「underlying layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a lubricant film which is excellent in durability for magnetic recording medium, lubricant film adhesion to an underlying layer, and abrasion resistance.例文帳に追加

磁気記録媒体用の耐久性、下地層への潤滑膜の固着、及び耐摩耗性に優れた潤滑膜を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING UNDERLYING LAYER COMPOSED OF GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

Subsequently the overlying and underlying basic materials are polarized I the opposite directions using the high resistance layer as one electrode.例文帳に追加

その後、高抵抗層１３を一方の電極として上下の基材１１，１２を互いに相反する方向に分極処理する。 - 特許庁

To provide a method for producing a magnetic transfer master carrier, which obtains a highly-oriented magnetic layer whose shape hardly degrades even when an underlying layer is thin, and which is superior in signal quality.例文帳に追加

下地層を薄くしても高配向で、形状劣化のない磁性層が得られ、信号品位に優れる磁気転写用マスター担体の製造方法などの提供。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which etching selection ratio for an underlying layer is high when the upper layer of a multilayer film deposited by CVD is etched.例文帳に追加

ＣＶＤ法により成膜された積層膜の上層をエッチングする際に、下層に対するエッチング選択比の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This conductive layer 11 is etched with halogen gas while the ruthenium base layer 12 remains unetched to avoid damaging the underlying magnetoresistive effect element 15.例文帳に追加

タンタル導電層１１をハロゲンガスでエッチングするが、このときルテニウムの下地層１２はエッチングされることがなく、下の磁気抵抗効果素子１５がダメージを受けるのを防ぐ。 - 特許庁

Surface of an underlying layer is irradiated with a plasma flow containing hydrogen active species or a plasma flow of an inert gas and cleaned before an insulation coating layer is deposited thereon.例文帳に追加

本発明は、水素活性種を含むプラズマ流又は不活性ガスによるプラズマ流の照射により下層の表面を清浄した後、絶縁被覆層を成膜する。 - 特許庁

The invention relates to the forming of a PMOS transistor, and in the forming, the layer of silicon or SiGe restrains a p-type dopant from invading into an underlying gate dielectric layer.例文帳に追加

本発明はＰＭＯＳトランジスタの形成に関し、この形成において、シリコン又はSiGeの層は、ｐ型ドーパントが、下にあるゲート誘電体層に入り込むことを抑制する。 - 特許庁

The epitaxial substrate 1 is made by depositing an underlying layer 12, a buffer layer 13, and a designed group-III nitride layer 14 on a base material 11 in order by epitaxial growth using the MOCVD method.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、下地層１２、バッファ層１３および目的とするIII族窒化物層１４を基材１１上にＭＯＣＶＤ法を用いて順次にエピタキシャル成長させることにより得られる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring substrate, which can respond to miniaturization (line:space = 15:15 μm or less) of a wiring layer, and also can obtain sufficient adhesion between the wiring layer and an underlying insulating layer.例文帳に追加

配線層の微細化（ライン：スペースが１５：１５μｍ以下）に対応できると共に、配線層とその下の絶縁層との十分な密着性が得られる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An exposed end in the element main body 10 held by the holding member 38 is dipped into an electrolytic plating liquid 40, and negative voltage is applied to the underlying layer so as to carry out electrolytic plating so that a plating film may be formed in the surface of the underlying layer with which the plating liquid is brought into contact.例文帳に追加

保持部材３８により保持された素子本体１０における露出している端部を電解メッキ液４０中に浸し、下地層に負の電圧を印加し、電解メッキを行い、メッキ液が接触している下地層の表面にメッキ膜を形成する。 - 特許庁

The conductive film modifying method comprises a first process of forming the end of a first conductive film 6 formed on the surface of an underlying layer 5 into a gentle slope, and a second process of forming a second conductive film 10 spreading over the gentle slope and the exposed part of the underlying layer 5.例文帳に追加

下地層５の表面に形成された第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する工程と、この緩斜面と下地層５の露出部とに渡って第２の導電膜１０を形成する工程とによって修正を行う。 - 特許庁

Since an electric conductive path 50 connected to the underlying layer is formed at the end of the element main body 10 exposed from the holding hole 36 in the holding member 38, negative voltage is applied to the underlying layer through the electric conductive path 50 so as to perform electrolytic plating.例文帳に追加

保持部材３８には、保持孔３６から露出している素子本体１０の端部に形成してある下地層に接続される導電経路５０が形成してあり、当該導電経路５０を通して下地層に負の電圧を印加し、電解メッキを行う。 - 特許庁

Next, a transfer fixing device 22 transfers the ink receptive particle layer 16A overlaid with the ink image layer 16B and the protective particle layer 15A underlying it, every ink image layer 16B onto a recording medium 8.例文帳に追加

これにより、記録媒体８に転写した際には顔料等の記録材が浸透していない粒子層１６Ｃと保護層１５が画像層１６Ｂの上に層を形成し、インク画像層１６Ｂの表面を封じ込める保護層となる。 - 特許庁

An underlying resin 1 is applied to a cleaned inner surface of a rain gutter R, a lower layer fabric 2 impregnated with a lower layer resin 3 of waterproof liquid is laid down, an upper layer fabric 4 impregnated with an upper layer resin 5 of waterproof liquid is laid on the lower layer fabric 2, and a surface layer resin 6 is applied to the upper layer fabric 4.例文帳に追加

雨どいＲの内面を清掃して下地樹脂１を塗布し、下層布２に防水性で液体の下層樹脂３を含浸させて敷き、上層布４に防水性で液体の上層樹脂５を含浸させて下層布２の上に敷き、この上層布４の表面に表層樹脂６を塗布する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加

ピラートランジスタＴｒ１と、前記ピラートランジスタＴｒ１の下部拡散層７ａへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層１０ａからの固相拡散し、下部拡散層７ａを形成することにより、前記ピラートランジスタＴｒ１のチャネル長ｄ１を厚みにより制御する前記ポリシリコン層１０ａと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

After an inspection is performed, the controlling part 14 compares defect information generated during inspection with defect information generated during inspection of un underlying layer of the substrate so that the underlying layer generates target defect information which identifies a defect occurred on the uppermost layer except an overlapping defect which overlaps the defect.例文帳に追加

検査が行われた後、制御部１４は、その検査時に生成された欠陥情報と、基板の下層レイヤーの検査時に生成された欠陥情報とを比較し、前記下層レイヤーが欠陥と重複する重複欠陥を除いて前記最上層レイヤー上に発生した欠陥を識別する注目欠陥情報を生成する。 - 特許庁

Facets 1 are formed as inclined surfaces over an arranged surface of an underlying semiconductor layer 2 on which a plurality of the facets 1 are arranged, and a semiconductor device body is formed in a low defect density region formed in a selective growth embedded semiconductor layer 3 covering an underlying semiconductor layer 2, to improve the characteristics.例文帳に追加

複数のファセット１が配列された下地半導体層２の配置面に対して、ファセット１が傾斜面として形成され、下地半導体層２を覆う選択成長埋込み半導体層３に形成される低欠陥領域に半導体素子本体が形成され特性の改善が図られる。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

Ferrodielectric thin film grows into a columnar shape, because it tends to inherit the crystallization properties of the first electrode of its underlying layer.例文帳に追加

誘電体薄膜が柱状成長するのは、下地である第１の電極の結晶性を継承して成長しやすいためであった。 - 特許庁

The semiconductor device 10 further includes a bump underlying metal film 50 formed on and around the opening in the second insulating layer 32.例文帳に追加

半導体装置１０は更に、第２の絶縁層３２の開口及びその周囲上に形成されたバンプ下金属膜５０を有する。 - 特許庁

A semiconductor device constituting layer 3 having a plurality of device regions 6 is formed on a substrate 1 via a low-intensity underlying film 2.例文帳に追加

基板１上に低強度下地膜２を介して複数の素子領域６を有する半導体素子構成層３を形成する。 - 特許庁

The outer surfaces of the laminates include a layer of titanium foil to protect the underlying composite-containing structure from the environment, and attack by solvents, and the like.例文帳に追加

積層の外部表面はチタン箔の層を含んで、内にある複合材を含む構造を環境と、溶媒による攻撃とから守る。 - 特許庁

There is a general networking framework, discussed in Chapter 12, that is normally used as a layer underlying the IPC facility. 例文帳に追加

12章では汎用のネットワーク通信フレームワークについて扱っています。 これは通常、IPC機構の下位レイヤとして使われているものです。 - FreeBSD

Since an intermetallic compound is not produced between tin on the surface and the basic copper due to presence of the underlying film, tin whisker of the film carrier, or the like, can be prevented effectively and since the underlying film and the fine pattern are heated, whisker preventive function is enhanced through removal of strain from the underlying layer and annealing of copper base.例文帳に追加

下地皮膜の介在で表面のスズと素地の銅との間で金属間化合物が生成しないため、フィルムキャリア等のスズホイスカーを有効に防止できるうえ、下地皮膜と微細パターンを加熱するため、下地層の歪みの除去と銅素地の焼なまし作用により、ホイスカー防止機能がより増進される。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises an underlying resin layer 13, a resin lens 14, a mixture oxide film 15 and a transparent resin film 16 formed on a photoelectric conversion element 17 wherein the mixture oxide film is composed of a mixture of indium oxide and a recess 20 is formed in the underlying resin layer between resin lenses.例文帳に追加

光電変換素子１７上に下地樹脂層１３、樹脂レンズ１４、混合酸化物膜１５及び透明樹脂膜１６を備える固体撮像素子において、混合酸化物膜が酸化インジウム混合酸化物であって、下地樹脂層に樹脂レンズ間で凹部２０があること。 - 特許庁

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.例文帳に追加

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a seed layer becoming an underlying layer when a thin film becoming an interconnect line in a semiconductor device, e.g. an LSI, is formed by plating, and to provide a seed layer formed by using that target.例文帳に追加

ＬＳＩなどの半導体装置における配線となる薄膜をメッキにより形成する際の下地層となるシード層形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成したシード層に関するものである。 - 特許庁

The photodetector 10 is obtained by forming an underlying layer 2 and a functional layer 3 consisting of a group III nitride on a template substrate 1 according to MOCVD wherein the template substrate 1 having an AlN layer 1b on a sapphire single crystal base 1a.例文帳に追加

サファイア単結晶基材１ａの上にＡｌＮ層１ｂを有するテンプレート基板１上に、III族窒化物によって下地層２と機能層３とをＭＯＣＶＤにて形成することで受光素子１０を得る。 - 特許庁

Once the mask layer (250) is removed, the pattern (242) is completely transferred to the ARC layer (240) using an etching process, and the pattern (242) in the ARC layer (240) is transferred to the underlying thin film (220).例文帳に追加

一旦マスク層（２５０）が除去されると、パターン（２４２）は、エッチングプロセスを用いることによって、ＡＲＣ層（２４０）へ完全に転写され、ＡＲＣ層（２４０）中のパターン（２４２）は、下地の薄膜（２２０）へ転写される。 - 特許庁

Each dope is cast together from a casting die 89 on a casting band 85 traveling to form a cast sheet 70 of three layers consisting of an underlying layer 120a, an air surface layer 121a facing open air, and a support surface layer 122a.例文帳に追加

走行する流延バンド８５上に流延ダイ８９から各ドープを共に流延し、基層１２０ａ、外気に面するエア面層１２１ａ、支持体面層１２２ａからなる３層の流延膜７０を形成する。 - 特許庁

From the substrate 11 side, via a planarization layer 13 which is an underlying layer, a first electrode 14 as a positive electrode, an insulating film 15, an organic layer 16 including a light emitting layer, and a second electrode 17 as a negative electrode are laminated in this order.例文帳に追加

基板１１の側から、下地層である平坦化層１３を介して、陽極としての第１電極１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。 - 特許庁

Thus, a crystallographic influence caused by the crystal structure of the lower lead layer 10 etc. is canceled out by the tantalum layer 21 and also an underlying base suitable for crystal growth of the pinning layer 12 is formed of the ruthenium layer 22.例文帳に追加

これにより下部リード層１０などの結晶構造に起因する結晶学的な影響がタンタル層２１によって打ち消されると共に、ピンニング層１２の結晶成長に適した下地がルテニウム層２２によって形成されることとなる。 - 特許庁

The processed seed layer can deposit the hard magnetic bias layers 338 and 340 on a crystalline layer without requiring a buffer layer of Si, or the like, for interrupting epitaxial growth induced by the underlying crystalline layer.例文帳に追加

処理済のシード層は、下にある結晶質層によって誘導されるエピタキシャル成長を中断するためにＳｉなどのバッファ層を必要とすることなく、結晶質層の上に硬磁性バイアス層３３８，３４０を蒸着することができるようにする。 - 特許庁

The method further comprises a step for forming a first layer underlying film 71 between the banks B imparted with liquid repellency, a step for forming a second layer conductive film 73 on the first layer, and a step for forming a third layer diffusion prevention film 77 on the second layer.例文帳に追加

また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。 - 特許庁

An InGaAs epitaxial layer is provided continuously between the optical semiconductor elements, and a part (more specifically, an aperture or a groove) for exposing a layer underlying the InGaAs epitaxial layer at least to a layer overlying the InGaAs epitaxial layer is provided.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。 - 特許庁

To solve the problem of a method for detecting a crack generated in a specified layer of a multilayer body where a cavity is formed by dissolving an underlying layer and the crack is elicited by depressing the overlaying specified layer in order to facilitate observation that the crack may not be elicited when the specified layer is thick because a layer having sufficient mechanical strength is not depressed.例文帳に追加

積層体のある特定層に発生したクラックを検出するために、その下部層を溶解して空洞部を形成し、その空洞部上に存在するその特定層を窪ませることでクラックを顕在化させて観察し易くする方法が提案されている。 - 特許庁

To provide a magnetic transfer master carrier with high signal quality, which obtains a highly-oriented magnetic layer whose shape hardly degrades even when an underlying layer is thin, and which is superior in signal quality, and a method for producing the same.例文帳に追加

下地層を薄くしても高配向で、形状劣化のない磁性層が得られ、信号品位に優れる磁気転写用マスター担体及びその製造方法などの提供。 - 特許庁

To sufficiently remove polysilicon debris on the side wall of a stepped part while reserving the anisotropic shape of a polysilicon layer and the remaining underlying insulating film when the polysilicon layer covering the stepped part is patterned.例文帳に追加

段差を覆うポリシリコン層をパターニングする際にポリシリコン層の異方性形状と下地絶縁膜の残膜とを確保しつつ段差の側壁でポリシリコン残渣を十分に除去する。 - 特許庁

The underlying layer formed before the rerecording layer is temporarily formed a predetermined thickness thicker than a desired thickness and then it is removed by dry etching and formed in the desired thickness.例文帳に追加

このとき記録層よりも前に形成される下地保護層を、一旦所望の膜厚よりも所定膜厚だけ厚く形成し、その後、ドライエッチングで除去して所望の膜厚に形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor laser element, a plating electrode layer 5 formed such that the peripheral portion serves as eaves 7 is used as a mask when an underlying electrode layer 4 is etched.例文帳に追加

この半導体レーザ素子の製造方法では、下地電極層４のエッチングを行う際に、周縁部が庇７となるように形成しためっき電極層５をマスクとしている。 - 特許庁

The heat insulator is formed by laminating the surface layer composed of a carbon fiber and a binder fiber and the underlying layer composed of a carbon fiber, a flame-retardant organic fiber and a binder fiber.例文帳に追加

炭素繊維及びバインダー繊維で構成された表層部と、炭素繊維、難燃性有機繊維及びバインダー繊維で構成された基層部とを積層して断熱材を形成する。 - 特許庁

To provide new compositions that can be used as an underlying antireflective coating layer and can be removed with an aqueous photoresist developer.例文帳に追加

下塗り反射防止コーティング層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming a low resistivity tungsten film with good uniformity and good adhesion to an underlying layer.例文帳に追加

良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

In particular, the gap may be formed by removing one portion of the insulation layer by etching not affecting the surface of the substrate underlying the gap.例文帳に追加

特にギャップは絶縁層の一部分をギャップの下の基板の表面に影響を与えないエッチングで除去することによって形成され得る。 - 特許庁