An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

An N^+-layer 2 is formed on the surface layer of an n-type silicon substrate 3, functioning as a drain region for discharging unwanted charges, and grooves 5 are formed in a forming region for a light-receiving part in the n-type silicon substrate wherein the N^+-layer is formed.例文帳に追加

不要電荷を排出するドレイン領域として機能するｎ型シリコン基板３の表層にＮ^＋層２を形成し、Ｎ^＋層が形成されたｎ型シリコン基板の受光部形成領域に溝部５を形成する。 - 特許庁

Subsequently, etching is performed from the p-contact layer 9 to the n-contact layer 5 on the inner surface of the cut trench 50 to form an n-side electrode forming region 51 where the n- contact layer 5 is exposed.例文帳に追加

このようにして割り溝５０を形成した後、割り溝５０の内面のｐ−コンタクト層９からｎ−コンタクト層５までをエッチングし、ｎ−コンタクト層５が露出してなるｎ側電極形成領域５１を形成する。 - 特許庁

This procedure avoids increase in leakage current between the source and the drain caused by rediffusion in the n+ diffusion layer.例文帳に追加

さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ溝を形成し前記トレンチ溝にゲート電極形成後にソースとなるN＋拡散層を形成しているため、N＋拡散層の再拡散によるソース及びドレイン間リーク電流が増大しない。 - 特許庁

The groove 10 comprises a first groove 10a which is formed on the side of an n+-type silicon substrate 1 in the depthwise direction of the groove 10, and a second groove 10b which is formed in a manner to penetrate the surface of the n+-type source area 4 to the first groove 10a and of which opening area is larger than the first groove 10a.例文帳に追加

溝１０は、溝１０の深さ方向においてｎ^+形シリコン基板１側に形成された第１の溝１０ａと、ｎ^+形ソース領域４の表面から第１の溝１０ａに達する深さまで形成され第１の溝１０ａに比べて開口面積が大きな第２の溝１０ｂとからなる。 - 特許庁

A diffraction grating layer G_n having a plurality of grooves 22 (diffraction gratings) cyclically formed thereon is first formed on an active layer A_n.例文帳に追加

まず、活性層Ａ_ｎ上に、表面に周期的な複数の溝２２（回折格子）が形成された回折格子層Ｇ_ｎを形成する。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

An n+ type contact region 2 is formed on the side surface of the trench 22 which leads to the n+ type source region 104.例文帳に追加

トレンチ溝２２の側面には、ｎ＋型コンタクト領域２が形成され、これはｎ＋型ソース領域１０４に繋がっている。 - 特許庁

The groove 38 is formed stretching over the n-th region 20 from the center and the (n+1)-th region 22 from the center.例文帳に追加

溝３８がセンターからｎ番目の領域２０とセンターから（ｎ＋１）番目の領域２２とに跨って形成されている。 - 特許庁

The impeller is formed with n (n is an integer of 2 or more) impeller grooves on its outer peripheral edge.例文帳に追加

この燃料ポンプでは、インペラは、その外周縁にｎ個（ｎは２以上の整数）の羽根溝が形成されている。 - 特許庁

A trench groove 6 is formed which penetrates the n^+-type emitter region 4 and the p^--type base region 2 and reaches to the n^--type substrate 1.例文帳に追加

ｎ^＋型エミッタ領域４及びｐ^−型ベース領域２を貫通してｎ^−型基板１まで到達するトレンチ溝６が形成されている。 - 特許庁

The plurality of grooves each having a regular N-sided pyramid-like shape (N=3, 4 or 6) are arranged on the surface of the catcher.例文帳に追加

また、前記捕獲器の表面には、正Ｎ角錐（Ｎ＝３、４、又は、６）状の複数の溝が配列されている。 - 特許庁

The vertical members 2 are raised at prescribed intervals, the n-th step horizontal member 3 is mounted on the vertical members 2, and the groove insert parts 22 of the vertical member 22 are inserted to the grooves 11 of the n-th step wall constructing members 1, and the lower surface of the n-th step wall constructing members 1 is supported by the n-th step horizontal member 3.例文帳に追加

縦材２を所定の間隔で立設し、その縦材２に第ｎ段の横材３を取り付け、縦材２の溝挿入部２２を第ｎ段の壁構築用部材１の溝１１に挿入し、そして第ｎ段の壁構築用部材１の下面を第ｎ段の横材３で支持する。 - 特許庁

Fine groove processing is carried out at a fine pitch for n-type and p-type thermo-semiconductors each, and an n-type groove block 21 and a p-type grooved block 22 are formed.例文帳に追加

ｎ型とｐ型の熱電半導体にそれぞれ細かいピッチで細い溝加工を施しｎ型溝入ブロック２１とｐ型溝入ブロック２２を形成する。 - 特許庁

The n^+-semiconductor region NVk is extended up to a position deeper than the groove-type isolation part 3.例文帳に追加

このｎ^+型の半導体領域ＮＶｋは、溝型の分離部３よりも深い位置まで延在されている。 - 特許庁

The n^+ type semiconductor region NVk is extended to a position deeper than the trench separated portion 3.例文帳に追加

このｎ^＋型の半導体領域ＮＶｋは、溝型の分離部３よりも深い位置まで延在されている。 - 特許庁

A groove part 10 is formed on the other side of the n-diffusion region 5, and an insulator 12 is filled.例文帳に追加

ｎ-拡散領域５の他方の側には溝部１０が形成されて、絶縁体１２が充填されている。 - 特許庁

The n^+ type semiconductor region NVk is extended to a deeper position than the trench type isolation regions 3.例文帳に追加

このｎ^＋型の半導体領域ＮＶｋは、溝型の分離部３よりも深い位置まで延在されている。 - 特許庁

The grooves 108 are arranged in matrix in the region where no n-electrode 107 is formed.例文帳に追加

溝１０８は、ｎ電極１０７が形成されていない領域にマトリクス状に配置されている。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

The base corner parts of the groove parts are covered by the p-base regions 4, and the centers of the base parts of the groove parts are brought into contact with the n-type semiconductor region 3.例文帳に追加

溝部の底部コーナー部はｐベース領域４に覆われており、溝部の底部の中央部はｎ型の半導体領域３に接している。 - 特許庁

The n+Si layer 109 is separated into the n+Si layer 109a that reaches the drain electrode 115a and the n+Si layer 109b that reaches the source electrode 115b by an isolation groove reaching the a-Si:H layer 108.例文帳に追加

ｎ＋Ｓｉ層１０９は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０８まで達する分離溝によって、ドレイン電極１１５ａに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ａとソース電極１１５ｂに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ｂとに分離されている。 - 特許庁

Dot-like grooves 108 are formed in a region with no n-electrode 107 on the n-electrode 107 side surface of an n-type layer 106 in a light-emitting element 100.例文帳に追加

発光素子１００は、ｎ型層１０６のｎ電極１０７側表面であって、ｎ電極１０７が形成されていない領域に、ドット状の溝１０８が複数形成されている。 - 特許庁

When an n-type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, the n-type epitaxial layer 2 is formed outside first and second grooves 4a, 4b, while the n-type epitaxial layer 2 is not formed on a projecting part 5 located between them.例文帳に追加

半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。 - 特許庁

An N^+-type drain region 38 is formed on the surface layer of an N-type well region 35, and an N^+-type source region 39 adjacent to the sidewall of the groove 34 is formed on the surface layer of the region 37.例文帳に追加

そして、Ｎ型ウェル領域３５の表面層にＮ^＋型ドレイン領域３８が形成され、Ｐ型ベース領域３７の表面層に溝３４の側壁に隣接するＮ^＋型ソース領域３９が形成されている。 - 特許庁

A groove 10 is formed in such a manner that it penetrates the surface of an n+-type source area 4, the n+-type source area 4, a p-type well area 3 to the midway of an n-type silicon epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域４の表面から該ｎ^+形ソース領域４およびｐ形ウェル領域３を貫通してｎ形シリコンエピタキシャル層２の途中まで溝１０が形成されている。 - 特許庁

Upon forming (n+1)-th groove after having formed (n-th) groove by irradiating the laser beam on the resistance heating element, the grooves are formed by irradiating the laser beam in such a way that the successive groove following it is each alternately formed in the opposite side across the first groove.例文帳に追加

抵抗発熱体にレーザ光を照射して第ｎの溝を形成した後、第ｎ＋１の溝を形成する際、最初に形成した溝を挟んで反対側になるように順次レーザ光を照射して溝を形成することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 特許庁

By this constitution, the edge of one spiral groove 60A extends the nipple N in the width direction and the edge of the other spiral groove 60B extend the nipple N to the other side of the width direction.例文帳に追加

これにより、一の螺旋溝６０Ａのエッジが乳房Ｎを幅方向一側に押し広げ、他の螺旋溝６０Ｂのエッジが乳房Ｎを幅方向他側に押し広げる。 - 特許庁

A groove 13a which is deeper than the bottom surface of n^+-type source region 14 is formed in the surface region of p-type channel region 13, and a step 13b is formed on the groove 13a side of the n^+-type source region 14.例文帳に追加

また、Ｐ型チャネル領域１３の表面領域にはＮ^＋型ソース領域１４の底面よりも深い溝部１３ａが形成され、Ｎ^＋型ソース領域１４の溝部１３ａ側には段差部１３ｂが形成されている。 - 特許庁

The GaN substrate 15' is etched as far as the n-GaN contact layer 16 with a width 100 μm, parallel to the strip formed on a p-electrode surface to form a groove, and an n-electrode 28 comprising Ti/Au is formed on the surface of the groove.例文帳に追加

ＧａＮ基板15'に、ｐ電極面に形成されたストライプと平行に、幅１００μｍでｎ−ＧａＮコンタクト層16までエッチングして溝を形成し、その溝の表面にTi/Auよりなるｎ電極28を形成する。 - 特許庁

A plurality of striped grooves 5 are formed on the side of an n-type base layer 4 having a p-type emitter layer 3, an n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded and formed in the grooves 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

The n×m optical fibers are each arranged in each of the m grooves in the n substrates, while the position in the x direction of each of the m grooves in the n substrates is different in each adjacent substrate by a prescribed shift quantity S.例文帳に追加

ｎ×ｍ本の光ファイバのそれぞれは、ｎ枚の基板のそれぞれのｍ本の溝のそれぞれ内に配置されており、ｎ枚の基板のそれぞれのｍ本の溝のｘ方向における位置は、隣接する基板ごとに、一定のシフト量Ｓだけ異なっている。 - 特許庁

Then, a first groove 17A, a second groove 17B and a third groove 17C are formed on the midway in the direction of thickness of the N- type semiconductor layer 11 from the insulating film 13.例文帳に追加

その後、絶縁膜１３からＮ−型半導体層１１の厚さ方向の途中に至る複数の溝、即ち第１の溝１７Ａ、第２の溝１７Ｂ、第３の溝１７Ｃを形成する。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

The number (n) of the total of the peripheral groove 4 crossing on its both sides is 8-12 pieces in a grounding surface F to one zigzag peripheral directional groove 3, and a groove width WY of the peripheral groove 4 is 8-25% of the pitch length Py between the peripheral grooves 4 and 4.例文帳に追加

１本のジグザグ周方向溝３に対し、その両側で交わる横溝４の合計の本数ｎは接地面Ｆ内において８〜１２本であり、しかも前記横溝４の溝幅ＷＹは、横溝４、４間のピッチ長さＰｙの８〜２５％である。 - 特許庁

A groove wall surface tilting angle α to a normal N stood on the tread surface 2S of a lag groove all surface 3S is increased from a groove wall surface tilting angle α1 at a tire shaft direction inner end of the lag groove 3 to a groove wall surface tilting angle α2 at an outer end.例文帳に追加

ラグ溝壁面３Ｓのトレッド面２Ｓに立てた法線Ｎに対する溝壁面傾斜角度αは、ラグ溝３のタイヤ軸方向内端部Ｙ１における溝壁面傾斜角度α１から外端部Ｙ２における溝壁面傾斜角度α２まで増加する。 - 特許庁

Among each partition 6(n) divided by the V groove 5, the partition without the groove 7 for light shielding functions as the optical waveguide and the partition with the formed groove 7 functions as the non optical waveguide.例文帳に追加

Ｖ溝５で仕切られている各区画部分６（ｎ）のうち、遮光用の溝７のない区画部分が光導波路として機能し、溝７が形成されている区画部分が非光導波路として機能する。 - 特許庁

The conductor fixing plate is provided with n-pieces of parallel grooves having a diameter approximately same as that of a conductor, and a tooth part for driving a rack groove is formed on a cylinder or a grooved semicylinder.例文帳に追加

導線固定板は導線の径とほぼ同じ径を有するｎ個の平行溝が彫られ、ラック溝駆動用歯部は円筒または溝付き半円筒に備えられる。 - 特許庁

In the semiconductor laser element, grooves 103, 104 having their nearly rectangular sectional shapes are formed on the surface of an n-type GaAs substrate 101, and a ridge is formed between the grooves 103, 104.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０１は、表面に断面略矩形状の溝１０３，１０４が形成され、かつ、溝１０３と溝１０４との間にリッジが形成されている。 - 特許庁

A disk having the continuous groups of the period Gp is provided with a region where the grooves of tracks Gn-1 and Gn+1 are partly eliminated and the groove period is equivalently made twice Gp when the tracks adjacent to the n-th tracks Gn of the disk are defined as Gn-1 and Gn+1.例文帳に追加

周期Gpの連続した溝を有するディスクの、ｎ番目のトラックGnに隣接するトラックをGn-1，Gn+1とするとき、Gn-1とGn+1のトラックの溝を一部無くし、等価的に溝周期をGpの２倍となる領域を設ける。 - 特許庁

Furthermore, since the unit grooves UD of the spacer boards 411-415 are deviated in the Y axis direction by P/N each (N is number of the optical fibers and P is the pitch of the optical fibers), all the optical fibers 30 are arranged at equal intervals P/N without overlapping during projection in the main scanning direction.例文帳に追加

さらに、光ファイバー列の数をＮ、光ファイバーのピッチをＰとすると、各スペーサー基板４１１〜４１５の単位溝ＵＤは互いにＰ／ＮだけＹ軸方向にずれているため、主走査方向の射影では全ての光ファイバー３０が等しい間隔Ｐ／Ｎで重なることなく並んでいる。 - 特許庁

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30.例文帳に追加

ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。 - 特許庁

This kind of the reflection film 9 is manufactured by forming plural island shaped resist patterns radially divided by narrow grooves 22 into n side faces (n=3, 4, etc.), on the metal film 1 and dry etching them.例文帳に追加

このような反射膜９は、細溝22をよって放射状にｎ分割（ｎ＝３、４、・・・）した複数の島状のレジストパターンを金属膜１の上に形成し、ドライエッチングを行うことによって製造する。 - 特許庁