「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal oxide layer 18 is formed on a deposited underlying metal layer 16 using an anode oxidation procedure, a second metal 20 is deposited thereon and planarized by chemical mechanical polishing or other procedure to fabricate a metal/insulator/metal capacitor structure in a semiconductor substrate.例文帳に追加

堆積した下地金属層１６上で陽極酸化手順を使用し、金属酸化物層１８を形成し、引き続いて第２金属２０を堆積し、化学的機械的研磨または他の手順によって平坦化することによって金属・絶縁物・金属キャパシタ構造を半導体基板内に形成する。 - 特許庁

To provide an etching method forming a deep hole or a deep groove extending in the depth direction with a side wall substantially perpendicular to a layer to be etched in a processing object having a multilayered structure needing etching stop, and reliably leaving the underlying layer.例文帳に追加

エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A plate polysilicon layer 104 is formed additionally between a bond pad metal layer formed by bonding a first metal layer 108 and a second metal layer 112 directly and an underlying first insulation film 102 so that an external thermal/mechanical stress is absorbed thus increasing durability against a tensile force in the vertical direction and enhancing adhesion by preventing slip between the bond pad metal layer and the first insulation film 102.例文帳に追加

第１メタル層１０８と第２メタル層１１２とが直接接着された形のボンドパッドメタル層とその下部に位置する第１絶縁膜１０２との間にプレートポリシリコン層１０４を追加で形成し、外部から加わる熱的／機械的ストレスを吸収するようにして、垂直方向の引張力に対する耐久性を増大させ、ボンドパッドメタル層と第１絶縁膜１０２との滑りを防止して接着性を改善できる。 - 特許庁

At the time of forming an inorganic film 15 on the organic material 12, the adhesive property between the organic thin film and the inorganic film is improved by forming an Si-containing layer 13, by treating the surface of the underlying organic film with an SiH_4 gas after the surface is treated with plasma, and successively forming an Si-containing surface reforming agent layer 14 on the layer 13.例文帳に追加

有機物１２上に無機膜１５を成膜する際に、下地有機膜表面をプラズマ処理したのち、ＳｉＨ_４ガスにて表面処理を行ってＳｉ含有層１３を形成し、引き続きその上にＳｉ含有表面改質剤層１４を形成することで、有機薄膜と無機膜との密着性を向上させる。 - 特許庁

The substrate for flexible printed circuit is produced by providing a thin film layer of copper on a sheet-like substrate of aromatic polyamide film wherein a thin film layer principally comprising silicon oxide is interposed between the sheet-like substrate and the thin film layer of copper by sputtering and an underlying copper film is formed by sputtering.例文帳に追加

芳香族ポリアミドフィルムからなるシート状基材に銅の薄膜層を設けてなるフレキシブルプリント回路用基板であって、該シート状基材と該銅の薄膜層との間に酸化ケイ素を主成分とする薄膜層をスパッタリングにより介在せしめ、銅下地膜をスパッタリングで形成してなることを特徴とする、フレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁

To provide glass paste which can realize a coating film having a reflectance with less variation even after execution of coating and thermal treatment and which can offer a pattern with less variation in its bottom width when using the glass paste as an underlying layer in pattern processing by a photolithographic method.例文帳に追加

塗布、加熱処理を行った後も塗布膜の反射率のばらつきが少なく、フォトリソグラフィ法によりパターン加工を行う際の下地層として用いた場合に、パターンの底部幅のばらつきの少ないガラスペーストを提供する。 - 特許庁

The second layers 7, 8, 9 has such an upper surface, when viewed from its section, that has a recess and a projection along a step shape formed between the upper surface of the underlying mark 1 and the upper surface of the first layer adjacent to the mark 1.例文帳に追加

また、第二の層７，８，９の上面は、断面視において、下地マーク部１の上面と当該下地マーク部１に隣接する第一の層上面との間で生じている段差形状に沿った、凹凸形状が生じている。 - 特許庁

A method of producing a vertical sidewall on a silicon substrate (110) for an Si/SiGe photodetector comprises a process of preparing a silicon layer (110) in which a silicon surface (110) lies in parallel with an underlying silicon wafer surface.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＧｅ光検知器用のシリコン（１１０）基板上の垂直側壁の製造方法には、下層のシリコンウェハー表面に対してシリコン（１１０）面が平行であるシリコン（１１０）層を準備する工程を含んでいる。 - 特許庁

Grooves 44 are made in on a silicon oxide film 43, and then a Pt film 45 is formed within the grooves 44 by electroplating for forming a conductive underlying film 42 previously formed on a lower layer of the film 43 as a cathode electrode.例文帳に追加

酸化シリコン膜４３に溝４４を形成した後、あらかじめ酸化シリコン膜４３の下層に形成しておいた導電性下地膜４２をカソード電極とする電解メッキ法によって、溝４４の内部にＰｔ膜４５を形成する。 - 特許庁

An underlying electrode pad layer is formed by depositing a conductive film in a first region on the first insulating film where a large area electrode pad is formed, and each region belonging to a second region where a small area electrode pad is formed.例文帳に追加

第１の絶縁膜上の大面積電極パッドを形成すべき第１領域および小面積電極パッドを形成すべき第２領域に属する各領域に導電膜を堆積して下層電極パッド層を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which contributes to conversion efficiency without dropping photoelectric conversion by not removing a thick part, occurring by a dip coating method useful for formation of an underlying layer, but utilizing the thick part effectively.例文帳に追加

下地層形成で有用であるディップコーティング法にて生じる膜厚の厚い部分に対し、当該箇所を除去するのではなく、有効に利用することで光電変換を落とすことなく変換効率に寄与する製法を提供する。 - 特許庁

The RTP stack includes a receiver module capable of receiving data via an underlying transport layer, and a small device profile that defines a bandwidth fraction for RTCP control data to be less than five percent, down to zero.例文帳に追加

ＲＴＰスタックは、下層であるトランスポート層を介してデータを受信することができるレシーバモジュールと、ＲＴＣＰ制御データのための帯域幅の割合を５％未満にひいてはゼロに定める小型デバイスプロファイルとを含む。 - 特許庁

Firing of an underlying metallization layer 18 composed of a high melting point metal such as tungsten or molybdenum is carried out simultaneously with a package body 11 on the circumferential side face of a cavity 13 in the package body 11 composed of high temperature firing ceramic such as alumina or aluminum nitride.例文帳に追加

アルミナ、窒化アルミニウム等の高温焼成セラミックで形成したパッケージ本体１１のキャビティ１３の周側面に、タングステン、モリブデン等の高融点金属よりなる下地メタライズ層１８をパッケージ本体１１と同時焼成する。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 121 of an underlying metallization layer (not shown), a capacitor element C1 is formed of a capacitor insulation film 14 and an overlying metal pattern 15 in a specified region on a specified metallization metal 13.例文帳に追加

直下のメタル配線層（図示せず）の層間絶縁膜１２１上において、所定の配線層メタル１３上の所定領域にキャパシタ絶縁膜１４及びその上のメタルパターン１５とで構成される容量素子Ｃ１を有する。 - 特許庁

In a further aspect, systems are provided that include use of multiple underlying organic antireflective coating compositions that have differing absorbances of radiation used to image an overcoated photoresist composition layer.例文帳に追加

さらに別の態様においては、オーバーコートされるフォトレジスト組成物層の画像形成に使用される放射線に対して異なる吸光度を有する複数の下地有機反射防止コーティング組成物の使用を含む系が提供される。 - 特許庁

To determine interface layer between two materials respectively located on top and bottom inside the vessel, especially the interface layer between slug layer and underlying molten steel, a sensor 7 for identifying variation in material is placed within the lower material, measurement signal of the sensor 7 is measured during casting or efflux of material from the vessel, then signal variation is established when the sensor 7 has contact with the interface layer between two materials.例文帳に追加

容器内の上下に配置された二つの材料間、特にスラグ層と下にある溶鋼との間の界面層を決定するため、材料の変化を特定するためのセンサー７が下方の材料内に配置され、容器からの材料の鋳込み又は流出の間にセンサー７の測定信号が測定され、センサー７が材料間の界面層と接する時に信号の変化が確立される。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device equipped with a ferroelectric capacitor comprises processes of forming the lower electrode layer of the ferroelectric capacitor on the semiconductor wafer provided with an underlying structure for the ferroelectric capacitor, forming an amorphous ferroelectric layer on the lower electrode layer, thermally treating the ferroelectric layer in an atmosphere containing a prescribed gas, and forming an upper electrode on the ferroelectric layer that has been crystallized through a thermal treatment.例文帳に追加

本発明による強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタに対する下地構造を有する半導体ウエハに、強誘電体キャパシタの下部電極層を形成する工程と、下部電極層に、アモルファス相の強誘電体層を形成する工程と、所定のガスを含む雰囲気中で、強誘電体層に熱処理を行う工程と、熱処理により結晶化した強誘電体層に、上部電極を形成する工程より成る。 - 特許庁

In the metal-coated carbon fiber wire, an insulation coating layer is provided around a conductor, i.e. metal-coated carbon fibers where one or a plurality of metal layers are provided on an underlying metal layer consisting of one kind selected from nickel, a nickel alloy, palladium, and cobalt provided on the surface of carbon fibers.例文帳に追加

炭素繊維の表面に設けたニッケル、ニッケル合金、パラジウム、コバルトより選択される一種からなる下地金属層上に、１乃至複数層の金属層が設けられた金属被覆炭素繊維線を導体とし、該導体の周囲に絶縁被覆層が設けられている金属被覆炭素繊維電線である。 - 特許庁

A material which mainly has a body centered cubic structure and of which the preferential crystal orientation face parallel to its film plane is the (200) face is used as the nonmagnetic underlying layer and a material which has a hexagonal close-packed structure and of which the preferential crystal orientation face parallel to its film plane is the (110) face is used as the nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

非磁性下地層として、主に体心立方構造を有し、かつその膜面に平行な優先結晶配向面が（２００）面である材料を用い、非磁性中間層として六方最密充填構造を有し、かつその膜面に平行な優先結晶配向面が（１１０）面である材料を用いる。 - 特許庁

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material.例文帳に追加

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。 - 特許庁

A two element mixed crystal underlying layer 12 of silicon/ germanium having a thickness not thinner than that of one atomic layer is formed on a silicon substrate 11, a three element mixed crystal layer 13 of silicon/germanium/carbon is formed thereon and a three element mixed crystal film of silicon/germanium/carbon is formed utilizing preferential bonding of silicon atom and carbon atom and substitution of germanium atom and carbon atom.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、少なくとも１原子層分の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１２を形成し、この下地層１２上に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層１３を形成し、シリコン原子とカーボン原子との優先結合及びゲルマニウム原子とカーボン原子との置換を利用することにより、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を作製する。 - 特許庁

The MOS power device 600 comprises a substrate 601 having an upper layer 602 having an upper surface 605 and a drain region 603 underlying it, a first conductance type well region 604 on the drain region in the upper layer, and a plurality of gates buried in trenches 607 extending from the upside of the upper layer into the drain region via the well region.例文帳に追加

上部表面６０５とその下に在るドレイン領域６０３とを有する上部層６０２を含む基板６０１と、ドレイン領域の上に在って上部層内に配置された第１のコンダクタンス型の井戸領域６０４と、上部層の上部表面から井戸領域を通ってドレイン領域内に延びるトレンチ６０７に埋め込まれた複数のゲートを含むＭＯＳパワーデバイス６００。 - 特許庁

To provide a process for producing a lamination in which elution of the constituents of an underlying layer into solvent in coating liquid for forming an upper layer can be controlled when two layers are formed one over the other by coating process, and a plurality of layers can be formed without restricting solvent or composition material employed in the coating liquid for forming the upper layer.例文帳に追加

本発明は、塗布法により二層以上を重ねて形成するにあたり、上層形成用塗工液中の溶媒に下地層の構成成分が溶出するのを抑制することができ、上層形成用塗工液に使用される溶媒や構成材料が制限されることなく、複数の層を積層することが可能な積層体の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

Since the lower portion of the tubular pressurization chamber 2 is made planar by the surface of a base plate 1, a plurality of tubular pressurization chambers 2 can be made collectively with high density by forming a columnar shape on the base plate 1 by photolithography technology, forming a metal layer 4 and an underlying layer 5 thereon, and forming the piezoelectric element layer 7 further thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

筒状加圧室２の下部は、ベースプレート１の表面による平面部となっているため、ベースプレート１上にフォトリソグラフィー技術によって柱状型を形成し、その上に金属層４や下地層５を積層し、さらに圧電素子層７を真空成膜等によって積層することによって、複数の筒状加圧室２を高密度に一括して製作することができる。 - 特許庁

The step B comprises step b1 for forming a precursor layer by arranging function liquid containing the precursor material of semiconductor on the corresponding underlying surface in the opening, and step b2 for heating the precursor layer to obtain at least one semiconductor layer composed of the above-mentioned semiconductor.例文帳に追加

さらに、前記工程Ｂは、前記複数の半導体層の少なくとも一つについて、前記開口部内の対応する下地表面上に半導体の前駆材料を含有した機能液を配置して、前駆層を形成する工程ｂ１と、前記半導体からなる前記少なくとも一つの半導体層が得られるように、前記前駆層を加熱する工程ｂ２と、を含んでいる。 - 特許庁

The present invention also encompasses a lithographic structure containing the underlayer prepared from the above composition, a method of making the lithographic structure, and a method of using the lithographic structure to pattern an underlying material layer on a substrate.例文帳に追加

本発明は、本発明の組成物から調製される基層を備えるリソグラフィ構造物、そのようなリソグラフィ構造物を製作する方法、およびそのようなリソグラフィ構造物を用いて基板上の下地材料層をパターン化する方法も含む。 - 特許庁

An underlying layer 21 consisting of nitride semiconductor is formed on the nitride semiconductor substrate 10 including the side walls of the groove 17 so that crystal planes 16 are formed having an inclination ≥53.5° and ≤63.4° with respect to the substrate surface.例文帳に追加

溝部１７に、基板表面に対して５３．５度以上６３．４度以下の傾きを有する結晶面１６ができるように、溝部１７の側壁を含む窒化物半導体基板１０上に、窒化物半導体からなる下地層２１を形成する。 - 特許庁

On a supporting substrate 1, a Ti thin film 2 of a predetermined pattern is formed as an underlying layer, and an Al film 3 and a Ti thin film 4 are laminated thereon in order, and further the side wall surface of the Al film 3 is coated with a Ti thin film 5, thereby a gate leading-out part 6 is constituted.例文帳に追加

支持基板１上に所定のパターンのＴｉ薄膜２を下地層とし、その上にＡｌ膜３、Ｔｉ薄膜４を順次積層するとともに、Ａｌ膜３の側壁面をＴｉ薄膜５で覆って、ゲート引き出し部６を構成した。 - 特許庁

An underlying layer 15 of GaN doped with 1020/cm3 or more of Mg having hexagonal prisms is formed on a substrate 11 and III nitride compound semiconductor layers having element function are formed sequentially thereon.例文帳に追加

基板１１の上には六角錐台形の凸部を有するＭｇが１０^２０／ｃｍ^３以上ドープされたＧａＮからなる下地層１５が形成され、この下地層の上に素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層が順次積層されている。 - 特許庁

The input data format is independent of the underlying data storage layer: It does not matter if the data has been selected from a database, has been harvested from plain text files or converted from a web service call. 例文帳に追加

入力データの書式は、データストレージ層が何であるかに依存しません。 つまりデータベースから抽出したデータであろうとプレーンテキストから取得したデータであろうと、あるいはウェブサービスのコールによって取得したデータであろうと同じように扱えます。 - PEAR

The method of forming the insulating film includes the steps of spin coating on an underlying layer etc., a precursor solution formed by distributing a low-k material in a solvent, heating the coating film for several minutes at temperature near solvent boiling point, and performing a baking treatment (steps S1-S3).例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ材料を溶媒中に分散させて形成した前駆体溶液を下地層等の上にスピンコートし、その塗膜に対して溶媒沸点付近の温度でおよそ数分間加熱しベーク処理を行う（ステップＳ１〜Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a thin film forming method, and a plasma CVD(chemical vapor deposition) system, for fabricating a highly reliable element by enhancing step coverage while suppressing corrosion of underlying Si layer at the time of forming a titanium film and a titanium silicide film by plasma CVD using TiCl4 as a material.例文帳に追加

ＴｉＣｌ_4 を原料としたプラズマＣＶＤでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Ｓｉ層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

Since a photosensitive material film 3a is deposited by spin-on of a photosensitive material with a film thickness substantially equal to or thicker than a surface level difference caused by an underlying pattern 2 on a substrate 1 to be processed, impact of striation of a layer provided thereon can be reduced.例文帳に追加

被処理基板１上の下地パターン２による表面段差と同程度以上の膜厚で感光性材料をスピンオンして感光性材料膜３ａを成膜するため、その上に設けられる層のストリエーションの影響を低減することができる。 - 特許庁

To prevent an interconnetion material from intruding into the contact interface of a semiconductor layer and an insulation film by preventing open circuit of a barrier metal underlying the electrode of a bipolar transistor or an MIS type capacitive element.例文帳に追加

バイポーラトランジスタやＭＩＳ型容量素子における電極の下層に設けられたバリアメタルの断線を防止し、半導体層と絶縁膜との接触界面への配線材料の侵入を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first layer STO film 18a becoming the underlying dielectric film 17a of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure on the surface of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the substrate 19.例文帳に追加

基板１９上に、下部電極１２ａの表面上がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ下層誘電体膜１７ａとなる第１層目のＳＴＯ膜１８ａを形成する。 - 特許庁

The semiconductor chip 100 includes: a semiconductor substrate (unillustrated); and a laminated film 150 including a carbon-containing insulating film such as a first interlayer insulating film 106 formed on the semiconductor substrate, and a carbon-free insulating film such as an underlying layer 102 and an overlying cover film 124.例文帳に追加

半導体チップ１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜１０６等の炭素含有絶縁膜と、下地層１０２や上地カバー膜１２４等の炭素非含有絶縁膜とを含む積層膜１５０とを含む。 - 特許庁

The thin composite top coat is a porous, inert, no-sacrificial, impermeable ceramic layer that eliminates the infiltration of environmental contaminants into the thermal barrier coating during operation of the metal part, thereby extending the life of the underlying thermal barrier coating and metal part thereunder.例文帳に追加

かかる薄い複合上塗り層は、多孔質、不活性、無犠牲、不透過性セラミック層であり、金属部品操作中の断熱皮膜への環境汚染物質の浸透を排除し、それにより、上塗り層の下部にある断熱皮膜と金属部品の寿命を延ばす。 - 特許庁

A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure.例文帳に追加

前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersant for chemical mechanical polishing which can efficiently remove a cap layer by polishing, and at the same time, with which a chemical mechanical polishing process that is reduced in damages given to the material of an underlying insulating layer having a low dielectric constant can be performed, and to provide a method for chemical mechanical polishing which uses the aqueous dispersant.例文帳に追加

キャップ層を効率よく研磨除去することができるとともに、下層に存在する誘電率の低い絶縁膜材料に対するダメージが低減された化学機械研磨工程を行うことができる化学機械研磨用水系分散体及び当該化学機械研磨用水系分散体を使用した化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁

This molding die for a sulfur molding is structured of a top force 2 and a bottom force 3 and has an underlying layer 4 composed of a fluorinated ethylene-propylene resin and a surface layer 5 composed of a perfluoroalkoxy resin laminated in that order on the surface of an arc-like die cavity face 11 which constitutes the opposite surfaces of the top force 2 and the bottom force 3.例文帳に追加

上金型２と下金型３とから構成され、この上金型２と下金型３との、対向する表面を構成する円弧状の金型キャビティ面１１の面上に、フッ化エチレンプロピレン樹脂からなる下地層４及びパーフルオロアルコキシ樹脂からなる表面層５がこの順に積層されてなることを特徴とする硫黄モールド成形用金型１。 - 特許庁

Thereafter, the carrier gas is switched from a hydrogen gas to an argon gas that is one of noble gases and a semiconductor layer 14 made of InGaN with a film thickness of 100 nm is formed on the upper surface of the underlying layer 13 by providing the TMG and TMI for one hour with the TMI/TMG gas phase ratio of 0.9 and V/III compound supplying mole ratio of 10,000.例文帳に追加

その後、キャリアガスを水素ガスから希ガスであるアルゴンガスに切り替え、ＴＭＧとＴＭＩとをＴＭＩのＴＭＧに対する気相比が０．９で、Ｖ族／III 族供給モル比が１００００として１時間供給することにより、下地層１３の上面にＩｎＧａＮからなり、膜厚が１００ｎｍの半導体層１４を成長させる。 - 特許庁

To provide ruthenium precursors solving such a problem that: the conventional ruthenium film has poor adhesion to a substrate; impurities increasing the resistivity of the film remains in the film; the ruthenium precursor has low vapor pressure; an underlying layer is partially oxidized when oxygen is used as a co-reactant; and so on.例文帳に追加

従来のルテニウム膜は基板への接着性が低い、抵抗値を増大させる不純物が膜中に残る、ルテニウム前駆体は蒸気圧が低い、共反応物として酸素を使用した場合に下地層が部分酸化してしまう等の問題があり、これらを解決するルテニウム前駆体を提供する。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

To provide a wiring inspection element for inspecting the state of wiring in a semiconductor integrated circuit having multilayer interconnection, capable of high precision detection of the state (anomaly such as wire breaking or thinning) of the uppermost wiring of the semiconductor integrated circuit (the wiring most susceptible to the level difference in the underlying layer wiring).例文帳に追加

多層配線を有する半導体集積回路の配線の状態を検査する配線検査素子として、半導体集積回路の最も上側の配線（下地配線の段差の影響を受けやすい配線）の状態（断線や細り等の異常）を精度良く検出できるものを提供する。 - 特許庁

The semiconductor inspection equipment comprises a probe where an elastic underlying layer is formed of an insulator on a substrate, protrusions are formed thereon at positions corresponding to the terminals of an object being inspected, and a conductive circuit is formed from the surface of the protrusions to electrode terminals on the substrate.例文帳に追加

半導体検査装置は、基板上に絶縁体でありかつ弾力に富む下地層を形成し、その上に、検査対象物の端子に対応した位置に突起を形成し、突起表面から基板上の電極端子まで導電回路を形成したプローブを有する。 - 特許庁