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write cycleの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 153件
To prevent the delay of read/write due to a refresh cycle.例文帳に追加
リフレッシュサイクルによるリード・ライトの遅延を防止する。 - 特許庁
To enable a specified memory cell region to be cleared by one cycle of a write-in operation access cycle.例文帳に追加
指定されたメモリセル領域を書き込み動作アクセスサイクルの1サイクルでクリアする。 - 特許庁
To shorten a cycle time at the time of using the same pre-charge circuit with a read-cycle and a write-cycle.例文帳に追加
同一のプリチャージ回路をリードサイクルとライトサイクルとで使用する場合のサイクル時間の短縮化を図ることにある。 - 特許庁
A dummy read cycle for reading out data with dummy is inserted before each write cycle for writing data.例文帳に追加
データを書き込む各ライトサイクルの前にダミーでデータを読み出すダミーリードサイクルが挿入される。 - 特許庁
Also, in a dummy cycle inserted after the write cycle, the same data as data written in the previous write cycle are written in the RAM with dummy in the address of the write destination given in the form of the gray code in the next write access.例文帳に追加
また、RAMに対し、ライトサイクルの後に挿入されたダミーライトサイクルにて、前回のライトサイクルで書き込ませたデータと同じデータを、次回のライトアクセスにおけるグレイコードで与えられた書き込み先のアドレスにダミーで書き込ませる。 - 特許庁
A write start is controlled to be delayed by at least one cycle.例文帳に追加
また、書き込み開始を1サイクル以上遅らせるように制御する。 - 特許庁
HISTOGRAM GENERATION WITH MULTIPLE INCREMENT READ-MODIFY-WRITE CYCLE例文帳に追加
複数のインクリメントを行うリード・モディファイ・ライトサイクルでのヒストグラム生成 - 特許庁
In a write cycle, the address of write destination is given in the form of a gray code, and data are written in a RAM.例文帳に追加
ライトサイクルにて、RAMに対し、書き込み先のアドレスをグレイコードで与えてデータを書き込ませる。 - 特許庁
The write cycle is shortened by the parallel processing of the writing operation.例文帳に追加
上記書込み動作の並列処理によってライトサイクルを短くする。 - 特許庁
A store controller 20 and a reading/writing control circuit 100 latch input write data in the boundary scan cell until the next write cycle of a write cycle in which write data are inputted from the terminal 22 during a late writing operation.例文帳に追加
ストコントローラ200および読出し/書込み制御回路100は、レイトライト動作時に、端子22よりライトデータが入力されたライトサイクルの次のライトサイクルまで、入力されたライトデータをバウンダリスキャンセル1にラッチさせる。 - 特許庁
cycle is detected, it'll write the first one found to standard error. 例文帳に追加
循環が見付かった場合には、最初の循環を標準出力に書く。 - JM
At the time of detecting write-end, a down-counter (timer) 31 starts counting by using the shortest interval of a write cycle as an initial value.例文帳に追加
write_endを検出すると、ダウンカウンタ(タイマ)31は最短のライトサイクルの間隔を初期値としてカウントを始める。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic storage device which attains a high speed write by suppressing a peak current of write current at the start of a write cycle.例文帳に追加
薄膜磁性体記憶装置において、書込時サイクル開始時の書込電流のピーク電流を抑制して、高速書込を実現する。 - 特許庁
To enable write and read operations in the same clock cycle.例文帳に追加
同じクロック周期の間に書き込みと読み込み動作を行えるようにすること。 - 特許庁
The latch function circuit 50 latches a write command, write data and an addresses under the control of the latch control circuit 3 and delays a write cycle being viewed from a memory 2 by one clock component.例文帳に追加
ラッチ機能回路50はラッチ制御回路3の制御のもと、ライトコマンド、ライトデータ、アドレスをラッチし、メモリ2から見えるライトサイクルを1クロック分遅らせる。 - 特許庁
To provide a memory array write-in port which can write data in an array of a memory cell two times in each clock cycle.例文帳に追加
各クロックサイクルにおいて、メモリセルのアレイにデータを2回書き込むことができるメモリアレイ書き込みポートを提供する。 - 特許庁
A write control circuit 104 repeats write operation with write voltage Vw until a memory cell transistor 106 is turned off by readout voltage Vr-ΔVr in a first write cycle, further, the circuit 104 repeats write operation with write voltage Vw-ΔVw until the memory cell transistor 106 is turned off by readout voltage Vr in a second write cycle.例文帳に追加
書込制御回路104は、第1の書き込みサイクルでは、メモリセルトランジスタ106が読出電圧Vr −ΔVr でオフするようになるまで、書込電圧Vw での書込動作を繰り返し、さらに、第2の書込サイクルでは、メモリセルトランジスタ106が読出電圧Vr でオフするようになるまで、書込電圧Vw −ΔVw での書込動作を繰り返す。 - 特許庁
In a write-cycle succeeding to this read-cycle, an operation mode to be entered is decided based on data externally specified.例文帳に追加
このリードサイクルに続くライトサイクルにおいて、外部から指定されたデータに基づき、エントリーすべき動作モードが確定される。 - 特許庁
A master latch circuit 11 and the slave latch circuit 23 are controlled by CLK generated in both cycles of a write-cycle and a read-cycle.例文帳に追加
マスタラッチ回路11とスレーブラッチ回路23とはライト、リード両サイクルともに発生するCLKで制御される。 - 特許庁
To provide a synchronous semiconductor storage device capable of increasing a read/write time in one cycle of a clock signal that defines a read write cycle time of an array unit.例文帳に追加
アレイユニットのリードライトサイクルタイムを規定するクロック信号の1周期中のリード/ライト時間を増加することが可能な同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
That is, when the row cycle and each column cycle are finished, each write-word line WWL is made non-activation, and supply of a data write-in current Ip made to flow in the fixed direction is stopped temporarily in spite of write-in data.例文帳に追加
すなわち、ロウサイクルおよび各コラムサイクルの終了時には、各ライトワード線WWLを非活性化にて、書込データによらず一定方向に流されるデータ書込電流Ipの供給は一旦停止される。 - 特許庁
To provide a write-driver of a DRAM in which operation speed of a write-in cycle of a DRAM is increased, erroneous write-in for a cell not to be written is prevented, and which performs stable write-in.例文帳に追加
本発明は、DRAMの書き込みサイクルを高速化すると共に、書き込みを行わないセルへの誤書き込みを防止し、安定した書き込みを行うDRAMのライト・ドライバーを提供することにある。 - 特許庁
CONTENT ADDRESSABLE MEMORY HAVING READ-OUT/WRITE-IN FUNCTION WHICH DOES NOT INTERRUPT CONTINUOUS RETRIEVING CYCLE例文帳に追加
連続検索サイクルを中断させない読み出し/書き込み機能を有するコンテントアドレサブルメモリ - 特許庁
To perform simultaneously 'read', 'write', 'active', and 'precharge' operations in a single clock cycle.例文帳に追加
単一のクロックサイクルにおいて「リード」、「ライト」、「アクティブ」、および「プリチャージ」動作を同時に実行する。 - 特許庁
CONTENT ADDRESSABLE MEMORY WITH READ/WRITE FUNCTION CAUSING NO INTERRUPTION OF CONTINUOUS RETRIEVAL CYCLE例文帳に追加
連続検索サイクルを中断させない読み出し/書き込み機能を有するコンテントアドレサブルメモリ - 特許庁
At the time, a kind of operation mode is set in a first write-cycle, conditions of the operation mode are set in the next cycle.例文帳に追加
このとき、最初のライトサイクルで動作モードの種類が設定され、その次のサイクルで動作モードの条件が設定される。 - 特許庁
Also in a write control circuit, the burst length is changed according to whether a write instruction is given to a cycle before a write instruction/W is given.例文帳に追加
また書き込み制御回路において、書き込み命令/Wが与えられた前のサイクルに書き込み命令が与えられたか否かによってバースト長を変更する。 - 特許庁
In data write-in operation of a page mode, activation of a write-word line WWL of a selected row corresponding to a row address input on a row cycle is controlled for each column cycle.例文帳に追加
ページモードでのデータ書込動作において、ロウサイクルで入力されたロウアドレスに対応する選択行のライトワード線WWLの活性化は、コラムサイクルごとに制御される。 - 特許庁
To reduce current consumption at the time of auto-refresh, to improve the reliability of a cell, and to improve the margin of a cycle time in FCRAM having a 'Late Write' function.例文帳に追加
「Late Write」機能を有するFCRAM において、オートリフレッシュ時の消費電流の低減、セル信頼性の向上、サイクルタイムのマージンアップを図る。 - 特許庁
When a write control signal reports the end of a write cycle, the equalization signal starts precharge and equalization of the paired bit lines.例文帳に追加
書込み制御信号が書込みサイクルの終わりを知らせるときに、等化信号は、ビット・ライン対のプリチャージおよび等化を開始する。 - 特許庁
This DDR (double data rate) SDRAM (synchronous DRAM) performs write-in operation having write-latency at the normal operation, and at a test, receives a data strobe signal DQS and a data signal before one clock cycle of a write-command WRT and performs write-in operation having no write-latency.例文帳に追加
このDDR SDRAMは、通常動作時はライトレイテンシを持った書込動作を行ない、テスト時はライトコマンドWRTの1クロックサイクル前にデータストローブ信号DQSおよびデータ信号を受けてライトレイテンシを持たない書込動作を行なう。 - 特許庁
In each dummy read cycle, the data are read out with dummy from an address in a RAM to which data are to be written in the next write cycle under the control of a CPU.例文帳に追加
CPUは、各ダミーリードサイクルにて、RAMに対し、次回のライトサイクルで書き込むアドレスについてダミーでデータを読み出させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory in which refresh-operation is not hindered by late-write and further, current consumption in a write-in cycle in which late-write is performed can be reduced.例文帳に追加
レイトライトによってリフレッシュ動作が阻害されることがなく、しかもレイトライトが行われる書き込みサイクルでの消費電流を低減することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
In a successive cycle of a second write command, a DQ write-driver is driven conforming to the first control signal latched in the DM register.例文帳に追加
次続する第2の書き込みコマンドのサイクルにおいて、DMレジスタにラッチした第1の制御信号に従ってDQライトドライバを駆動する。 - 特許庁
A write-driver circuit 1090 gives write-in data of which level is reversed every write-in cycle to a selected memory cell based on write-in data held in a latch circuit 1073a at the point of time at which write-in operation in a test operation mode is specified, in a test operation mode.例文帳に追加
ドライバ回路1090は、テスト動作モードにおいては、テスト動作モードにおける書込動作が指定された時点で、ラッチ回路1073aに保持された書込データに基づいて、書込サイクルごとにレベルが反転する書込データを選択されたメモリセルに与える。 - 特許庁
The comparator 10a compares an input voltage V_IN input in a current write-in cycle with a data line DL voltage (output voltage V_OUT) set in the preceding write-in cycle.例文帳に追加
コンパレータ10aは、現書き込みサイクルにおいて入力された入力電圧V_INと、直前の書き込みサイクルにおいて設定されているデータ線DLの電圧(出力電圧V_OUT)とを比較する。 - 特許庁
The number of source lines driven to be selected in one data write cycle is reduced, and the write voltage is stably supplied to the source lines.例文帳に追加
1つのデータ書込サイクルにおいて選択状態へ駆動されるソース線の数を低減し、安定にソース線に対して書込電圧を供給する。 - 特許庁
A write-in clock generation circuit 8 changes a write-in clock so as to negate the cycle and the amplitude of the variance of the scanning time being the calculated result.例文帳に追加
書込クロック生成回路8は、その算出結果である走査時間のばらつきの周期および振幅をうち消すように、書込クロックを変化させる。 - 特許庁
A target write to the interface is performed to indicate that the emulation cycle can proceed.例文帳に追加
エミュレーションサイクルが進行可能であることを指示するために、インターフェースへのターゲット書き込みが実行される。 - 特許庁
To shorten a read-write-cycle being an interval between read-out operation and write-in operation by making read-data latency and write-data latency same.例文帳に追加
リードデータレイテンシーとライトデータレイテンシーとを同一にすることで、読み出し動作と書き込み動作との間隔であるリードライトサイクルを短縮することが可能である半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The operation of a timer circuit is controlled by an operation signal outputted from a power source voltage detecting circuit, an erase cycle time and a write cycle time can be shortened without changing a discharge cycle time.例文帳に追加
電源電圧検出回路から出力される動作信号によりタイマー回路の動作を制御し、ディスチャージサイクル時間を変えずに、イレースサイクル時間とライトサイクル時間を短時間にすることを可能とする。 - 特許庁
The write-amplifier 23 writes selectively and simultaneously write-in data held in the write-register 22 corresponding to the set write-release flag Wrk in a memory cell array 11 when interruption of the burst cycle is indicated by a control signal/CE.例文帳に追加
ライトアンプ23は,制御信号/CEによってバーストサイクルの中止が指示されたとき,セットされているライトリリースフラグWRkに対応するライトレジスタ22kに保持されている書込データを,選択的に,且つ,同時にメモリアレイ11に書き込む。 - 特許庁
In a data rewriting mode, write-in operation of data of one page and verify-read-out operation confirming a write-in state are repeated until finish of write-in is confirmed or it is discriminated that a write-in cycle reaches the maximum number of times.例文帳に追加
データ書き換えモードでは、1ページ分のデータの書き込み動作及び、書き込み状態を確認するベリファイ読み出し動作を、書き込み完了が確認されるか又は書き込みサイクルが最大回数に達したことが判定されるまで繰り返す。 - 特許庁
The address coincidence and comparison circuit 160 is made a non-operation state in a clock cycle in which write-in operation is indicated.例文帳に追加
アドレス一致比較回路160は、書込動作が指示されたクロックサイクルにおいては、非動作状態とされる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory apparatus in which a random cycle time (tRC) at the time of write-in operation can be reduced.例文帳に追加
書き込み動作時におけるランダムサイクルタイム(tRC)を低減できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A master latch circuit 12 and a slave latch circuit 21 are register for write-only and the master latch circuit 12 and slave latch circuits 21, 22 are controlled by WCLK generated in a write-cycle.例文帳に追加
マスタラッチ回路12とスレーブラッチ回路21とがライト専用レジスタで、マスタラッチ回路12とスレーブラッチ回路21,22とはライトサイクルで発生するWCLKで制御される。 - 特許庁
To improve a cycle time at the time of writing or at the time of reading when write-operation is performed during burst read-operation or read- operation is performed during burst write-operation.例文帳に追加
バーストリード動作中にライト動作が入る際またはバーストライト動作中にリード動作が入る際に、ライト時またはリード時のサイクルタイムの向上を図ることを特徴とする。 - 特許庁
The first input buffer is activated when a write-command is input, after the write-command is input, the buffer is non-activated after the prescribed cycle of the clock signal.例文帳に追加
前記第1入力バッファは、ライトコマンドが入力された場合に活性化され、ライトコマンドが入力された後、前記クロック信号の所定サイクル後に非活性化される。 - 特許庁
Thereby, risk of data erroneous write-in due to magnetic noise can be reduced in comparison with the case in which activation of the write--word line WWL of a selected row is kept in each column cycle.例文帳に追加
これにより、各コラムサイクルで選択行のライトワード線WWLの活性化を維持する場合と比較して、磁気ノイズによるデータ誤書込の危険性を低下できる。 - 特許庁
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| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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