「"carrier injection"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To improve carrier injection efficiency from an electrode to an active layer in an organic FET.例文帳に追加

有機FETにおいて、電極から活性層へのキャリア注入効率を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses carrier injection into a substrate, and to provide a power supply circuit.例文帳に追加

基板へのキャリア注入を抑制する半導体装置及び電源回路を提供する。 - 特許庁

To provide structure and process for reducing hot carrier injection.例文帳に追加

本発明はホットキャリヤ注入を軽減する構造及びプロセスを提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device by improving the efficiency of carrier injection.例文帳に追加

半導体装置においてキャリアの注入効率を高め性能を向上する。 - 特許庁

To provide a quantum structure that has high carrier injection efficiency and a wide gain band.例文帳に追加

キャリア注入効率が高く、利得帯域の広い量子構造を提供することである。 - 特許庁

To suppress a manufacturing cost of a thin-film transistor backplane circuit, and make carrier injection into an organic semiconductor efficient.例文帳に追加

薄膜トランジスタバックプレーン回路について作製コストを抑えるとともに有機半導体へのキャリア注入を効率化する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device which has a high carrier injection efficiency, and is equipped with a light emitting layer that contains an InAlGaN semiconductor layer.例文帳に追加

高いキャリア注入効率を有しており、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層を含む発光層を備える窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,100 to 1,070°C for 5 minutes and a channel layer and a carrier injection layer are formed.例文帳に追加

続いて、単結晶基板の温度を1100℃から1,070℃まで5分かけて降下させてチャネル層とキャリア注入層とを形成する。 - 特許庁

For insulating the carrier injection electrode 16 and the reverse bias application electrode 17, a part of the cap layer 15 is removed.例文帳に追加

キャリア注入用電極１６と逆バイアス印加用電極１７との絶縁をとるために、キャップ層１５が一部除去されている。 - 特許庁

To reduce polarization dependent loss in a carrier injection type variable optical attenuator comprising a silicon core.例文帳に追加

シリコンコアより構成されたキャリア注入型の可変光減衰器における偏波依存損失が低減できるようにする。 - 特許庁

A means for controlling the distribution of the carrier injection into the surface luminescent layer from the lighting surface electrode of the organic EL element is provided.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の点灯用面状電極から面状発光層へのキャリア注入の分布を制御する手段を設けた。 - 特許庁

A carrier injection layer may be provided on a surface side instead of the high density first conductivity semiconductor substrate 4.例文帳に追加

高濃度第１導電型半導体基板４に代って表面側にキャリア注入層を設けてもよい。 - 特許庁

Further, the efficiency of carrier injection to the active layer 145 can be improved by providing both Hall stop layer 143 and electron stop layer 147.例文帳に追加

また，ホール停止層１４３と電子停止層１４７とを設けることで，活性層１４５へのキャリア注入の効率化が図られる。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element having improved carrier injection efficiency into a well layer.例文帳に追加

井戸層へのキャリアの注入効率が向上された窒化物系半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To improve retention characteristics in a split gate type MONOS memory which carries out a rewrite by hot carrier injection.例文帳に追加

ホットキャリア注入によって書き換えを行うスプリットゲート型ＭＯＮＯＳメモリにおいて、リテンション特性を向上させる。 - 特許庁

A test method for MISFET for determining the effect of hot carrier injection in an integrated circuit lifetime is provided.例文帳に追加

本発明は、集積回路寿命におけるホットキャリア注入の効果を決定するためのＭＩＳＦＥＴの試験方法を提供する。 - 特許庁

Each of the first light emitting portion 1 and the second light emitting portion 2 has a stripe-shaped ridge structure used for carrier injection.例文帳に追加

第１発光部１及び第２発光部２は各々キャリア注入に用いるストライプ状リッジ構造を有する。 - 特許庁

Also, carrier injection through pn junction to a channel is carried out so that the deterioration of current driving capability can be prevented.例文帳に追加

また、ＰＮ接合を介してチャネルへキャリア注入が行われるので、電流駆動能力の低下を回避することができる。 - 特許庁

To provide a composite material excellent in carrier transportation and carrier injection properties and a light emitting element and a light emitting device using the composite material.例文帳に追加

キャリア輸送性及びキャリア注入性に優れた複合材料、並びにそれを用いた発光素子、発光装置の提供。 - 特許庁

Thus, the interface between the low-molecular hole transport layer 3 and the luminescent layer 4 has high adhesiveness and has a high carrier injection properties as well.例文帳に追加

このために、低分子ホール輸送層３と発光層４との界面は、密着性が高く、キャリア注入性も高い界面となる。 - 特許庁

To provide improved durability of a carrier-injection electroluminescent element, using a substrate made of polymer material with prolonged life time of the electroluminescent element.例文帳に追加

ポリマー材料からなる基板を使用したキャリア注入型電界発光素子において、素子の耐久性を向上させ長寿命化を図ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it suited for high-temperature operation, in which carrier injection efficiency is improved and manufacture is made easy.例文帳に追加

キャリア注入効率が向上し高温動作に適し製造容易な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To form a carrier transport layer wherein a carrier injection property and transport properties are high, and improvement in luminous efficiency is aimed at.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア注入性、輸送性の高いキャリア輸送層を形成し、発光効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element capable of reducing luminance unevenness and also capable of improving carrier injection property.例文帳に追加

輝度むらの低減を図ることが可能で且つキャリアの注入性を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

An LDD region 207, formed in an n-channel TFT 302 working as a drive circuit improves resistance with respect hot carrier injection.例文帳に追加

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２に設けられたＬＤＤ領域２０７はホットキャリア注入に対する耐性を高める。 - 特許庁

To realize a stable light-emitting action in a carrier injection type electric field light-emitting element using a polymer material as a substrate.例文帳に追加

基板としてポリマー材料を使用したキャリア注入型電界発光素子において、安定した発光動作を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suited to high-temperature operation in which the efficiency of carrier injection is improved and its manufacturing method.例文帳に追加

キャリア注入効率が向上した高温動作に適する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on.例文帳に追加

ｎ−型ドリフト層１中にｐ＋型埋込み層９を有するパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｐ型ベース層４の側方に第２のゲート電極１１に接続されたｐ＋型キャリア注入層１０を設け、ターンオン動作時にｐ＋型キャリア注入層１０からホール（正孔）をｎ−型ドリフト層１中に注入する。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。 - 特許庁

A part where the carrier injection electrode 16 exists operates as a gain area 19 and a part where the reverse bias application electrode 17 exists as a loss area 20 where an absorption spectrum can be controlled with such structure.例文帳に追加

本構造により、キャリア注入用電極１６の存在する部分が利得領域１９として、逆バイアス印加用電極１７が存在する部分が吸収スペクトルを制御可能な損失領域２０として、それぞれ働く。 - 特許庁

The first organic molecular layer 6 uses a silane coupling agent so that the water repellency on the surface of an electrode is enhanced, and furthermore, the second organic molecular layer 7 uses a thiol compound so that the efficiency of carrier injection is improved.例文帳に追加

第一の有機分子層６にシランカップリング剤を用いるため、電極表面の撥水性が上がり、第二の有機分子層７にチオール化合物を用いるため、キャリアの注入効率が向上する。 - 特許庁

To prevent oxidation, contamination or damage of a surface of a carrier injection layer constituting a group III nitride semiconductor HEMT which contacts a surface protective film in steps of a manufacturing process.例文帳に追加

III族窒化物半導体HEMTを構成するキャリア注入層の、表面保護膜と接する面が製造工程の過程において酸化、汚染及び損傷されない。 - 特許庁

To provide a composite material of an organic compound and an inorganic compound having excellent carrier transportability, carrier injection properties into an organic compound, and transparency.例文帳に追加

有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料であって、キャリア輸送性および有機化合物へのキャリア注入性に優れ、かつ透明性にも優れた複合材料を提供することを課題とする。 - 特許庁

The organic diode can reduce a leakage current sharply when a reverse bias is applied by arranging a carbon layer 5 between a heterojunction layer (mixture layer 3) and an electrode (anode 2) thereby reducing carrier injection from the electrode into an organic layer sharply.例文帳に追加

へテロ接合層（混合層３）と電極（陽極２）との間にカーボン層５を配置することにより電極から有機層へのキャリア注入を大幅に低減し、逆バイアス印加時の漏れ電流を大幅に改善することができる。 - 特許庁

An active layer 16 is provided so that carrier injection generates light and interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 14, 18.例文帳に追加

活性層(16)は、キャリアが注入されると光を発生するように設けられ、第１導電型半導体層および第２導電型半導体層(14、18)に挟まれている。 - 特許庁

Therefore, a hot carrier injection phenomenon can be prevented from occurring around the memory cell to be read so that threshold voltages of the surrounding memory cells is changed and read disturbance is prevented.例文帳に追加

それにより、読み出そうとするメモリセルの周辺で発生する熱い電子の散乱放出現象を防止でき、周辺メモリセルのしきい値電圧が変化し、読み出し妨害を有効に防止する。 - 特許庁

To efficiently perform carrier injection into an active layer and suppress a drop of voltage at an electrode contact or the like, and to operate at a low threshold and a low voltage for high realiability.例文帳に追加

活性層へのキャリア注入を効率的に行うと共に、電極コンタクト等での電圧降下を抑制することができ、低しきい値、低電圧で動作し、高い信頼性を達成する。 - 特許庁

To provide a spin transistor capable of preventing drop of the amount of carriers injected in a drain and drop of carrier injection variation by magnetization reversal.例文帳に追加

ドレインに注入されるキャリア量の低下及び磁化反転によるキャリア注入変化量の低下を抑制することができるスピントランジスタを提供する。 - 特許庁

In addition, a dangling bond of a gate oxide film 3 can be made to bond with the hydrogen atom, and thereby capture of hot carriers through the hot carrier injection can be prevented and initial characteristics of the transistor can be stabilized.例文帳に追加

又、ゲート酸化膜３のダングリングボンドを水素原子と結合させることができるので、ホットキャリア注入によるキャリアの捕獲を防止し、トランジスタの初期特性を安定化させることができる。 - 特許庁

Carrier injection efficiency is improved by providing an interface layer 4 which is excellent in adhesion with electrode surfaces between an organic semiconductor layer 3 and a source electrode 5 and between the organic semiconductor layer 3 and a drain electrode 6.例文帳に追加

有機半導体層３とソース電極５および有機半導体層３とドレイン電極６との間に、電極表面との密着性が良好な界面層４を挿入することで、キャリア注入効率が向上する。 - 特許庁

To restrain a carrier injection amount from an anode p-layer without degrading reverse voltage or introducing a lifetime killer, and to improve the reverse recovery breakdown strength of a semiconductor device without increasing forward voltage.例文帳に追加

逆耐圧を低下させることなく、また、ライフタイムキラーを導入せずにアノードｐ層からのキャリア注入量を抑え、さらに順方向電圧を上昇させずに半導体装置の逆回復破壊耐量を向上させる。 - 特許庁

Then, the temperature of the single crystal substrate is decreased from 1,070 to 700°C and a surface protective film 20 is formed by a thermal CVD method without exposing the carrier injection layer to the ambient air.例文帳に追加

次に単結晶基板の温度を1,070℃から700℃まで降下させ、キャリア注入層を大気に触れさせないで表面保護膜20を熱CVD法で形成する。 - 特許庁

Moreover, an LDD region 33 of the current controlling TFT 202 is formed to overlap a portion of a gate electrode 35, and formed into a structure focusing on prevention of hot carrier injection and reduction of an off-current value.例文帳に追加

さらに、電流制御用ＴＦＴ２０２のＬＤＤ領域３３は、ゲート電極３５と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

To provide a light emitting element simultaneously suppressing carrier overflow and preventing an efficiency of carrier injection into a light emitting layer from decreasing, to thereby improve light emitting efficiency.例文帳に追加

キャリアオーバーフロー抑制と、キャリアの発光層への注入効率低下防止とを両立することができ、発光効率を向上させることができる発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence (EL)element realizing excellent carrier injection efficiency and assuring higher light-emitting luminance with a drive voltage lower than that in the conventional art and also provide an organic EL display.例文帳に追加

優れたキャリア注入効率が実現され、従来よりも低駆動電圧で発光輝度が高い有機ＥＬ素子及び有機ＥＬディスプレイを提供する。 - 特許庁