「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An end portion 17-2 of the gate electrode 17 is formed on an underlying metal 18 formed by a metal containing Ti via an insulating film 14 on a GaN buffer layer 12 surrounding the undoped AlGaN layer 13.例文帳に追加

このゲート電極１７は、その端部１７−２がアンドープＡｌＧａＮ層１３の周囲のＧａＮバッファ層１２上に絶縁膜１４を介してＴｉを含む金属で形成された下地金属１８上に形成されている。 - 特許庁

A first layer STO film 17a composed of a metal oxide having perovskite structure and becoming the underlying dielectric film 16a of the capacitor dielectric film 16 is formed to cover the exposed surface of the Sr oxide layer 15.例文帳に追加

Ｓｒ酸化物層１５の露出表面を覆うように、キャパシタ誘電体膜１６の下層誘電体膜１６ａとなる、ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物からなる第１層目のＳＴＯ膜１７ａを成膜する。 - 特許庁

The method includes bringing the coated super alloy article into contact with a preselected chemical stripping solution for a preselected period of time sufficient to remove only the outer aluminide layer (14), without substantially affecting the diffusion layer (16) underlying the outer aluminide layer (14).例文帳に追加

この方法では、被覆された超合金物品を、外側のアルミ化物層（１４）の下の拡散層（１６）には実質的に影響を及ぼすことなく、外側のアルミ化物層（１４）のみを除去するのに十分な所定時間所定の化学ストリッピング溶液に接触させる。 - 特許庁

A semiconductor device 15 is created by partially cooling the device regions 6 partitioned by the separating grooves 7 while holding the device regions by an absorption member 8 having a cooling mechanism, and by separating the semiconductor device constituting layer 3 from the substrate 1 using the low-intensity underlying layer 2 as the peeling layer.例文帳に追加

分割溝７で区画された素子領域６を、冷却機構を有する吸着部材８で保持しつつ局所的に冷却することにより、低強度下地膜２を剥離層として半導体素子構成層３を基板１から分離して半導体素子１５を作製する。 - 特許庁

To provide manufacturing method of a gas discharge type display apparatus being able to restrain generation of air bubble in a dielectric layer formed in simple process without much energy required when burning, in forming the dielectric layer, barrier rib underlying layer or a barrier rib.例文帳に追加

グリーンシートを用いて誘電体層や隔壁下地層或は隔壁を形成する上で、工程が簡素で、焼成時に多くのエネルギを要することなく、形成される誘電体層などに気泡が生じるのを抑制することのできるガス放電型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the dips in the bumps and dips due to the underlying layer metal wiring are utilized, the noise shield wiring can be formed with a number of designing man-hours and a number of manufacturing man-hours smaller than those in the conventional art.例文帳に追加

下地メタル配線による凹凸形状の凹部を利用することで、従来技術に比べて少ない設計工数、製造工数でノイズシールド配線の形成が可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a thermosensitive element can be disposed in a state where the element is electrically separated from a semiconductor substrate without being limited by the diffusing structure of a semiconductor layer underlying the thermosensitive element.例文帳に追加

感熱素子下の半導体層の拡散構造に制限されることがなく、感熱素子を半導体基板と電気的に分離して配置できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To restrain a junction leakage from occurring by decreasing over- etching on the surface of an underlying diffusion layer in amount so as to prevent damage and erosion when a contact hole with a high aspect ratio is provided by etching.例文帳に追加

アスペクト比の大きいコンタクトホールエッチング時に、下地拡散層の表面に施されるオーバーエッチング量を低減し、ダメージ・浸食を抑えることで接合リークの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide compositions useful as an underlying antireflective coating composition (ARC) employed with an overcoated photoresist layer in the manufacture of microelectronic wafers and other electronic devices.例文帳に追加

マイクロエレクトロニックウェハおよび他の電子デバイスの製造において、オーバーコートされたフォトレジスト層とともに用いられる下層反射防止コーティング組成物（ＡＲＣ）として有用な組成物を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a silicon nitride film is formed on a semiconductor substrate 10 using a single wafer low pressure thermal CVD system where the thickness of a film to be formed depends on the coarseness of an underlying layer.例文帳に追加

続いて、下地の疎密により形成される膜の膜厚が異なる枚葉式の減圧熱ＣＶＤ装置を使用して、半導体基板１０上に窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

As a result, before abnormal film formation takes place in W nuclei, W nuclei 16 can be uniformly formed on the entire surface of the TiN film 13 as an underlying adhesion layer.例文帳に追加

これにより下地密着層としてのＴｉＮ膜１３の表面には、Ｗ核において異常成膜が発生する前に、Ｗ核１６が全体に渡って均一に形成される。 - 特許庁

Separation grooves 7 are subsequently formed on the substrate 1 having the semiconductor device constituting layer 3 in accordance with the plurality of device regions 6 such that at least the low-intensity underlying film 2 is cut.例文帳に追加

次いで、少なくとも低強度下地膜２が切断されるように、半導体素子構成層３を有する基板１に複数の素子領域６に応じて分割溝７を形成する。 - 特許庁

To improve the corrosion resistance of electroconductive particles comprising substrate particulates and a metallic coating layer arranged on the substrate particulates, and to inhibit the elusion and corrosion of an underlying metal.例文帳に追加

基材微粒子、および基材微粒子上に設けられた金属被覆層を有する導電性粒子において、耐蝕性を向上させ、下地金属の溶出や腐食を抑制する。 - 特許庁

To provide the forming technology of multi-layers wiring capable of preventing the generation of pin holes on an etching stopper film upon forming a wiring, and suppressing the dissolution of Cu (copper) in an underlying wiring layer.例文帳に追加

配線形成時において、エッチングストッパー膜にピンホールが発生することを防止して下層配線層Ｃｕの溶解を抑制できる多層配線形成技術を提供する。 - 特許庁

After an underlying layer 13 with a film thickness of 3 μm made of GaN is formed on a substrate 11 made of sapphire having a C plane as a main surface, the temperature of the substrate 11 is decreased to 810°C.例文帳に追加

Ｃ面を主面に持つサファイアからなる基板１１の上に、ＧａＮからなり、膜厚が３μｍの下地層１３を形成した後、基板１１の温度を８１０℃にまで降温する。 - 特許庁

The capacitor is formed by forming a lower metal layer of at least one kind of valve metal selected from aluminum, tantalum, niobium, tungsten, vanadium, bismuth, titanium, zirconium or hafnium, a dielectric layer composed of an oxide of valve metal in the lower metal layer, an intermediate layer of solid state electrolyte, and an upper metal layer of electrode metal sequentially on an underlying wiring layer in a circuit board.例文帳に追加

回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも１種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of preventing the depletion of a wiring layer by removing a mask, while maintaining even thickness of an underlying film by preventing the generation of reaction active species of fluorine caused by a by-product due to etching when removing the mask, and reducing subsequent underlying film overetching time.例文帳に追加

マスクを除去する時にエッチングによる副生成物に起因するフッ素の反応活性種の生成を防止して下地膜の膜厚を均一に保ちながらマスクを除去して、その後の下地膜のオーバーエッチングの時間を少なくして配線層の減少を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

The polishing pad comprises a hard layer (2) having a face for polishing the surface of a substrate to be polished and supplied with an abrasive, and an underlying high heat conductivity layer (3) having a thermal conductivity of 0.3 w/(mdeg) or above.例文帳に追加

研磨剤が供給され、被処理基板の被研磨面を研磨する研磨面を有する硬質層（２）と、この硬質層の下に配置された熱伝導率０．３ｗ／（ｍ・ｄｅｇ）以上の高熱伝導性層（３）とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

Since an overhung portion exists, a carbon nanotube which began to grow from the pattern region of one catalytic function metal layer can be prevented drastically from touching the underlying insulating layer or substrate and crosslinking can be carried out effectively.例文帳に追加

オーバーハング部の存在により、一方の触媒機能金属層のパターン領域から成長を開始したカーボンナノチューブが、下層の絶縁層や基板との接触するのを大幅に防ぐことが可能となり、架橋を効果的に行うことができる。 - 特許庁

Selected portions of the oxide layer have been removed to reveal the underlying carbon steel material so as to provide indicia on the surface of the blade by virtue of a color contrast between the colored oxide layer and the revealed carbon steel material.例文帳に追加

前記酸化被膜の選択された部分は前記下層の炭素鋼材料が露出されるように除去されて、当該酸化被膜と前記露出された炭素鋼材料との間の色の対比によって前記刃の表面に印章が提供される。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate 101, ions are implanted in a region on the lower layer side than the silicon oxide film, and then heat treatment is performed to form an underlying layer 102 made of single crystal silicon subjected to the ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１０１の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、前記シリコン酸化膜よりも下層側の領域にイオン注入を行い、次いで熱処理して、イオン注入された単結晶のシリコンからなる下地層１０２を形成する。 - 特許庁

Since a III nitride compound semiconductor element thus obtained has hexagonal prisms on the surface, strain is relaxed between the III nitride compound semiconductor layer and the substrate including the underlying layer.例文帳に追加

このように構成されたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子によれば、その表面が六角錐台の凸部を有する形状とされることにより、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層と下地層を含めた基板との間の歪みが緩和される。 - 特許庁

In the welding method which performs welding cladding layer (welding layer) by PTA on the surface of a underlying layer 11 or mother material 10 being a substrate, anticipating the content of the substrate 10, 11 which is melted into the content of welding powder by dilution in the cladding layer 20 after welding, the percent composition of the welding powder and the substrate are predetermined.例文帳に追加

下地部材である母材１０または下盛層１１の表面に、ＰＴＡにより肉盛層（溶接層）２０を溶接する方法において、溶接後の肉盛層２０において、溶接用パウダーの成分に対して希釈により溶け込む下地部材１０、１１の成分を見込んで、溶接用パウダーの成分比と下地部材の成分比を予め設定する。 - 特許庁

The thin film electronic component comprises a supporting substrate 1, a thin film capacitor element A provided on the supporting substrate 1 while having electrode layers 5a and 7a and a dielectric layer 3, and a protective layer B covering the thin film capacitor element A wherein an underlying insulator layer 9 of the same component as the dielectric layer 3 is formed on the supporting substrate 1.例文帳に追加

支持基板１と、該支持基板１上に設けられ、電極層５ａ、７ａと誘電体層３とを有する薄膜コンデンサ素子Ａと、該薄膜コンデンサ素子Ａを被覆する保護層Ｂを有する薄膜電子部品であって、該誘電体層３を構成する同一成分の下地絶縁体層９を該支持基板１上に形成した。 - 特許庁

Pervious concrete pavement of the two-layer structure of the underlying layer section and the surface layer section using 79.38% of silica rocks (0-2.5 mm), 15% of cement (normal Portland cement or white cement), 0.02% of a binder, 5% of pigment cement and 6% of water as the surface-layer-section pervious concrete is manufactured and laid.例文帳に追加

表層部透水性コンクリートとして珪石（０〜２．５ｍｍ）７９．３８％、セメント（普通ポルトランドセメント又はホワイトセメント）１５％、結合剤０．０２％、顔料セメント比５％、水６％として、基層部および表層部からなる二層構造の透水性コンクリート舗装を製造打設することにより課題解決を提供することが出来た。 - 特許庁

Subsequently, electroformating is carried out using the underlying layer 8 for plating in the groove 6 of the glass original plate 4 as an electrode and the nozzle substrate body 2 is stripped from the glass original plate 4 thus producing a nozzle plate.例文帳に追加

次いで、ガラス原板４の溝６内のメッキ用下地８を電極にして電鋳し、電鋳後にガラス原板４からノズル基板本体２を剥離することにより、上記構成のノズル基板をつくる。 - 特許庁

Even if the authenticity determining medium 1 is peeled from a peeling boundary 11, the security nature can be maintained by the polarization effect of the color variable printing layer 3a or 3b of the underlying hologram.例文帳に追加

万が一、真贋判定用媒体１が剥離界面１１より剥がされたとしても、下地のホログラムの色彩可変印刷層３ａもしくは３ｂの偏光効果により、セキュリティ性を保持できる。 - 特許庁

The element main body is held by a holding member 38 wherein a holding hole 36 for holding detachably the element main body 10 is formed so that the underlying layer formed at the end of the element main body 10 may be exposed.例文帳に追加

素子本体１０の端部に形成された下地層が露出するように、当該素子本体１０を着脱自在に保持する保持孔３６が形成された保持部材３８で素子本体を保持する。 - 特許庁

To provide a waterproof underlying sheet which eases the level difference and unevenness of a surface of a heat insulating material and enables the installation of a waterproof layer on the smooth surface, and to provide a waterproof structure and a waterproofing method using the same.例文帳に追加

断熱材表面の段差や凹凸を緩和して平坦な面上に防水層を設けることができる防水下地シート、及びこれを用いた防水構造と防水工法の提供。 - 特許庁

To provide a method for etching and removing an underlying dielectric film from a via bottom so that the decrease of an upper layer insulating film is eliminated, and no etching residue is left remained on the inner wall surface of the via.例文帳に追加

ビアボトムの下地誘電体膜を、上層絶縁膜の膜減りをなくし、また、ビアの内壁面にエッチング残さを残さないでエッチング除去する方法及び半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

A second insulating film is formed on the underlying electrode pad layer, and a resist mask having a plurality of openings is formed in each region belonging to the first and second regions on the second insulating film.例文帳に追加

下層電極パッド層の上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の第１および第２領域に属する各領域に複数の開口部を有するレジストマスクを形成する。 - 特許庁

To reduce the defects caused by recessed and projecting sections formed when contact holes are formed by relieving the recessed and projecting sections even when the diameters of openings forming contacts with an underlying layer has large diameters (≥1 μm).例文帳に追加

本発明では、下層とのコンタクトを形成する開口部の直径が大きく（１μｍ以上）ともコンタクトホール起因の凹凸を緩和し、それが原因でなる不良を低減することを目的とする。 - 特許庁

In a wiring pattern forming method where an underlying layer is formed on a base by a liquid containing a cationic compound and conductive ink having a zeta potential of -100 to 0 mV is injected onto the underlying layer by an inkjet recorder, the cationic compound contains a cationic surfactant or at least one of cationic polymers having a molecular weight of 100 to 100,000.例文帳に追加

基材にカチオン性化合物を含む液体により下引き層を形成し、その上にゼータ電位が−１００ｍＶ以上、０ｍＶ以下である導電性インクをインクジェット記録装置で射出する配線パターン形成方法において、カチオン性化合物としてカチオン性界面活性剤または分子量が１００以上１０００００以下のカチオン性ポリマーの少なくとも一つを含むことを特徴とする配線パターン形成方法。 - 特許庁

In a MIS-type GaN-FET, a conductive nitride, in which oxygen is not included on a surface layer 5 being a nitride semiconductor layer, here, an underlying layer 9 made of TaN, is arranged so as to cover the lower face of a gate insulating film 11, made of Ta_2O_5, at least immediately under a gate electrode 12.例文帳に追加

ＭＩＳ型のＧａＮ−ＦＥＴにおいて、少なくともゲート電極１２直下におけるＴａ_2Ｏ_5からなるゲート絶縁膜１１の下面を覆うように、窒化物半導体層である表面層５上に酸素を含有しない導電性窒化物、ここではＴａＮからなる下地層９を配する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-junction photoelectric conversion device which restrains current leakage from an intermediate contact layer by dividing the intermediate contact layer without affecting an underlying layer so as to suppress deterioration in power generation efficiency and reduces an ineffective area generating no electric power so as to enhance power generation efficiency.例文帳に追加

下側層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できるとともに発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a light absorbing antireflective coating material is deposited on the interlayer insulating layer to form a light shield and is followed by another planarized IMD layer so as to reduce the transmission of the incident light toward the underlying active devices.例文帳に追加

その後、本発明の実施形態では、光吸収反射防止コーティング材料を層間絶縁層の上に析出し、光シールドを形成し、それに他のプレーナ処理したＩＭＤ層が続き、下に存在する能動デバイスに向かう入射光の透過を低減するようにする。 - 特許庁

The coating composition can provide enhanced resolution of a patterned overcoated photoresist layer and includes the use of a low-activation temperature thermal acid generator, as well as, multiple thermal treatment to process a layer of the underlying coating composition.例文帳に追加

本発明の好ましいコーティング組成物および方法は、パターン化されたオーバーコートしたフォトレジスト層の解像度の向上を提供することができ、下地のコーティング組成物の層を処理するため、多重の熱処理と共に低活性化温度熱酸発生剤の使用を含む。 - 特許庁

Since the part of the lower- layer wiring 3 underlying the upper-layer wiring 4 is made larger in thickness, the wiring 3 becomes larger in thickness and the resistance of the wiring 3 becomes smaller, and in addition, since the interlayer insulating film 2 becomes smaller in thickness in the overlapped part, the electrostatic capacitance between the wiring 3 and 4 becomes larger and power supply noise is reduced.例文帳に追加

下層配線３の上層配線４との重なり部分を厚くすることで、配線が太くなるため、抵抗が小さくなり、また、層間絶縁膜２がその部分で薄くなるので、静電容量が大きくなり、電源ノイズの低減が実現する。 - 特許庁

In the thin film semiconductor device 10, a semiconductor film 13, a gate insulating film 18, and a gate electrode 21 are formed in a planar shape without being provided with patterns or the like, and underlying layers of the semiconductor layer 13 and gate insulating layer 18 are not formed with layers that cause level differences.例文帳に追加

薄膜半導体装置１０は、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極２１まではパターンなどを設けないで平坦なまま形成され、さらに半導体層１３、ゲート絶縁膜１８の下層には段差を生じさせる層が形成されていない。 - 特許庁

By using enhancements to the standard ATM SPVC/SVC signaling messages, a layer 3 IP path-specifying processes on multi-service switches at the opposite ends of the network allow a traffic to flow in transparent manner via an underlying layer 2 virtual connection.例文帳に追加

標準ＡＴＭ ＳＰＶＣ／ＳＶＣ信号送信メッセージに対する強化を使用して、ネットワークの反対側エンドのマルチサービススイッチでのレイヤ３ＩＰ経路指定プロセスは、トラフィックが、下にあるレイヤ２仮想接続を介してトランスペアレントに流れることを可能にする。 - 特許庁

To provide a metal fine particle-containing resin particle, a metal fine particle-containing resin layer and a method for forming the metal fine particle-containing resin layer by which an efficient electroless plating is made possible and a more uniform metal conductive pattern layer is formed by forming a layer which allows an easy control of the etching thickness on the surface of an underlying pattern layer forming a pattern.例文帳に追加

パターンを形成する下地パターン層の表面にエッチングする厚さを容易にコントロールすることができる層を形成することにより、効率的な無電解めっき処理が可能となり、より均一な金属導体パターン層を形成することができる金属微粒子含有樹脂粒子、金属微粒子含有樹脂層および金属微粒子含有樹脂層の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The wiring board having a glass layer 2 deposited to the upside of an insulation board 1 and a plurality of wiring conductors 3 deposited to the glass layer 2 comprises many trenches 1a approximately parallel underlying the wiring conductors 3, in the transverse direction on the upside of the board 1 and an air layer 4 between the inner surfaces of the trenches 1a and the glass layer 2.例文帳に追加

絶縁基板１の上面にガラス層２を被着させるとともに、該ガラス層２上に複数個の配線導体３を被着させてなる配線基板において、前記絶縁基板１は、その上面に、前記配線導体３の直下を横断する方向に略平行に配された多数の溝１ａを有し、且つ該溝１ａの内面とガラス層２との間に空気層４を設ける。 - 特許庁

A pair of excitation electrodes 13, formed on the opposite sides of a crystal oscillating element 11 and a lead electrode 14 extending to one end thereof comprise an electrode film of three layer structure, including an underlying metal layer 18a of Cr, Ni, Ti, Al or Ag exhibiting high affinity to crystal, an Au layer 18b formed thereon, and a Cr surface layer 18c formed further thereon.例文帳に追加

水晶振動片１１の両面に形成した１対の励振電極１３及びその一端に延出させた引出電極１４は、水晶との馴染みが良いＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ又はＡｇ等の下地金属層１８ａ、その上にＡｕ層１８ｂ及び更にその上にＣｒ表面層１８ｃを積層した３層構造の電極膜から構成される。 - 特許庁

Direction B of a resonator is set in the <11-20> direction of the underlying layer 3 and differentiated by 90° from the extending direction A of mask opening and a pair of resonator edges 16, 17 are formed in the direction B of the resonator.例文帳に追加

共振器方向Ｂを下地層３の＜１１−２０＞方向としてマスク開口延長方向Ａと９０度異ならせ、共振器方向Ｂに一対の共振器端面１６，１７をそれぞれ形成する。 - 特許庁