PD-Nとは 意味・読み方・使い方

Respective output clocks DQSOUT of Slave DLLs (200-1 to 200-n) are fed back and inputted to a Master DLL (100), and phase comparisons (PD) with an output clock signal CLK0 of the Master DLL (100) are made on a time-division basis to detect phase errors.例文帳に追加

Slave DLL(200-1〜200-n)の各出力クロック信号DQSOUTはフィードバックされて、Master DLL(100)に入力され、時分割でMaster DLL(100)の出力クロック信号CLK0と位相比較(PD)されて位相誤差が検出される。 - 特許庁

A serial parallel converter 140 sequentially converts sample data SM into n-bits parallel data PD.例文帳に追加

シリアルパラレル変換器１４０は、サンプルデータＳＭをｎビットのパラレルデータＰＤに順次変換する。 - 特許庁

The n-type ZnO-based semiconductor layer 2 and the Pd layer 4a constitute a Schottky-barrier structure.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 - 特許庁

Moreover, gate electrodes of the PD reset switch Q105 and the transfer switch Q101 are arranged so as to contact with the same side of the n-layer 303 of the photodiode PD.例文帳に追加

また、ＰＤリセットスイッチＱ１０５と転送スイッチＱ１０１のゲート電極がフォトダイオードＰＤのｎ層３０３の同一の辺に接するように配置する。 - 特許庁

A diving circuit 32 injects an ink drop according to the jet pulse PD 1 from each nozzle N of a first nozzle train L1, and injects an ink drop according to the jet pulse PD 2 from each nozzle N of a second nozzle train L2.例文帳に追加

駆動回路３２は、第１ノズル列Ｌ1の各ノズルＮから噴射パルスＰD1に応じてインク滴を噴射させ、第２ノズル列Ｌ2の各ノズルＮから噴射パルスＰD2に応じてインク滴を噴射させる。 - 特許庁

Concurrently, each input power Pd of the digital sound signals r(n) and l(n) is detected by a power detecting section 24, and a rising transition of the input power Pd is detected by a rising transition detecting section 34.例文帳に追加

併せて、各ディジタル音響信号ｌ（ｎ）およびｒ（ｎ）の入力パワーＰｄが、パワー検出部２４によって検出され、この入力パワーＰｄの立ち上がりが、立ち上がり検出部３４によって検出される。 - 特許庁

The logarithmic exposure quantities PDX [i] corresponding to a plurality of objective densities TD [i] are respectively estimated on the basis of the density measured values D [n] of respective patches of a test chart and logarithmic exposure quantities PD [n] at a time of patch exposure recording [see (A)].例文帳に追加

テストチャートの各パッチの濃度測定値Ｄ[n],パッチ露光記録時の対数露光量ＰＤ[n] に基づき、複数の目標濃度ＴＤ[i] に対応する対数露光量ＰＤＸ[i] を各々推定する((A)参照）。 - 特許庁

In the peripheral region of a photodiode PD, a guard band region 34 is so formed as to cover the side face of an N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD.例文帳に追加

フォト・ダイオードＰＤの周辺部には、該フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３の側面を覆うようにガードバンド領域３４が形成されている。 - 特許庁