sin canとは 意味・読み方・使い方

Therefore, the height of the reticle 1' can be measured as h=x/(k×sin θ).例文帳に追加

従って、レチクル１’の高さは、ｈ＝ｘ／（ｋ・sinθ）として測定できる。 - 特許庁

The capacitor can be formed by forming an upper electrode 15 above the SiN.例文帳に追加

その上部に上部電極１５を形成してキャパシタが形成できる。 - 特許庁

I'm asking if it's a sin to have worked day and night, so that his child can get a better education than himself?例文帳に追加

子供に自分より勉強させようと昼夜なく働いたのが罪なの? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

To prevent a short line occurring when a SiN film cannot be made to open completely by via etching having improved sticking force, by using a Ta/TaN film instead of the SiN film as a capping film, and to provide a method for fabricating a copper interconnect which can eliminate increasing elements of a dielectric constant.例文帳に追加

本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのことで、 SiN膜代わりにTa/TaN膜をキャッピング膜で使うことで、付着力が向上してビア蝕刻でSiN膜をまったくオープンさせることができなくて発生する短線を防止する事だけではなく、誘電定数の増加要素を無くすことができる銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.例文帳に追加

シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a power device the manufacturing yield of which can be improved by preventing the occurrence of short-circuiting failure in an element caused by the cracks in an SiN film formed on the outer periphery of a chip area by making the SiN film hardly develop cracks.例文帳に追加

チップ領域外周部上のＳｉＮ膜にクラックが発生し難くなり、ＳｉＮ膜のクラックに起因する素子の短絡不良の発生を防止し、製造上の歩留りを向上させ得るパワーデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can form an embedded SiN film by applying a bias power, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁