hole Nとは 意味・読み方・使い方

A bolt 21b-(n+1) mounted in a diagonal bolt segment 1-n is inserted into the bolt hole 5b-(n+1), and a bolt 17a-(n+1) mounted in a diagonal bolt segment 1-(m+1) is inserted into the bolt hole 5a-(n+1).例文帳に追加

斜ボルトセグメント１−ｎに取り付けられたボルト２１ｂ−（ｎ＋１）をボルト用穴５ｂ−（ｎ＋１）に、斜ボルトセグメント１−（ｍ＋１）に取り付けられたボルト１７ａ−（ｎ＋１）をボルト用穴５ａ−（ｎ＋１）に挿入する。 - 特許庁

The nut N is vibrated, and the threaded hole of the vibrating nut N is irradiated with laser slit light L, and the inner diameter of the threaded hole is inspected based on a peak value of the quantity of the laser slit light L passing the threaded hole.例文帳に追加

ナットＮに振動を与え、その振動するナットＮのねじ孔にレーザスリット光Ｌを照射し、ねじ孔を通過したレーザスリット光Ｌの光量のピーク値に基づいてねじ孔の内径を検査する。 - 特許庁

This part assembling method for a workpiece includes: a process of heating the hole part Wa in a workpiece having the hole part Wa to which a part N is assembled by a heating means 2; and a process of inserting the part N in the heated hole part Wa and assembling it.例文帳に追加

部品Ｎが組み付けられる孔部Ｗａを有するワークＷにおける該孔部Ｗａを加熱手段２により加熱する工程と、前記加熱された孔部Ｗａに前記部品Ｎを挿入して組み付ける工程とを備える。 - 特許庁

A first contact hole 9 is formed on an interlayer insulating film 8 covering the N+type source layer 7, and a part of the N+type source layer 7 is exposed.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層７上を被覆する層間絶縁膜８に第１のコンタクトホール９を形成し、Ｎ＋型ソース層７の一部を露出する。 - 特許庁

An n-side electrode 17 with a pin hole 17a formed in its center part is formed on the n-type semiconductor layer 13 and the reflection layer 16.例文帳に追加

ｎ型半導体層１３および反射層１６上に中央部にピンホール１７ａを有するｎ側電極１７を形成する。 - 特許庁

The nitride film is formed on the surface of the through hole by touching mixture gas of a compound containing N and Si or Al, or a compound containing N and a compound containing Si or Al to a heated catalyst and touching chemical species produced through catalytic cracking reaction to the through hole.例文帳に追加

この窒化膜は、NとＳｉ又はＡｌを含む化合物、又はNを含む化合物及びＳｉ又はＡｌを含む化合物の混合気体を加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を、前記貫通孔に触れさせ、該貫通孔表面上に形成される。 - 特許庁

An assembly hole 41 and at least two different magnetic poles N, S are formed in a flake-like magnet 4.例文帳に追加

薄片状磁石４には組立孔４１と少なくとも二個の相異の磁極Ｎ、Ｓが形成される。 - 特許庁

Then, a resist layer 15 is formed which covers the exposed N^+ layer 8 in the contact hole 13.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１３内で露出したＮ^＋層８を被覆するレジスト層１５を形成する。 - 特許庁