「"etching processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, etching processing is applied to a vibrator 1A to form a recessed part in the vibration reed corresponding to the first opening 6.例文帳に追加

次いで、振動子１Ａをエッチング処理することによって、第一の開口部６に対応して振動片に凹部を形成する。 - 特許庁

METAL FATIGUE ACCELERATING DEVICE OF TRIMMING LINE SECTION AND METAL FATIGUE ACCELERATING METHOD OF TRIMMING LINE SECTION, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT例文帳に追加

トリミング線部の金属疲労促進装置とトリミング線部の金属疲労促進方法、およびエッチング加工製品の製造装置 - 特許庁

To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer by which a perpendicular etching is performed on a surface of the piezoelectric wafer in a short time.例文帳に追加

圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a suspension blank with wiring for a hard disk which permits etching processing of a polyimide with high accuracy.例文帳に追加

本発明は、高精度なポリイミドエッチング加工ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Projections/ recessions having a crystal surface which is slower in an etching velocity than the (111) surface of the crystal are formed by the anisotropic etching processing.例文帳に追加

異方性エッチング処理では、結晶の｛１１１｝面よりもエッチング速度が遅い結晶面を有する凹凸が形成される。 - 特許庁

The etching processing method includes (a) a step of performing etching processing of the surface of a SiC substrate 2, both surfaces of which have been mirror-polished with reactive plasma, and at the same time, irradiating the surface or the backside of the SiC substrate 2 with a laser light 14.例文帳に追加

本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。 - 特許庁

Etching processing is applied to the member 20 to be processed to form a contour 12 of the vibration reed corresponding to the second opening 10.例文帳に追加

被処理部材２０をエッチング処理することによって、第二の開口部１０に対応して振動片の輪郭１２を形成する。 - 特許庁

The hydrofluoric acid vapor is supplied to the plurality of substrates W in the basket 5 with such an air flow and etching processing is carried on.例文帳に追加

このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット５内部の複数の基板Ｗに供給され、エッチング処理が進行する。 - 特許庁

After the correction, photolithography processing and etching processing are carried out to form the predetermined pattern on the film to be processed on the wafer (steps S9, S10).例文帳に追加

補正後、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行い、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ９、Ｓ１０）。 - 特許庁

Prior to the processing, a step is carried out, in which a surface of the sintered magnet obtained by liquid-phase sintering is subjected to etching processing with acid.例文帳に追加

前記処理に先立って、液相焼結により得た焼結磁石の表面を酸によりエッチング処理する工程を実施する。 - 特許庁

Thus, the liquid at the surface of the laminate to be processed is kept in a uniformly renewed state to permit etching processing of polyimide with high accuracy.例文帳に追加

これらにより、積層体加工面の液更新状態の均一化を図られ、高精度にてポリイミドエッチング加工を行うことが出来る。 - 特許庁

To provide an etching processing method and a device therefor for protecting one side of a wafer and etching or rinsing the other side of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの片面を保護して他の片面をエッチングまたはリンス処理を行うエッチング処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

A tungsten residue 17 which occurs in a peripheral region is removed by wet etching as a second etching processing (refer to Fig. (d)).例文帳に追加

第２のエッチング処理として、ウェットエッチングにより周辺領域に発生したタングステン残渣１７の除去を行う（図１（ｄ）参照）。 - 特許庁

A plasma emission spectrum coming from indium in etching processing atmosphere is measured to detect the etching end from the intensity variation of this spectrum.例文帳に追加

エッチング処理雰囲気内のインジウム由来のプラズマ発光スペクトルを測定し、このスペクトルの強度変化からエッチング終点を検出する。 - 特許庁

Thus, it is possible to adjust characteristics by performing etching processing to the vibrating electrodes for the crystal vibration plate configured as mentioned above.例文帳に追加

以上の構成の水晶振動板に対し、励振電極に対してエッチング処理を行うことにより特性の調整を行う。 - 特許庁

The DI device 16 exposes a work board 20 directly to an image based upon the image data and performs development, and a DES device 18 performs etching processing.例文帳に追加

ＤＩ装置１６は、イメージデータにより直接ワークボード２０に画像を露光し現像し、ＤＥＳ装置１８でエッチング処理する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element, capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus, capable of applying uniform etching processing to the main surface of a substrate.例文帳に追加

基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

An etching processing using vapor hydrofluoric acid is executed and a TEOS oxide film 11 comprising the prescribed concentration of impurity is selectively removed.例文帳に追加

気相フッ酸を用いたエッチング処理を行い、不純物を所定の濃度で含んだＴＥＯＳ酸化膜１１を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a means for controlling the temperature of a semiconductor wafer at a high speed and uniformly in-plane, in etching processing at a largely applied heat.例文帳に追加

大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。 - 特許庁

To provide a spin etching method capable of preventing a cleaning processing solution to an object to be subjected to spin etching processing from going round the back surface of the object.例文帳に追加

スピンエッチング処理される被処理体への洗浄処理液の裏面回り込みを防止するスピンエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing method capable of reducing a work defect in the terminal edge of a large diameter wafer and raising production yield.例文帳に追加

大口径ウエハの最エッジ部での加工不良を低減し、生産歩留まりを向上できるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

In a plasma etching processing method that introduces a processing gas comprising a mixture of a plurality of material gases into a processing container 2 and changes the processing gas into plasma in the processing container 2 to perform etching processing on a substrate W, the mixing ratio of different kind of material gases is changed to control the CD.例文帳に追加

複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。 - 特許庁

To maintain the state where there is little dusting of foreign substances from the inside of an etching processing chamber, and the reproducibility of etching performance is secured, by efficiently removing sediment accumulated by etching in the inside of the etching processing chamber, in the cleaning method of the etching device for etching a metal film.例文帳に追加

金属膜をエッチングするエッチング装置のクリーニング方法において、エッチング処理室内部に堆積するエッチングによって生じた堆積物を効率良く除去して」、エッチング性能の再現性が有り、エッチング処理室内部から異物の発塵が少ない状態を維持する。 - 特許庁

To prevent a rise of plasma potential occurring owing to an insufficient DC ground, and also to prevent occurrence of abnormal discharge in a plasma etching processing apparatus.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which defective products are reduced by removing plating burrs occurred in etching processing.例文帳に追加

エッチング加工で発生しためっきバリを除去して、不良品の少ない半導体装置を造る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of effecting a uniform etching process upon applying plasma processing or etching processing, for example, on a workpiece.例文帳に追加

被処理体に対してプラズマ処理例えばエッチング処理を行うにあたり、均一なエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

This invention proposes that a thermal peelable material or a photosetting material is employed as a sealing material needed for the etching processing.例文帳に追加

エッチング処理時に必要となるシール材について、本発明では熱剥離性材料または光硬化型材料を採用することを提案する。 - 特許庁

Master stampers whose asymmetry values increase due to a repetition of an electrocasting process are subjected to an etching processing to thus reduce the asymmetry values.例文帳に追加

ここで電鋳工程を繰り返すことでアシンメトリが上昇してしまうマスタースタンパについて、エッチング処理を施し、アシンメトリ値を減少させる。 - 特許庁

Further, normal etching processing using the tapered resist pattern 12c as a mask is carried out to manufacture a semiconductor device and a device in microstructure.例文帳に追加

更に、このテーパー状のレジストパターン１２ｃをマスクとして、通常のエッチング処理を行って微細構造の半導体装置やデバイスを製造する。 - 特許庁

These films are subjected to etching processing, whereby heating elements 36 for recording, lead electrodes 38 and heating elements 46 for dew condensation prevention are formed, respectively.例文帳に追加

これらの膜をエッチング処理して、記録用発熱素子３６，リード電極３８，結露防止用発熱素子４６がそれぞれ形成される。 - 特許庁

A large quantity of an etching liquid remains on the surface of the substrate W immediately after being carried out from a dip tank 20 for performing dipping etching processing.例文帳に追加

浸漬エッチング処理を行うディップ槽２０から搬出された直後の基板Ｗの表面には多量のエッチング液が残留している。 - 特許庁

10^-4Pa or less is desirable for the base degree of vacuum of the process, ion-etching processing is desirable for the cleaning processing.例文帳に追加

前記工程のベース真空度は、１０^−４Ｐａ以下であることが好ましく、前記清浄化処理は、イオンエッチング処理であることが好ましい。 - 特許庁

In the stencil mask manufacturing method, a plurality of thin films are laminated, and patterning is performed by etching processing for each of the thin films.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク製造方法は、薄膜を複数積層し、それぞれの薄膜についてエッチング加工によるパターン形成を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laser beam stimulation etching processing device using near field light, whose processing efficiency and feasibility are raised, and to provide its processing method.例文帳に追加

加工効率を向上させ、実用性を高めた、近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

An etching processing end point detection means 40 positions a fiber part 43c, at a measuring position on the surface of a substrate W by an attaching/detaching mechanism 40.例文帳に追加

エッチング処理の終点検出手段４０は、接離機構４９によりファイバー部４３ｃを基板Ｗ表面上の測定位置に位置させる。 - 特許庁

In vapor-phase etching processing, no surface tension of a liquid phase acts between adjacent substrates W, which are prevented from sticking to each other.例文帳に追加

気相エッチング処理であれば隣接する基板Ｗ間に液相の表面張力が作用することは無く、それらが付着することが防止される。 - 特許庁

To provide a crystal vibration piece which is mounted with a high mounting strength while preventing deterioration in vibration characteristics even if the outer shape is formed using etching processing.例文帳に追加

エッチング加工を利用して外形形成した場合であっても、振動特性の低下を抑制しながら高い実装強度で実装を行えること。 - 特許庁

To precisely calculate an etching speed during dry etching processing, to determine whether the processing is normal/abnormal, and to improve the yield of the processing.例文帳に追加

ドライエッチング処理中に精度よくエッチング速度を算出可能であると共に、処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

That is, the supply of the hydrofluoric acid L2 is stopped intermittently during the etching processing, the film thickness measuring process is performed and the end point of etching is detected.例文帳に追加

すなわち、エッチング処理の間、断続的にフッ酸Ｌ２の供給を停止して膜厚測定工程を行いエッチングの終点を検出する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a chamber (etching processing chamber) capable of stopping production of particles (foreign matter) when particles not smaller than 2.0 μm are produced.例文帳に追加

２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, recesses 65 and 67 are formed by etching processing on the surface opposite to the overcoat 55 set at the end by the side of the magneto-resistance effect film of the electrode layer.例文帳に追加

これにより、電極膜の磁気抵抗効果膜側の端部における、保護膜５５と対向する面には、エッチング加工された凹部６５、６７が形成される。 - 特許庁

To prevent damage of an electrooptical element during etching processing for thinning a glass substrate when a plurality of electrooptical elements are taken from a mother board and formed.例文帳に追加

母基板から電気光学素子を多面取りして形成する際に、ガラス基板薄肉化のエッチング処理時に、電気光学素子が損傷を受けるのを防止する。 - 特許庁

In addition, the stable plasma assists in the etching of doped and undoped silicon and polysilicon substrates at substantially the same rate, while providing a clean etching processing.例文帳に追加

更に、安定プラズマにより、ドープしたのとドープしないシリコンとポリシリコン基板を実質的に同じ速度でエッチングすることが出来、清浄なエッチングプロセスを与える。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck member, disposed in a semiconductor processing device to perform plasma etching processing under strongly corrosive environment, capable of improving durability of the electrostatic chuck.例文帳に追加

強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置内に配設される静電チャックの耐久性を向上させること。 - 特許庁