NC pとは 意味・読み方・使い方

An n-region CLL of a collector region CL of the bipolar transistor BT has an impurity density distribution identical to that of an n-channel forming region NC of a p-MOS transistor PT in the direction of thickness of the SOI layer SL.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＢＴのコレクタ領域ＣＬのｎ^-領域ＣＬＬは、ＳＯＩ層ＳＬの厚み方向に対してｐＭＯＳトランジスタＰＴのｎ^-チャネル形成領域ＮＣと同じ不純物濃度分布を有している。 - 特許庁

An NC finishing machine 10 carries out the cutting machining of a work P, by moving a tool 16 in the longitudinal direction of the work P while rotating, and when the cutting machining of one line is finished, the tool 16 is fed in the shorter direction in a specific feeding pitch, and moving the tool 16 in the longitudinal direction wile rotating again.例文帳に追加

ＮＣ加工機１０は、工具１６を回転させつつ被工作物Ｐの長手方向に移動させ、１ライン切削加工すると、工具１６を短手方向に所定送りピッチで送って、再度、工具１６を回転させつつ長手方向に移動させて被工作物Ｐの切削加工を行う。 - 特許庁

The high strength thick steel plate having excellent arrest properties in the Z direction has a chemical composition comprising 0.01 to 0.12% C, ≤0.50% Si, 0.4 to 2% Mn, ≤0.05% P, ≤0.008% S, 0.002 to 0.05% Al, ≤0.01%例文帳に追加

C：0.01〜0.12％、Si≦0.50％、Mn：0.4〜2％、P≦0.05％、S≦0.008％、Al：0.002〜0.05％、N≦0.01％、Nb：0.003〜0.1％を含み、〔C＋（Mn／6）＋（Cu／15）＋（Ni／15）＋（Cr／5）＋（Mo／5）＋（V／5）〕：0.32〜0.40を満たし、残部はFeと不純物の化学組成を有し、板厚中心部における有効結晶粒径≦25μmで、C断面における板厚1／4位置を中心として、Z方向で特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数NzとC方向で前記と同じ特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数Ncとの比Nz／Ncが1.05以上のＺ方向のアレスト特性に優れた高強度厚肉鋼板。 - 特許庁

An erroneous work where an erroneous tool 14 is stored in a magazine 20, or the setting of the axial length of the tool 14 in the NC program P is mistaken is found, and the measures are taken before the problematic tool 14 is used for machining.例文帳に追加

これにより、マガジン２０に間違ったツール１４が収納されていたり、ＮＣプログラムＰ１におけるツール１４の軸長の設定が間違っていた等の作業ミスを見つけることができ、問題のツール１４が加工に使われる前に対処することができる。 - 特許庁

Depending on the regulation of the potential VDDH or VDDL and potential selection by the switch 1c-nc, reverse bias or forward bias is applied to the P-ch transistor 1a-na, thus attaining a large delay time or controlling the delay time finely.例文帳に追加

電位ＶＤＤＨまたは電位ＶＤＤＬの電位調整、およびスイッチ１ｃ〜ｎｃによる電位選択に応じて、Ｐ−ｃｈトランジスタ１ａ〜ｎａに逆バイアスまたは順バイアスをかけ、大きな遅延時間を得ることができると共に、遅延時間をきめ細かく制御することができる。 - 特許庁

Further, a switch SW composed of a P channel transistor connected between the anode (node NA) and cathode (node NC) of the boost capacitor is provided as a potential control means which holds the anode (node NA) at the potential of the cathode (node NA) when the boosting circuit is in operation.例文帳に追加

更に、この昇圧回路の動作時に前記ブースト容量のアノード（ノードＮＡ）の電位をカソード（ノードＮＣ）の電位と一致させる電位制御手段として、アノード（ノードＮＡ）とカソード（ノードＮＣ）との間に接続されたＰチャネルトランジスタからなるスイッチＳＷが設けられている。 - 特許庁

In an NC electric discharge machine provided with XY two axes, C axis table and a Z axis, a distance between a C axis rotating center O and a pore working central point P of the work is set R in setting the work on a rotating table and performing electric discharge machining of a pore at a designated position.例文帳に追加

ＸＹ２軸とＣ軸テーブルとＺ軸を備えるＮＣ放電加工機において、回転テーブル上に被加工物を設置し、指定位置に細穴を放電加工するとき、Ｃ軸回転中心Ｏと被加工物の細穴加工中心点Ｐとの距離をＲと設定する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion device comprises a plurality of cascade semiconductor elements each consisting of at least two p-type semiconductor elements Ph, Pc and n-type semiconductor elements Nh, Nc connected alternately in cascade, and opposing heat exchange substrates 1, 2 juxtaposed on the opposing surfaces such that the opposite ends of adjoining cascade semiconductor elements become different types of semiconductor element.例文帳に追加

熱電変換装置は、少なくとも２個のＰ型半導体素子Ｐｈ，Ｐｃ及びＮ型半導体素子Ｎｈ，Ｎｃを交互にカスケード接続してなる複数のカスケード半導体素子と、隣接するカスケード半導体素子同士の両端が異なる型の半導体素子となるように対向面に並設した対向する熱交換基板１，２を備える。 - 特許庁