h crとは 意味・読み方・使い方

In the formed body for insect pest control of a non-heating type, an ester compound expressed by formula (1) [wherein R^1 expresses H or methyl; R^2 expresses methyl or CH=CR^21R^22 (R^21 and R^22 express each H, methyl or Cl); R^3 expresses H, methyl or methoxymethyl] is held in a polymer composition.例文帳に追加

高分子組成物に、式（１）〔式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基、Ｒ^２はメチル基又はＣＨ＝ＣＲ^２１Ｒ^２２（Ｒ^２１，Ｒ^２２は水素原子、メチル基又は塩素原子を表す。）Ｒ^３は水素原子、メチル基又はメトキシメチル基を表す。 - 特許庁

The polymer (H) has a reactive silicon-containing group represented by general formula (6):-CHR^13CR^13_2-SiR^2_c(CR^1_3-bY_b)_aZ_3-a-c.例文帳に追加

一般式（６）：−ＣＨＲ^１３ＣＲ^１３_２−ＳｉＲ^２_ｃ（ＣＲ^１_３−ｂＹ_ｂ）_ａＺ_３−ａ−ｃ （６）の反応性ケイ素含有基を有する重合体（Ｈ）。 - 特許庁

k satisfies k=(2 mE/(h/2π)^2)^0.5, where m represents the mass of electron, E represents the energy level of trap of the tunnel insulating film, h represents Planck's constant, and π represents circular constant.例文帳に追加

なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)^2)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。 - 特許庁

At the H plane T branches, a rod type matching element 10 is provided which are positioned on planes Ca, Ct, and Cr, which are perpendicular to the branch directions of the waveguides 1A, 1T, and 1R and include branch axes, and connects the internal walls of both the H planes of the waveguides 1A, 1T, and 1R.例文帳に追加

各Ｈ面Ｔ分岐において、導波管１Ａ，１Ｔ，１Ｒの分岐方向に垂直であって分岐軸を含む面Ｃａ，Ｃｔ，Ｃｒ上に位置し、且つ、導波管１Ａ，１Ｔ，１Ｒそれぞれの両Ｈ面の内壁同士を結ぶ棒状の整合素子１０が設けられている。 - 特許庁

The copper alloy material for electric and electronic parts in the second invention contains appropriate amounts of Cr, Ti and Si, the regulated content of O and H, and the balance consisting of Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

また、本願第２発明の電気電子部品用銅合金材は、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｉを適量含有し、Ｏ及びＨの含有量を規制し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁

In the method for producing a Co-Cr based alloy single crystal for an implant member using a Bridgman method, a Co-Cr based alloy having a prescribed composition is melted at 1,500 to 2,050°C, and crystal growing is performed at a growing rate of 1.0 to 500 mm/h under the condition that the temperature gradient is ≥0.5°C/mm.例文帳に追加

ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。 - 特許庁

The light receiving apertures of the monitor photometric parts PD2 are arranged in crossing parts CR between vertical gaps V and horizontal gaps H of the two-dimensional array of photoelectric conversion parts PD1 to reduce the loss of light reception in the photoelectric conversion parts.例文帳に追加

このモニタ測光部ＰＤ２の受光開口を、光電変換部ＰＤ１の２次元配列の縦ギャップＶと横ギャップＨとの交差箇所ＣＲに配置することで、光電変換部の受光損失を軽減する。 - 特許庁

The fluorine-containing compound is represented by the formula: CR^f1R^f2R^f3-(CH_2)_nOCOC(R^1)=CH_2( R^f1 to R^f3 are each a 1-20C R^f group, or the like; R^1 is H or methyl; and (n) is 1 or 2 ).例文帳に追加

ＣＲ^ｆ１Ｒ^ｆ２Ｒ^ｆ３−（ＣＨ_２）_ｎＯＣＯＣ（Ｒ^１）＝ＣＨ_２（Ｒ^ｆ１〜Ｒ^ｆ３は炭素数１〜２０のＲ^ｆ基等、Ｒ^１は水素原子またはメチル基、ｎは１または２。）で表される含フッ素化合物。 - 特許庁