「"注入処理"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

イオン注入処理の調整に使用する方法及びそのイオン注入装置例文帳に追加

METHOD FOR REGULATING ION IMPLANTATION TREATMENT AND ION IMPLANTATION APPARATUS THEREOF - 特許庁

イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。例文帳に追加

The ion implantation step implants ions into the thin film processed into the prescribed shape. - 特許庁

この後は、イオン発生処理装置７を駆動して、ウェーハに対するイオン注入処理を実行する。例文帳に追加

Then, the main controller drives an ion generation processor 7 to execute the ion implantation processing for the waver. - 特許庁

イオン注入処理後のウエハＷは、まず、ＵＶ処理室７に搬入される。例文帳に追加

A wafer W subjected to ion implantation processing is carried in the UV processing chamber 7, first. - 特許庁

多段階の不純物注入処理におけるアライメントを高い精度で行うことを可能とする。例文帳に追加

To perform alignment in multi-stage impurity injection processing with high precision. - 特許庁

絶縁層２６を介してのイオン注入処理によりエクステンション領域２８，３０を形成する。例文帳に追加

By the ion implantation process via the insulating layer 26, extension regions 28 and 30 are formed. - 特許庁

第１流体の注入処理は複数の対象物に対して連続的に実施される。例文帳に追加

The injection of the first fluid is applied continuously with respect to a plurality of objects. - 特許庁

停電によりイオン注入処理が中断しても精度よくイオン注入処理が行える半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing device and a manufacturing method of a semiconductor device capable of accurately executing an ion implantation process even if the ion implantation process is interrupted by a power failure. - 特許庁

イオン注入処理開始時に、切り替えユニット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は直流電流発生器６と接続を遮断し、プラテン２と接続され、イオン注入処理が開始される。例文帳に追加

When the ion implantation process is started, the ion beam current measuring part 4 is disconnected from the direct current generator 6 by the operation of the exchange unit 7, and connected to the platen 2 to start ion implantation process. - 特許庁

このアニール処理後にソース・ドレイン領域を形成するＳ／Ｄ前注入処理と、ＬＤＤ用不純物拡散領域を形成するＬＤＤ注入処理とを行う。例文帳に追加

After the annealing processing, an S/D preinjection processing for forming the source/drain regions of the MOS transistor and an LDD injection processing for forming the impurity diffusing regions for LDD are performed. - 特許庁

一つの移動機構によって、容器の搬送処理、吸引注入処理、容器内容物の測定等の複数の処理を行い、また、容器の複数の配列間隔に対応した吸引注入処理を行う。例文帳に追加

To perform a plurality of treatments such as the transport treatment of containers, suction/injection treatment, measurement of container contents, and the like, and to perform suction/injection treatment corresponding to a plurality of arrangement intervals in the container. - 特許庁

イオン注入機に接続されるシーケンサーは、イオン注入機のイオン注入処理中における停電発生時に以下の動作を行う。例文帳に追加

A sequencer connected to an ion implanter carries out the following operations when a power failure occurs during the ion implantation process of the ion implanter. - 特許庁

少なくとも実際のイオン注入処理前または後に、イオン注入室内のファラデーにイオンビームが入らない状態を作る（Ｓ１）。例文帳に追加

A condition preventing an ion beam from entering into a Faraday cage in an ion implantation chamber is created at least before or after an actual ion implantation process (S1). - 特許庁

イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。例文帳に追加

After completion of ion injection treatment, a resist pattern is subjected to fluorine treatment before the resist pattern is ashed. - 特許庁

活性層１６の表面から、埋め込み酸化膜層１５にまで到達するレベルの加速エネルギーで、酸素イオンの注入処理を行う（図２（ａ））。例文帳に追加

Oxygen ions are injected from the surface of an active layer 16 with an acceleration energy of a level reaching an embedded oxide film layer 15 (Fig. 2(a)). - 特許庁

絶縁層２６を介してのイオン注入処理により低濃度ソース、ドレイン領域２８，３０を形成する。例文帳に追加

In addition, low-concentration source and drain regions 28 and 30 are formed by injecting ions through the insulating layer 26. - 特許庁

水素イオン注入による歪ＳｉＧｅへの緩和の際のイオン注入処理時間を低減してコスト低減する．例文帳に追加

To provide a relaxed SiGe substrate at reduced cost by shortening the time required for implanting hydrogen ions into a strained SiGe substrate for relaxation. - 特許庁

細砂ろ過装置３で微生物処理した浄水１３は貯水槽４に蓄え、紫外線殺菌処理若しくは塩素注入処理を施す。例文帳に追加

The purified water 13 microbially treated in the fine sand filtration device 3 is stored in a water tank 4 to be subjected to ultraviolet sterilization treatment or chlorine injection treatment. - 特許庁

ＣＯＯの低減を図ることができ、しかも注入処理再開時の装置の立ち上がりの速いイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter in which COO can be reduced and the start-up of the device at the re-start of injection processing is rapid. - 特許庁

アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。例文帳に追加

The annealing step anneals the thin film in which the ions were implanted to generate a resistance element. - 特許庁

その後、Ｎ型トランジスタのソース・ドレイン領域となる部分に対してイオン注入処理を施す。例文帳に追加

Then, ion implantation is carried out for a part being a source-drain region of an N-type transistor. - 特許庁

流体の注入処理を連続的に実施することができるマイクロインジェクション装置および流体の注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide a microinjection apparatus for continuously carrying out injection treatment of fluid, and to provide a method for injecting fluids. - 特許庁

直列方向に２段に接続された逆浸透膜装置によって海水を淡水化処理する方法において、第２段目逆浸透膜装置の上流側で、第１段目逆浸透膜装置の透過水にスケール分散剤注入処理および／または脱炭酸処理を施すと共に、透過水のｐＨが９．２〜９．７となる様にアルカリ注入処理を施すことに要旨を有する海水の淡水化処理方法。例文帳に追加

In a method for desalinating seawater using the reverse osmosis membrane equipment connected in two stages serially, on the upstream of the reverse osmosis membrane equipment in the second stage, water penetrating the first reverse osmosis membrane equipment is subjected to scale dispersion injection and/or decarboxylation, and is subjected to alkali injection so that pH of the penetrating water becomes 9.2-9.7. - 特許庁

液晶注入装置ＬＣ１〜ＬＣｎは、液晶注入処理を行うための炉と、炉を操作、運転するための操作パネルＬＣＰ１〜ＬＣＰｎを有する。例文帳に追加

The liquid crystal injection devices LC1 to LCn have furnaces for performing liquid crystal injection processing and operation panels LCP1 to LCPn for operating and working the furnaces. - 特許庁

レオメータ用ダイスは、その、少なくともサンプルに接触する表面に、イオン成膜処理、およびイオン注入処理のうち少なくとも一方の処理を施した。例文帳に追加

In the dies for a rheometer, the surface in contact with a sample is treated with at least either of ion deposition treatment or ion implantation treatment. - 特許庁

真空度を悪化させないようにイオン注入することで、イオン注入処理中断や誤差の伴うドーズ量補正をすることのないイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device wherein dose correction attended by interruption of an ion implanting process and errors is not required since ions are injected so as not to deteriorate degree of vacuum. - 特許庁

ドーズファラデー1は、イオン照射対象物のウェハ4に照射するイオンビーム6の軌道外に設けられ、ウェハ4へのイオン注入処理中のイオンビーム6のビーム電流を測定する。例文帳に追加

A dose Faraday 1 is installed outside a path of an ion beam 6 applied toward a wafer 4 of an ion irradiation object, and measures a beam current of the ion beam 6 during ion implantation treatment into the wafer 4. - 特許庁

固定されたイオンビームスキャンの間でのワークピースの回転は、より一様なイオン注入処理を進めるのに十分な、一時的な温度の放散を可能にする。例文帳に追加

The rotation of a work piece during the fixed ion beam scanning makes temporary temperature dissipation sufficient for promoting more uniform ion implantation treatment possible. - 特許庁

そして、ＪＳＰ展開エンジンによる出力項目展開処理（Ｓ１２０３）、メタ情報挿入エンジンによるアスペクト注入処理（Ｓ１２０４）、ＡＰサーバによるレスポンス生成処理（Ｓ１２０５）を実行する。例文帳に追加

A JSP development engine executes output item development processing (S1203), meta-information insertion engine executes aspect injection processing (S1204), and the AP server executes response creation processing (S1205). - 特許庁

レーザアニールを施した多結晶シリコン膜に対して、イオン注入処理を行なうことによって特定方位を有する種結晶を形成し、その後固相成長させることによって結晶配向を制御することが出来る。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film where laser annealing is made is subjected to ion implantation for forming a seed crystal having a specific orientation, and then solid-phase growth is made, thus controlling the crystal orientation. - 特許庁

イオン注入処理直後に基板表面に残留する余剰なドーパント成分あるいは生成物を除去することができる薄膜トランジスタの製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a system for fabricating a thin film transistor in which excess dopant component or products remaining on the surface of a substrate immediately after ion implantation can be removed. - 特許庁

フロントファラデー2は、ドーズファラデー1近傍のイオンビーム6の軌道上に設けられ、イオン注入処理前にイオンビーム6のウェハ4の上流のビーム電流を測定する。例文帳に追加

A front Faraday 2 is installed on the path of the ion beam 6 near the does Faraday 1, and measures a beam current on the upper stream of the wafer 4 of the ion beam 6 before the ion implantation treatment. - 特許庁

イオン注入処理によりエッチング溶液Ｅ（例えばリモネン）に不溶な表面改質層２１を基板Ｐの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層２１に開口部２１Ｕを形成する。例文帳に追加

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment. - 特許庁

ノイズ量が規格範囲内であればイオン注入処理が開始され（Ｓ４）、ファラデーを利用した通常のイオンビーム電流の測定が行われる（Ｓ５）。例文帳に追加

When the amount of noise is within a specified range, the ion implantation process is started (S4), and normal measurement of an ion beam current using the Faraday cage is carried out (S5). - 特許庁

有機溶媒に可溶な高分子材料より構成され、表面の少なくとも一部がイオン注入処理及びエッチング処理により改質されている、ナノ濾過膜。例文帳に追加

The nanofiltration membrane is composed of a polymer material soluble in an organic solvent, and at least a part of the surface of the membrane is modified by an ion injection treatment and an etching treatment. - 特許庁

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。例文帳に追加

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc. - 特許庁

グロメット内への止水剤の注入処理の省略により、ワイヤハーネスの配索コストを低減させることができる車両におけるワイヤハーネス配索構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure for arranging a wire harness in a vehicle that reduces the arranging cost of the wire harness without carrying out an injection treatment of a water sealing agent into a grommet. - 特許庁

基板上のレジストパターンにイオン注入処理を行う際のレジストの変質層の生成を抑制し、基板に損傷を与えることなくレジストを除去する。例文帳に追加

To suppress production of a degenerated layer in a resist when a resist pattern on a substrate is subjected to ion implantation, and to strip the resist without damaging the substrate. - 特許庁

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。例文帳に追加

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18. - 特許庁

絶縁膜１２及び電極層１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極層１６，１８を覆ってキャパシタ用絶縁層２６をＣＶＤ法等により形成する。例文帳に追加

Then, after pocket regions 20 and 22 are formed by injecting ions by using the insulating film 12 and electrode layer 16 as masks, an insulating layer 26 for capacitor is formed to cover the electrode layers 16 and 18 by the CVD method etc. - 特許庁

ゴム又はエラストマーよりなる基材３と、上記基材の表層の少なくとも一部に炭素系イオンの注入処理後、炭素系イオンを堆積させてなる炭素系被膜３ｃとを備えたこととしたものである。例文帳に追加

The elastomer consists of the substrate 3 comprising a rubber or an elastomer, and the carbonaceous film 3c formed on the surface layer of the substrate by injecting carbonaceous ions in at least a part of the surface layer of the substrate and subsequently accumulating them thereon. - 特許庁

ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。例文帳に追加

At this point, an impurity ion implantation treatment for forming the second source-drain region 7 is a treatment for changing a concentration of an implanted impurity according to a result of the resistance value of the impurity region 5p. - 特許庁

イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。例文帳に追加

An ion implantation processing is carried out, in order to form a doped region having a first conductivity type which is substantially below the isolation structure, by using at least two different implantation energies. - 特許庁

これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of low-energy doping for high-concentrated carrier impurity atoms with high time-efficiency compared with a conventional ion implantation process, in usual processing time of ion implantation. - 特許庁

バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。例文帳に追加

To improve uniformity of a dose even when a beam current of an ion beam has periodic variation during batch type ion implantation processing, and to make uniform characteristics of a semiconductor device manufactured using the same. - 特許庁