Sigeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 シリコンゲルマニウムとは、シリコンにゲルマニウムを組み合わせた半導体のことである。
「Sige」を含む例文一覧
該当件数 : 611件
The second semiconductor region is formed of SiGe or SiGeC.例文帳に追加
第2の半導体領域はSiGe若しくはSiGeCで形成する。 - 特許庁
The composition of the thin film 2 is SiGe, for example.例文帳に追加
薄膜2の組成としては、例えばSiGeである。 - 特許庁
The p-type dopant can be added to a gate electrode material coated on the layer of silicon or SiGe, and can diffuse toward the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加
p型ドーパントは、シリコン又はSiGe層に被覆するゲート電極材料に付加され得、シリコン又はSiGe層に向かって拡散し得る。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「Sige」の意味 |
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sigE
bacillus | 遺伝子名 | sigE |
同義語(エイリアス) | RNA polymerase sigma-E factor precursor; spoIIGB; Stage II sporulation protein GB; SigE; P31; Sigma-29; BSU15320 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P06222 | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | Subtilist:BG10235 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「Sige」を含む例文一覧
該当件数 : 611件
METHOD FOR DEPOSITING SiGe FILM例文帳に追加
SiGe膜の形成方法 - 特許庁
The SiGe layer comprises a polycrystalline Si region and an SiGe base region.例文帳に追加
SiGe層は多結晶Si領域及びSiGeベース領域を含む。 - 特許庁
The smaller the diffusion coefficient of B in the SiGe layer is the higher the Ge compsn. is.例文帳に追加
SiGe層中のBの拡散係数はGe組成が高いほど小さくなる。 - 特許庁
The dopant can have its peak concentration within the layer of silicon or SiGe near an interface with the underlying layer of the gate electrolyte material.例文帳に追加
このドーパントは、シリコン又はSiGe層の、下にあるゲート誘電体材料の層との界面近くのシリコン又はSiGe層内でピーク濃度を有し得る。 - 特許庁
An SiGe layer is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 having a selection ratio smaller than that of the SiGe layer is formed on the SiGe layer.例文帳に追加
Si基板1上にSiGe層を形成し、SiGe層よりもエッチングの選択比が小さなSi層5をSiGe層上に形成する。 - 特許庁
To suppress variations sof Ge concentration in a SiGe film and film thickness of the SiGe film in FET where the SiGe film is used for a channel region.例文帳に追加
SiGe膜をチャネル領域に用いるFETにおいて、このSiGe膜中のGe濃度及びSiGe膜の膜厚のばらつきを抑制する。 - 特許庁
An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加
Si基板1上にSiGe層3を形成し、SiGe層3上にSi層5を形成する。 - 特許庁
SiGe DEVICE INCLUDING SiGe-EMBEDDED DUMMY PATTERN FOR REDUCING MICRO LOADING EFFECT例文帳に追加
マイクロローディング効果を軽減するためのSiGe埋め込みダミーパターンを備えたSiGe装置 - 特許庁
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