「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A Ti film is formed as the underlying layer 11a.例文帳に追加

下側層１１ａとしては、例えばＴｉ膜を形成する。 - 特許庁

The underlying layer 22 contains a metal oxide or a glass frit.例文帳に追加

下地層２２は、金属酸化物およびガラスフリットを含む。 - 特許庁

Lower interconnections are formed on a semiconductor underlying layer and an interlayer insulation film is formed to cover the lower interconnections and the semiconductor underlying layer.例文帳に追加

半導体下地層に下部配線を形成し、下部配線および半導体下地層を覆って層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the first solder and second solder are heated simultaneously and connected, respectively, to the first underlying layer and second underlying layer.例文帳に追加

次いで、第１の半田及び第２の半田を同時に加熱して、それぞれ第1の下地層及び第２の下地層と接続する。 - 特許庁

The multi-material layer includes a first material layer comprised of residue from an underlying dielectric capping layer, and a second material layer comprised of residue from an underlying metallic capping layer.例文帳に追加

マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。 - 特許庁

Subsequently, an underlying nickel plating layer 19 is formed on the underlying metallization layer 18, a silver plating layer 20 is further formed on the underlying nickel plating layer 19 to serve as a light reflecting surface 22.例文帳に追加

この後、この下地メタライズ層１８の上に下地ニッケルめっき層１９を形成し、更に、この下地ニッケルめっき層１９の上に銀めっき層２０を形成し、この銀めっき層２０の表面を光反射面２２とする。 - 特許庁

Next, a pattern layer 24 consisting of SiO_2 or the like is formed on the underlying layer 23.例文帳に追加

次いで、下地層２３上にＳｉＯ_２などからなるパターン層２４を形成する。 - 特許庁

Next a pattern layer 24 consisting of SiO_2 or the like is formed on an underlying layer 23.例文帳に追加

次いで、下地層２３上にＳｉＯ_２などからなるパターン層２４を形成する。 - 特許庁

The soft magnetic member comprises a resin film, an underlying metal layer 3 formed on the resin film, and a soft magnetic metal layer 4a formed on the underlying metal layer 3.例文帳に追加

樹脂フィルムと、樹脂フィルム上に形成された下地金属層３と、下地金属層３上に形成された軟磁性金属層４ａとを備えている。 - 特許庁

The underlying metal layers 43 and 44 are formed on the metallized layer 42, and the silver layer 45 is formed on the underlying metal layers 43 and 44.例文帳に追加

下地金属層４３，４４はメタライズ層４２上に形成され、銀層４５は下地金属層４３，４４上に形成される。 - 特許庁

The carbon fibers of the surface layer and the underlying layer may be a crimped fiber.例文帳に追加

前記表層部及び基層部の炭素繊維が捲縮された炭素繊維であってもよい。 - 特許庁

The painting comprises a clear layer, formed on the topmost surface and an underlying layer formed on a lower layer of the clear layer, and the heights of the columnar projections may be larger than the thickness of the clear layer and smaller than the thickness of the sum with the thicknesses of the clear layer and underlying layer combined.例文帳に追加

塗装は、最表面に形成されたクリア層とクリア層の下層に形成された下地層とを含み、柱状突起の高さは、クリア層の厚みよりも大きく、クリア層と下地層を合わせた厚みよりも小さくてもよい。 - 特許庁

The etching stop layer underlying the third cad layer has a thickness T1≤100 nm and the etching stop layer underlying the block layer has a thickness T2 satisfying following relations; T1-T2>1 nm and T2>1 nm.例文帳に追加

第３クラッド層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ１はＴ１≦１００ｎｍであり、ブロック層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ２は、Ｔ１−Ｔ２＞１ｎｍかつＴ２＞１ｎｍである。 - 特許庁

A conductive underlying layer is formed at the end of the element main body 10.例文帳に追加

素子本体１０の端部に導電性の下地層を形成する。 - 特許庁

The external electrode 5 has an underlying metal layer 5a which closely contacts with the base body 2 and electrically connected with the leading terminals 4a, a first plated metal layer 5b to protect the underlying metal layer, and a second plated metal layer 5c to improve solder wettability with the first plated metal layer to protect the underlying metal layer 5a.例文帳に追加

この外部電極５は、電子部品素体２に密着し引出端部４ａと電気的に接続する下地金属層５ａと、該下地金属層５ａを保護する第一のメッキ金属層５ｂと半田濡れ性を向上させる第二のメッキ金属層５ｃとを有する。 - 特許庁

A thickness of the first magnetic underlying layer 41 is adjusted to prevent the first magnetic underlying layer 41 from presenting intra-plane magnetic anisotropy on the interlayer insulation layer 60.例文帳に追加

第１磁性下地層４１の膜厚は、層間絶縁層６０の上において第１磁性下地層４１が面内磁気異方性を発現しないように調節されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the magnetic recording medium has processes of disposing an underlying layer on the silicon layer and disposing the magnetic material into the recessed parts of the uneven structure on the underlying layer.例文帳に追加

前記シリコン層の上に下地層を配置する工程を有し、該下地層上の凹凸構造の凹部に磁性体を配置する磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The invention relates to a method for manufacturing a ferroelectric memory device by forming an underlying layer above a substrate, and then laminating a first electrode, a ferroelecric layer and a second electrode on the underlying layer.例文帳に追加

基板の上方に下地層を形成し、下地層上に第１電極、強誘電体層、第２電極を積層する強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁

Thereafter, an AlN buffer layer 103, an AlGaN buffer layer 104, and a GaN layer 105 are formed on the underlying layer 102.例文帳に追加

その後、下地層１０２の上にＡｌＮバッファ層１０３，ＡｌＧａＮバッファ層１０４，およびＧａＮ層１０５を形成する。 - 特許庁

A solder ball 15 is provided on the upper layer connection pad 12 including the upper layer underlying metal layer 11.例文帳に追加

上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２上には半田ボール１５が設けられている。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAYER FOR PROTECTING UNDERLYING LAYER AGAINST DAMAGE DURING DEPOSITION例文帳に追加

デポジション中に下層の損傷を防止する保護層を持った半導体装置の製造方法 - 特許庁

SUPPLICANT AND AUTHENTICATOR INTERCOMMUNICATION MECHANISM INDEPENDENT OF UNDERLYING DATA LINK LAYER AND PHYSICAL LAYER PROTOCOL例文帳に追加

データリンク層および物理層プロトコルに依存しないサプリカントおよびオーセンティケータの相互接続機構 - 特許庁

The magnetic pole layer 16 is formed by plating through feeding a current to the underlying layer 52.例文帳に追加

磁極層１６は、下地層５２に電流を流してめっきを行うことによって形成される。 - 特許庁

The part of the lower-layer wiring 3, underlying the upper-layer wiring 4 is formed thicker in thickness than the other part of the wiring 3.例文帳に追加

下層配線３の上記一部が、該下層配線３の他の部分よりも厚くされている。 - 特許庁

The first layer 12 is formed with a more resistive semiconductor than the front layer of the underlying substrate.例文帳に追加

第１の層１２は、下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体で形成されている。 - 特許庁

The ultrasonic impression head 44 is provided separately from the filling head 38, and impresses ultrasonic wave to the indium filled on the underlying layer 22 and the underlying layer 22.例文帳に追加

超音波印加ヘッド４４は、充填ヘッド３８と別体に設けられ、下地層２２の上に充填されたインジウムおよび下地層２２に超音波を印加する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an underlying layer composed of a GaN-based compound semiconductor, which prevents a gap between the underlying layer and a sapphire substrate, when the underlying layer is epitaxially grown on the surface of the sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板の表面に下地層をエピタキシャル成長させたとき、下地層とサファイア基板の表面との間に隙間が生じることの無いＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, first solder and second solder are supplied, respectively, onto a first underlying layer out of the underlying layer located on the side of a first main surface and a second underlying layer located on the side of a second main surface facing the first main surface.例文帳に追加

次いで、下地層のうち第１の主面側に位置する第１の下地層及び第１の主面と相対向する第２の主面側に位置する第２の下地層上に、それぞれ第１の半田及び第２の半田を供給する。 - 特許庁

This transparent conductive film laminate includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and made of metal except silver, and the silver thin film layer installed on the underlying layer and composed of silver or silver alloy, and film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加

本発明の透明導電膜積層体は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

The terminal connection part 11 includes a copper underlying plating layer 17 formed on the surface of the base metal 16, and a tin plating layer 18 formed on the surface of the copper underlying plating layer 17.例文帳に追加

端子接続部１１は、母材１６の表面に形成された銅下地メッキ層１７と、銅下地メッキ層１７の表面に形成された錫メッキ層１８とを備えて構成されている。 - 特許庁

The invention relates to a method for manufacturing a ferroelectric memory device by forming a conductive underlying layer above a substrate, and then laminating a first electrode, a ferroelecric layer and a second electrode on the underlying layer.例文帳に追加

基板の上方に導電性の下地層を形成し、下地層上に第１電極、強誘電体層、第２電極を積層する強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁

The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。 - 特許庁

The second layers 7, 8, 9 cover the first layer 5 and the underlying mark 1.例文帳に追加

第二の層７，８，９は、第一の層５および下地マーク部１を覆っている。 - 特許庁

The first underlying metal layer 3 and the second underlying metal layer 4 formed on the pad member 1, the bump 5 formed on the underlying metal layers 3 and 4, and the underlying metal layers 3 and 4, are arranged even on the outside of the area of the bump 5.例文帳に追加

パッド部材１上に形成された第一下地用金属層３、第二下地用金属４と、下地金属層３、４上に設けられたバンプ５と、下地用金属層３、４が、バンプ５の面積を超えて、外側にも配置された構成を有している。 - 特許庁

The organic EL element has a transparent conductive film lamination layer that includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and consisting of metal other than silver, and a silver thin film layer consisting of silver or a silver alloy installed on the underlying layer, in which a film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄い透明導電膜積層体を有することを特徴とする。 - 特許庁

On the surface of a basic material composed of copper or an A4 material, a nickel plating layer is formed as an underlying plating layer.例文帳に追加

銅またはＡ４２材からなる基材の表面に、下地めっきとしてニッケルめっき層を形成する。 - 特許庁

In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.例文帳に追加

さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

A magnetic pole layer housing layer 53 made of a nonmagnetic material is disposed on an underlying layer 52 made of a nonmagnetic conductive material.例文帳に追加

非磁性導電材料よりなる下地層５２の上に、非磁性材料よりなる磁極層収容層５３が配置されている。 - 特許庁

After forming an underlying layer on the outer circumferential surface of a lead pin, a coating having a thickness of 0.001-0.07 μm is formed on the underlying layer by gold plating.例文帳に追加

リードピンの外周面に下地層を形成した後、厚さ０．００１μｍ以上０．０７μｍ以下の被膜を下地層上に金メッキ処理により形成するもの。 - 特許庁

First and second underlying oxide films 14 and 15 are formed on an active layer 12, and the underlying oxide films 14 and 15 are so patterned as to expose the active layer 12 (Fig.2(b)).例文帳に追加

活性層１２の上に第１、第２下地酸化膜１４、１５を形成し、活性層１２が露出するように各下地酸化膜１４、１５をパターニングする（図２（ｂ））。 - 特許庁

An underlying layer 2 with repellency is formed under the divide pixel electrodes 3.例文帳に追加

分割画素電極３下に撥液性表面を有する下地層２を形成する。 - 特許庁

The light emitting device structure 11 consisting of a lower clad layer containing Al, an active layer, and an upper clad layer containing Al is formed on the underlying layer 21.例文帳に追加

下地層２１の上に、Ａｌを含む下部クラッド層と、活性層と、Ａｌを含む上部クラッド層からなる発光素子構造１１を形成する。 - 特許庁

An underlying layer is formed on the endless belt 60 by spraying base layer paint toward the endless belt 60, while endlessly moving the belt 60 extended between guide rolls 31 and 32; and magnetic paint is sprayed toward the underlying layer, thereby forming a magnetic layer for the magnetic scale on the underlying layer.例文帳に追加

ガイドロール３１，３２の間に張架された無端ベルト６０を無端移動させながら、下地層塗料を無端ベルト６０に向けてスプレー塗布することにより、無端ベルト６０に下地層を形成し、磁性塗料を下地層に向けてスプレー塗布することにより、磁気スケール用の磁性層を下地層上に形成する。 - 特許庁

The product being an object has a substrate, and an organic layer in which a refractive index is lower than that of the substrate or the underlying layer formed on an underlying layer consisting of at least one layer that is arranged at the substrate or the surface of the substrate, and in which the difference of the refractive index to the substrate or the underlying layer is at least 0.1.例文帳に追加

基材と、基材または基材の表面に設けられた少なくとも一層からなる下地層の上に形成された、基材または下地層よりも低屈折率の有機層であって、基材または下地層に対する屈折率差が少なくとも０．１である有機層とを有する製品を対象とする。 - 特許庁

The soft magnetic member 1 comprises a resin film 2, an underlying metal layer 3 formed on the resin film 2, and a soft magnetic metal layer 4 formed on the underlying metal layer 3 wherein the thickness s of the underlying metal layer 3 and the thickness p of the soft magnetic metal layer 4 satisfy following relations: 5≤p/s<10 and 0<s<100 nm.例文帳に追加

樹脂フィルム２と、樹脂フィルム２上に形成された下地金属層３と、下地金属層３上に配設された軟磁性金属層４と、を備えた軟磁性部材１であって、下地金属層３の厚さをｓ、軟磁性金属層４の厚さをｐとすると、５≦ｐ／ｓ＜１０かつ０＜ｓ＜１００ｎｍとする。 - 特許庁