underlying tunnel layer.例文帳に追加

音声/マルチメディアセッションのパケットのヘッダは圧縮され、音声/マルチメディアセッションに割り当てられたAAL2回路は、基礎をなすトンネル層として使用される。 - 特許庁

In particular, the gap may be formed by removing a portion of the insulation layer with an etch that does not affect the surface of the substrate underlying the gap.例文帳に追加

特にギャップは絶縁層の一部分をギャップの下の基板の表面に影響を与えないエッチングで除去することによって形成され得る。 - 特許庁

The supplicant instructs the authenticator to generate the authentication by a method independent of the underlying data link and physical layer protocols used for establishing the connection.例文帳に追加

サプリカントは、認証が、接続を確立するために使用されるデータリンク層および物理層プロトコルに依存しない方法で発生するべきであることを命令する。 - 特許庁

At least one volatile substance selected from a retardation controlling agent, an ultraviolet absorbing agent, and a degradation preventing agent is involved into the dope for the underlying layer alone.例文帳に追加

このとき、基層用ドープにのみレタデーション制御剤、紫外線吸収剤、劣化防止剤のうち少なくとも1種類以上の揮散性物質を含有させる。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極6の下のN−型ドレイン層2が熱破壊する前に、サージ電流はこのPN接合を通ってシリコン基板1に逃げる。 - 特許庁

In this state, a bump underlying metal layer 13 is deposited, and furthermore a gold electrode is formed thereon through a deposition growth method so as to serve as the bump electrode 14.例文帳に追加

この状態で、バンプ下地金属層13を堆積し、さらにその上にメッキ成長により金電極を形成してバンプ電極14とする。 - 特許庁

Then via holes 4 bottomed by the underlying wiring pattern 7 are formed through the insulating resin layer 8 and conductive pads 10 are formed while the via holes 14 are masked with a resist 31.例文帳に追加

絶縁樹脂層8に、その下の配線パターン7が底となるバイア14を穿孔して、めっきレジスト31でマスクしつつ導電パッド10を形成する。 - 特許庁

Since only the underlying layer 120a is added with the volatile substances, the film without the deposition of the volatile substances on the surface of the film can be obtained.例文帳に追加

基層120aにのみ揮散性物質が添加されるので、揮散性物質のフィルム表面への析出が防止されたフィルムを得ることができる。 - 特許庁

The plug seals and encapsulates the dielectric layer underlying the each spacer, thus preventing the dielectric material from being undercut during the subsequent silicide precleaning process.例文帳に追加

プラグは、各前記スペーサの下の誘電体層を封入密閉して、後のシリサイド前洗浄プロセス中に誘電体材料がアンダーカットされないようにする。 - 特許庁

A planarizing plate is settled in contact with a ununiform outer surface of a dielectric layer covering underlying functional circuit elements and filler circuit elements.例文帳に追加

下側に存在する機能回路要素及びフィラー回路要素を被覆する誘電体層の不均一な外部表面と接触して平坦化プレートを配置させる。 - 特許庁

To provide a method (100) for applying chromium-containing coatings (46, 58) to an underlying metal substrate (21) where the metal substrate has an overlaying platinum-containing layer (50).例文帳に追加

その上を覆う白金含有層(50)を有する基底の金属基板(21)に、クロム含有コーティング(46、58)を塗布するための方法(100)を提供する。 - 特許庁

A ProtocolError object describes a protocol error in the underlying transport layer (such as a 404 `not found' error if the server named by the URI does not exist). It has the following members:例文帳に追加

ProtocolErrorオブジェクトはトランスポート層で発生したエラー(URIで指定したサーバが見つからなかった場合に発生する404 `not found'など)の内容を示し、以下のメンバを持ちます: - Python

An underlying layer 23 of group III nitride, which contains at least50 atom% Al, is directly formed on a substrate 21 consisting of a sapphire single crystal or the like, without interposing a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア単結晶などからなる基板21上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともAlを50原子%以上含むIII族窒化物下地層23を直接的に形成する。 - 特許庁

This method limits the amount of Si available for interdiffusion, thereby allowing the Ge layer to be annealed without causing substantial dilution of the Ge layer by the underlying Si.例文帳に追加

この方法は、相互拡散に利用可能なSiの量を制限し、それによって、下のSiによるGe層の実質的な希釈を起こすことなく、Ge層をアニールすることができるようになる。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 underlying the drain electrode 2 is included in the gate line 4 and the end face of the source electrode 3 does not intersect the end face of the semiconductor layer 1 on the gate line.例文帳に追加

そしてドレイン電極2の下に位置する半導体層1がゲート配線4に内包されるとともに、ソース電極3の端面と半導体層1の端面とがゲート配線上で交わっていない。 - 特許庁

The capacitor 11 has such a structure that a lower conductor 21 consisting of an underlying conductor 21a and a conductor 21b, a dielectric film 31 composed of alumina, a resin layer J1 composed of resist, and an upper conductor 25 consisting of an underlying conductor 25a and a conductor 25b are formed on the planarization layer 52 of the substrate 51.例文帳に追加

コンデンサ11は、基板51の平坦化層52上に、下地導体21a及び導体21bからなる下部導体21、アルミナ等からなる誘電体膜31、レジスト等からなる樹脂層J1、並びに、下地導体25a及び導体25bからなる上部導体25が形成された構造を有している。 - 特許庁

The waterproof underlying sheet, which is connected to the surface of the heat insulating material covering an inner surface of a heat storage tank, has a metal layer, a urethane coating layer laminated on one side of the metal layer, and a synthetic resin foaming sheet layer laminated on the other side of the metal layer and having flexibility.例文帳に追加

蓄熱槽内面に被覆された断熱材の表面に接合される防水下地シートであって、金属層と、該金属層の一方の面側に積層されたウレタンコート層と、前記金属層の他方の面側に積層された可撓性を有する合成樹脂発泡シート層とを有することを特徴とする防水下地シート。 - 特許庁

The wafer for LED is obtained by forming an Au plating surface layer of Au or an Au alloy on both surfaces vertically symmetrically around a thin film core material consisting of Mo, and then forming composite underlying layer consisting at least of a Cu plating layer between the core material and the Au plating surface layer, so as to complement and maintain the core material and the Au plating surface layer.例文帳に追加

Moからなる薄板状のコア材を中心として上下対称となるように、両面にAuまたはAu合金のAuメッキ表面層を形成し、コア材とAuメッキ表面層との間にそれを補完・維持する少なくともCuメッキ層からなる複合下地層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

Laser ablation is selectively applied to the underlying insulating substrate through the cover layer, and then the cover layer is treated with water, a dilute alkaline solution, or a dilute acid solution to remove the cover layer and to reveal one or more circuitry features on the insulating substrate, which are smaller than the ones obtained when the cover layer is not used.例文帳に追加

カバー層を介して下位の絶縁性基板にレーザアブレーションが選択的に行われ、次いで、水、希アルカリ溶液または希酸溶液で処理されて、カバー層が除去されて、カバー層が用いられない場合より小さい絶縁性基板上の1つ以上の回路構造機構が露呈される。 - 特許庁

The thermal head is produced by partially removing the conductor layer 44 and the resistive heating layer 43 by etching to form a plurality of heating elements 40 and then removing the underlying layer of the resistive heating layer 43 exposed between the heating elements 40 by etching.例文帳に追加

また、このサーマルヘッドは、導体層44及び抵抗発熱層43をエッチングにより部分的に除去して複数の発熱素子40を形成した後、この除去工程によって発熱素子40同士の間で露出した抵抗発熱層43の下層を、エッチングにより除去することで得られる。 - 特許庁

UNDERLYING-LAYER-SECTION PERVIOUS CONCRETE USING NONINDUSTRIAL WASTE MOLTEN SLAG DISCHARGED FROM NONINDUSTRIAL WASTE INCINERATION (MELTING FACILITY) AND METHOD FOR MANUFACTURING PERVIOUS CONCRETE HAVING TWO-LAYER-SECTION STRUCTURE OF SURFACE-LAYER-SECTION PERVIOUS COLOR CONCRETE USING SILICA ROCK (FINE AGGREGATE)例文帳に追加

一般廃棄物焼却(溶融化施設)から排出される一般廃棄物溶融スラグを使用した基層部透水性コンクリートおよび珪石(細骨材)を利用した表層部透水性カラーコンクリートの二層構造からなる透水性コンクリートの製造方法 - 特許庁

The manufacturing process of an organic EL display device comprises a step of feeding an organic solvent 31 on to an underlying layer 25 provided on one main surface of a substrate and a subsequent step of ejecting a solution 32 containing an organic material on the underlying layer 25 by an ink-jet system to form an organic material layer 28R containing the organic material.例文帳に追加

本発明の有機EL表示装置の製造方法は、基板の一方の主面上に設けられた下地層25上に有機溶剤31を供給する工程と、その後に、有機材料を含有した溶液32をインクジェット方式により前記下地層25上に吐出して前記有機材料を含有した有機材料層28Rを形成する工程とを含んだことを特徴とする。 - 特許庁

The invention relates to the substrate, which is especially suitable for an EUV micro lithography, including an underlying layer having a small coefficient of thermal expansion (CTE) and a covering layer, which is formed on it, made of at least one semiconductor material.例文帳に追加

EUVマイクロリソグラフィーに特に適した基板であって、熱膨張係数(CTE)の小さい基層とその上に形成された少なくとも1つの半導体材料からなる被覆層とを含む基板の製造に関する。 - 特許庁

To simplify the fabrication process of a constriction type LED by decreasing the number of times of epitaxial growth process, and to prevent overetching of an underlying layer at the time of removing the constriction layer partially by etching.例文帳に追加

狭窄型LEDにおいて、エピタキシャル成長工程の回数を減らして製造プロセスを簡単化するとともに、狭窄層を部分的にエッチング除去する際に、その下層に対するオーバーエッチングを有効に防止する。 - 特許庁

The transparent conductive film 11, an underlying adhesion film 30, a main conductor layer 31 having Cu as a main component, and an antioxidation film 32 are formed one by one on the main surface of a substrate 10.例文帳に追加

基板10の主面に透明導電膜11、下地密着膜30、Cuを主成分とする主導体層31、酸化防止膜32が順に形成される。 - 特許庁

Then the recessed area in which a part of the substrate underlying the impurity diffusing layer is exposed is formed by etching a prescribed area of the element separating film.例文帳に追加

次に、素子分離膜の所定の領域をエッチングして第2導電型不純物拡散層の下部の第1導電型基板の一部を露出させるリセス領域を形成する。 - 特許庁

A restoration official said, “Deterioration of the painting has stopped and the underlying plaster layer is firm. If moisture is added to the painting, its vividness will be restored.” 例文帳に追加

修復担当者は「壁画の劣化は止まっており,下地のしっくい層はしっかりしている。壁画に水分が加われば,鮮やかさはよみがえるだろう。」と話した。 - 浜島書店 Catch a Wave

The improved seed layer according to the invention can be formed of a face-centered-cubic(FCC) structure having a (111) crystallographic plane parallel with an underlying substrate.例文帳に追加

本発明の改善されたシード層は、下にある基板に対して平行な(111)結晶学的平面を持つ面心立方(FCC)材料によって形成することができる。 - 特許庁

A conductive thin film 23 formed by utilizing the gate electrode 22 of the thin film transistor 101 is arranged on the underlying layer of the semiconductor thin film 28 becoming the resistive element 102.例文帳に追加

抵抗素子102となる半導体薄膜28の下層には、薄膜トランジスタ101のゲート電極22を利用して形成された導電性薄膜23が配置されている。 - 特許庁

Underlying level difference can be planarized easily by a simple process only of photolithographic technique using a gray tone mask 4 while reducing impact of striation on an upper layer.例文帳に追加

ストリエーションの上層への影響を低減しつつ、このグレイトーンマスク4を用いたフォトリソ技術だけの簡易なプロセスで下地段差を容易に平坦化することができる。 - 特許庁

On the side of the diaphragm 300 opposite to the ink chamber substrate 200, a piezoelectric element 400 is provided at the position corresponding to each ink chamber 210 through an underlying layer 700.例文帳に追加

また、振動板300のインク室基板200と反対側には、各インク室210に対応する位置に圧電素子400が下地層700を介して設けられている。 - 特許庁

The method and a system are provided for repairing the insulation blankets 24a, 24b from an underlying layer 30 of which a metallized fabric 26 is separated.例文帳に追加

断熱ブランケット(24a,24b)の下地層(30)からメタライズ織物(26)が剥離してしまった断熱ブランケット(24a,24b)を修復する方法とシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not damage an underlying wiring layer and forms a wiring element of dual Damascene structure at its upper part.例文帳に追加

本発明は、下層配線層を損傷させず、その上部にデュアルダマシン構造の配線要素を形成する半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To materialize a protecting film which does not decompose an underlying organic layer by heat with improved adhesion property with the underlying organic layer, for an organic EL element having a structure composed of an organic layers including organic luminous materials arranged between opposing electrodes, and the protecting film covering the outer surface of the structure.例文帳に追加

互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を含む有機層を配置してなる構造体と、この構造体の外表面を被覆する保護膜とを備える有機EL素子において、成膜時に下地の有機層を熱分解させることなく且つ下地の有機層との密着性を向上させた保護膜を実現する。 - 特許庁

The method of manufacturing organic TFT includes a step of scattering a plurality of granular materials which make an organic semiconductor solution or organic semiconductor precursor solution adhere onto an underlying layer, and a step of coating the underlying layer on which the plurality of granular materials are scattered with the organic semiconductor solution or organic semiconductor precursor solution and forming an organic semiconductor film.例文帳に追加

下地層の上に有機半導体溶液または有機半導体前駆体溶液を付着させる複数の粒状物を散在させる工程と、複数の粒状物が散在した下地層の上に有機半導体溶液または有機半導体前駆体溶液を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

After the underlying layer is dissolved and a cavity is formed, a fluid is made to dash against the overlaying specified layer in order to destroy and strip the specified layer thus eliciting the crack.例文帳に追加

特定層は溶解しないでその下部層のみを溶解する溶解液をクラックより浸透させて、下部層を溶解させて空洞部を形成した後、その空洞部上の特定層に流体を衝突させて、その特定層を破壊し剥離することでクラックを顕在化する。 - 特許庁

Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加

まず、下地金属層6をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第1のメッキレジスト膜11の開口部12内における下地金属層6の上面に再配線7を形成する。 - 特許庁

例文

An electron supply layer 17 consisting of a nitride semiconductor, and an electron transit layer 19 consisting of a nitride semiconductor are laminated, in order, on the (0001) plane of an underlying layer 15 consisting of a nitride semiconductor, and a gate electrode 21, a source electrode 23, and a drain electrode 25 are provided on the surface of the electron transit layer 19 opposite from the electron supply layer 17.例文帳に追加

窒化物半導体からなる下地層15の(0001)面上に、窒化物半導体からなる電子供給層17、窒化物半導体からなる電子走行層19の順に積層され、電子走行層19における電子供給層17と反対の面上に、ゲート電極21、ソース電極23、及びドレイン電極25が設けられている。 - 特許庁




  
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