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l-Blとは 意味・読み方・使い方
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「l-Bl」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
During a reading operation, the cell voltage of an L bit line for outputting L data of the bit lines BL and XBL are made lower than the cell voltage Vcc of a side for outputting H data in conjunction with a reduction in potential of the L bit line.例文帳に追加
読出し動作時には、ビット線BL,XBL のLデータを出力するLビット線のセル電圧を、Lビット線の電位低下に連動して、Hデータを出力する側のセル電圧Vccよりも低下させる。 - 特許庁
The decoupling transistors QD0, QD1 electrically disconnect the bit lines BL and /BL when gate signals ϕ0, ϕ1 become "L".例文帳に追加
デカップリングトランジスタQD0、QD1は、ゲート信号φ0、φ1が“L”となることにより、ビット線BL、/BLを電気的に切断する。 - 特許庁
During a writing operation, the cell voltage of the L bit line for writing L data of the bit lines BL and XBL is made lower than the cell voltage Vcc of the side for outputting the H data in conjunction with a reduction in bit line potential during writing of L bit data.例文帳に追加
書込み動作時には、ビット線BL,XBL のLデータを書き込むLビット線のセル電圧を、Lビットデータの書込み時のビット線電位の低下に連動して、Hデータを出力する側のセル電圧Vccよりも低下させる。 - 特許庁
On the other hand, when stored data in the memory cell C is at a 'L' level, a capacitor is not connected between the bit line BL and the word line LWL.例文帳に追加
一方、記憶データが「L」レベルであるとき、ビット線BL及びワード線LWL間にコンデンサは接続されない。 - 特許庁
In the case where "1" data are being stored in a memory cell MC, a bit line BL is driven to "H" level (control line driving potential VBL) and a bit line/BL is driven to "L" level (reference potential) when a sensing operation is completed.例文帳に追加
メモリセルMCに「1」データが記憶されている場合には、センス動作が完了すると、ビット線BLは「H」レベル(制御線駆動電位VBL)、ビット線/BLは「L」レベル(基準電位)に駆動される。 - 特許庁
This DRAM is provided with a driver circuit 22 provided commonly to a plurality of columns and reducing a level of either bit line of bit lines BL, /BL selected conforming to a potential of write-data lines WDL, /WDL to a 'L' level.例文帳に追加
このDRAMは、複数列に共通に設けられ、ライトデータ線WDL,/WDLの電位に従って、選択されたビット線BL,/BLのうちのいずれか一方のビット線を「L」レベルに引き下げるドライバ回路22を備える。 - 特許庁
A domain L and a domain E of a mainstream are set, the domain L including the solid wall 1, the fluid 2, and a coat 3, with the fluid 2 having a boundary layer thickness of the order of δ or less from the surface of the solid wall 1 while the domain E including a boundary layer BL.例文帳に追加
固体壁1とこの固体壁1の表面から境界層厚さδ程度以下までの流体2と皮膜3とを含む領域Lと、境界層BLを含む主流の領域Eとを設定する。 - 特許庁
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該当件数 : 15件
The photochemical cell includes: a photoelectric conversion element containing an unsymmetrical two nucleus metal complex shown by a formula (L^1)_2M^1(BL)M^2(L^2)_2(X)_n; and an electrolyte containing pyridine and/or a pyridine delivertive.例文帳に追加
一般式:(L^1)_2M^1(BL)M^2(L^2)_2(X)_nで示される非対称な二核金属錯体を有する光電変換素子とピリジン及びまたはピリジン誘導体を含有する電解質から構成された光化学電池に関する。 - 特許庁
This device is provided with a memory cell 1 holding ternary data of H, M, L, sense amplifiers 18a, 18b, a pair of bit line BL, /BL, sense amplifier side bit lines BL1, BL2 being nodes for holding data, sense amplifier side bit lines /BL1, /BL2 being nodes for referring, and transfer gates 16, 17, 19.例文帳に追加
H,M,Lの3値データを保持できるメモリセル1と、センスアンプ18a,18bと、ビット線対BL,/BLと、データ保持用ノードとなるセンスアンプ側ビット線BL1,BL2と、参照用ノードとなるセンスアンプ側ビット線/BL1,/BL2と、各トランスファーゲート16,17,19とを備えている。 - 特許庁
In this semiconductor memory, the sense amplifier circuit amplifying a potential of bit lines BL, /BL in a memory cell array is constituted of a current mirror type amplifier(C-AMP) and a latch type amplifier(L-AMP) connected to the next stage of the sense amplifier.例文帳に追加
一方、ラッチ型センスアンプ回路は、高速で低消費電流であるという利点を有するものの、ビット線対の微小振幅をラッチ回路1段で増幅するため、プロセスばらつきによりセンスアンプ回路を構成するMOSFETの特性がばらついたり内部ノードの寄生容量がアンバランスになると、安定した動作特性が得られ難いという問題点があった。 - 特許庁
The binuclear metal complex pigment solution is stable against light and electrically and contains a metal complex pigment solution prepared by dissolving an asymmetric binuclear metal complex having a gas generating temperature of 280°C or higher and expressed by general formula: (L^1)_2M^1(BL)M^2(L^2)_2(X)_n and semiconductor particles prepared.例文帳に追加
ガス発生温度が280℃以上であることを特徴とした、一般式:(L^1)_2M^1(BL)M^2(L^2)_2(X)_nで示される非対称な二核金属錯体を溶解した金属錯体色素溶液および作製した半導体微粒子を含む、光及びかつ電気的に安定な二核金属錯体色素溶液。 - 特許庁
To secure a sufficient data holding time by shortening a period in which a bit line BL and a reference bit line ZBL are kept at a L level in a semiconductor memory provided with a memory cell storing data.例文帳に追加
本発明はデータを記憶するメモリセルを備える半導体記憶装置に関し、ビット線BLやリファレンスビット線ZBLがLレベルに維持される期間を短縮することで十分なデータ保持時間を確保することを目的とする。 - 特許庁
A winding-up height Lc from a bead base line BL of the winding part 12 is lower than 60% of a tire cross-section height L, and a winding-down height Ld of the inner end of the main body 13 is lower than 60% of a height L1 of the bead apex rubber 8.例文帳に追加
前記巻上げ部12のビードベースラインBLからの巻上げ高さLcは、タイヤ断面高さLの60%以下、かつ前記本体部13の内端の巻下ろし高さLdは、前記ビードエーペックスゴム8の高さL1の60%以下とする。 - 特許庁
This aliphatic polyester fiber is characterized in that the fiber comprises an aliphatic polyester having 1.30-1.50 refractive index of polymer and ≥130°C melting point and provides a dyed fiber structure having a specific relation between a lightness L* value and a chroma C* value when dyed by using a disperse dye Kayalon Polyester Rubine BL-S 200.例文帳に追加
ポリマーの屈折率が1.30〜1.50であり、融点が130℃以上である脂肪族ポリエステルからなり、分散染料Kayalon Polyester Rubine BL−S 200を用いて染色した際に、染色された繊維構造物の明度L*値と彩度C*値の間に特定の関係が存在することを特徴とする脂肪族ポリエステル繊維。 - 特許庁
The operation plan of the required number of transfer cranes TC in a container yard CY constituted of the required number of lanes L which are respectively constituted of the required number of cargo blocks BL is made based on inference like retrieval under a prescribed constraint condition, and the most efficient operation plan fulfilling the constraint condition is selected so that the transfer cranes TC can be operated.例文帳に追加
所要数の貨物ブロックBLからなるレーンLを所要数備えるコンテナヤードCYにおけるトランスファクレーンTCの運用計画であって、所要数のトランスファクレーンTCの運用計画を所定の制約条件の下に探索的推論により行い、前記制約条件を満足する運用計画中で最も効率的なものを選択してトランスファクレーンTCを運用するものである。 - 特許庁
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