「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In an electrode structure 10, an Ni-plating layer 12 is formed on an underlying electrode base 11, and a Co thin film layer 13 is formed on the Ni-plating layer 12.例文帳に追加

この電極構造１０においては、電極下地１１上に、Ｎｉめっき層１２が形成されており、Ｎｉめっき層１２上にＣｏ薄膜層１３が形成される。 - 特許庁

For example, an additive layer (74) can be efficiently removed without substantially affecting an underlying diffusion layer (72) or a substrate (70).例文帳に追加

例えば、下方に位置する拡散層（７２）又は基板（７０）に大きな影響を及ぼすことなく、付加層（７４）を効率良く除去することができる。 - 特許庁

Because of a combination of the formation of the two-layer tin coatings and the heating of the underlying coating, an abnormal particle, etc. on the upper-layer tin coating can be preferably prevented.例文帳に追加

２層スズ皮膜の形成と下地皮膜の加熱を組み合わせるため、上層スズ皮膜での異常粒子などを良好に防止できる。 - 特許庁

An underlying insulation layer 1, a lower metal wiring 2, having a TiN layer 2a on the surface, a BCB film 3, a SiN film 4a are formed sequentially (a).例文帳に追加

下地絶縁膜１、表面にＴｉＮ層２ａを有する下層メタル配線２、ＢＣＢ膜３、ＳｉＮ膜４ａを順に形成する（ａ）。 - 特許庁

The dopant can have its peak concentration within the layer of silicon or SiGe near an interface with the underlying layer of the gate electrolyte material.例文帳に追加

このドーパントは、シリコン又はSiGe層の、下にあるゲート誘電体材料の層との界面近くのシリコン又はSiGe層内でピーク濃度を有し得る。 - 特許庁

The first computing system establishes data link layer connection with the second computing system by using specific underlying data link and physical layer protocols.例文帳に追加

第１のコンピューティングシステムは、第２のコンピューティングシステムとのデータリンク層接続を、特定のデータリンク層および物理層プロトコルを使用して確立する。 - 特許庁

Further, the cover-lay film 7 is adopted as the outer layer of the two-layered structure, and the solder resist 8 is adopted as the underlying layer of the two-layered structure.例文帳に追加

そして、２層構造の外層としてカバーレイフィルム７が採用され、２層構造の下地層としてソルダーレジスト８が採用されている。 - 特許庁

A plurality of interconnect lines 12a-12f with different pitches P1-P3 are formed on an underlying insulating layer 10.例文帳に追加

下地絶縁層１０上に、配線間のピッチＰ１〜Ｐ３が異なる複数の配線１２ａ〜１２ｆを形成する。 - 特許庁

A trench 16 is then formed in the active layer 12 by using the patterned underlying oxide films 14 and 15 as a mask (Fig.2(c)).例文帳に追加

パターニングした各下地酸化膜１４、１５をマスクとして活性層１２にトレンチ１６を形成する（図２（ｃ））。 - 特許庁

The ink receiving layer is made transparent by impregnation with a UV curable lacquer, whereby the underlying information appears.例文帳に追加

ＵＶ硬化可能なラッカーの含浸によりインキ受容層は透明にされ、それにより下の情報が現れる。 - 特許庁

To provide a wiring formation method with junction strength with an underlying insulating resin layer sufficiently secured.例文帳に追加

下地である絶縁樹脂層との接合強度を十分に確保した配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin oxide film of alumina, or the like, in a short time without oxidizing the underlying layer.例文帳に追加

下地層を酸化することなく薄いアルミナ等の酸化膜を短時間で形成する方法を提供する。 - 特許庁

The protective film 32 is formed on the upper layer of the underlying electrode film 31 by vacuum film deposition.例文帳に追加

保護膜３２は、真空成膜法による膜であって、下地電極膜３１の上層に形成されている。 - 特許庁

Before dropping the solution, the repellency of the surface of the underlying layer 2 is increased between divided pixel electrodes 3.例文帳に追加

溶液を滴下する前に、分割画素電極３間に露出する下地層２表面の撥液性を高める。 - 特許庁

In order to form an electrode 3, for example, on a θ rotation Y-cut (θ=36° to 42°) LiTaO_3 piezoelectric substrate 2, an underlying electrode layer including Ti or Cr as a primary component is formed, and an Al electrode layer 4 including Al as a primary component is then formed on this underlying electrode layer 5.例文帳に追加

たとえばθ回転Ｙカット（θ＝３６°〜４２°）のＬｉＴａＯ_3圧電基板２上に電極３を形成するため、ＴｉまたはＣｒを主成分とする下地電極層５を形成し、その上にＡｌを主成分とするＡｌ電極層４を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing the MR element 5 includes a step of forming a magnetization fixed layer 22 on an underlying layer 21, a step of forming a tunnel barrier layer 23 on the magnetization fixed layer 22, and a step of forming the free layer 24 on the tunnel barrier layer 23.例文帳に追加

ＭＲ素子５の製造方法は、下地層２１の上に磁化固定層２２を形成する工程と、磁化固定層２２の上にトンネルバリア層２３を形成する工程と、トンネルバリア層２３の上に自由層２４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To solve a problem that, when a high voltage is applied to a bump, a cell reaction occurs remarkably in a first underlying metal layer 3 and a second underlying metal layer 4 under the bump, and the bump 5 may be detached due to corrosion of metal.例文帳に追加

高電圧をバンプに印加した場合、バンプ下において、第一下地用金属層３、第二下地用金属層４において電池反応が著しく起こり、金属が腐食する事により、バンプ５が剥離することが起きる。 - 特許庁

To form an insulating layer which possesses contact holes, absorbs the level difference of an underlying layer and offers a flat surface by an ink-jet method.例文帳に追加

下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。 - 特許庁

The soft magnetic metal layer 4a has a region having a higher Fe concentration and higher saturation magnetic flux density as compared with other regions formed on the underlying metal layer 3 side.例文帳に追加

軟磁性金属層４ａは、下地金属層３側に他の領域よりもＦｅ濃度が高く飽和磁束密度の大きい領域が形成されている。 - 特許庁

An underlying layer 2 constituting a semiconductor light emitting element 10 comprises a high crystallinity AlN layer having a half peak width of 90 sec or less in X-ray locking curve.例文帳に追加

半導体発光素子１０を構成する下地層２を、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下の高結晶ＡｌＮ層から構成する。 - 特許庁

The film electrode has a coefficient of thermal expansion that substantially matches the coefficient of thermal expansion of the underlying base substrate layer as well as the coefficient of thermal expansion of the protective coating film layer.例文帳に追加

フィルム電極の熱膨張係数は、下側のベース基板層の熱膨張係数及び保護コーティング層の熱膨張係数と略合致する。 - 特許庁

The ceramic layer protects the underlying superalloy component from erosion, chipping and handling, and is optimized so as to reduce the cost of the protective layer.例文帳に追加

このセラミック層は、その下の超合金部品をエロージョン、チッピング及びハンドリングから保護する一方この保護層のコストが低下するように最適化されている。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate 100 includes a first compound semiconductor layer 1 formed on an underlying substrate 110 via a buffer layer 111.例文帳に追加

化合物半導体基板１００は、下地基板１１０上にバッファ層１１１を介して形成された第１化合物半導体層１を備えている。 - 特許庁

A nitride-based compound semiconductor light emitting element is provided with first and second underlying layers 2 and 3 composed of different constituent elements and an AlGaN evaporation preventing layer 6 formed above the layer 2.例文帳に追加

構成元素の異なる第１下地層２および第２下地層３を設け、その上方にＡｌＧａＮ蒸発防止層６を形成する。 - 特許庁

On the upper surface of the upper layer insulating film 9, an upper layer connection pad 12 including an upper layer underlying metal layer 11 is provided while being connected with the connection pad part of the wiring 8 through an opening 10 provided in the upper layer insulating film 9.例文帳に追加

上層絶縁膜９の上面には、上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２が上層絶縁膜９に設けられた開口部１０を介して配線８の接続パッド部に接続されて設けられている。 - 特許庁

The recording layer 13 has a magnetic layer 13C provided on the intermediate layer 14 side and containing CoFe as a main component, and a magnetic layer 13A provided on the underlying layer 12 side and containing CoFe as a main component, where the concentration of Fe in the magnetic layer 13C is higher than the concentration of Fe in the magnetic layer 13A.例文帳に追加

記録層１３は、中間層１４側に設けられかつＣｏＦｅを主成分とする磁性層１３Ｃと、下地層１２側に設けられかつＣｏＦｅを主成分とする磁性層１３Ａとを有し、磁性層１３ＣのＦｅの濃度が磁性層１３ＡのＦｅの濃度より高い。 - 特許庁

An optional coating can be applied to the surface of the reflective layer to promote adhesion to the underlying substrate.例文帳に追加

下方に存在する基材への接着を促進するために、任意の被膜が反射層の表面に適用され得る。 - 特許庁

As the solder resist 8 of the underlying layer, a photograph-type photosensitive resist 11 or a print-type print resist is used.例文帳に追加

下地層のソルダーレジスト８としては、写真方式の感光性レジスト１１や、印刷方式の印刷レジストが用いられる。 - 特許庁

Thus an accuracy can be increased when a TEOS film 1 as an underlying layer is patterned with use of the sidewalls 5 as a mask.例文帳に追加

したがって、側壁部５をマスクとして下地のＴＥＯＳ膜１をパターニングしたときの精度向上が図れる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which an underlying layer is protected against damage dyring a subsequent deposition process.例文帳に追加

後続のデポジション工程で発生する下層の損傷を防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the flexible substrate is separated from an operation substrate 10 by etching a sacrifice layer 11 underlying the flexible substrate.例文帳に追加

さらに、フレキシブル基板下にある犠牲層１１をエッチングすることによって、フレキシブル基板を操作基板１０から分離する。 - 特許庁

The layer insulation film IL is buried fully in a region underlying the pad within the range of a specified distance d1.例文帳に追加

ＰＡＤ下周辺の所定距離ｄ１の範囲内はすべて層間絶縁膜ＩＬで埋められた構成となっている。 - 特許庁

A primer layer 6, a base paint film 2, a clear paint film 3, and the overcoat layer 5 are laminated on an underlying metal sheet 1, and a dyed layer 4 is formed by a subliming dye penetrating into the clear paint film 3.例文帳に追加

下地金属板1にプライマ層6，ベース塗膜2，クリア塗膜3，オーバーコート層5が積層されており、クリア塗膜3に浸透した昇華性染料で染料染着層4が形成されている。 - 特許庁

A junction constitution body 10 composed of the external terminal 12, the junction layer 13, and the junction member 14 is covered with a coating layer 18 formed at its surface with an underlying layer 17 interlayered.例文帳に追加

外部端子１２と接合層１３と接合部材１４とからなる接合構成体１０は、その表面に下地層１７を介して形成された被覆層１８によって覆われている。 - 特許庁

Dope for an underlying layer, dope for a support surface layer, and dope for an air surface layer are prepared as casting dope by involving additives into raw material dope prepared by mixing a solvent and a polymer.例文帳に追加

溶媒とポリマーとを混合して調製した原料ドープに添加剤を含有させて、基層用ドープ、支持体面層用ドープ及びエア面層用ドープを流延用ドープとして調製する。 - 特許庁

The seed layer over the bus strips is then copper or gold electroplated to deposit a very thick metal layer, which effectively merges with the underlying metal layer, to reduce on-resistance.例文帳に追加

次に、バス条片上のシード層に、銅又は金電気メッキが施されて、非常に厚い金属層が堆積され、これが下層の金属の層と効果的に融合して、オン抵抗を低下させる。 - 特許庁

A photoreceptor drum 12 comprises a cylindrical conductive substrate 121, an insulating coating layer 122 applied on both ends in the axial direction of the conductive substrate 121, an underlying layer 123 formed on the conductive substrate 121 and the insulating film 122, and a photosensitive layer 124 formed on the underlying layer 123.例文帳に追加

感光体ドラム１２は、円筒状の導電性基材１２１と、導電性基材１２１の軸方向両端部に取り付けられた絶縁被膜層１２２と、これら導電性基材１２１および絶縁被膜層１２２の上に形成される下引層１２３と、下引層１２３の上に形成される感光層１２４とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a pad member 12 having an electrical connection region 12a, an insulation layer 13 formed on the pad member 12, an underlying metal layer 14 formed on the pad member 12, and a bump electrode 15 provided on the underlying metal layer 14.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、電気的接続領域１２ａを有するパッド部材１２と、パッド部材１２上に形成された絶縁層１３と、パッド部材１２上に形成された下地用金属層１４と、下地用金属層１４上に設けられたバンプ電極１５とを含む。 - 特許庁

Lines for wiring the overlying wiring layer and the underlying wiring layer are formed in an arbitrary pattern in the wiring layer increased as compared with that of a conventional shadow RAM and a structure for connection with the underlying wiring layer and a structure for connection with the overlying wiring layer are set at arbitrary different positions.例文帳に追加

従来型シャドーＲＡＭの配線層よりも増した配線層において上層配線層と下層配線層とを接続するための中継配線を任意のパターン形状に形成し、下層配線層との接続を行うための接続構造と、上層配線層との接続を行うための接続構造を異なる任意の位置に設定する。 - 特許庁

A magnetic memory comprises magnetization fixed layers 50a and 50b which have vertical magnetic anisotropy and in which a magnetization direction is fixed, an interlayer insulation layer 60, an underlying layer 40 formed on upper surfaces of the magnetization fixed layers 50a and 50b and the interlayer insulation layer 60, and a data storage layer 10 which is formed on an upper surface of the underlying layer 40 and has vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁気メモリが、垂直磁気異方性を有し、磁化方向が固定された磁化固定層５０ａ、５０ｂと、層間絶縁層６０と、磁化固定層５０ａ、５０ｂと層間絶縁層６０の上面に形成された下地層４０と、下地層４０の上面に形成された、垂直磁気異方性を有するデータ記憶層１０とを備えている。 - 特許庁

A flux solution layer 5 for the concentration of flux in the layer 5 becomes lower along towards the overlaying layer from the underlying layer which is a solid-state water soluble flux layer 4 formed into a uniform thickness is formed by applying water in uniform thickness to the layer 4.例文帳に追加

均一厚さに形成した固形状で水溶性のフラッスク層４上に水を均一膜厚で塗布することにより、フラックス層４上に、フラックス濃度がフラッスク層４側である下層から上層に向かって低下するフラックス溶液層５を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has joint structures in which a joint layer 7 provided between an underlying conductive layer and a lead-free solder layer and substantially not containing sulfur and, and an alloy layer 9a provided between the joint layer and the lead-free solder layer containing elements of these layers are formed.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層７が設けられ、かつ接合層と鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層９ａが形成された接合構造を有する。 - 特許庁

The second layer underlying the first layer is a power supply wiring layer and a first power supply plane 2a and a second power supply plane 2b are separately formed on the layer so that the first plane 2a may surround the second plane 2b.例文帳に追加

その下の第２層は、電源配線層であって、第１電源プレーン２ａと第２電源プレーン２ｂとが分離されて、かつ第１電源プレーン２ａが第２電源プレーン２ｂを囲むように形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加

化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制（バリヤ）層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When an underlying layer is not provided on the rear end face, the optical film thickness of the low refractive index layer, the high refractive index layer and the intermediate refractive index layer is λ_3/4, where λ_3 is a wavelength between λ_1 and λ_2.例文帳に追加

低屈折率層、高屈折率層および中間屈折率層の光学膜厚は、後端面に下地層が設けられていない場合には、λ_1とλ_2の間の波長をλ_3としたときに、λ_3／４となっている。 - 特許庁