「"W. A."」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the outermost peripheral surface of a silicon wafer W, a protective coat Wa is formed.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの最外周面に保護膜Ｗａを形成する。 - 特許庁

The film deposition apparatus 100 includes: a treatment container 1 for housing a wafer W; a substrate heater 11 for heating the wafer W; a holding member 21 for holding the wafer W; a stage 31 as a raw material supporting part; and a raw material heater 41 for heating a solid raw material.例文帳に追加

成膜装置１００は、ウエハＷを収容する処理容器１と、ウエハＷを加熱する基板ヒーター１１と、ウエハＷを保持する保持部材２１と、原料支持部としてのステージ３１と、固体原料を加熱する原料ヒーター４１と、を備えている。 - 特許庁

The CPU 200 calculates a weight W (a, i) set for each of the plurality of image data F(a).例文帳に追加

ＣＰＵ２００は、複数の画像データＦ(a)ごとに設定される重み付けＷ(a,i)を算出する。 - 特許庁

Surface roughness index φ=φ0×K2/D×Σ (K1×L×P/W)...(A).例文帳に追加

面荒れ指数φ＝φ０・Ｋ２／Ｄ・Σ（Ｋ１・Ｌ・Ｐ／Ｗ）・・・・・（Ａ） - 特許庁

The sipe has a width W, a depth Ds, and an effective length Le.例文帳に追加

サイプは、幅Ｗ、サイプ深さＤｓ、および有効サイプ長Ｌｅを有している。 - 特許庁

When finishing the child window W, a prescribed animation is displayed on the display area S.例文帳に追加

子ウインドウＷを終了する際に、所定のアニメーションを表示領域Ｓ上に表示する。 - 特許庁

Heating of a workpiece W, a pressurizing and a voltage application are carried out at the same location in a heating tank 2.例文帳に追加

ワークＷの加熱、加圧及び電圧印加を、加熱槽２内の同一位置で行う。 - 特許庁

The correcting element 13 can suppress an aberration W_A including the arrow-shaped aberration generated in the optical path by imparting an aberration having the opposite polarity to the aberration W_A.例文帳に追加

補正素子１３は、光路中で発生する矢形収差を含む収差Ｗ_Aに対して逆極性の収差を与えることによって、収差Ｗ_Aを抑制できる。 - 特許庁

A relation between a magnetic resistance WA in an actuating space formed by the armature 11, the core 6, and the yoke 1 and a magnetic resistance WR in a peripheral space between the core flange 8 and the yoke 1, WA<WR is established.例文帳に追加

アーマチャ１１とコア６及びヨーク１間の作動空隙の磁気抵抗W_Aと、コアフランジ８及びヨーク１間の周辺間隙の磁気抵抗W_Rとの間には、W_A<W_Rの関係が成立する。 - 特許庁

This machine tool is provided with a workpiece support means 3 such as a spindle 8 for supporting a workpiece W; a slide 9 movable with respect to the workpiece support means 3 in order to machine the workpiece W; a machining means 4 such as a tool rest 10; and a control means 2.例文帳に追加

ワークＷを支持する主軸８等のワーク支持手段３と、ワークＷに加工を行うためにワーク支持手段３に対し移動自在な送り台９，刃物台１０等の加工手段４と、制御手段２とを備える。 - 特許庁

In a susceptor 20 for mounting thereon a semiconductor wafer W, a susceptor supporting member 8 is provided for supporting the susceptor 20 by contacting it with the rear surface of the susceptor 20.例文帳に追加

半導体ウェーハＷを搭載するサセプタ２０には、裏面に当接してこれを支持するサセプタ支持部材８が設けられる。 - 特許庁

In a method for MOCVD processing for forming a copper thin film on a semiconductor wafer W, a Cu(hfac)tmvs is used as a copper material liquid.例文帳に追加

半導体ウエハＷ上に銅薄膜を形成するためのＭＯＣＶＤ処理方法において、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓが銅原料液として使用される。 - 特許庁

When performing rinsing on the semiconductor substrate (W), a rinse liquid made of an alkaline chemical or an organic solvent is used.例文帳に追加

半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 - 特許庁

On the surface of the wafer W, a gate insulating film composed of the high-permittivity material is formed together with a silicon oxide film, and a polysilicon film etc.例文帳に追加

ウエハＷの表面には、高誘電率材料からなるゲート絶縁膜が、酸化シリコン膜やポリシリコン膜などとともに形成されている。 - 特許庁

After a porous low-k film 62 is formed on the surface of a wafer W, a resist film 64 having a prescribed circuit pattern is formed on the film 62.例文帳に追加

ウエハＷの表面に多孔質ｌｏｗ−ｋ膜６２を形成し、その上に所定の回路パターンを有するレジスト膜６４を形成する。 - 特許庁

These HRF-binding peptides have an amino acid sequence of (A, L or W)-X-X-X-X-(A, L, S or W)-(A, P or M), respectively.例文帳に追加

（Ａ，ＬまたはＷ）−Ｘ−Ｘ−Ｘ−Ｘ−（Ａ，Ｌ，ＳまたはＷ）−（Ａ，ＰまたはＭ）のアミノ酸配列を有するＨＲＦ結合ペプチド。 - 特許庁

A preferable welding condition is that an output is 50-300 W, a laser beam diameter is 0.3-1 mm, and moving velocity is 1 mm/sec. to 15 mm/sec.例文帳に追加

上記溶接条件は出力５０Ｗ〜３００Ｗ、レーザービーム径０．３ｍｍ〜１ｍｍ、移動速度１ｍｍ／秒〜１５ｍｍ／秒が好ましい。 - 特許庁

When a rotary blade 60a cuts a web W, a rotary blade 61a retracts from the web W.例文帳に追加

回転刃６０ａがウェブＷを切断しているときには、回転刃６１ａはウェブＷから退避している。 - 特許庁

In formula I, R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6, R^7, W, a, b, and c are as specifically defined.例文帳に追加

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｗ、ａ、ｂおよびｃは、本明細書中で定義したとおりである。 - 特許庁

The CPU 200 synthesizes a plurality of corrected image data F(a) by using the weight W (a, i) to generate high resolution image data.例文帳に追加

ＣＰＵ２００は、補正された複数の画像データＦ(a)を、重み付けＷ(a,i)を用いて合成して、高解像度画像データを生成する。 - 特許庁

In formula I, R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6, R^7, W, a, b, and c are as defined in the specification.例文帳に追加

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｗ、ａ、ｂおよびｃは、本明細書中で定義したとおりである。 - 特許庁

As an example of the workpiece W, a cage of a constant velocity joint having six or eight apertures, namely, windows 2 can be cited.例文帳に追加

ワークＷの一例として、６または８つの開口すなわち窓２をもった等速ジョイントのケージが挙げられる。 - 特許庁

In equation (2), w_a is a length in the x-axis direction of the projecting part, h_a is a number selected from a range of 0.56w_a≤h_a<0.58w_a, and k_a is a number selected from a range of -0.039≤k_a<-0.027.例文帳に追加

ただし、（ｗ_ａは凸状部のｘ軸方向の長さ、０．５６ｗ_ａ≦ｈ_ａ＜０．５８ｗ_ａ、−０．０３９≦ｋ_ａ＜−０．０２７） - 特許庁

In equation (2), w_a is a length in the x-axis direction of the projecting part, h_a is a number selected from a range of 0.53w_a≤h_a<0.56w_a, and k_a is a number selected from a range of -0.027≤k_a<-0.013.例文帳に追加

ただし、（ｗ_ａは凸状部のｘ軸方向の長さ、０．５３ｗ_ａ≦ｈ_ａ＜０．５６ｗ_ａ、−０．０２７≦ｋ_ａ＜−０．０１３） - 特許庁

This heat treating apparatus comprises a heat treating plate 71 for placing a base plate W, a heater 72, a heater controller, a cooling jacket 73 and a control unit.例文帳に追加

熱処理装置は、基板Ｗを載置する熱処理プレート７１と、ヒータ７２と、ヒータコントローラと、冷却ジャケット７３と、制御部とを備える。 - 特許庁

In the operating liquid W, a bumping source 26 of 0.1-50 wt.% of the liquid W is mixed.例文帳に追加

作動液Ｗには、作動液Ｗの０．１〜５０wt％の突沸発生源２６が混入されていることを特徴とする。 - 特許庁

While the work holding mechanism 10 being rotated at a prescribed speed in the state that it holds the work W, a prescribed amount of an adhesive is discharged out a nozzle 31.例文帳に追加

ワークＷを保持した状態でワーク保持機構１０を所定速度で回転させながらノズル３１から接着剤を定量吐出する。 - 特許庁

In this ultraviolet erasable semiconductor memory, the channel width W_A of a MOSFET of one side of the two MOSFETs constituting the memory cell is formed narrower than the channel width W_B of the MOSFET of another side.例文帳に追加

メモリセルを構成する２つのＭＯＳＦＥＴの一方のチャネル幅Ｗ_Ａを他方のチャネル幅Ｗ_Ｂより狭く形成する。 - 特許庁

When the supply position P is in the non-device region S2 of the water W, a relatively large output is imparted to the cleaning liquid.例文帳に追加

一方、供給位置ＰがウエハＷの非デバイス領域Ｓ２にあるときは、洗浄液に比較的大きい出力が付与されている。 - 特許庁

When the electrode interval is set to an L and the electrode size in the direction intersecting orthogonally with the electric field is set to W, a W/L>2 is set.例文帳に追加

電極間隔をＬ、電界と直交する方向の電極寸法をＷとすると、Ｗ／Ｌ＞２に設定されている。 - 特許庁

A cleaning number 44 is provided with a cleaning part 441 for cleaning a substrate W, a holding part 422 for holding the part 441 and a support part 443.例文帳に追加

洗浄部材４４は基板Ｗを洗浄する洗浄部４４１、洗浄部を保持する保持部４４２および支持部４４３を備える。 - 特許庁

Based on the dew condensation state of the test object W, a control section 42 of the regulator 4 controls a temperature/humidity generator 3.例文帳に追加

そして、被試験物Ｗの結露状態に基づいて、調節器４の制御部４２が温湿度発生器３を制御する。 - 特許庁

1... a rubber elastic body, 2... the bottom part, 3... the side part, 4... the crown part, 5... the hollow part, 6... a stopper, 50a... the cavity part, W... a wheel and S... a segment.例文帳に追加

１‥ゴム弾性体、２‥ボトム部、３‥サイド部、４‥クラウン部、５‥中空部、６‥ストッパー、５０ａ‥空洞部、Ｗ‥ホイール、Ｓ‥セグメント。 - 特許庁

A sandwiched unit includes: a card insertion/discharge hole; a card R/W; a storage portion for storing general cards; and a card transfer mechanism.例文帳に追加

台間ユニットは、カード挿入／排出口と、カードＲ／Ｗと、一般カードを収納するための収納部と、カード搬送機構とを備えている。 - 特許庁

After the end of chemical treatment process to a wafer W, a shielding board 3 is descended from an isolate position to a proximity position.例文帳に追加

ウエハＷに対する薬液処理工程の終了後、遮断板３が離間位置から近接位置に下降される。 - 特許庁

Of the belt 13, at a central part and both ends in a width direction W, a clearance with an upper surface of the paper layer is different.例文帳に追加

ベルト１３のうち、幅方向Ｗの中央部と両端部とは、用紙層の上面との間隔が異なっている。 - 特許庁

In advance of the application of the punch machining to the workpieces W, a through-hole Wa is punched through the stacked workpieces W by a punching mechanism 16.例文帳に追加

ワークＷに対するパンチ加工に先立って、打ち抜き機構１６により積層ワークＷに貫通孔Ｗａを打ち抜く。 - 特許庁

As the cylindrical molded product W, a rod-shaped or cylindrical product is used without being restricted to a hose or the like.例文帳に追加

長尺状円筒成形体Ｗとしては、ホース等に限定されず、竿状のものや筒状体のものであれば、特に限定されるものではない。 - 特許庁

On the surface of the wafer W, a copper wiring film and an insulating film composed of a low-K material are formed.例文帳に追加

ウエハＷの表面には、銅配線膜および低誘電率材料からなる絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

When a film is formed on a surface of a substrate W, a drive motor 16 is first driven to rotate a turn table 14 supporting the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗ表面に成膜を行う場合、まず駆動モータ１６を駆動して基板Ｗを支持するターンテーブル１４を回転させる。 - 特許庁

As the reagent is supplied to a plurality of positions of the surface peripheral part TR of the substrate W, a time required for etching removal of a thin film is shortened.例文帳に追加

基板Ｗの表面周縁部ＴＲの複数箇所に薬液が供給されるため、薄膜のエッチング除去に要する時間が短縮される。 - 特許庁

Since the position of the support surface 21a of the support member 21 is conformed to the supported surface position of the workpiece W, a clamp distortion can be suppressed.例文帳に追加

支持部材２１の支持面２１ａ位置とワークＷの被支持面位置とが一致するのでクランプ歪みを押えることができる。 - 特許庁

On both sides of the bending part W, a center conductor connecting pattern 21 and a shield connecting pad 22 are arranged so as to be aligned in one line.例文帳に追加

折り曲げ部Ｗの両側には、中心導体接続用パターン２１とシールド接続用パッド２２とが一列に並ぶ様に配置される。 - 特許庁

The anisotropically shaped powder contains a second perovskite type compound containing at least Ca and Ti as a main phase, its developed surface is composed of the pseudo-cubic (100) plane, and also an aspect ratio (w_a/t_a) of the maximum length (w_a) of the developed surface to a thickness (t_a) is two or more.例文帳に追加

少なくともＣａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１００｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。 - 特許庁

The device 50 of measuring and classifying workpieces includes a transfer table 2 having workpiece housing holes 3 for holding workpieces W, a measuring section 7 for measuring the workpieces W, a discharging section 8 for discharging the workpieces W, and a housing container 14 that is connected with the discharging section 8 through a discharging tube 8a.例文帳に追加

ワークの測定分類装置５０はワークＷを保持するワーク収納孔３を有する搬送テーブル２と、ワークＷを測定する測定部７と、ワークＷを排出する排出部８と、排出部８に排出チューブ８ａを介して接続された収納容器１４とを備えている。 - 特許庁