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zrを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1415



例文

The second layer 74 includes an oxide of at least one metal chosen from Al, Zr, Ti, Y, Nb and Ta.例文帳に追加

前記第二の層74がAl、Zr、Ti、Y、Nb、Taから選択される少なくとも一種の金属の酸化物を含有する。 - 特許庁

The alloy further comprises at least one chosen from B, P, Zr, Fe, Co, Cr and Ag in a range of 0.01-1 atom%.例文帳に追加

さらに、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Agのうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.01原子%以上1原子%以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a non-lead based piezoelectric material with which it becomes possible to improve a characteristic of a piezoelectric material based on Bi(Fe,Mn)O_3 and Ba(Zr,Ti)O_3.例文帳に追加

Bi(Fe,Mn)O_3およびBa(Zr,Ti)O_3をベースにした圧電材料の特性を向上させる非鉛系圧電材料を提供する。 - 特許庁

The in-house control unit ZC acquires the communication state for each channel from the home electric appliance control adaptor ZR.例文帳に追加

宅内制御装置ZCは、家電制御アダプタZRから、チャネル毎の通信状態を取得する。 - 特許庁

例文

The Si alloy further contains, in addition to the above, 10% or less of Zr.例文帳に追加

さらに、上記に加えて、Zrを10%以下含有させた、リチウム二次電池負極物質用Si合金。 - 特許庁


例文

The Ti-Al alloy target contains Zr and Hf, each of which is equal to or less than 100 ppb in content.例文帳に追加

このようなTi−Al合金ターゲットにおいて、Zr含有量およびHf含有量をそれぞれ100ppb以下とする。 - 特許庁

Moreover, the steel is added with one ortwo kinds among Ti, Nb, Zr and V by ≤1% and is furthermore added with one or two kind of Mo and Cu by ≤1%.例文帳に追加

さらにMo,Cuの1種または2種を1%以下添加したことを特徴とする低温靱性に優れた電磁ステンレス鋼。 - 特許庁

In the ultrahigh purity aluminum, preferably, the contents of the respective elements of Ti, V, Cr and Zr are ≤0.1 massppm, respectively.例文帳に追加

この超高純度アルミニウムは、好ましくは、Ti、V、CrおよびZrの各元素の含有量がそれぞれ0.1質量ppm以下であるのがよい。 - 特許庁

A Pb (Zr, Ti)O3 film 17 is deposited 100 nm and then an SrRuO3 film 18 which is to be an upper part electrode is deposited 100 nm.例文帳に追加

次いで、Pb(Zr,Ti)O_3 膜17を100nm,及び上部電極となるSrRuO_3 膜18を100nm順次堆積する。 - 特許庁

例文

Further, the FeCo soft magnetic target material is obtained by incorporating ≤30at% of one or more selected from among B, Nb, Zr, Ta, Hf, Ti and V into the above.例文帳に追加

さらに、上記にB,Nb、Zr,Ta,Hf,Ti,Vのいずれか1種または2種以上を30at%以下含有させてなるFeCo軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

例文

To reduce a content of harmful Sb without impairing high thermoelectric characteristics of a (Ti, Hf, Zr)-Co-Sb-based material.例文帳に追加

(Ti,Hf,Zr)−Co−Sb系材料の高い熱電特性を損なうことなく、有害なSbの含有量を低減する。 - 特許庁

The dielectric powder is powder represented by ABO_3 (A is any of Ba, Ca, and Sr, and B is any of Ti, Zr, and Hf).例文帳に追加

この誘電体粉末は、ABO_3(Aは、Ba、Ca、Srのいずれかであり、Bは、Ti、Zr、Hfのいずれかである。)で表される粉末である。 - 特許庁

On a surface of the end hats 6, 7, a gas absorbing metal such as Ta, Zr, Ti or the like may be deposited.例文帳に追加

このエンドハット6,7の表面にTa、Zr、Tiなどのガス吸着金属を固着させてもよい。 - 特許庁

To provide an Li-La-Zr-O-based solid electrolyte material with excellent denseness.例文帳に追加

本発明は、良好な緻密性を有するLi−La−Zr−O系固体電解質材料を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material whose composition is actually changed based upon a half-Heusler composition (Ti, Zr, Hf)(Ni, Co)(Sn, Sb).例文帳に追加

ハーフホイスラー組成(Ti,Zr,Hf)(Ni,Co)(Sn,Sb)をベースに実際に組成を変動させた熱電材料を提供する。 - 特許庁

In the general formula, A is an element(s) such as Al, Mn, Si, B, Ca, Ti, V, W, Mo, Zr and Zn, and n, m and x denote each a number exhibiting the oxidized state of each element.例文帳に追加

一般式中のAは、Al、Mn、Si、B、Ca,Ti,V,W,Mo,Zr,Znなどの元素、n、m、xは各々各元素の酸化状態を示す数字を示す。 - 特許庁

In addition to MgNi, at least one modifier element selected from the group consisting of Co, Mn, Al, Fe, Cu, Mo, W, Cr, V, Ti, Zr, Sn, Th, Si, Zn, Li, Cd, Na, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Mm, Pd, Pt and Ca is contained.例文帳に追加

MgNiの他にCo,Mn,Al,Fe,Cu,Mo,W,Cr,V,Ti,Zr,Sn,Th,Si,Zn,Li,Cd,Na,Pb,La,Ce,Pr,Nd,Mm,Pd,Pt,Caからなる群から選択された少なくとも1つの変性剤元素を含む。 - 特許庁

If required, one or more kinds selected from ≤2.0% Ni, ≤1.0%例文帳に追加

必要に応じて、Ni:2.0%以下、Cu:1.0%以下、V:0.2%以下、Zr:0.2%以下、B:0.005%を一種または二種以上含有させることもできる。 - 特許庁

The foreign atoms are exemplified by Al, Zr, Zn, Ti, P, Cr, V, Sc, Ga, In, Fe, Ag, Sc, Mn, Co, Ni, and Cu.例文帳に追加

異種原子としては、Al、Zr、Zn、Ti、P、Cr、V、Sc、Ga、In、Fe、Ag、Sc、Mn、Co、Ni、Cuが挙げられる。 - 特許庁

In the Ti carbosulfides, Ti can be substituted with V or Zr, or, S can be substituted with Se or Te.例文帳に追加

なお、Ti炭硫化物は、TiをVやZrに置き換えたり、SをSeやTeに置き換えたりすることができる。 - 特許庁

When the Zr composition ratio Y is not less than 0 and not more than 0.5, depolarization does not occur easily and heat resistance is improved.例文帳に追加

Zr組成比Yが0以上0.5以下であれば、減分極が生じにくく、耐熱性に優れている。 - 特許庁

For such a material, PLZT containing Pb, Zr, Ti, and La as constituent elements may be used.例文帳に追加

このような材料として、Pb、Zr、TiおよびLaを構成元素として含むPLZTを用いることができる。 - 特許庁

The GSO single crystal is a Ce-activated GSO single crystal containing at least one of Mg, Ta and Zr, and the scintillator for PET (positron emission computed tomography) is produced by using the single crystal.例文帳に追加

Mg、Ta及びZrの1種以上を含有するCe賦活GSO単結晶及び該単結晶からなるPET用シンチレータ。 - 特許庁

If required, the steel furthermore contains Mo, W, Se, Pb, Bi, B, Ca, Mg, rare earth metals, Nb, V, Ti, Zr, Hf and Ta.例文帳に追加

必要に応じて、その他、Mo、W、Se、Pb、Bi、B、Ca、Mg、REM、Nb、V、Ti、Zr、Hf、Taを含有することができる。 - 特許庁

To provide a Zr alloy for a nuclear fuel assembly in which proof stress (strength) is reinforced, simultaneously, corrosion resistance is improved, and further, hydrogen absorptivity and dimensional stability are improved.例文帳に追加

耐力(強度)を増強し、同時に耐食性を改善し、更に、水素吸収性、寸法安定性を改善する。 - 特許庁

Further, the circumferential rib 80 is provided in at least a part of a region located around a rotation center axis Zr of the input/output shaft.例文帳に追加

また、周方向リブ80は、入出力シャフトの回転中心軸Zrの周囲における少なくとも一部の領域に設けられる。 - 特許庁

The thin film 12 contains chiefly at least one of the metals selected out of Al, Si, Ca, Mg, Y, Zr, Hf.例文帳に追加

薄膜(12)は、例えばAl、Si、Ca、Mg、Y、Zr、Hfの中から選ばれた金属の少なくとも1種類以上の酸化物を主成分とする。 - 特許庁

The second element is at least one kind of element selected from a group consisting of Zr, Nb, Hf and Ta.例文帳に追加

上記第2の元素は、Zr、Nb、Hf及びTaからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなる。 - 特許庁

A mixture material solution of Pb material, Zr material and Ti material is supplied to a vaporizer 66 and vaporized to produce material gas.例文帳に追加

Pb原料とZr原料とTi原料との混合原料溶液を気化器66に供給して気化し、原料ガスを生成する。 - 特許庁

To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

フィルム、またはRがZrとHfから選択されたR−Ge−Ti−Oを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The elements reducing the plating overvoltage are preferably composed of at least one kind selected from the group consisting of Mo, W, Zr and Cr.例文帳に追加

前記めっき過電圧を低下させる元素は、Mo、W、Zr、及びCrよりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 - 特許庁

In a third process, dense ZrO_2 or HfO_2 is deposited on the base plate by accelerating while causing a reaction of Zr or Hf and O in a gaseous phase.例文帳に追加

第3過程では、Zr又はHfとOを互いに気相で反応させつつ加速して基板に緻密なZrO_2又はHfO_2を堆積する。 - 特許庁

Moreover, the same may contain one or two kinds or more among Cr, Mo, V, Nb, Ti, Zr and Ta by10%.例文帳に追加

さらに、Cr、Mo、V、Nb、Ti、Zr、Taのうち何れか1種または2種以上を10%以下含むことができる。 - 特許庁

The metallic material may further comprise one or more selected from Co, Mo, W, Ti, Nb, B, Zr, Hf, Mg, Ca, Al, Y, La and Ce by suitable quantity.例文帳に追加

さらに、適量のCo、Mo、W、Ti、Nb、B、Zr、Hf、Mg、Ca、Al、Y、La、Ceのうちの1種又は2種以上を含有してもよい。 - 特許庁

The translucent metallic thin film can be constituted of either one among Ti, Ta, Ni, Zr, Pt and Au.例文帳に追加

透光性金属薄膜は、Ti、Ta、Ni、Zr、PtおよびAuのうちいずれかにより構成できる。 - 特許庁

Furthermore, in the sulfated product, counterions to SO_4 are NH_4, Al, Na, Mg, Ba, K, Ca, Fe, Li, Be, Zr, Cs, Ce, Ti, and Mn.例文帳に追加

更に、硫酸化物は、SO_4に対するカウンターイオンが、NH_4、Al、Na、Mg、Ba、K、Ca、Fe、Li、Be、Zr、Cs、Ce、Ti、Mnである。 - 特許庁

In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6.例文帳に追加

式中のAはSi、Ge、Ti、Zr、Al及びGaからなる群から選択され、xは1〜6である。 - 特許庁

The steel may further contain one or more elements among Mo, Ni, Ti, V and Zr in place of a part of Fe.例文帳に追加

Feの一部に代えて、さらにMo、Ni、Ti、V及びZrのうちの1種以上を含有してもよい。 - 特許庁

Preferably, it is incorporated with 30Cr10 at%, 7≥Ta>0 at%, 30Ni≥5 at% and 5≥(Ti+ Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au)>0 at%.例文帳に追加

好ましくは30≧Cr≧10at%、7≧Ta>0at%、30≧Ni≧5at%および5≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au)>0at%を含有させる。 - 特許庁

If required, one or more selected from Nb, Cr, Ni, Mo, Cu, B, V, Ca, Mg, Zr and rare earth metals may be incorporated therein.例文帳に追加

さらに必要に応じて、Nb、Cr、Ni、Mo、Cu、B、V、Ca、Mg、Zr、REMの1種又は2種以上を含有させても良い。 - 特許庁

The contact with the introduced H_2 gas allows a Zr(BH_4)_4 as a solid raw material to be evaporated in the material container 21.例文帳に追加

原料容器21内では、導入されたH_2ガスとの接触によって、固体原料のZr(BH_4)_4が気化する。 - 特許庁

A most of Pd particles 2 are deposited in recessed parts 4 on the surface of a primary particle 3 of a Ce-Zr compound oxide particle 1 or among primary particles.例文帳に追加

大半のPd粒子2をCeZr系複合酸化物粒子1の一次粒子3の表面凹陥部4、又は一次粒子間に担持する。 - 特許庁

The main ingredient of the dielectric film 3 is expressed by Pb_1-x(Zr_yTi_1-y)O_3-x (wherein, 0.0<x≤0.5 and 0.0≤y≤1.0).例文帳に追加

誘電体膜3が、Pb_1−x(Zr_yTi_1−y)O_3−x(但し、0.0<x≦0.5、0.0≦y≦1.0)を主成分としている。 - 特許庁

To provide a non-lead piezoelectric material having improved characteristics for improving the characteristics of a piezoelectric material based on Bi(Fe, Mn)O_3 and Ba(Zr, Ti)O_3, and the like.例文帳に追加

Bi(Fe,Mn)O_3およびBa(Zr,Ti)O_3等をベースにした圧電材料の特性を向上させる、特性の良好な非鉛系圧電材料を提供する。 - 特許庁

However, they contain one or more elements among Pt, V, Pd, Zr, Hf and Nb in the amount of solid solutions less than 10 at% in total.例文帳に追加

但しそれらはPt,V,Pd,Zr,Hf,Nbのうち1以上の元素を合計で10at%未満の固溶量で含んでいる。 - 特許庁

A mass ratio of Si/M (M is a metal capable of orienting fluorine such as Zr or the like) in the substrate coating layer is preferably within a range of 0.1 ≤ M/Si ≤ 0.8.例文帳に追加

下地被覆層中のSi/M (MはZr等のフッ素が配位可能な金属) の質量比は 0.1≦M/Si≦0.8 の範囲が好ましい。 - 特許庁

To provide a method for refining a copper alloy capable of adding active metal such as Mg, Ti, Zr, Cr and Al at a high yield.例文帳に追加

Mg、Ti、Zr,Cr、Alなどの活性金属を高歩留で添加することのできる銅合金の溶製を目的とする。 - 特許庁

In the metal glass alloy, a part of Zr or Al can be substituted with Nb and/or Ta (by10 atomic%, respectively).例文帳に追加

この金属ガラス合金は、Zr又は前記Alの一部を、Nb及び/又はTa(それぞれ、最大10原子%。)で置換してもよい。 - 特許庁

An amount of Zr substitution and an amount of Hf substitution to a Ti site of the half Heusler compound are less than one at%, respectively.例文帳に追加

前記ハーフホイスラー化合物のTiサイトへのZr置換量及びHf置換量は、それぞれ、1at%未満。 - 特許庁

例文

In particular, the material of the substrate covered by the conductive diamond layer is any one of Nb, Ta, Zr and W.例文帳に追加

特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Nb、Ta、Zr、Wのいずれかであることが好ましい。 - 特許庁

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