current occupationとは 意味・読み方・使い方

To prevent malfunction without using a resistive element for malfunction prevention, and to provide a malfunction preventing circuit with a small occupation area on a chip in a semiconductor integrated circuit carrying out exchange of current signals.例文帳に追加

電流信号の受け渡しを行う半導体集積回路において、誤動作防止用の抵抗素子を用いることなく誤動作の防止が行え、かつチップ上の占有面積が少なくて済む誤動作防止回路を設ける。 - 特許庁

Various control of display on the displaying means enables a view of the trackball to facilitate the recognition of various information such as a current occupation state of the trackball.例文帳に追加

従って、表示手段の表示内容を種々制御することによって、トラックボールの現在の占有状態などのような各種の情報をトラックボールを見ることによって容易に認識することができるようになる。 - 特許庁

Since the magnitude of the constant current I4 at this time can be determined by a size ratio of NPN transistors Q4 and Q5, the occupation area on the chip can be reduced in comparison with carrying out malfunction prevention by using a resistive element.例文帳に追加

このときの定電流Ｉ４の大きさは、ＮＰＮトランジスタＱ４，Ｑ５のサイズ比で決めることができるので、抵抗素子を用いて誤動作防止を図る場合と比較してチップ上の占有面積を減らすことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting ESD that restrains an off leak current without increasing processes and occupation areas and has a shallow trench separation structure having sufficient ESD protection functions.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の大きな増加なくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting ESD that restrains an off leak current without increasing processes and occupation areas and has a shallow trench separation structure having sufficient ESD protection functions.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を得る。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which is high in reliability by reducing a leak current flowing along a side end of a ferroelectric film and flowing between an upper electrode and a lower electrode while avoiding an increase of occupation surface area of a capacitive element.例文帳に追加

容量素子の占有面積を増大させることなく、強誘電体膜の側端部を伝わって上部電極と下部電極との間に流れるリーク電流を低減し、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an NMOS transistor for ESD protection in the shallow trench isolation structure having sufficient ESD protecting function through suppression of an off-leak current to a small value without increase in the manufacturing steps and occupation area.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To display a degree of separation from a set value of 3σ obtained by processing statistically a frequency count value of an alternating current power source to be alarmed, to display a voltage distortion rate and an occupation rate of higher harmonics, and to make the quality of the power source clear.例文帳に追加

交流電源の周波数カウント値を統計処理して得られる３σ値の設定値からの乖離の程度を表示・警報すると共に、電圧歪み率と高調波の占有率を表示し、電源の品質を明らかにすることにある。 - 特許庁