「"etching processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the temperature of the sample 6 surface is monitored and when the temperature of the sample 6 surface has become nearly the same as the temperature in a vacuum chamber, focused charged particle beam etching processing or deposition processing is started.例文帳に追加

あるいはサンプル6表面の温度をモニターし、サンプル6表面の温度が真空内の温度とほぼ同じになってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を開始する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus applying uniform etching processing to the main surface of a substrate by preventing or suppressing a residual etching liquid on the circumferential portion of the main surface of the substrate.例文帳に追加

基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the protective tape for the etching processing, an adhesive layer 3 is provided on one surface of a base material film 2, and the adhesive layer exhibits reduction of adhesion force when it is heated at a temperature of less than 100°C.例文帳に追加

基材フィルム２の片面に粘着剤層３を設けてなり、該粘着剤層が、１００℃未満の温度で加熱したときに粘着力の低下を発現するエッチング加工用保護テープ。 - 特許庁

To produce an Fe-Ni alloy plate excellent in efficiently etching-processing by quickly and surely estimating the maximum size of the non-metallic inclusion existing in a prescribed area in the Fe-Ni alloy plate.例文帳に追加

Fe-Ni合金板中の所定の面積中に存在する最大非金属介在物の大きさを迅速かつ正確に推定し、効率的にエッチング加工性に優れたFe-Ni合金板を製造すること。 - 特許庁

Next, two-stage etching processing is applied to the laminate 22 to produce the opening-formed laminate 31 which is, in turn, used to produce the part adapted to a hydrogen separator or the like.例文帳に追加

次にこの積層体２２に２段のエッチング加工を施すことによって開口積層体３１を製造し、開口積層体３１を用いて水素分離装置などに適用される部品を製造する。 - 特許庁

To provide a metal film processing method with which it is possible to perform etching processing on a metal film, whose etching was impossible with a conventional cluster beam method, by using a cluster beam generated from an oxidation gas, a complexation gas, and a rare gas.例文帳に追加

従来のクラスタビーム法ではエッチングできなかった金属膜を酸化ガスと錯化ガスと希ガスとを用いたクラスタビームによりエッチング加工することが可能な金属膜の加工方法を提供する。 - 特許庁

A protective film 15 having compressive stress such that the product of thin-film stress and film thickness is equal to or greater than 50 (Pa m) is formed on etching processing surfaces of the first base material substrate 1 and second base material substrate 2.例文帳に追加

第１母材基板１、及び第２母材基板２のエッチング処理面に、薄膜応力×膜厚が５０Ｐａ・ｍ以上となる圧縮応力を有する保護膜１５をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The accuracy of etching processing is decided by a direction and energy in which the ions in plasma collide against the thin film, and the AC power of an AC power supply is applied in order to collide the ions with the thin film with good controllability.例文帳に追加

エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。 - 特許庁

In an etching processing apparatus having an upper electrode 21 and a susceptor 5 serving as a lower electrode within an evacuatable processing chamber 2, at least part of the electrode 21 is made of SiO2.例文帳に追加

減圧自在な処理室２内に上部電極２１と下部電極となるサセプタ５を有するエッチング処理装置１において、上部電極２１の少なくとも一部をＳｉＯ_２で構成する。 - 特許庁

To provide an etchant regeneration system capable of regenerating an etchant so that the content of a dissolved substance in an etchant in a processing tank where etching processing is carried out is precisely controlled to a constant value.例文帳に追加

エッチング処理が行われる処理槽内のエッチング液中の溶存物質の含有量が精度良く一定にコントロールされるようにエッチング液を再生できるエッチング液再生システムを提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the crystal oscillator which forms a coating film consisting of photopolymer on the quartz plate, forms a desired shape by exposing resin with exposed light by using a mask and performs batch dry etching processing of the quartz plate by using the resin shape, transmissivity of the exposed light transmitted the mask is controlled and the batch dry etching processing of the quartz plate is performed.例文帳に追加

水晶板上に感光性樹脂からなる被膜を形成し、マスクをもちいて露光光により前記樹脂を感光させることによって、所望の形状を形成し、前記樹脂形状を用いて水晶板を一括ドライエッチング加工する水晶振動子の製造方法であって、前記マスクを透過した露光光の透過率が制御されかつ水晶板を一括ドライエッチング加工することを特徴とする。 - 特許庁

In this time, the pattern is formed on the mask layer, and an etching processing used to transfer this pattern on the dielectric layer is carried out, thereby, a geometric shape correspondent to the pattern is formed on the dielectric layer.例文帳に追加

ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。 - 特許庁

To provide an etching processing apparatus and an etching method for suppressing an increase in moisture concentration in an etching liquid when replenishing a constituent liquid chemical to the etching liquid including at least one constituent liquid chemical and water.例文帳に追加

少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液に一の成分薬液を補給する際の、エッチング液中の水分濃度の上昇を抑制できるエッチング処理装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate or lower a rise of a shutter voltage by preventing an increase in the number of steps or by shortening a time required for etching processing on a groove even if an area of a photodetecting part is reduced accompanied by the reduction of a pixel size.例文帳に追加

画素サイズ縮小に伴う受光部面積の縮小が為されても、工程増加を伴うことがないかまたは、溝のエッチング加工時間をより短くして、シャッター電圧の上昇を無くするかまたは下げる。 - 特許庁

To reduce production of foreign matter of fine particle size on a substrate to be processed by reducing thermal stress generated between a transparent window of a porous structure and a particle sticking on the transparent window owing to plasma etching processing.例文帳に追加

多孔構造の透過窓と透過窓に付着するプラズマエッチング処理にともなう窓への付着物間に生じる熱応力を低減し被処理基板上に発生する微細粒径異物の発生を低減する。 - 特許庁

This etching processing method of a piezoelectric wafer forms masks 18 having openings 16 on an one surface 12 of the piezoelectric wafer and the other surface 14 thereof, and etches the openings 16 to form a through-groove.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

To provide a printing plate for reversal printing which is capable of printing without intermediate dropping-out of a large pattern even when patterns of various dimensions are mixed, and can be formed by one etching processing.例文帳に追加

大小の寸法のパターンが混在する場合でも大パターンの中抜けが無く印刷可能であり、なおかつ１回のエッチング加工によって形成することが可能な反転印刷用刷版を提供することを目的とする。 - 特許庁

The etching processing method of the piezoelectric wafer forms a mask 18 with an opening 16 on an one face 12 of the piezoelectric wafer and another face 14, carries out etching of the opening 16, and forms a through-hole.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

In the forming method of the electrode foil for the electrolytic capacitor before performing the etching processing of each electrolytic capacitor, there is performed etching pre-processing for immersing during 60-300 seconds aluminum original foil into a processing liquid containing a plural kinds of metal ions of pH 10-13 and at 60-90°C.例文帳に追加

エッチング処理を行う前に、複数種類の金属イオンを含有する、ｐＨが１０〜１３、液温が６０〜９０℃の処理液にアルミニウム原箔を６０〜３００秒、浸漬するエッチング前処理を行う。 - 特許庁

To provide an MR element for blocking the generation of a metal compound deposited from a magneto-resistance effect (MR) film during an etching processing and surely discriminating binary magnetic information corresponding to the change of a magnetic field.例文帳に追加

エッチング処理中に磁気抵抗効果（ＭＲ）膜から析出する金属化合物の生成を阻止し、磁界の変化に応じて確実に２値の磁気情報を見分けることができるＭＲ素子を提供する。 - 特許庁

Then parts existing on an upper surfaces 13A of the resist film 13 and on the main surfaces 11A of the substrate 11 in the film 12 to be patterned are removed by means of a dry etching processing, and thus the upper surfaces 13A of the resist film 13 is exposed.例文帳に追加

そして、被パターニング膜１２の、レジスト膜１３の上面１３Ａと基体１１の主面１１Ａ上に存在する部分をドライエッチング処理によって除去し、レジスト膜１３の上面１３Ａを露出させる。 - 特許庁

To prevent a substrate from spring up from a stage due to a pressure of a cooling gas supplied to an area between the substrate and the stage and causing the position aberration when abnormality occurs during dry etching processing.例文帳に追加

ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform a desired fine wet etching processing even for a semiconductor substrate that has a hole of high aspect ratio and can manufacture a fine semiconductor device.例文帳に追加

高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform a surface reforming and an etching processing simultaneously on both surfaces of many boards such as flexible circuit boards in a microwave-excited plasma processing device.例文帳に追加

マイクロウェ−ブ励起プラズマ処理装置に於いて、可撓性回路基板等の多数枚の被処理基板の表面改質及びエッチング処理等を両面同時に行うことができる回路基板のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A wet processing apparatus includes a wafer holding portion 3 for holding the wafer 1 and a processing tank 2 in which peeling processing, cleaning processing, or etching processing is carried out on the processing surface 15 of the wafer 1 with a processing liquid 19 reserved inside.例文帳に追加

ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus not only capable of applying etching processing across the entire bottom surface of a substrate, but also capable of suppressing or preventing an etching liquid supplied to the bottom surface of the substrate from flowing over onto the top surface.例文帳に追加

基板の下面の全域をエッチング処理でき、しかも、基板の下面に供給されたエッチング液の上面側への回り込みを抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The transparent electrode layer 2 has at least one opening 5 formed through etching processing to expose a surface of the substrate 1, and the haze rate of the transparent electrode layer 2 to light in a wide wavelength range is equal to or larger than 60%.例文帳に追加

透明電極層２は、エッチング処理によって形成された基板１表面を露出させる少なくとも１つの開口部５を有し、透明電極層２の広い波長領域の光に対するヘイズ率が、６０％以上である。 - 特許庁

To raise reliability to thermal stress and a heat cycle and enable etching processing to be applied to the formation of a circuit pattern, and reduce a manufacturing cost in a ceramic circuit board formed by joining a ceramic substrate and a metallic circuit board.例文帳に追加

セラミックス基板と金属回路板とを接合したセラミックス回路基板において、熱応力や熱サイクルに対する信頼性を高めた上で、回路パターンの形成にエッチング加工を適用可能にすると共に、製造コストの低減を図る。 - 特許庁

To grasp local plasma etching processing characteristics by semiconductor wafer lot before large-quantity processing starts, to decrease defectives due to nanotopography, and to comply with contrary requests for the nanotopography and a computation load.例文帳に追加

大量加工に入る前に、半導体ウェハの各ロット毎に局所プラズマエッチング加工特性が把握し、ナノトポグラフィーによる不良品発生を低減させること、およびナノトポグラフィーと計算負荷との相反する要求に応えることを課題とする。 - 特許庁

Next, the bottom of the isometric barrier / adhesive layer 216 lying on the bottom of the double damask hole, and subsequently, the underlying section of the superposed layer 204 is removed until the metallized layer 204 is exposed by anisotropic etching processing.例文帳に追加

次に二重ダマスク穴の底部に横たわる等角障壁／接着層２１６の底部を除去し、引き続いて非等方エッチング処理によって金属化層２０２が露出されるまで上乗せ層２０４の下伏部分を除去する。 - 特許庁

To provide a waste gas processing method for a semiconductor manufacturing device so as to inexpensively and easily remove harmful polyfluoride compound gas used for a cleaning or etching processing inside a processing chamber in a plasma CVD device and a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device to manufacture washer-form member with a given thickness, formed of tetrafluoroethylene resin and having one surface formed of a metal and rubber and on which etching processing is applied for the surface to be adhered to other member, with a high yield and high efficiency.例文帳に追加

四フッ化エチレン樹脂を素材とし、金属やゴム等よりなる他部材への接着のための片面にエッチング処理を施した所定厚さのワッシャ状部材を高歩留かつ高能率で製造する装置に関する発明である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the area of a flat end of a conductive bump is somewhat increased and the opening area of the recess of the conductive bump is set so that the end point of etching processing can be detected.例文帳に追加

導電性バンプの平端部の面積をある程度大きくするとともに、導電性バンプの凹部の開口面積を、エッチング処理の終点検出が可能となるようにした半導体の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A cathode surface side hole diameter La is formed larger than a second grid surface side hole diameter Lb opposed to the cathode surface side by performing, for example, etching processing and press working processing on a hole 22a formed in the first grid 22.例文帳に追加

第１グリッド２２に形成された孔２２ａに対して、例えばエッチング処理やプレス加工処理等を行うことにより、カソード面側の孔径Ｌaをカソード面側と対向する第２グリッド面側の孔径Ｌbより大きいものとする。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a device that can perform effective etching processing by generating plasma effective for etching of a substrate by controlling radical species or ion species effective for the etching of the substrate.例文帳に追加

基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

The photoluminescent display board for disaster prevention is constituted of forming a recessed groove on the surface of a base material formed by a metal by etching processing and forming a white paint layer, a photoluminescent agent layer and a glass film layer in the recessed groove.例文帳に追加

本発明の災防災用蓄光表示板は、金属で形成された基材表面に、エッチング加工により凹溝を形成すると共に、かかる凹溝内に、白色ペイント層、蓄光剤層、ガラス膜層とを施したことを特徴とする。 - 特許庁

In that case, a hole 22a stretching from the back face of the silicon substrate 22 up to the back face of the resin layer 24 is formed in this silicon substrate 22 by etching processing, and the vibrating film 20 is formed by an exposed part to the hole portion 22a in the resin layer 24.例文帳に追加

その際、このシリコン基板２２に、その背面から合成樹脂層２４の背面まで延びる孔部２２ａをエッチング加工により形成し、その合成樹脂層２４における孔部２２ａへの露出部分により振動膜２０を構成する。 - 特許庁

An etching waste liquid treatment method has the process of distilling the etching waste liquid obtained after the etching processing of a material to be etched with a hydrochloric acid-containing etchant, and the process of obtaining hydrochloric acid by subjecting the distillate obtained by the distillation to reduction treatment.例文帳に追加

本発明のエッチング廃液の処理方法は、塩酸を含むエッチング液によって被エッチング材をエッチング加工した後のエッチング廃液を蒸留する工程と、蒸留して得られた留出液を還元処理して塩酸を得る工程と、を有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing able to control the transmittance of electromagnetic waves and improve the discharge characteristic and the uniformity of the plasma and the performance and stability of etching processing by selecting material of the transmission window.例文帳に追加

本発明は、透過窓の素材を選択することにより、電磁波の透過率をコントロールでき、プラズマの放電特性と、プラズマの均一性と、エッチングプロセス性能および安定性が向上するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device for performing lithography processing and etching processing for a plurality of semiconductor wafers included in each of a plurality of lots comprises an etching condition setting process, a correlation relation acquiring process, and a feedback processing process.例文帳に追加

複数のロットのそれぞれが含む複数の半導体ウェハに対して、リソグラフィ処理及びエッチング処理を行う半導体装置の製造方法であって、エッチング条件設定工程、相関関係取得工程及びフィードバック処理工程を備えている。 - 特許庁

Film forming (forming) of a thin film by etching-processing, ashing-processing, and a plasma CVD-processing the subject to be treated or a surface of the subject to be treated is achieved by moving a relative position of the first and second electrodes and the subject to be treated.例文帳に追加

そして、前記第１及び前記第２の電極と、前記被処理物との相対位置を移動して、前記被処理物又は前記被処理物の表面にエッチング処理、アッシング処理、プラズマＣＶＤ法による薄膜の成膜（形成）を行う。 - 特許庁

A connecting hole 27 is perforated in the insulating layer 26 so that the terminal faces 22a and 23a of the circuit parts 22 and 23 can be exposed, and the connection with the circuit parts can be operated in a batch by the through-hole formation with the connecting hole 27 and etching processing.例文帳に追加

当該絶縁層２６に接続孔２７を穿設して前記回路部品２２、２３の端子面２２ａ、２３ａを露出させ、前記接続孔２７によるスルーホール形成とエッチング処理により前記回路部品への接続を一括して行う。 - 特許庁

Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211).例文帳に追加

尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 - 特許庁