「"etching processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing apparatus capable of improving the etching processing controllability.例文帳に追加

エッチングにおける加工制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

This enables operation of the etching processing using lower power application for plasma generation.例文帳に追加

このため、プラズマ発生のため、低い電力を適用して、エッチング処理を行うことが出来る。 - 特許庁

The embossed portions are formed by fitting processing, etching processing or press processing.例文帳に追加

また、エンボス部は、例えばフィッティング処理、エッチング処理、又はプレス処理によって形成される。 - 特許庁

LASER BEAM STIMULATED ETCHING PROCESSING DEVICE, WHEREIN NEAR FIELD OPTICAL PROBE IS USED, AND PROCESSING METHOD THEREOF例文帳に追加

近接場光プローブを用いたレーザ光励起エッチング加工装置及び加工方法 - 特許庁

The formation of the part 16 to be sealed with resin is performed by etching processing or press working, and the formation of an exposed part 18 in the lower half of the terminal 13 is performed by etching processing.例文帳に追加

この樹脂封止される部分１６の形成はエッチング加工又はプレス加工によって行われ、端子１３の下半分の露出部分１８の形成はエッチング加工によって行われる。 - 特許庁

In the plasma etching apparatus, an anode oxide film is arranged in the etching processing chamber made of aluminum alloy and between components in the etching processing chamber and a ceramics thermal spraying film superior in plasma resistance.例文帳に追加

プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。 - 特許庁

In the first etching processing chamber 1, a substrate 6 is etched by a high density plasma, and this substrate 6 is passed through the gate valve 8 and is moved to the second etching processing chamber 9.例文帳に追加

第１のエッチング処理室１では高密度プラズマによるエッチングが基板６に対して行われ、この基板６はゲートバルブ８を通って第２のエッチング処理室９に移動する。 - 特許庁

The system control device 40 is stored with data on correlation between a processing condition of the etching processing and a removal amount of the pattern structure on the wafer surface by the etching processing, and sets the processing condition of the etching processing based upon the measurement result of the size of the pattern structure on the wafer surface and the data on the correlation, so that the pattern structure on the wafer surface after the etching processing has a desired size.例文帳に追加

システム制御装置４０は、エッチング処理時の処理条件とエッチング処理によるウェハ表面のパターン構造の削れ量との相関データが記憶され、ウェハ表面のパターン構造の寸法の測定結果と相関データに基づいて、エッチング処理後のウェハ表面のパターン構造が所望の寸法になるように、エッチング処理時の処理条件を設定する。 - 特許庁

A plasma processing system 11 is provided with a processing chamber for performing etching processing, and a control unit 41.例文帳に追加

プラズマ処理装置１１は、エッチング処理を行う処理室１２と、制御装置４１とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing apparatus capable of accurately etching objects according into a desired shape.例文帳に追加

より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

ETCHING PROCESSING APPARATUS, MONITORING METHOD THEREOF, AND SELF BIAS VOLTAGE MEASURING METHOD例文帳に追加

エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 - 特許庁

In an etching processing tank 211, a temperature adjusting roller 230 for controlling a temperature is provided.例文帳に追加

エッチング処理槽２１１内には、温度コントロール用の温度調整ローラ２３０が設けられている。 - 特許庁

In an etching processing process in a process (3), the mask layer 3 is removed by selection etching.例文帳に追加

その後、工程（３）のエッチング処理工程にて、マスク層３を選択エッチング処理にて除去する。 - 特許庁

To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of performing fine and uniform etching processing at a high speed.例文帳に追加

微細かつ均一なエッチング加工を高速度で実施することができるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

Etching processing is executed for an Al foil 11 to form an amorphous structure on at least a lower surface.例文帳に追加

Ａｌ箔１１に対してエッチング処理を行うことにより、少なくとも下面を多孔質構造にする。 - 特許庁

To accurately measure actual thickness of a processed layer on line in plasma processing, specially plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマ処理、特にプラズマエッチング処理において、被処理層の実際の厚さをオンラインで正確に測定する。 - 特許庁

ETCHING PROCESSING DEVICE AND METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エッチング処理装置及びエッチング処理方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁

During the etching processing, the amount of displacement of a boundary plane is detected from an incidence light 21 and a reflection light 22 which are irradiated from this laser displacement meter, and a terminal point of etching processing is detected based on the variance of a detection value.例文帳に追加

エッチング処理中に、このレーザー変位計から照射される入射光２１と反射光２２とから境界面の変位量を検出し、検出値の変動に基づいてエッチング処理の終点を検出する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method capable of removing a reaction product or a hard mask from a treated workpiece immediately after etching processing, and to provide an etching processing method and a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

本発明は、エッチング処理直後に被処理物から反応生成物やハードマスクなどの除去を行うことのできる表面処理方法、エッチング処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching processing device for efficiently manufacturing a printed wiring board superior in wiring density and wiring accuracy, and to provide an etching processing method for a substrate for a printed wiring board which uses the device.例文帳に追加

配線密度や配線精度に優れたプリント配線板を効率的に製造することのできるエッチング処理装置とその装置を用いてプリント配線板用基板をエッチング処理する方法を提供すること。 - 特許庁

The die roll manufactured in this way has a body roll having a blade portion subjected to etching processing and a rotational shaft.例文帳に追加

このように製造されたダイロールは、エッチング処理された刃部を有する本体ロールと、回転軸とからなる。 - 特許庁

Thereafter, the resist mask is removed, and furthermore the sacrificial layer is removed with one part left by an etching processing.例文帳に追加

その後、レジストマスクを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層の一部を残して該犠牲層を除去する。 - 特許庁

The silicon substrate 2 is conveyed with conveying means 6 for the etching processing and the cleaning processing for the entire surface of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板２を搬送手段６で搬送して、シリコン基板全面のエッチング処理と、洗浄処理を行う。 - 特許庁

To provide a dielectric layer etching processing method which does not damage a silicon substrate in a bottom part of a contact point opening.例文帳に追加

接点開口の底部でシリコン基板を損傷させない誘電体層エッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

To uniformize processing in the processing face of a substrate and to improve the processing accuracy of the etching processing and the cleaning processing.例文帳に追加

基板の処理面内での処理を均一にし、エッチング処理、洗浄処理等の処理精度を向上させる。 - 特許庁

In etching processing, the nitrohydrofluoric acid nozzle 5 reciprocates while the nitrohydrofluoric acid is jetted from the nitrohydrofluoric acid nozzle 5.例文帳に追加

エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。 - 特許庁

To provide a plasma generation method in which high processing control of a precision is possible in etching processing or padding.例文帳に追加

エッチング加工や埋め込みにおいて精度の高い加工制御が可能なプラズマ生成方法を提供すること。 - 特許庁

Formed by etching processing, the convex portion can be formed without cutting unlike laser processing.例文帳に追加

エッチング処理によって形成されているため、レーザー加工のように裁断することなく凸部を形成することができる。 - 特許庁

At this etching time, etching processing of a dimple pattern 49 is carried out to the dummy electrode 46, whereby a plurality of dents are formed to the dummy electrode 46.例文帳に追加

このエッチングの際に、前記ダミー電極４６に対して、ディンプルパターン４９のエッチング処理を施す。 - 特許庁

ETCHING PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING FILM CARRIER TAPE例文帳に追加

電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理方法 - 特許庁

To provide a dry etching processing device and a dry etching method that form an etching groove to a uniform width.例文帳に追加

エッチング溝の幅を一様に形成することができるドライエッチング処理装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of subjecting a metal material of a polysilicon film lower layer to etching processing without giving damage to a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress trouble caused by etching processing when a contact hole is formed while making the contact hole fine.例文帳に追加

コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mist etching apparatus and a mist etching method which can also be applied even to a material to which etching processing is difficult and can obtain an excellent pattern shape in which side etching is suppressed and an etching processing surface is smooth.例文帳に追加

エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching processing method preventing a formed pattern from being deformed even if the pattern has a high aspect ratio.例文帳に追加

形成されるパターンのアスペクト比が高くてもパターンが歪むのを防止することができるエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

For the cleaning of the silicon by the cleaning head 20, it is preferable to complete it within a predetermined time after the etching processing.例文帳に追加

洗浄ヘッド２０によるシリコン基板の洗浄は、エッチング処理の後、所定時間内に完了することが好ましい。 - 特許庁

Aluminum is sputtered thereon and is subjected to a photolithographic etching processing to form a diffusion reflection electrode MT in a reflection region.例文帳に追加

この上にアルミニウムをスパッタし、フォトリソ−エッチング処理で反射領域に拡散反射電極ＭＴを形成する。 - 特許庁

Etching processing is performed using the resist pattern as a mask to form a pattern with the predetermined dimensions in the film to be processed (a step S6).例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

By isotropic etching processing, the oxide films 7 formed on side surfaces of the gate structures G1, G2 are removed.例文帳に追加

次に、等方性エッチング処理により、ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の側面部に形成されている酸化膜７を除去する。 - 特許庁

After the etching processing for the spring metallic layer 1, that corrosion-resistant thin film layer is removed by etching to form the flexure blank.例文帳に追加

そして、バネ性金属層１に対するエッチング処理後に、その耐腐食性薄膜層をエッチング除去して製作される。 - 特許庁

The on-substrate structure is designed in a shape continuously varying in width and etching processing is performed thereupon.例文帳に追加

基板上構造体の設計時において、幅が連続的に変化する形状とし、その上でエッチング処理を行なう。 - 特許庁

After the film formation, the heating resistor film and the electrode film are passed through etching processing together, whereby a predetermined electrode pattern is formed.例文帳に追加

この製膜後、発熱抵抗体膜と電極膜とを一緒にエッチング処理して、所定の電極パターンを形成する。 - 特許庁