「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the underlying electrode layer 4 is not etched at the eaves 7 of the plating electrode layer 5 but left as it is.例文帳に追加

したがって、めっき電極層５の庇７の部分では、下地電極層４はエッチングされずにそのまま残る。 - 特許庁

To obtain a full bonding strength using lead-free solder, without depending on an underlying Ni layer.例文帳に追加

鉛フリーはんだを用い、下地のＮｉ層によらずに充分な接合強度を得る。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for detecting the thickness of copper oxide formed on an underlying copper layer.例文帳に追加

下側の銅層上に形成された酸化銅の厚みを測定する方法及び装置。 - 特許庁

Underlying layer metal wiring 21 is formed and an interlayer film 12 is formed as shown in Fig.1(a).例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、下地メタル配線２１を形成し、層間膜１２を成膜する。 - 特許庁

Subsequently, the silicon oxide film is removed and the underlying layer 102 is thereby exposed.例文帳に追加

続いて、前記シリコン酸化膜を除去することにより下地層１０２を露出させる。 - 特許庁

To form a heterostructure layer 20 of AlGaN/GaN on an underlying substrate 10.例文帳に追加

先ず、下地基板１０上に、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造層２０を形成する。 - 特許庁

In working the electrode, damage to an underlying semiconductor layer is eliminated and characteristic deterioration is prevented.例文帳に追加

電極加工時の下地半導体層へのダメージをなくし、特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a III nitride compound semiconductor element having an underlying layer of novel arrangement.例文帳に追加

新規な構成の下地層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

A conductive underlying layer 8 for plating is formed only in the groove 6 of the glass original plate 4.例文帳に追加

ガラス原板４の溝６内のみに導電性のメッキ用下地８を形成する。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive effect element has a multilayer ferry spin valve structure including an underlying layer, a fixed ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal intermediate layer and a free ferromagnetic layer wherein the free ferromagnetic layer is composed of CoFeAl or CoMnAl of specified composition and the underlying layer consists of an amorphous metal lower layer and a nonmagnetic metal upper layer.例文帳に追加

下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 - 特許庁

The velocity barrier layer is any layer positioned between a flowing gas stream and the underlying EBC protective layer which acts to reduce the velocity of the gas stream which otherwise would impinge on the underlying protective layer.例文帳に追加

速度障壁層は、流れているガス流と、下に位置するＥＢＣ保護層との間に位置し、そうでなければ下に位置するこのＥＢＣ保護層に衝突するであろうガス流の速度を低減するように機能する任意の層である。 - 特許庁

The amorphous organosilane laminate has an underlying layer (Under) having a hydroxyl group on the surface, and an amorphous organosilane thin film (Amr) formed on the underlying layer.例文帳に追加

表面に水酸基を有する下地層（Ｕｎｄｅｒ）、及びこの下地層上に形成されている非晶質オルガノシラン薄膜（Ａｍｒ）を有する、非晶質オルガノシラン積層体とする。 - 特許庁

A Ni-B plated layer 3 is formed at the tip of a probe needle 1 over an underlying Ni plated layer 2.例文帳に追加

プローブ針１の先端部にＮｉメッキ層２を下地としてＰＴＦＥ含有Ｎｉ−Ｂメッキ層３を形成する。 - 特許庁

The SOI layer 112 underlying the embedded insulating film is provided with an SOI layer, having body concentration of 10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜の下部のＳＯＩ層１１２は、ボディ濃度が１０^18ｃｍ^-3以上のＳＯＩ層を具える。 - 特許庁

The sheet for dicing die bonding has a base film and a silicone-based adhesive layer integrally formed through an underlying layer.例文帳に追加

ベースフィルムとシリコーン系接着剤層とを下地層を介して一体化してダイシングダイボンディング用シートを構成する。 - 特許庁

An underlying layer 3 of GaN is formed on a sapphire substrate 1 through a buffer layer 2 before growing a coating layer 5 of GaN through a mask layer 4 having an opening 4a extended in the <1-100> direction of the underlying layer 3.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１にバッファ層２を介してＧａＮよりなる下地層３を形成したのち、下地層３の＜１−１００＞方向に延長された開口部４ａを有するマスク層４を介してＧａＮよりなる被覆成長層５を成長させる。 - 特許庁

The underlying conductive layer is an electrode-pad 6 of a wiring board, the joint layer is a plated layer formed on the surface of the electrode pad, and the solder layer is a bump joined to the joint layer.例文帳に追加

下地導体層は、配線基板の電極パッド６であり、接合層は、電極パッドの表面に形成されたメッキ層であり、半田層は、接合層に接合されたバンプである。 - 特許庁

The polarizing layer is made of chromonic liquid crystalline molecules, and an interface between the polarizing layer and the underlying layer has one of a siloxane structure and a silazane structure.例文帳に追加

偏光層はクロモニック液晶性の分子からなり、かつ、偏光層と下地層との界面はシロキサン構造またはシラザン構造を有する。 - 特許庁

An underlying layer containing Sn is formed on a conductor layer exposed from an opening formed in a solder resist layer on the outermost surface of a wiring board.例文帳に追加

配線基板の最表面のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出した導体層上に、Ｓｎを含む下地層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a bump electrode P comprising a bump 13 composed of resin, an underlying layer 14a formed on the bump, and a surface conductive layer 14b formed on the underlying layer wherein the underlying layer is composed of a material exhibiting ductility lower than that of the surface conductive layer, and the underlying layer is distributed at at least the top of the bump electrode.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、樹脂よりなる突出体１３と、該突出体上に形成された下地層１４ａと、該下地層上に形成された表面導電層１４ｂとを備えた突起電極Ｐを有する半導体装置において、前記下地層は前記表面導電層よりも延性の低い素材で構成され、前記突起電極の少なくとも頂部において前記下地層が分散配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

The process for producing a lamination comprises a step for forming an underlying layer by applying coating liquid for forming an underlying layer containing a polymeric material, and a step for forming an upper layer by applying coating liquid for forming an upper layer onto the underlying layer.例文帳に追加

本発明は、高分子材料を含有する下地層形成用塗工液を塗布することにより下地層を形成する下地層形成工程と、上記下地層上に上層形成用塗工液を塗布することにより上層を形成する上層形成工程とを有することを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A silicon layer 3 is formed on an underlying layer 2 formed on a substrate 1 and then annealed to recrystallize the layer 3, whereby a device-forming layer is obtained.例文帳に追加

基板１上に成膜された下地層２上にシリコン層３を堆積した後、これをアニール処理し、シリコン層３を再結晶化させることでデバイス形成層を得る。 - 特許庁

On an underlying insulating layer 1, a wiring layer 2 used for a normal circuit and the fuse layer 3 disconnected by laser light irradiation are formed as an uppermost wiring layer.例文帳に追加

下地絶縁層１上に、通常回路に使用される配線層２とレーザー光照射によって切断されるヒューズ層３とが最上位の配線層として形成される。 - 特許庁

In certain embodiments, portions of the rivet structures extend through the movable layer and contact underlying layers.例文帳に追加

特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。 - 特許庁

At that time, the interlayer film (12) has a shape along the shape of the underlying layer metal wiring (21) having bumps and dips.例文帳に追加

このとき層間膜（１２）は下地メタル配線（２１）の凹凸形状に沿った形状となる。 - 特許庁

An MR element comprises a laminate 20 where there are laminated, in sequence, an underlying layer 21, a crystal growth suppressing layer 22, a first soft-magnetic layer 23, a second soft-magnetic layer 24, an antimagnetic layer 25, a ferromagnetic layer 26, an antiferromagnetic layer 27, and a protective layer 28.例文帳に追加

ＭＲ素子は、下地層２１，結晶成長抑制層２２，第１軟磁性層２３、第２軟磁性層２４，非磁性層２５，強磁性層２６，反強磁性層２７および保護層２８を順次積層してなる積層体２０を有している。 - 特許庁

A V-ribbed belt 1A has a structure containing an extension layer 5 with its back surface 8 made from a rubber composition containing short fibers 4, a bonded layer 2 underlying the extension layer 5, and a compression layer 6 underlying the bonded layer 2 and made from a rubber composition containing short fibers 4.例文帳に追加

Ｖリブドベルト１Ａは、背面８が短繊維４を含有するゴム組成物で形成された伸張層５と、該伸張層５の下層には接着層２が配設され、更にその下層に短繊維４を含有するゴム組成物で形成された圧縮層６を配置した構成を有する。 - 特許庁

An addition agent is put into a raw material dope including an organic solvent and a cellulose acylate so as to prepare a dope for an underlying layer, a dope for a support surface layer, and a dope for an air surface layer.例文帳に追加

有機溶媒とセルロースアシレートとを含む原料ドープに添加剤を入れて、基層用ドープ、支持体面層用ドープ、エア面層用ドープを調製する。 - 特許庁

A film thickness t1 of an underlying layer 120a, a film thickness t2 of a support surface layer 122a, and a film thickness t3 of an air surface layer 121a are made to be t2≤t3≤t1.例文帳に追加

基層１２０ａの膜厚ｔ１、支持体面層１２２ａの膜厚ｔ２、エア面層１２１ａの膜厚ｔ３をｔ２≦ｔ３≦ｔ１とする。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaAs/GaAsP superlattice layer of a distortion compensation structure is provided between a GaAs substrate and an underlying clad layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子のＧａＡｓ基板と下部クラッド層との間に、歪補償構造のＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ超格子層を挿入する。 - 特許庁

After the resin lenses are formed on the underlying resin layer, the recess is formed in the underlying resin layer between the resin lenses, and then the mixture oxide film and the transparent resin film are formed before a pad part 31 is exposed.例文帳に追加

下地樹脂層上に樹脂レンズを形成した後に、樹脂レンズ間の下地樹脂層に凹部を形成し、混合酸化物膜及び透明樹脂膜を形成し、パッド部を露出させること。 - 特許庁

Next, an n-type conductive layer 14, a light emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a p-type conductive layer 17 are constituted from such a nitride semiconductor layer that contains less Al content than that of underlying layer 13.例文帳に追加

次いで、ｎ型導電層１４、発光層１５、ｐ型クラッド層１６及びｐ型導電層１７を下地層１３よりもＡｌの少ない含有量となるような窒化物半導体層から構成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.例文帳に追加

第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 is equipped with a substrate 1, an underlying layer 2 made of first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a light emitting layer 5 made of second nitride semiconductor provided on the underlying layer 2.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、基板１、基板１上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層２、および下地層２上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層５を備えている。 - 特許庁

An underlying electrode layer 5 is formed on a piezoelectric substrate 2 with heat film forming at a temperature of 70°C or over to enhance the crystallinity of the underlying electrode layer 5 and an Al electrode layer 4 is formed by low temperature film forming at a temperature of 50°C or below.例文帳に追加

圧電基板２上に、下地電極層５を７０℃以上の加熱成膜によって形成し、下地電極層５の結晶配向性を高めた上で、Ａｌ電極層４を５０℃以下の低温成膜によって形成する。 - 特許庁

Even when the Al percentage composition of the evaporation preventing layer 6 is not changed, the Eg of the layer 6 on the second underlying layer 3 changes from that of the layer 6 on the first underlying layer 2 and a current (Hall) can be efficiently injected into a quantum well active layer by efficiently concentrating the current to an area having a small Eg only.例文帳に追加

蒸発防止層６のＡｌ組成比を変化させなくても第１下地層２上と第２下地層３上とで蒸発防止層６のＥｇが変化し、Ｅｇが小さい領域のみに効率よく電流を集中させて、量子井戸活性層に効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

CONDUCTIVE UNDERLYING COATING MATERIAL FOR CAPACITOR, ELECTRODE FOR CAPACITOR, ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR AND LITHIUM ION CAPACITOR例文帳に追加

キャパシタ用導電下地塗料、キャパシタ用電極、並びに電気二重層キャパシタ及びリチウムイオンキャパシタ - 特許庁

The caulking piece 12 of underlying hardware 10 is caulked onto the exposed shielding layer 8.例文帳に追加

このように露出されたシールド層８には、下敷き金具１０の加締め片１２が加締め付けられている。 - 特許庁

To planarize an underlying layer with high accuracy when providing a filter film or a microlens of on chip structure.例文帳に追加

オンチップ構造のフィルタ膜やマイクロレンズを設ける場合に、その下地層を高精度に平坦化する。 - 特許庁

The dielectric layer on the substrate surface is removed using an etch process such that a portion of the dielectric layer underlying each spacer remains.例文帳に追加

各スペーサの下の誘電体層の部分があとに残るようなエッチング・プロセスを使用して、基板表面の誘電体層が除去される。 - 特許庁

Furthermore, since the solder pad 75 is closely adhered to the solder resist layer 70, the underlying interlayer insulating layer 150 hardly cracks.例文帳に追加

また、半田パッド７５とソルダーレジスト層７０とを密着させるため、下層の層間樹脂絶縁層１５０にクラックが入り難くなる。 - 特許庁

The underlying layer of a final protective film is covered with a dense underlying layer protective film 5 whose refractive index is closer to that of a reflow film 4 than to that of the final protective film, whereby impurities are prevented from being separated out from the reflow film.例文帳に追加

最終保護膜の下層を、屈折率が、前記最終保護膜よりも、前記リフロー膜４に近く、緻密な下層保護膜５で被覆し、リフロー膜からの不純物の析出を防止するようにしている。 - 特許庁

The sealing member 6 has an underlying layer 22 formed in a frame shape in the peripheral fringe part of the substrate, a frame-shaped metal spacer 24, and a metal based sealing material 26 filled between the metal spacer 24 and the underlying layer 22.例文帳に追加

封着部材６は、基板周縁部に枠状に形成される下地層２２、枠状の金属スペーサー２４、および金属スペーサー２４と下地層２２との間に充填される金属系封着材料２６を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an underlying layer region having recesses formed on a main surface side of the semiconductor device, and the silicon oxide film containing chlorine embedded inside the whole recesses of the underlying layer.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主表面側に形成された凹部を有する下地領域と、前記下地領域の凹部内全体に埋め込まれた塩素を含有するシリコン酸化膜とを有することを特徴とする。 - 特許庁