「"ブラッグ反射"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, AND PLANE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁

分布ブラッグ反射型半導体レーザおよびその製造方法例文帳に追加

DISTRIBUTION BRAGG REFLECTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。例文帳に追加

The semiconductor laser diode comprises a resonator having an n-type distributed Bragg reflector, a p-type distributed Bragg reflector and an active layer disposed between the n-type distributed Bragg reflector and the p-type distributed Bragg reflector; and a concavo-convex pattern provided on an outer circumference of a side of the resonator. - 特許庁

伸縮値はブラッグ反射光の波長変化として実測できる。例文帳に追加

A expansion/contraction value can be actually measured as a change in the wavelength of a Bragg reflection light. - 特許庁

本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。例文帳に追加

This light emitting element includes a first Bragg reflection type mirror layer 103, a second Bragg reflection type mirror layer 108 formed on the side of optical projection face from the first Bragg reflection type mirror layer, and an active layer 105 located between the first Bragg reflection type mirror layer and the second Bragg reflection type mirror layer. - 特許庁

コンピュータを用い所望する結晶試料の任意のブラッグ反射条件を迅速、容易、且つ正確に取得しそれを用いて実際のブラッグ反射を測定可能の新しいブラッグ反射条件シミュレーション装置および測定システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new Bragg reflection condition simulation apparatus and a measurement system for rapidly, easily and accurately obtaining an arbitrary Bragg reflection condition of a desired crystal sample by using a computer and measuring actual Bragg reflection by using the condition. - 特許庁

入射電子ビームは、ブラッグ反射した電子が光軸上に来るように傾けられた。例文帳に追加

The incident electron beam was tilted so that Bragg-reflected electrons were on-axis.  - 科学技術論文動詞集

可能な限り多くのブラッグ反射がHREM像に寄与することを、確保する(確実にする)ことが必要である。例文帳に追加

It is necessary to ensure that as many Bragg reflections as possible contribute to the HREM image.  - 科学技術論文動詞集

抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ例文帳に追加

SAMPLED GRATING DISTRIBUTED FEEDBACK VARIABLE WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER CONNECTED TO SAMPLED GRATING BRAGG REFLECTOR - 特許庁

静電容量の低減を図ることの可能なｎ型半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide an n-type semiconductor distributed bragg reflector that can reduce an electrostatic capacitance. - 特許庁

ｎ側反射防止層２及びｐ側ブラッグ反射層４は、コンタクト層の役割も兼ねている。例文帳に追加

The n-side reflection prevention layer 2 and the p-side Bragg reflection layer 4 also work as a contact layer. - 特許庁

１つのプロセスが、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのエージング特性を評価する。例文帳に追加

One process evaluates the aging characteristics of a distribution Bragg reflector(DBR) laser. - 特許庁

分布ブラッグ反射型半導体レーザの制御方法および画像投影装置例文帳に追加

CONTROL METHOD OF DISTRIBUTED BRAGG REFLECTION SEMICONDUCTOR LASER AND IMAGE PROJECTION DEVICE - 特許庁

半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。例文帳に追加

A first distribution bragg reflector 13 is manufactured on the main surface 11a of a semiconductor substrate 11. - 特許庁

このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。例文帳に追加

By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained. - 特許庁

低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small. - 特許庁

半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a first layer, a second layer, and a distributed Bragg reflection layer. - 特許庁

半導体レーザ１とブラッグ反射構造１１で共振される光はブラッグ反射波長にロックされると共に互いの波長が異なる基本波Ｌ１となる。例文帳に追加

Light made to resonate by the semiconductor laser 1 and the Bragg reflection structure 11 is locked to Bragg reflection wavelength and becomes fundamental waves L1 having wavelengths different from one another. - 特許庁

面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄ、活性層１０３、半導体層１０４，第二多層膜ブラッグ反射鏡１０５を有するメサ１００Ａ〜１００Ｄを備える。例文帳に追加

The surface-emitting lasers 10A to 10D include mesas 100A to 100D which respectively have first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D, an active layer 103, a semiconductor layer 104, and a second multilayer film Bragg reflector 105. - 特許庁

積層方向に順次に積層されているｐ型半導体分布ブラッグ反射器Ｉとｐ型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層（線形組成傾斜層）の厚さが異なっている。例文帳に追加

A p-type semiconductor distribution Bragg reflector I and a p-type semiconductor distribution Bragg reflector II which are successively laminated in the lamination direction are different in thicknesses at intermediate layers (linear composition inclination layer). - 特許庁

また、ｎ型分布ブラッグ反射層３は、レーザ光反射面の近傍でその一部が露出しており、その露出した領域上に、分布ブラッグ反射層へ電流を注入するための電極１６が形成されている。例文帳に追加

The n-type distribution Bragg reflection layer 3 is partially exposed in the vicinity of the laser light reflection face, and an electrode 16 for injecting a current into the reflection layer 3 is formed on the exposed region. - 特許庁

第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。例文帳に追加

The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20. - 特許庁

分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。例文帳に追加

To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector. - 特許庁

これにより、ブラッグ反射領域３２（少なくとも、交差格子摂動部４６）において、各第１格子摂動部４２及び各第２格子摂動部４４の作用によって、光信号がブラッグ反射される。例文帳に追加

Thus, optical signals are Brrag reflected by the action of respective first grid perturbative parts 42 and the respective grid perturbative parts 44 in a Brrag reflection area 32 (at least a cross grid perturbative part 46). - 特許庁

分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。例文帳に追加

The distributed Bragg reflection layer is provided on the side of the second layer opposite to the side on which the light-emitting layer is provided, has the second conductivity type, and can reflect the emission light toward the light extraction surface. - 特許庁

ｎ型分布ブラッグ反射層３により選択された波長で単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザであって、ｎ型分布ブラッグ反射層３は半導体基板上１に形成され、ｎ型分布ブラッグ反射層３上に形成された活性層５と、活性層５を挟むクラッド層４、７とを含む導波路を備えている。例文帳に追加

In the semiconductor laser for oscillating laser light of a single vertical mode by a wavelength selected by an n-type distribution Bragg reflection layer 3, the reflection layer 3 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and provided with a waveguide including an active layer 5 formed on the surface of the reflection layer 3 and clad layers 4, 7 holding the active layer 5 between them. - 特許庁

実施形態にかかる発光素子は、基板と、発光層と、前記基板と前記発光層との間に設けられた第１導電形層と、前記第１導電形層と前記基板との間に設けられた第１の分布ブラッグ反射層と、前記発光層と前記第１の分布ブラッグ反射層との間に設けられた第２の分布ブラッグ反射層と、を有する。例文帳に追加

The light-emitting device according to an embodiment comprises: a substrate; a luminous layer; a first conductive layer disposed between the substrate and the luminous layer; a first distribution Bragg reflection layer disposed between the first conductive layer and the substrate; a second distribution Bragg reflection layer disposed between the luminous layer and the first distribution Bragg reflection layer. - 特許庁

半導体基板を用いて作製する発光素子において、分布ブラッグ反射器２で発生した近赤外線（波長７００〜１１００ｎｍ）を、分布ブラッグ反射器２から外部へ取り出される光の光路中に設置した近赤外線吸収機能を有する材料（分布ブラッグ反射器１０等）で除去または減少させる構成とする。例文帳に追加

In the light emitting element manufactured by using a semiconductor substrate, the near-infrared ray (wavelength of 700-1,100 nm) generated by a distributed Bragg reflector 2 is removed or reduced by a material (a distributed Bragg reflector 10, etc.) having a near-infrared ray absorbing function and installed in an optical passage of the light removed from the distributed Bragg reflector 2 to the outside. - 特許庁

結晶格子面の像の形成は、一次ビームと1つまたは2つ以上のブラッグ反射波の干渉から生じる。例文帳に追加

The imaging of lattice planes of crystals results from the interference of the primary beam and one or more Bragg-reflected waves.  - 科学技術論文動詞集

長距離の相互作用に起因するプラズモン励起に対しては、ブラッグ反射は少しの役割しかはたさない。例文帳に追加

For a plasmon excitation due to a long-range interaction, Bragg reflection plays a minor role.  - 科学技術論文動詞集

高圧電子顕微鏡では、試料が低次指数の晶帯軸の近くで(電子ビームで)照射されるとき、より多くのブラッグ反射が同時に励起される。例文帳に追加

In a high-voltage TEM, many more Bragg reflections are excited simultaneously when a specimen is illuminated near a low-indexed zone axis.  - 科学技術論文動詞集

(ブラッグ)反射の結果による電子の運動量の変化は、大きさが等しく逆向きの結晶全体の運動量の変化によって相殺される。例文帳に追加

The change in momentum of the electron as a result of the reflection is cancelled by an equal and opposite change in momentum of the whole crystal.  - 科学技術論文動詞集

結晶性試料では、一次ビーム(明視野)またはブラッグ反射ビーム(暗視野)の利用が、回折コントラストをもたらす。例文帳に追加

In crystalline specimens, the use of the primary beam (bright-field) or a Bragg-reflected beam (dark-field) gives rise to diffraction contrast.  - 科学技術論文動詞集

分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム例文帳に追加

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR SEMICONDUCTOR LASER DIODE, INTEGRATED SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND OPTICAL NETWORK SYSTEM - 特許庁

光照射によりブラッグ反射波長を変化させることができ、ブルー相の状態にある液晶で構成された液晶材料を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal material capable of varying Bragg reflection wavelength by photoirradiation and constituted by a liquid crystal in a state of a blue phase. - 特許庁

分布型ブラッグ反射鏡レーザ内の電気的クロストーク及び波長チャープを減少させる方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR DECREASING ELECTRIC CROSSTALK AND WAVELENGTH CHIRP INSIDE DISTRIBUTED BRAGG'S REFLECTOR LASER - 特許庁

可飽和ブラッグ反射器１０は、好ましくは、３つのセクションを有するモノリシック集積多層スタックを有する。例文帳に追加

A saturable Bragg reflector 10 has monolithic integrated multilayer stack having three sections favorably. - 特許庁

可飽和吸収体ミラーは、一方の側にモノリシックに形成されたブラッグ反射体をもつ半導体可飽和吸収体を含むことができる。例文帳に追加

The saturable absorber mirror can includes a semiconductor saturable absorber comprising a black reflector formed as monolithic on one side. - 特許庁

外部共振器、半導体基体ならびにブラッグ反射器を有する垂直放射形光ポンピンポンピング効率を改善すること。例文帳に追加

To improve the light pumping efficiency of a vertical radiation semiconductor laser having an external resonator, a semiconductor substrate, and a Bragg reflector. - 特許庁

共鳴的なブラッグ反射現象を利用することにより、光の波長を選別したり進行方向を変化させたりする光回折素子を提供する。例文帳に追加

To provide an optical diffraction element which selects the wavelength of light or changes the propagation direction by using resonant Bragg reflection. - 特許庁

光ファイバのファイバグレーティングのブラッグ反射波長を調整できる光モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide an optical module in which the Bragg reflection wavelength of the fiber grating of an optical fiber is adjustable. - 特許庁

その変化に応じてグレーティングからブラッグ反射する光のピーク波長が変化することを利用してひずみ等を計測する。例文帳に追加

The strain or the like is measured by utilizing change of a peak wavelength of light Bragg-reflected from the grating corresponding to the change. - 特許庁

そして、光導波路層は、光軸方向に沿って互いに隣接したブラッグ反射領域３３及び活性領域３１を含む。例文帳に追加

The optical waveguide layer includes the Bragg reflection region 33 and an active region 31 which are adjacent to each other in the optical axis direction. - 特許庁

この光導波路１０は、可飽和吸収領域１１と光利得領域１２と分布ブラッグ反射領域１３とを含む。例文帳に追加

The optical waveguide 10 includes a saturable absorption region 11, an optical gain region 12 and a distributed Bragg reflector region 13. - 特許庁

発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。例文帳に追加

The light emitting device includes a resonant cavity formed by a reflective metal layer and a distributed Bragg reflector. - 特許庁