n liとは 意味・読み方・使い方

The error Ej of the focus pixel is stored as a value obtained by adding Li and 2N-K/2 being an error bias D.例文帳に追加

フォーカスピクセルの誤差Ｅ_jは、Ｌ_iと誤差バイアスＤである２^N-K／２を加算したものとして記憶される。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

During cooling of the structure 15 and 17 produced in this way, the Li(Al, Ga)O_x substrate 7 completely or largely flakes off the III-N layers 15, or residues 7' can be removed if necessary, by using etching liquid, such as aqua regia.例文帳に追加

このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 - 特許庁

Alternatively, the BeMgZnSe clad layer or the ZnMgSSe clad layer is doped with Cl, Br, or I as an n-type dopant together with Li as a p-type dopant, wherein the ratio of Cl, Br, or I to Li is set at 0.1 to 0.7:1.例文帳に追加

またはｐ型ドーパントであるＬｉに、ｎ型ドーパントのＣｌ、Ｂｒ、Ｉを０．１〜０．７の割合でＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層あるいはＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に共ドープする。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond contains Li and N in an amount of ≥10 ppm, respectively, at the same depth from the crystal surface and has a sheet resistance of ≤10^7 Ω/square.例文帳に追加

本発明のｎ型半導体ダイヤモンドは、ＬｉとＮが結晶表面から同じ深さにそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有しており、シート抵抗が１０^７Ω／□以下である。 - 特許庁

A luminance comparison part 26 calculates the luminance mean value Lx of the whole image data and luminance mean values Li (i=1 to n) of the respective pieces of partial image data.例文帳に追加

輝度比較部２６は、画像データ全体の輝度平均値Ｌｘと、各部分画像データの輝度平均値Ｌｉ（ｉ＝１〜ｎ）とを算出する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a positive electrode mix containing a positive active material and lithium carbonate and an electrolyte containing LiPF6 and further at least one kind selected from the groups of LiBF4, imide-based lithium salt and Li(C2F5)nPF6-n (n=1 to 6).例文帳に追加

非水電解質二次電池において、正極合剤が正極活物質と炭酸リチウムを含み、電解液がＬｉＰＦ_6を含み、さらにＬｉＢＦ_4、イミド系リチウム塩、Ｌｉ（Ｃ_2Ｆ_5）_nＰＦ_6-n（但し、ｎ＝１〜６）からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む。 - 特許庁

The location of the defective part of a relay transmission system 100, having plural relay systems Yi(i=1 to n) serially connected through outgoing transmission lines Li(i=0 to n) and incoming transmission lines Ui(i=0 to n) is executed by a maintenance testing device X and a maintenance return device Z.例文帳に追加

下り伝送路Ｌ_i （ｉ=０、〜ｎ）と上り伝送路Ｕ_i （ｉ=０、〜ｎ）により直列接続された複数の中継装置Ｙ_i （ｉ=１、〜ｎ）を有す中継伝送システム１００の障害箇所の特定を、保守試験装置Ｘと保守折返装置Ｚとで実行する。 - 特許庁