「"選択比"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

それらの上部に薄い窒化膜からなる第１のエッチング停止膜１１８と、さらにエッチング選択比の異なる高誘電体膜からなる第２のエッチング停止膜１２０を形成する。例文帳に追加

A first etching stop film 118 made of a thin nitride film and a second etching stop film 120 made of a high dielectric film having a different etching selection ratio are formed at the upper portion of the selection line and the word line. - 特許庁

第１導電パターンが形成された半導体基板に第１層間絶縁膜を蒸着した後、第１層間絶縁膜とエッチング選択比を持つエッチング阻止層パターンを特定の領域に限って部分的に形成する。例文帳に追加

Following deposition of a first interlayer insulation film on a semiconductor substrate on which a first conductive pattern has been formed, an etching block layer pattern having an etching selection ratio to the first interlayer insulation film is formed partially only in a specified region. - 特許庁

このエッチングは、シリコン窒化膜に対する層間絶縁膜の選択比が確保されるような種類・条件として、当該エッチング処理においてシリコン窒化膜８６をエッチングストッパとして機能させる。例文帳に追加

In this etching, the silicon nitride film 86 is caused to work as an etching stopper in the etching treatment, as a kind or a condition that a selection ratio can be ensured in an interlayer insulating film for the silicon nitride film. - 特許庁

電極材料に対し密着性が高く、かつ電極材料に対しエッチング選択比が高く、しかも形成および除去の工程が複雑でない材料をハードマスクに用いたエッチング方法を実現する。例文帳に追加

To realize an etching method, where a hard mask is used, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high. - 特許庁

このとき、シリコンウエハ５２のエッチングレートをＲ１、レジストパターン６４のエッチングレートをＲ２としたとき、選択比（Ｒ１／Ｒ２）が０．５〜１．５であって、且つ、Ｒ１が５〜４０ｎｍ／分の条件でエッチングを行う。例文帳に追加

Then, when an etching rate of the silicon wafer 52 is defined as R1, and the etching rate of the resist pattern 64 is defined as R2, a selection ratio (R1/R2) is 0. 5 to 1. 5, and etching is performed on condition that R1 is 5 to 40 nm/minute. - 特許庁

第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８の選択比（エッチングレート比）が高い条件にて、第２層間絶縁膜７、平坦化絶縁膜６及び第１層間絶縁膜５をドライエッチングする。例文帳に追加

Under a condition of a high selection ratio (etching rate ratio) between a 2nd inter-layer insulating film 7 and a photoresist 8, the 2nd inter-layer insulating film 7, a flattening insulating film 6, and a 1st inter-layer insulating film 5 are subjected to dry etching. - 特許庁

層間絶縁膜２にコンタクトホール５を形成する際に、最初にフォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチング選択比が低い条件で、層間絶縁膜２の途中まで異方性のドライエッチングを行う。例文帳に追加

When the contact holes 5 is formed on an inter-layer insulating film 2, first anisotropic dry etching is applied to the midway of the inter-layer insulating film 2, under the condition of the etching selection ratio between a photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2 being low. - 特許庁

酸素析出欠陥等の結晶欠陥に対して選択比の大きい条件で異方性エッチングを行い、Secco液等によるエッチングでは検出できない微小な欠陥を精度良くかつ簡単に検出する。例文帳に追加

When a sample in which defects are formed as precipitation of oxygen by heat treatment is etched by anisotropic etching at a high selectivity ratio against SiO2, conical projections having the defects as precipitation of oxygen on their tops are formed as etching residues. - 特許庁

エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid processing method in which an etching rate is large, and an etching selection ratio of a silicon nitride is higher than that of a silicon oxide; a liquid processing apparatus; and a storage medium storing the method. - 特許庁

エッチングされる基板等のクラックや破壊を抑制しつつ、エッチング選択比を増大させ、酸化物材料等に対して精密かつ高アスペクト比な微細加工を可能とするプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method for increasing the etching selection ratio, while inhibiting cracks and breakdowns of a substrate or the like to be etched, and enabling a fine precise working and having a high aspect ratio with respect to an oxide material or the like. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for plasma treatment capable of easily making processing a fine pattern precisely on a workpiece of a large diameter and improving the selectivity in the fine processing, and also to provide a method of plasma treatment. - 特許庁

ＭｏＷのような高融点金属とＳｉ０_2とのエッチング選択比を十分にとることが可能なドライエッチング方法及びそれに用いる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching method and a device to be used for it capable of sufficiently taking the etching selection ratio of metal of a high melting point such as MoW and SiO2. - 特許庁

本発明に係るＣＭＰ用スラリーは、被ポリシング膜に対する除去速度が速くてポリシングストッパに対するパッシベーション機能が強化されて高選択比特性を示す。例文帳に追加

The slurry for the CMP removes the film to be polished at high speed and has an enhanced passivation function for a polishing stopper to show a high selection ratio property. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置構成及び工程によって、高いエッチング選択比で非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングする。例文帳に追加

To plasma-etch thin film of non-single-crystalline silicon with a high selection ratio of etching with an apparatus of a simple constitution and with a simple process in the method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

ヒュームドシリカを用いても選択比を小さくすることができる金属膜研磨用組成物、および金属膜研磨用組成物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal film polishing composition which is capable of making a selection ratio small even if fumed silica is used, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

アルミパッド７及び窒化ケイ素より成る保護膜８上に、それらアルミパッド７及び保護膜８とエッチング選択比が異なる材料であるポリイミド樹脂より成るエッチング保護膜１１を堆積する。例文帳に追加

A method for manufacturing the semiconductor element having the membrane structure comprises the steps of depositing an etching protective film 11 made of a polyimide resin of a material having a different etching selection ratio of aluminum pad 1 and a protective film 8 on the pad 7 and the film 8 made of a silicon nitride. - 特許庁

磁性層に腐食を発生させることなく、エッチング速度が速く、対マスク選択比率も向上させることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法、及びその実施に使用する装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a manufacturing method of the thin-film magnetic head which can make an etching speed fast and improve a mask selection ratio without corroding a magnetic layer, and further a device used for the implementation of the method. - 特許庁

次に、第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８との選択比がほぼ等しい条件にてフォトレジスト８と第２層間絶縁膜７をドライエッチングし、スルーホール９を形成する。例文帳に追加

Then the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 are subjected to dry etching under a condition that the selection ratio between the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 is nearly equal to form a through hole 9. - 特許庁

シリコンチッカ膜３、酸化膜２は同一エッチング条件にて開口エッチングとオーバーエッチングを行い、オーバーエッチングは、対シリコンと高選択比となるエッチング条件で行う。例文帳に追加

The silicon nitride film 3 and the oxide film 2 are subjected to open-etching and over-etching under the same etching condition, and the over-etching step is carried out under a condition with a high selective ratio to silicon. - 特許庁

そして、層間絶縁膜の表面から上層配線へのコンタクトホールの形成を、エッチング停止膜に対して層間絶縁膜のエッチング選択比の高い条件で行う。例文帳に追加

Then, the contact hole is formed from the surface of the layer insulating film onto the upper layer wiring on the condition that the etching selective ratio of the layer insulating film is higher than that of the etching stop film. - 特許庁

ＭｏＷ等の高融点金属とＳｉＯ_2等の酸化膜とのエッチング選択比確保を確認することが可能なドライエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dry-etching method which can confirm that an etching selection ratio between a high melting point metal film such as an Mo film, a W film, etc., and an oxide film such as an SiO_2 film, etc., is secured. - 特許庁

互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of avoiding drop of an etching selection rate, in the case of being accompanied by the formation of two or more kinds of oxide films whose etching characteristics are different from each other. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus and a plasma treatment method capable of facilitating the fine processing of a fine pattern for a sample having a large diameter, and capable of improving a selection ratio at the time of the fine processing. - 特許庁

酸化剤を含有せず、有機酸、砥粒及び場合によっては銅コロージョンインヒビターを含有する、銅ＣＭＰにおける第二工程バリヤ除去研磨のための研磨流体は、金属に対するバリヤ及び絶縁層に対するバリヤの高い選択比を示す。例文帳に追加

The fluid exhibits a high selection ratio for a barrier for metal and a barrier for an insulating layer. - 特許庁

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high. - 特許庁

酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４のような絶縁体膜の調整可能な除去速度及び除去速度の選択比を示す、ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing composition exhibiting an adjustable removing speed and a selection ratio of removing speed of an insulator film such as silicon oxide and Si3N4. - 特許庁

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for etching a carbon-based material, which does not require heating in particular, and keeps very excellent flatness and mask selection ratio, and can obtain a shape faithful to the shape of a mask and a high etching rate. - 特許庁

ＣＶＤ法により成膜された積層膜の上層をエッチングする際に、下層に対するエッチング選択比の高い半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which etching selection ratio for an underlying layer is high when the upper layer of a multilayer film deposited by CVD is etched. - 特許庁

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、続いてシリコン酸化膜との選択比が高い異方性エッチングによってシリコン窒化膜を除去することでコンタクトホールを開孔し、コンタクト配線４３を形成する。例文帳に追加

A contact hole is formed in the interlayer insulating film, the contact hole is hole-opened followed thereto, by removing the silicon nitride film by anisotropic etching having a high selection ratio to the silicon oxide film, and the contact wire 43 is formed thereby. - 特許庁

残される窒化膜１６に対する工程（ａ）におけるレジスト膜１７のオーバー露光量は５０ｎｍ以上であり、工程（ｂ）における窒化膜１６のレジスト膜１７に対する選択比は０．８〜１．２である。例文帳に追加

An overexposure amount of the resist film 17 in the process (a) for the nitride film 16 to be leaved is ≥50 nm and the selection ratio of the nitride film 16 to the resist film 17 in the process (b) is 0.8 to 1.2. - 特許庁

そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。例文帳に追加

Then, the low-level second metal film 30 is etched under second dry-etching conditions, having selection ratio with respect to the metal oxide of the main component metal, the selection ratio being higher than that under the first dry-etching conditions. - 特許庁

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a working method of a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is sped up and machining time can be shortened. - 特許庁

酸化シリコン系材料からなる層間絶縁膜を、ストッパ層となる窒化シリコン膜に対して高い選択比でエッチバックして平坦化することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, by which an interlayer insulating film, composed of a silicon oxide based material, is etched back at a high selectivity ratio with respect to a silicon nitride film as a stopper layer and can be planarized. - 特許庁

絶縁膜への高アスペクト比のホール加工を行うプラズマ処理方法において、高エッチングレートで高いマスク選択比を実現可能な、プラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method in which a high mask selection ratio can be realized at a high etching rate in the plasma treatment method in which a hole working at a high aspect ratio to an insulating film is conducted. - 特許庁

このとき、ＳｉＣ膜７とポーラスシリカ膜４との間の選択比が大きいため、ＳｉＣ膜７の変形は生じにくく、この変形に起因するリークが防止される。例文帳に追加

Since the selectivity between the SiC film 7 and the porous silica film 4 is large in this process, deformation of the SiC film 7 is hardly generated and leakage caused by the deformation is prevented. - 特許庁

まず、第１のクリーニング工程で、処理室内の温度を３００℃とすることで、ＳｉＮ膜／石英エッチングレート選択比を上げ、成膜工程において石英製部材に付着したＳｉＮ膜を主に除去する。例文帳に追加

Firstly, in a first cleaning step, a SiN film/quartz etching-rate-selection ratio is increased by setting a temperature in the treatment chamber to 300°C to mainly remove the SiN film attached to the quartz memeber in the film forming process. - 特許庁

平滑な表面を得ることができ、かつ十分なエッチング選択比を有するエッチング方法を実現するとともに、精度の高いシリコンウェーハの検査方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide an etching method which can obtain a smooth surface and can achieve a sufficiently high etch selectivity, and to provide a very accurate inspection method of silicon wafers. - 特許庁

ＨＤＰ酸化シリコン膜に対してＳＲＯライナ膜の選択比を高め、ＨＤＰ酸化シリコン膜をエッチングする時のエッチングストッパ膜としてＳＲＯライナ膜を使用する。例文帳に追加

The selection ratio of an SRO liner film is made large for an HDP silicon oxide film, and the SRO liner film is used as an etching stopper film when the HDP oxide silicon film is etched. - 特許庁

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of processing a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is increased and a machining time can be shortened. - 特許庁

下層絶縁膜６に対して上層絶縁膜７および１０を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行って下層絶縁膜６に開口するＳＣ１１を形成する（図３（Ｂ））。例文帳に追加

Anisotropic etching is performed on the condition that the upper layer insulating films 7, 10 be removed from the lower layer insulating film 6 at a high selection ratio, and a SC 11 is formed so as to open to the lower layer insulating film 6 (B). - 特許庁

マスク膜厚の薄い高アスペクト比のエッチングにおいて、下地膜（エッチングストッパ膜）の高選択比で高精度な高アスペクト比のエッチングを実現可能な処理条件とするプラズマ処理方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method capable of realizing an etching high in aspect ratio and high in precision, wherein the masking film is very thin and the base film (etch-stop film) has a high selection ratio. - 特許庁

フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。例文帳に追加

Use is made of gas in which ratio of carbon to fluorine is large, and selectivity to the resist is increased by using a high density plasma/large flow rate/high vacuum process, so that ridge working whose width is 3 μm and height is 1.5 μm is enabled. - 特許庁

その後、層間絶縁膜６ｂ、ストレージノード層間絶縁膜９に対して選択比の取りやすい２０〜７０ｎｍ程度のエッチングストッパ膜１０を形成し、ストレージノード層間絶縁膜９を成膜する。例文帳に追加

Then, an interlayer insulating film 6b and an etching stopper film 10 of about 20-70 nm which is easy to take selectivity ratio to a storage node interlayer insulating film 9 are made, and the Storage node interlayer insulating film 9 is grown. - 特許庁

図２のように、プラズマ発光強度とＳｉＯ_2エッチングレートには相関があり、プラズマ発光強度の上昇に伴いＳｉＯ_2のエッチングレートが増加し、エッチング選択比確保が困難になる。例文帳に追加

As shown in Fig. 2, a plasma emission intensity is correlative with an SiO_2 etching rate and the etching rate of SiO_2 is increased according to the increase of the plasma emission intensity, which makes it difficult to secure an etching selection ratio. - 特許庁

絶縁層１８は、少なくとも絶縁層１５，１９に対してエッチング選択比を有し、配線溝２０の底部を除き、絶縁層１５，１９の間に配置される。例文帳に追加

An insulation layer 18 has etch selectivity with respect to at least the insulation layers 15 and 19, and is located between the insulation layers 15 and 19, except on the bottom of the interconnection recess 20. - 特許庁