「v M」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the fluorescent intensity of mist M into which a virus V is brought is larger than the fluorescent intensity of mist M into which the virus V is not brought, the virus V can be detected by monitoring the fluorescent intensity.例文帳に追加

ウィルスＶが取り込まれたミストＭの蛍光強度は、ウィルスＶが取り込まれない蛍光強度よりも大きいため、蛍光強度を監視することでウィルスＶが検出される。 - 特許庁

When output voltage V_out of a power supply voltage supply device is lower than the calculated power supply voltage V_M (Step S4→Yes), if the power supply voltage V_M is not higher than output upper limit voltage V_MAX(Step S5→No), the output voltage V_out is increased up to the power supply voltage V_M (Step S10).例文帳に追加

そして、電源電圧供給装置の出力電圧Ｖ_ｏｕｔが、算出した電源電圧Ｖ_Ｍより低いとき（ステップＳ４→Ｙｅｓ）、電源電圧Ｖ_Ｍが出力上限電圧Ｖ_ＭＡＸ以下であれば（ステップＳ５→Ｎｏ）、出力電圧Ｖ_ｏｕｔを電源電圧Ｖ_Ｍまで昇圧する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

Especially, the peripheral velocity of the crystal is adjusted to be ≥0.126 m/s, and the value of M/V^1/3 (where, M is magnetic field intensity and V is volume of melt) is adjusted to be ≥35.5 and ≤61.3.例文帳に追加

特に、結晶周速度を０．１２６m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ^１/３（Ｍは磁場強度、Ｖは融液の体積）を３５．５≦Ｍ/Ｖ^１/３≦６１．３に調整する。 - 特許庁

A digital information carrier includes a bit matrix V, that arranges elements b_m (m=0 to n-1) of a reference bit sequence B in a prespecified sequence length n arranged so as to be a matrix form, and the bit matrix V is linked to bit data.例文帳に追加

本発明に係るデジタル情報坦体は、予め規定される配列長nの参照用ビット配列Ｂの配列要素ｂ_m（ｍ＝０〜ｎ−１）を行列状に配置してなるビット行列Ｖを含む。 - 特許庁

The certifier terminal verifies π, calculates X=S^AT^B when passing the verification, generates a random number M, calculates V=h (X, M), and transmits (V, M) to the verifier device.例文帳に追加

証明者端末は、πを検証し、検証が合格であればＸ＝Ｓ^ＡＴ^Ｂを計算し、乱数Ｍを生成し、Ｖ＝ｈ（Ｘ，Ｍ）を計算して、（Ｖ，Ｍ）を検証者装置に送信する。 - 特許庁

The power circuit 15 constantly supplies a backup voltage V_B and also supplies a normal voltage V_M after power activation.例文帳に追加

電源回路１５は、バックアップ電圧Ｖ_Ｂを常時供給するとともに電源投入後に通常電圧Ｖ_Ｍを供給する。 - 特許庁

Next, the error between the frequency V' derived from the M and N set values and the ideal pixel clock frequency V is corrected by the clock phase.例文帳に追加

次にＭ，Ｎ設定値により得られた周波数Ｖ’と理想画素クロック周波数Ｖの誤差をクロック位相により補正する。 - 特許庁

A velocity detecting unit 4 obtains a relative velocity V between the antiship missile and a ship employing the doppler system of a CW (non- modulated continuous wave) radar or the like, for example.例文帳に追加

4は速度検知部であり、例えばCW(無変調連続波)レーダ等のドップラ方式を用いて対艦ミサイルMと艦艇との相対速度Vを求める。 - 特許庁

A calculation part 22 weights the writing speeds V_n-m,..., V_n-2, and V_n-1 and the writing speed V_n-0and calculates a calculation value T_hm being an average value.例文帳に追加

算出部２２は、筆記速度Ｖ_ｎ−ｍ、…、Ｖ_ｎ−２、Ｖ_ｎ−１と筆記速度Ｖ_ｎ−０とにそれぞれ重み付けを施し、その平均値である算出値Ｔ_ｈｎを算出する。 - 特許庁

The producing method includes the steps of blending Co-M master alloy powder and Co_u'O_v' powder into a corresponding formula (Co_aM_1-a)_f1'-(Co_u'O_v')_f2' and densifying the blended powders.例文帳に追加

この製造方法は、対応式(Ｃｏ_aＭ_1-a)_f1'−(Ｃｏ_u'Ｏ_v')_f2'になるようにＣｏ−Ｍ母合金粉末とＣｏ_u'Ｏ_v'粉末を混合する工程と、混合された粉末を緻密にする工程とを含む。 - 特許庁

Moreover, when the voltage V_ers is applied on the specified signal line DTL, the voltage of a scan line WSL is raised from V_L to V_M so that a voltage V_gs between a gate and a source of a driving transistor Tr1 in a pixel 12 corresponding to the specified signal line DTL becomes less than Vth.例文帳に追加

さらに、特定の信号線ＤＴＬに電圧Ｖ_ersが印加されている時に、特定の信号線ＤＴＬに対応する画素１２内の駆動トランジスタＴｒ_1のゲート−ソース間の電圧Ｖ_gsがＶ_thを下回るように、走査線ＷＳＬの電圧がＶ_LからＶ_Mに上げられる。 - 特許庁

(v) For a temporary passage in a vertical shaft having a length of 15 m or longer, to provide a landing at an interval of 10 m or less; 例文帳に追加

五　たて坑内の架設通路でその長さが十五メートル以上であるものは、十メートル以内ごとに踊場を設けること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The comparator CMP1 compares input correction voltage V_C1 and voltage V_M, and outputs a detection signal of a result to the control circuit 2.例文帳に追加

このコンパレータＣＭＰ１は、入力される補正電圧Ｖ_C1と、電圧Ｖ_Mとを比較し、その結果の検出信号を制御回路２に出力する。 - 特許庁

A dividing section 13 divides the amplitude signal m(t) by the discrete value signal V(t) to output an amplitude signal M(t).例文帳に追加

割算部１３は、振幅信号ｍ（ｔ）を離散値信号Ｖ（ｔ）で割算して、振幅信号Ｍ（ｔ）を出力する。 - 特許庁

The solvent is an Si-Al alloy or an Si-Al-M alloy (wherein M is one or more additional elements selected from among Ti, Mn, Fe, Co, Cr, Cu, and V).例文帳に追加

溶媒は、Ｓｉ−Ａｌ合金またはＳｉ−Ａｌ−Ｍ合金（ＭはＴｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ及びＶから選ばれた１種以上の添加元素）とする。 - 特許庁

Q0=W.V.R., where V is rolling speed (m/min), W is the width (m) and R is the surface roughness Ra of the work roll (μm).例文帳に追加

Ｑ_0 ＝Ｗ・Ｖ・Ｒ 但し、Ｖ：圧延速度（ｍ／分）、 Ｗ：板幅（ｍ）、 Ｒ：ワークロール表面粗度Ｒａ（μｍ）。 - 特許庁

Then, a snow index SI is calculated for each mesh by using a formula SI=H×V^m×K^n (1≤m≤3, 1≤n≤3).例文帳に追加

１≦ｍ≦３、１≦ｎ≦３の範囲でＳＩ＝Ｈ×Ｖ^ｍ×Ｋ^ｎの式により、各メッシュ２毎に雪指標ＳＩを算出する。 - 特許庁

The injection rate V of the cooling agent is >1 m/s and ≤30 m/s, and the injection angle θ is ≥5° and ≤35°.例文帳に追加

この冷却剤の噴射速度Ｖが１ｍ／ｓを超え３０ｍ／ｓ以下であり、噴射角度θが５°以上３５°以下である。 - 特許庁

Preferably, the injection rate V of the cooling agent is >20 m/s and ≤30 m/s, and the injection angle θ is ≥5° and ≤25°.例文帳に追加

好ましくは、冷却剤の噴射速度Ｖが２０ｍ／ｓを超え３０ｍ／ｓ以下であり、噴射角度θが５°以上２５°以下である。 - 特許庁

Preferably, the peripheral velocity of the crystal is adjusted to be ≥0.141 m/s, and the value of M/V^1/3 is adjusted to be ≥40.3 and ≤56.4.例文帳に追加

望ましくは、結晶周速度を０．１４１m/sec以上に調整し、かつＭ/Ｖ^１/３ を４０．３≦Ｍ/Ｖ^１/３≦５６．４に調整する。 - 特許庁

Out of these, the positive electrode active material 153 is LiFe_(1-x)M_xPO_4(M is at least one of Mn, Cr, Co, Cu, Ni, V, Mo, Ti, Zn, Al, Ga, Mg, B, and Nb, 0≤x≤0.5).例文帳に追加

このうち、正極活物質１５３は、ＬｉＦｅ_(1-X)Ｍ_XＰＯ_4（Ｍは、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｍｇ，Ｂ，Ｎｂのうち少なくともいずれかであり、０≦Ｘ≦０．５）である。 - 特許庁

Preferably, the injection rate V is >1 m/s and ≤10 m/s, and the injection angle θ is ≥15° and ≤35°.例文帳に追加

好ましくは、冷却剤の噴射速度Ｖが１ｍ／ｓを超え１０ｍ／ｓ以下であり、噴射角度θが１５°以上３５°以下である。 - 特許庁

Preferably, the injection rate V of the cooling agent is >10 m/s and ≤20 m/s, and the injection angle θ is ≥10° and ≤30°.例文帳に追加

好ましくは、冷却剤の噴射速度Ｖが１０ｍ／ｓを超え２０ｍ／ｓ以下であり、噴射角度θが１０°以上３０°以下である。 - 特許庁

HYDROTHERMALLY SYNTHESIZED MO-V-M-NB-X OXIDE CATALYST SELECTIVELY OXIDIZING HYDROCARBON例文帳に追加

炭化水素を選択的に酸化する、水熱的に合成したＭＯ−Ｖ−Ｍ−ＮＢ−Ｘ酸化物触媒 - 特許庁

Then an etching mask M is formed on the group III-V compound semiconductor layer 16a.例文帳に追加

次に、III−Ｖ族化合物半導体層１６ａ上にエッチングマスクＭを形成する。 - 特許庁

(3) The volume V in the converter is calculated with the following equation by using the volume Vo (m3) in an iron shell.例文帳に追加

（３）前記転炉内容積Ｖを鉄皮内容積Ｖｏ（m ^3 ）を用いて下記（１）式で計算する。 - 特許庁

The post-processing unit calculates a message authentication code τ from S_M, W, and S_V using the compression function.例文帳に追加

後処理部は、Ｓ_Ｍ、Ｗ、Ｓ_Ｖから圧縮関数を用いてメッセージ認証子τを求める。 - 特許庁

The through holes 2 are provided on mountain parts M and valley parts V forming the above mentioned in-line undulation.例文帳に追加

貫通孔２が、上記列状の起伏を構成する山部Ｍ及び谷部Ｖに設けられている。 - 特許庁

La1-uSruMn1-vMvO3... (I), where 0<u≤0.4, 0<v<0.4, and M stands for Fe or Ni.例文帳に追加

Ｌａ_1-uＳｒ_uＭｎ_1-vＭ_vＯ_3…（Ｉ） ただし、ｕは０＜ｕ≦０．４、ｖは０＜ｖ＜０．４であり、ＭはＦｅまたはＮｉを示す。 - 特許庁

A vehicle V automatically travels by the control using markers M arranged along a traveling path R.例文帳に追加

走路Ｒに沿って並べられたマーカＭを利用した制御によって車両Ｖが自動走行する。 - 特許庁

A method for producing an electrode active material includes a process of melting and quenching M^1F_2 and/or M^1F_3 (M^1 represents any metal element selected from among Fe, Ti, V, Mn, Co and Ni) with M^2F and/or M^2HF_2 (M^2 represents an alkali metal element) in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

電極活物質の製造方法は、Ｍ^1Ｆ_2および／またはＭ^1Ｆ_3（Ｍ^1は、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちいずれかの金属元素を表す）を、Ｍ^2Ｆおよび／またはＭ^2ＨＦ_2（Ｍ^2は、アルカリ金属元素を表す）と不活性ガス雰囲気下で溶融急冷する工程を含む。 - 特許庁

Ruins of a moat settlement, estimated to be 4,000 years old, was found in Shizukawa 16, Tomakomai City, Hokkaido, whose surrounding oval ditch measured about 56 m (major axis) by 40 m (minor axis) large, 2 m deep with a "V" shaped cross section and 1 to 2 m wide. 例文帳に追加

しかし、今から約4000年前、北海道苫小牧市にある静川（しずかわ）16遺跡から幅1~2メートル、深さが2メートルほどあり、断面形がV字状になった溝が、長軸約56メートル、短軸約40メートルの不正楕円形にめぐる環濠集落が発見されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Voltage V_IN of the variable voltage high-frequency power supply 1 for setting an output voltage of a secondary-side coil 31 or a rectifier 41, when the load device 43 is connected to the secondary-side coil 31 to a target value is calculated, by using V_m and I_m.例文帳に追加

そのＶ_mとＩ_mとを用いて、負荷装置４３が二次側コイル３１に接続されたときの二次側コイル３１または整流器４１の出力電圧を目標値に設定するための可変電圧高周波電源１の電圧Ｖ_INを算出する。 - 特許庁

Here, the VDsum is a sum of positive and negative terminal voltages V_m+ and V_m- detected in positive and negative terminal voltage detection circuits 24 and 25, and VEsum is calculated by a power supply voltage VB detected in a power supply voltage detection circuit 22 and a duty ratio of an input signal to the motor driving circuit 30.例文帳に追加

ここで、ＶＤsumは、正及び負端子電圧検出回路２４、２５で検出される正及び負端子電圧Ｖ_m+，Ｖ_m-の和であり、ＶＥsumは、電源電圧検出回路２２で検出される電源電圧ＶＢとモータ駆動回路３０への入力信号のデューティ比とにより算出される。 - 特許庁

Vertical shift register parts 40a and 40b include M pieces of logic circuits LO_1 to LO_M which output a row selecting control signal to each of M pieces of row selecting wirings L_V,1 to L_V,M, and a shift register circuit 43 arranged for each of the two row selecting wirings L_V.例文帳に追加

垂直シフトレジスタ部４０ａ，４０ｂは、Ｍ本の行選択用配線Ｌ_Ｖ，１〜Ｌ_Ｖ，Ｍのそれぞれに行選択制御信号を出力するＭ個の論理回路ＬＯ_１〜ＬＯ_Ｍと、２本の行選択用配線Ｌ_Ｖ毎に配置されたシフトレジスタ回路４３とを有する。 - 特許庁

A P-type transistor Tr31 is disposed in front of the P-type transistor Tr22 and is driven by the intermediate-voltage power source V_M and stops output of the intermediate-voltage electric power V_M to the source of the P-type transistor Tr22.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ３１は、Ｐ型トランジスタＴｒ２２の前段であって、中圧電源Ｖ_Mにより駆動し、フォトダイオードの駆動を停止させるとき、中圧電源Ｖ_MをＰ型トランジスタＴｒ２２のソースへの出力を停止する。 - 特許庁

The transmission unit T/M is coupled to the motor & clutch unit M/C, and has a transmission housing 41; a V-belt type continuously variable transmission mechanism 42; and an oil pump O/P.例文帳に追加

変速機ユニットT/Mは、モータ＆クラッチユニットM/Cに連結接続され、変速機ハウジング41と、Ｖベルト式無段変速機構42と、オイルポンプO/Pを有する。 - 特許庁

Alternatively, assist time demand P_C or P_M is computed in accordance with the motor command electric current value I_C or the motor actual electric current value I_M and electric power source voltage V_B and it is displayed as the assist amount on the display 60.例文帳に追加

あるいは、モータ指令電流値Ｉ_C又はモータ実電流値Ｉ_Mと電源電圧Ｖ_Bとに基づいてアシスト時消費電力Ｐ_C又はＰ_Mを算出し、アシスト量として表示器６０に表示させる。 - 特許庁

The collision time t [s] to the collision with an obstacle is calculated (S1 and S2) based on the distance L [m] to the obstacle and the relative speed V [m/s] with the obstacle measured by an inter-vehicle distance radar or the like.例文帳に追加

車間距離レーダなどにより測定された障害物までの距離Ｌ[m]及び障害物との相対速度Ｖ[m/s]に基づいて、障害物に衝突するまでの衝突時間ｔ[s]を演算する（Ｓ１及びＳ２）。 - 特許庁

Each of N pieces of the pixel parts P_m,1 to P_m,N in the m-th row is connected to the row selecting part 30 and the overflow prevention part 50 by the wire L_V,m for selection of the m-th row.例文帳に追加

第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 - 特許庁

There are a method for inputting the viewpoint images M(v) in parallel by an independent channel for each viewpoint, and a method for inputting the viewpoint images M(v) in series by one channel as interleaved signals.例文帳に追加

視点画像Ｍ（ｖ）は各視点毎に独立したチャンネルで並列に入力する方法と、各視点の信号がインターリーブされた信号として１つのチャンネルでシリアルに入力する方法がある。 - 特許庁

More particularly, a control of applying drive voltages of V=αsin{ωt-(m-1)π}, V=αcos{ωt-(m-1)π} to the two exciting elements 16 for forming the m-th (m=1 or 2)pair is performed.例文帳に追加

具体的には、第ｍ番目（ｍ＝１又は２）の対を成す２個の励振素子１６に対し、それぞれＶ＝αｓｉｎ｛ωｔ−（ｍ−１）π｝、Ｖ＝αｃｏｓ｛ωｔ−（ｍ−１）π｝の駆動電圧を印加する制御を遂行する。 - 特許庁

A reference current operating part 4 defines solar radiation energy as 1 kW/m^2 and a solar cell temperature as 25°C and calculates an I-V curve in the case of calculating electric power generation at each temperature when the solar radiation energy is 1 kW/m^2.例文帳に追加

基準電流演算部４は、日射エネルギーが１kＷ／ｍ^2のときの各温度における発電量を求める場合、日射エネルギーを１kＷ／ｍ^2とし、太陽電池温度を２５℃としてI-Vカーブを求める。 - 特許庁

In the formula (1), M is a transition metal or a group III, IV or V element in the periodic table; and (b), (m), (n) and (q) are 1 to 3, 1 to 4, 0 to 8, and 0 or 1, respectively.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁