「sin can」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

No act done in service of the lord can ever be called a sin.例文帳に追加

主のために行われた事は、 決して罪にはならない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

No act done in service of the lord of light can ever be a sin.例文帳に追加

光の主のためになされた行動は罪にはなり得ない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Therefore, the height of the reticle 1' can be measured as h=x/(k×sin θ).例文帳に追加

従って、レチクル１’の高さは、ｈ＝ｘ／（ｋ・sinθ）として測定できる。 - 特許庁

The capacitor can be formed by forming an upper electrode 15 above the SiN.例文帳に追加

その上部に上部電極１５を形成してキャパシタが形成できる。 - 特許庁

I'm asking if it's a sin to have worked day and night, so that his child can get a better education than himself?例文帳に追加

子供に自分より勉強させようと昼夜なく働いたのが罪なの? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

To prevent a short line occurring when a SiN film cannot be made to open completely by via etching having improved sticking force, by using a Ta/TaN film instead of the SiN film as a capping film, and to provide a method for fabricating a copper interconnect which can eliminate increasing elements of a dielectric constant.例文帳に追加

本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのことで、 SiN膜代わりにTa/TaN膜をキャッピング膜で使うことで、付着力が向上してビア蝕刻でSiN膜をまったくオープンさせることができなくて発生する短線を防止する事だけではなく、誘電定数の増加要素を無くすことができる銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.例文帳に追加

シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a power device the manufacturing yield of which can be improved by preventing the occurrence of short-circuiting failure in an element caused by the cracks in an SiN film formed on the outer periphery of a chip area by making the SiN film hardly develop cracks.例文帳に追加

チップ領域外周部上のＳｉＮ膜にクラックが発生し難くなり、ＳｉＮ膜のクラックに起因する素子の短絡不良の発生を防止し、製造上の歩留りを向上させ得るパワーデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can form an embedded SiN film by applying a bias power, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Oxidation of Cu in Cu wiring 14 can be prevented by reducing species, and Si in the SiN tin film can be heat-oxidized by such a heat treatment.例文帳に追加

このような熱処理によれば、還元種によってＣｕ配線１４中のＣｕの酸化を防止でき、かつ酸化種によってＳｉＮ薄膜１５中のＳｉを熱酸化できる。 - 特許庁

But there is another world I do not wish to live in, a world in which independent thinking is despised and the finest things we can experience denounced as sin.例文帳に追加

私には 住みたくない 世界があります 身体と思考を 悪者に仕立て 体験しうる最良のものに 罪の 烙印を押す世界 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Accordingly, the layer similar to the SiC film formed on the surface of the SiN film 8 can be removed in the etching process of the second BPSG film 9 as the upper layer and the SiN film 8 and the first BPSG film 7 as the lower layer thereof can be etched without any residue.例文帳に追加

これにより、上層の第２のＢＰＳＧ膜９のエッチング工程でＳｉＮ膜８の表面部に形成されたＳｉＣ膜類似層を除去することが可能になり、ＳｉＮ膜８およびその下層の第１のＢＰＳＧ膜７を残渣なくエッチングすることが可能になった。 - 特許庁

Further, the diffusion of Na can be prevented by using an Al based material for the wiring material and SiN for the inter-layer insulation layer.例文帳に追加

さらに、配線材料にＡｌ系材料を用い、さらに層間絶縁層にＳｉＮを用いることによりＮａの拡散を防止することができる。 - 特許庁

The inorganic film 302 can be one film selected from a group of SiO_2 film, SiN film, SiC film, SiOC film and SiCN film.例文帳に追加

また、無機膜３０２は、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜およびＳｉＣＮ膜よりなる群から選ばれるいずれか１の膜とすることができる。 - 特許庁

A dielectric film having light transmissivity and heat radiation effect can be made by using dielectric in which SiN and Al are mixed appropriately, and especially when the AlSiN is used as the dielectric film of the light incident side, heat generated by irradiation of a laser beam can be discharged also to the dielectric side, then, rewriting durability is improved.例文帳に追加

SiNと、Alを適度に混ぜ合わせた誘電体を用いることによって、光透過性と、放熱効果をもった誘電体膜となり、特に、このAlSiNを光入射側の誘電体膜として用いると、レーザー光の照射によって発生した熱は誘電体側にも逃げることができ、書き換え耐久性が向上する。 - 特許庁

Since the SiO2 film is formed between the SiN film 34 and the ITO film 36, peelings caused on the interface between the silver alloy film 33 and the SiN film 34 due to stresses produced by heat, etc., in the production process can be prevented.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３４とカラーフィルタ電着用ＩＴＯ膜３６との間に、ＳｉＯ_2膜を形成することによって、製造工程で受ける熱などによって発生する応力で、銀の合金膜３３とＳｉＮ膜３４との界面に生じる剥離を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can prevent a problem in the dual damascene process that, when an SiN film is formed on the wiring including copper hillock, it is formed in unequal thickness, giving a physical and chemical damage resulting from break of SiN film during the process to the wiring.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおいて銅ヒロックを有する配線上にＳｉＮ膜を形成すると不均一な膜厚となり、工程中のＳｉＮ膜破れに起因する物理的化学的ダメージを配線に与えてしまうのを防止できる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Then, a switch circuit 46 connected to the second MOS transistor Q12 is on/off controlled based on an input signal Sin so that the output currents Iout can be on/off controlled.例文帳に追加

そして、入力信号Ｓinに基づいて第２のＭＯＳトランジスタＱ１２に接続したスイッチ回路４６をオン・オフ制御して出力電流Ｉout をオン・オフ制御する。 - 特許庁

The Ir_x nanostructure can be partially covered by an electrical insulator (e.g. SiO_2, SiN, TiO_2, or spin-on glass (SOG)).例文帳に追加

ＩｒＯ_Ｘナノ構造体は、末梢端部を露出したままの状態で、電気絶縁体（例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、またはスピンオングラス（ＳＯＧ））によって部分的に覆われ得る。 - 特許庁

More preferably, the metal nitride film 3 contains AlN and/or SiN as principal components and can be deposited at a temperature of transparent substrate 2 of 40°C or less by a chemical vapor deposition (CVD) method.例文帳に追加

更に好ましくは、該金属窒化物膜３が、ＡｌＮ及び／又はＳｉＮを主成分とし、化学気相成長（ＣＶＤ）法により、透明基板２の温度を４０℃以下で形成される。 - 特許庁

Since the inclining angle of the piece 3 is suppressed to 2° at the maximum, a lateral length (b) of the piece 3 can be decided with respect to a thickness (a) of the solder 4 to be used according to a/b=sin 2°.例文帳に追加

短絡片３の傾き角を最大でも２°に抑えるため、使用する半田４の厚さａに対して、短絡片３の横の長さｂを、ａ／ｂ＝ｓｉｎ２°に基づいて決める。 - 特許庁

The logic circuit LC can be surely operated in response to the leading edge of the input signal Sin, and the RS flip-flop FF1 is reset in response to the output signal Sout of the logic circuit LC.例文帳に追加

入力信号Ｓ_inの立ち上がりエッジに応じて論理回路ＬＣが確実に動作でき、当該論理回路ＬＣの出力信号Ｓ_out に応じてRSフリップフロップFF１がリセットされる。 - 特許庁

Accordingly, the rotational angle of the object to be measured can be detected precisely, even when the error signal (waveform distortion) between the SIN signal and the COS signal is generated.例文帳に追加

よって、前記ＳＩＮ信号とＣＯＳ信号との間に誤差信号（波形歪み）が生じている場合でも、被測定物の回転角度を高精度に検出することが可能となる。 - 特許庁

With this constitution, a magnetic reluctance of a magnetic circuit can be reduce, and further eddy currents sin the bobbins 131b and 132b can be avoided, while temperature rises of excitation coils 131a and 312a are suppressed, so that efficiency of a linear vibration actuator can be improved.例文帳に追加

これにより、磁気回路の磁気抵抗を小さくすることができるとともに、励磁コイル１３１ａ、１３２ａの温度上昇を抑制しつつ、ボビン１３１ｂ、１３２ｂに渦電流が流れることを防止できるので、リニア振動アクチュエータの効率を向上させることができる。 - 特許庁

Since cos(x) and sin(x) are signals showing the displacement x, a scale relative to a head part, namely, relative displacement information in the X-axis direction of a moving body can be acquired from the values.例文帳に追加

このｃｏｓ（ｘ）、ｓｉｎ（ｘ）は、変位ｘを表す信号であるので、これらの値から、ヘッド部に対するスケール、すなわち移動体のＸ軸方向の相対変位情報を取得することができる。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent which can be hydrophobized to a high degree even in the case of the material of a substrate surface being TiN or SiN, and surface treatment method using such a surface treatment agent.例文帳に追加

基板表面の材質がＴｉＮ又はＳｉＮである場合であっても高度に疎水化することのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage element that can accumulate and erase electric charge with higher efficiency than a conventional charge storage film using SiN, and holds the accumulated electric charge for a long time, and to provide a method of manufacturing the semiconductor storage element.例文帳に追加

従来のＳｉＮを用いた電荷蓄積膜に比べ、高効率に電荷を蓄積および消去でき、かつ、蓄積した電荷を長時間保持する半導体記憶素子、半導体記憶素子の製造方法を得る。 - 特許庁

Especially, in case of forming the semiconductor device, the SiN layer can be etched by the steps of: forming a groove sidewall with a high aspect ratio in a narrow space; and forming an embedding-type bit line.例文帳に追加

特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 - 特許庁

Since the SiN film 21 can suppress cutting-through of the fluorine, starting from the fluorine added carbon film 20 to the hard mask layer and the SiCN film 22 can suppress oxidation of the fluorine added carbon film 20, when film formation process of the hard mask layer, the film exfoliation of the hard mark layer and the barrier layer, after heat treatment can be suppressed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２１によりフッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けが抑えられ、ＳｉＣＮ膜２２によりハードマスク層の成膜プロセス時のフッ素添加カーボン膜２０の酸化を抑えることができるので、熱処理後のハードマスク層やバリア層の膜剥がれを抑えることができる。 - 特許庁

Therefore, transmission the SIN signal is performed by only one signal line L1, and the wiper controller 100 does not require a micro computer, and can be composed of a duty oscillation circuit 110 or the like as an analog signal generation circuit, so that load on the hardware and software does not increase and installability of the auto wiper system on the vehicle can be improved.例文帳に追加

このため、ＳＩＮ信号の送信が信号線Ｌ1 の１本のみで構成され、ワイパコントローラ１００側ではマイクロコンピュータを必要とせず、アナログ信号発生回路としてのデューティ発振回路１１０等にて構成でき、ハード及びソフトの負荷が増大しないため、オートワイパシステムの車両への搭載性が向上される。 - 特許庁

Light collection efficiency can easily be improved by reducing the influence of an error by using an optical fiber characterized in that the area of an incidence surface Sin is made larger than the area of projection surfaces Sout and the plurality of projection surfaces are provided for the single incidence surface.例文帳に追加

入射面Ｓｉｎの面積が、出射面Ｓｏｕｔの面積よりも大きく、単数の入射面に対して、複数の出射面を有する光ファイバを用いることで、誤差の影響を受けにくくして集光効率を向上させることが容易にできる。 - 特許庁

As described above, because he was a foster brother to Yodo-dono, it is likely that their relationship was extremely close; however, with the decline of the fortune of the Toyotomi family and the accompanying 'futility of ruin,' it can also be thought that the rumors of the sin of adultery were created with a view to casting him as an evil person (from a Confucian sense of resignation). 例文帳に追加

前述の通り、淀殿の乳兄弟に当たるために両者の仲が極めて親密であったことと、豊臣家を滅ぼした「亡国の徒」として、彼を（儒教の観念から）悪人たらしめる為に姦通という罪をでっち上げるという意味合いから噂されたものと考えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a structure that can detect at inspection in a factory the presence or absence of a pin hole of a sealing film such as SiN of an organic EL display device of solid sealing type, in which the influence of incoming moisture is prevented by covering an organic EL layer with the sealing film.例文帳に追加

有機ＥＬ層をＳｉＮ等の封止膜で覆うことによって、外部からの水分の影響を防止する固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置において、封止膜におけるピンホールの存在の有無を工場内の検査で検出することが出来る構成を実現する。 - 特許庁

In short, coordinate values X, Y posterior to a coordinate transformation can be calculated with simple equations such as X=βx-αy, Y=αx+βy by using a correction factor for coordinate transformation α corresponding to the sin value of the rotational angle θ of the map and a correction factor for coordinate transformation β corresponding to the cos value of the rotational angle θ of the map.例文帳に追加

つまり、地図の回転角θのｓｉｎ値に対応する座標変換用補正係数α、ｃｏｓ値に対応する座標変換用補正係数βを用いて、変換後の座標値Ｘ，ＹがＸ＝βｘ−αｙ，Ｙ＝αｘ＋βｙという簡素な式にて算出できる。 - 特許庁

Thus, a state change on the surface of the nitride semiconductor and a change in a charging state of the surface defect level caused by the presence of hydrogen in the SiN protection film 180 are suppressed so that the gate leakage current and current collapse can be suppressed to a level for satisfying the high characteristic requirement of the commercial level.例文帳に追加

これによりＳｉＮ保護膜１８０中に水素が存在することで生じる窒化物半導体表面の状態変化と表面欠陥準位の荷電状態の変化が抑制され、ゲート漏れ電流と電流コラプスとをコマーシャルレベルの高い特性要求を満足するレベルまで抑制することが可能となる。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

It is said that although Gaki in Buddhism has a burning tongue because of the sin of having told a lie in life so that he cannot drink or eat because everything in his mouth is burned away, the water through Jizo Bosatsu's mercy can reach Gaki's throat and he can interrupt suffering for a while (during which people pray for Gaki to become Buddha by reading mass and reciting sutras with great virtue as part of the Hungry Ghosts' Feeding Festival). 例文帳に追加

仏教上における餓鬼は、生前嘘を他言した罪で燃える舌を持っており、口に入れた飲食物は炎を上げて燃え尽き飲み食いすることは出来ないが、地蔵菩薩の慈悲を通した水は餓鬼の喉にも届き、暫くの間苦しみがとぎれると言われている（その間に供養を捧げたり得の高い経文を聞かせたりして成仏を願うのが施餓鬼の法要の一端でもある）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since most electrons that move from the gate 160 to LDD regions 112 and 122 are accumulated in the SiN films 132, 142, 172, and 182 at electron accumulation operation, a current value reading when the charging region is charged can be reduced close to 0 ampere, resulting in improving a reading margin.例文帳に追加

これにより、電子蓄積動作時に、ゲート部１６０からＬＤＤ領域１１２，１２２方向に移動する電子の多くをＳｉＮ膜１３２，１４２，１７２，１８２に蓄積することができるので、帯電領域が帯電しているときの読み出し電流値を、０アンペアに非常に近い値まで低下させることができ、読み出しマージンを向上させることができる。 - 特許庁

When forming, on the insulation film 6, an opening 60 for exposing the electron supply layer 4 therefrom, the SiN film 6A in contact with a semiconductor is side-etched, whereby contact between an inner peripheral surface 61 of the opening 60 on the electron supply layer 4 side and a gate electrode 7 is avoided, and only the InGsP layer 4B can be exposed around the gate electrode 7.例文帳に追加

絶縁膜６に電子供給層４を露出させる開口６０を形成する際に、半導体と接触しているＳｉＮ膜６Ａがサイドエッチングされることで、開口６０の電子供給層４側の内周面６１とゲート電極７との接触が回避され、しかもゲート電極７の周囲にＩｎＧａＰ層４Ｂのみを露出させることができる。 - 特許庁