er gateとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

After that, in each gate electrode, source region, and drain region of N-channel type MISFET and P-channel type MISFET, silicidation (at least one of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er is included) is performed.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

The ER signal is branched and inputted to a NOT gate 14, the output therefrom is inputted to an OR gate 15 together with an SD signal and the logical sum thereof is inputted to a CPU 16 together with RS, CS and RD.例文帳に追加

ＥＲ信号を分岐させてＮＯＴゲート14に入力し、その出力をＳＤ信号と共にＯＲゲート15に入力し、その論理和を、ＲＳとＣＳ、ＲＤと共にＣＰＵ16に入力する。 - 特許庁

To provide a method and a system for dry etching and a method and a system for forming a gate electrode in which excellent shape controllability of a metal layer is exhibited in etching and ER microloading can be suppressed sufficiently.例文帳に追加

エッチングにおけるメタル層の形状制御性に優れると共に、ＥＲマイクロローディングを十分に抑制できるドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulation film 3 is formed by adding a light emitting substance, e.g. a semiconductor nanocrystal of Si, SiGe or Ge, polycrystal or microcrystal of a direct transition semiconductor, a rare earth element of Er or Eu, or a fluorescent substance of ZnS:Mn, or the like.例文帳に追加

ここで、ゲート絶縁膜３は、内部に発光物質、具体的にはＳｉ，ＳｉＧｅ，Ｇｅなどの半導体ナノクリスタル、直接遷移型の半導体の多結晶や微結晶、Ｅｒ，Ｅｕなどの希土類元素、ＺｎＳ：Ｍｎなどの蛍光物質が添加されて形成されている。 - 特許庁

In an insulating gate type semiconductor device 1 having a current density of ≥1,600 A/cm^2, a metal plate 8 is used as a means for connecting an electrode 2 covering the surface of an element region er with leads 13, 14, 15 and a fixing area of the electrode and the metal plate is 25% or larger in an area of an overlapping part 2o of the electrode.例文帳に追加

１６００Ａ／ｃｍ^２以上の電流密度を有する絶縁ゲート型半導体装置１において、素子領域ｅｒの表面を覆う電極２とリード１３、１４、１５との接続手段接続手段として金属プレート８を用い、電極と金属プレートとの固着面積を電極の重畳部２ｏの面積の２５％以上とする。 - 特許庁