The image is divided into 256 areas, and the correction coefficient Kb(n) and correction coefficient Kg(n) are adjusted and determined by the divided areas.例文帳に追加

画像を２５６領域に分割し、分割後の領域ごとに補正係数Ｋb(n)、補正係数Ｋg(n)を調節・決定する。 - 特許庁

The number a satisfies a relationship of 1.28<a≤-5.56×n_org/n_EML+7.74.例文帳に追加

ａは１．２８＜ａ≦−５．５６×ｎ_ｏｒｇ／ｎ_ＥＭＬ＋７．７４の関係を満たす数。 - 特許庁

A range counter (frequency dividing ratio control section) 56 then variably controls a frequency dividing ratio N in the frequency divider 18 in accordance with the second synchronizing control signals (m), (n).例文帳に追加

そして、レンジカウンタ（分周比制御部）５６は、分周器１８おける分周比Ｎを第２の同期制御信号(m),(n)にしたがって可変制御する。 - 特許庁

In the reference folder 50, N storage folders 51-56 are prepared.例文帳に追加

基準フォルダ５０下には，Ｎ個の保存フォルダ５１〜５６を用意しておく。 - 特許庁

In the formula, X denotes C^1, N, O atoms, M denotes C, N atoms, Y denotes C, N atoms, Z denotes C, N atoms, A and B denote carbon cycles or heterocyles of 5 to 6 members, and Me denotes iridium, platinum, and osmium.例文帳に追加

（式中、ＸはＣ^１，Ｎ，Ｏ原子を，ＭはＣ，Ｎ原子を，ＹはＣ，Ｎ原子を，ＺはＣ，Ｎ原子を，ＡおよびＢは５〜６員の炭素環または複素環を，Ｍｅはイリジウム，プラチナ，オスミウムを表わす） - 特許庁

O-(5,6,7,8-TETRAHYDRO-2-NAPHTHYL)-N-(6-METHOXY-2-PYRIDYL)-N-METHYLTHIOCARBAMATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｏ−（５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）—Ｎ−（６−メトキシ−２−ピリジル）−Ｎ−メチルチオカーバメート及びその製造方法 - 特許庁

HIGH-PURITY O-(5,6,7,8-TETRAHYDRO-2-NAPHTHYL)-N-(6-METHOXY-2-PYRIDYL)-N-METHYLTHIOCARBAMATE AND ITS PREPARATION METHOD例文帳に追加

高純度Ｏ−（５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）−Ｎ−（６−メトキシ−２−ピリジル）−Ｎ−メチルチオカーバメート及びその製造方法 - 特許庁

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

Four n^+ regions (electrode diffusion regions) 3, 4, 5, 6 are formed in the n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層２において４つのＮ^+領域（電極用拡散領域）３，４，５，６が形成されている。 - 特許庁

The refractive index n and the extinction coefficient k of the recording layer 2 satisfy the conditions of 3.9<n<5.6 and k>0.4 in the range of 380 nm-430 nm wavelength.例文帳に追加

記録層２の屈折率ｎ及び消衰係数ｋが、波長３８０〜４３０ｎｍの範囲において、３．９＜ｎ＜５．６、かつ、ｋ＞０．４の条件を満たす。 - 特許庁

An input signal an is inputted from the input part 52, and the command value bn is changed by the key input part 18 and stared in a storage part 56.例文帳に追加

入力部５２から入力信号ａ_n が入力され、キー入力部１８によって前記指令値ｂ_nの値が変更され、記憶部５６に記憶される。 - 特許庁

The positions of actuators 5 and 6 are detected by (n) position sensors 41 to 43 respectively.例文帳に追加

アクチュエータ５，６の位置は，ｎ個の位置センサ４１〜４３によりそれぞれ検出される。 - 特許庁

The vinyl ether derivative homopolymer is represented by formula (I) (wherein n is an average number of 5-600).例文帳に追加

式（Ｉ）：（式中、ｎは平均５〜６００の数である）で表されるビニルエーテル誘導体ホモポリマー。 - 特許庁

Disclosed is an epoxy resin composition comprising 100 pts.mass total of 35-55 pts.mass (A) trifunctional epoxy resin prepared by glycidyl-etherifying triphenolmethane and 45-65 pts.mass (B) N,N,N',N'-tetraglycidyldiaminodiphenylmethane, (C) silica, and (D) diaminodiphenyl sulfone.例文帳に追加

トリフェノールメタンをグリシジルエーテル化した３官能エポキシ樹脂（Ａ）３５〜５５質量部およびＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’‐テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン（Ｂ）４５〜６５質量部の合計１００質量部とシリカ（Ｃ）およびジアミノジフェニルスルホン（Ｄ）からなるエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１N型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内に第２Ｐ型導電領域７，８，９を点対称に形成する。 - 特許庁

Delay elements 56-1 to 56-4 output power multipliers |x(n)|^1, delayed by (k) samples for a plurality of values of "k" larger than 1, as power multipliers |x(n-k)|^1.例文帳に追加

遅延素子５６−１〜５６−４は、複数通りの１以上のｋの値に関して、ｋサンプル分遅延させたべき乗数|ｘ(ｎ)|^lをべき乗数|ｘ(ｎ−ｋ)|^lとして出力する。 - 特許庁

Here, a tunnel region 60 is located on the buried N + region 56, and a sideward direction from the boundary of the tunnel region 60 to the boundary of the buried N + region 56 is constantly b at each position.例文帳に追加

ここで、埋没Ｎ＋領域５６上にトンネル領域６０が位置しており、トンネル領域６０の境界から埋没Ｎ＋領域５６の境界まで側方距離は各位置で一定ｂである。 - 特許庁

A positioning member 53 has an engaging portion 57 for engaging with each of the bottoms Y_P, Y_R, Y_N, Y_D of the valleys 56a-56d and generates energizing force to thrust the engaging portion 57 toward the valley bottom.例文帳に追加

位置決め部材５３は、谷５６ａ〜５６ｄの底Ｙ_P，Ｙ_R，Ｙ_N，Ｙ_Dに係合する係合部５７を有しかつ係合部５７を谷底へ向けて押圧する付勢力を発生するものとされる。 - 特許庁

A control device 40 controls the drive of an actuator 60 to be stopped at a position where each of the centers X_P, X_R, X_N, X_D of the valleys 56a-56d corresponding to a requested range reaches the engaging portion 57.例文帳に追加

制御装置４０は、レンジ切り替え時に、要求レンジに対応する谷（５６ａ〜５６ｄ）の中央Ｘ_P，Ｘ_R，Ｘ_N，Ｘ_Dが係合部５７に到達する位置でアクチュエータ６０の駆動を停止させるように制御する。 - 特許庁

A first n-type conductive area 2 and a second n-type conductive area 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1, and first p-type conductive areas 4, 5, and 6 are formed in the first conductive area 2, and second p-type conductive areas 7, 8, and 9 are formed in the second n-type conductive area 3.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内にＰ型の第２Ｐ型導電領域７，８，９を形成する。 - 特許庁

Covering the N+ diffused layer 23 with the N-type well 2 allows the N-type well 2 to operate as a resistor, so that a current is prevented from concentrating at a part 56 immediately below a contact hole 31 and a field edge 55, when a bipolar operation current 7 caused by a parasitic bipolar transistor is pulled out.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆うことにより、Ｎ型ウェル２が抵抗として動作するため、寄生バイポーラトランジスタによるバイポーラ動作電流７を引き抜く時のコンタクトホール３１の直下５６やフィールドエッジ５５に電流が集中するのを防止することができる。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

To provide a technology of setting each dimensionality of an attribute vector and a predicate vector on predicate logic for the logical sum of t logical products of n attributes to t+1.例文帳に追加

n個の属性の論理積t個の論理和についての述語論理に関する属性ベクトル及び述語ベクトルのそれぞれの次元数をt+1にする技術を提供する。 - 特許庁

The priority factor calculation part 11 calculates an arbitration priority factor S(n) of each request based on a priority P(n) set by request sources 4, 5, 6 and 7 for each request.例文帳に追加

優先度係数算出部１１は、リクエストごとにリクエスト要求元４，５，６，７から設定された優先度Ｐ（ｎ）に基づいて各リクエストの調停優先度係数Ｓ（ｎ）を算出する。 - 特許庁

When adding data, compatibility with a conventional apparatus dedicated to data reproduction is secured by successively writing an AVDP at a last logical sector number N and a logical sector number 256 sectors before the N.例文帳に追加

各回の追加記録時には、最後の論理セクタ番号Ｎ及びＮから２５６セクタだけ手前の論理セクタ番号の２箇所にＡＶＤＰの書き込みを逐次的に行なうことで、旧来のデータ再生専用装置との互換性を確保する。 - 特許庁

The smoothing layer 54 is preferably formed of SiN or SiO_2, on the other hand, the binder layer 56 is formed of an N-rich TaN compound which has an N/Ta ratio of 1 or above or an amorphous TaN compound.例文帳に追加

平滑化層５４は、好ましくはＳｉＮ又はＳｉＯ_2からなり、一方、バインダ層５６は、Ｎ／Ｔａが１を超えるＮリッチなＴａＮ化合物、又は、アモルファスＴａＮ化合物からなる。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

Thus, the "N" switch 32 can be arranged at the "N" shift position always before the "R" switch 54 or the "D/B" switch 56 is arranged at the "R" shift position or the "D/B" shift position.例文帳に追加

このため、常に、「Ｒ」スイッチ５４又は「Ｄ／Ｂ」スイッチ５６が「Ｒ」シフト位置又は「Ｄ／Ｂ」シフト位置に配置される前に、「Ｎ」スイッチ３２を「Ｎ」シフト位置に配置できる。 - 特許庁

P channel/Q channel for correctly demodulating phase modulated signal (PCH/QCH) bit shift parts 5 and 6 convert the data into an M bit smaller than the N bit by bit shifting the N bit amplitude data only for the number of shift bits.例文帳に追加

ＰＣＨ／ＱＣＨ用ビットシフト部５、６は、そのシフトビット数だけＮビットの振幅データをビットシフトすることによりＮビットよりも少ないＭビットに変換する。 - 特許庁

Therefore, the engine rotational speed N_E can be lowered to a target rotational speed N_E* regardless of output limitation of an accumulator 56 (battery), and consequently, transmission shock can be reduced.例文帳に追加

したがって、蓄電装置５６（バッテリ）の出力制限に拘わらずエンジン回転速度Ｎ_Ｅを目標とする回転速度Ｎ_Ｅ^＊まで低下させることができ、変速ショックを低減することができる。 - 特許庁

Logarithms Nidt1 and Nidt2 of an interdigital electrode constituting a first and a second IDTS 3 and 4 and a logarithm Nr of a reflector electrode constituting each of reflectors 5 and 6 are selected so that the total logarithm N for them may be set to 0.11≤Nr/N≤0.20.例文帳に追加

第１及び第２ＩＤＴ３，４を構成する交差指電極の対数Ｎidt1，Ｎidt2及び各反射器５，６を構成する反射器電極の対数Ｎr は、それらの総対数Ｎに対して０．１１≦Ｎr ／Ｎ≦０．２０となるように選択する。 - 特許庁

The varibale capacitance element VAR is provided with an N^+ type layer 56 containing a variable capacitance region 56a, P^+ type layers 61 epitaxially grown on the layer 56 and composed of SiGe and Si films, and P-type electrodes 62.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲは、可変容量領域５６ａを含むＮ^+ 層５６と、Ｎ^+ 層５６の上にエピタキシャル成長により形成されたＳｉＧｅ膜及びＳｉ膜からなるＰ^+ 層６１と、Ｐ型電極６２とを備えている。 - 特許庁

In a film guide 56, openings 56a and 56a extending in a direction shown by an arrow B are formed at both longitudinal end parts (direction shown by arrow B) and also on a slightly upstream side part in a rotating direction (direction shown by arrow C) from the nip part N.例文帳に追加

フィルムガイド５６のうちその長手方向（矢印Ｂ方向）両端部であって、ニップ部Ｎよりも回転方向（矢印Ｃ方向）やや上流側部分に、矢印Ｂ方向に延びる開口５６ａ，５６ａを形成した。 - 特許庁

The divinyl ether derivative homopolymer is represented by formula (I), wherein n is a numerical value of 5-600 on the average.例文帳に追加

式（Ｉ）：（式中、ｎは平均５〜６００の数である）で表されるジビニルエーテル誘導体ホモポリマー。 - 特許庁

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 5, 6 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上に２層のＮ型のエピタキシャル層５、６が形成されている。 - 特許庁

The p+ isolation region 68 is formed to a depth such as to partially cut into the n- epitaxial layer 54 under the p-base layer 56.例文帳に追加

このｐ^+分離領域６８は、ｐベース層５６の下のｎ^-エピタキシャル層５４に部分的に食い込む深さまで形成される。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 21 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 56 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５６からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２１が露出している。 - 特許庁

In a prepared "compression strength/substitution rate graph", estimated compression strength 17.6 N/mm^2 when the substitution rate is 0.56% is obtained.例文帳に追加

予め用意した「圧縮強度・置換率グラフ」で置換率０．５６％のときの推定圧縮強度１７．６Ｎ／ｍｍ^２を得る。 - 特許庁

In the active region between the buried N + region 56 and a drain region 82, a cell depletion region 78 is formed and mutually electrically connected.例文帳に追加

埋没Ｎ＋領域５６とドレイン領域８２との間の活性領域内にセル空乏領域７８が形成され、互いに電気的に連結される。 - 特許庁

A metal layer 57 contacting the n-type buried diffusion layer 21 is formed on the rear surface 56 side of the substrate.例文帳に追加

そして、基板の裏面５６側には、Ｎ型の埋込拡散層２１とコンタクトする金属層５７が形成されている。 - 特許庁

The EEPROM cell has a source region 80, a buried N + region 56, and a drain region 82, mutually separately formed along the side in an active region.例文帳に追加

活性領域内に互いに離隔されて側方に沿って形成されたソース領域８０、埋没Ｎ＋領域５６及びドレイン領域８２を有する。 - 特許庁

The GND electrode 54 blocks electric fields of a drain electrode T1d, a source electrode T1s and an n^+-Si film 56.例文帳に追加

このＧＮＤ電極５４は、ドレイン電極Ｔ１ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ及びｎ^+−Ｓｉ膜５６の電界を遮蔽する。 - 特許庁

A first encoding portion 32 generates a code term by Golomb-Rice encoding when a symbol value "n" is equal to or less than a predetermined threshold.例文帳に追加

第１符号化部３２は、シンボル値ｎが所定のしきい値以下のとき、ゴロムライス符号化により符号語を生成する。 - 特許庁

The first generation part 561 generates velocity information V(ti) according to the degree of expansion/contraction when expanding/contracting the unit wave W0 to a prescribed length N.例文帳に追加

第１生成部５６１は、単位波Ｗ0を所定長Ｎに伸縮する場合の伸縮の度合に応じた速度情報Ｖ(ti)を生成する。 - 特許庁